「planarizing」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a polishing pad, its producing method and a method for polishing a semiconductor substrate in which the polishing rate is high, the global level difference is small, dishing is prevented in metal wiring, clogging and settling at the surface layer part are retarded and the polishing rate is stabilized at the time of planarizing local irregularities of a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の局所的凹凸の平坦化をするに際して、研磨レートが高く、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、目詰まりや表層部分のへたりが生じにくく研磨レートが安定している研磨パッドおよび研磨パッドの製造方法ならびに半導体基板の研磨方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a photosensitive siloxane composition which is used in formation of a planarizing film for a thin film transistor (TFT) substrate having such properties as high transmittance, heat resistance and insulation, an interlayer insulation film of a semiconductor device, or a core or cladding material of an optical waveguide, and which has high sensitivity, shortens developing time, and gives a pattern film readily soluble in an alkaline aqueous solution.例文帳に追加

高い透過率、耐熱性、絶縁性の特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板用平坦化膜、半導体素子の層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材などの形成に用いられる、高感度で現像時間を短縮でき、パターン膜がアルカリ水溶液に容易に溶解する感光性シロキサン組成物を提供する。 - 特許庁

The uniformity of the film thickness of a BARC is improved by a process for embedding a structure in which an organic material different from the BARC is applied at least once so that flatness is assured to an extent that does not influence lithography and the organic material is etched once and planarizing the organic material by removing the organic material so that the surface of an embedded layer is exposed by etching back.例文帳に追加

さらに、リソグラフィへの影響が無い程度の平坦性が確保できるようにＢＡＲＣとは異なる有機材料を少なくとも一回塗布して一度エッチングした構造を埋め込み、エッチバックによって被埋込み層の表面が出るように有機材料を除去して平坦化する工程により、ＢＡＲＣの膜厚の均一性を改善する。 - 特許庁

A display device 1A forms a gate electrode 12a on a substrate 11 and then forms a semiconductor layer 14, a first protection film 15, a second protection film 16, a planarizing film 17, a source/drain electrode layer 18, and a pixel separation film 19 on the gate electrode 12a through a gate insulating film 13 during a process of forming a laminated film 24 using a photolithographic technique.例文帳に追加

表示装置１Ａは、基板１１上にゲート電極１２ａを形成した後、積層膜２４の形成工程において、ゲート電極１２ａ上にゲート絶縁膜１３を介して、半導体層１４、第１保護膜１５、第２保護膜１６、平坦化膜１７、ソース・ドレイン電極層１８および画素分離膜１９を、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a bonded wafer which executes heat treatment for planarizing the surface of a thin film, in an atmosphere containing hydrogen or hydrogen chloride to the bonded wafer manufactured by the ion implantation peeling method, the surface of a susceptor for mounting the bonded wafer to be used in planarization heat treatment is coated with a silicon film beforehand.例文帳に追加

イオン注入剥離法により作製した貼り合わせウェーハに、水素又は塩化水素を含む雰囲気中で薄膜の表面を平坦化する熱処理を施す貼り合わせウェーハの製造方法において、平坦化熱処理時に用いる前記貼り合わせウェーハを載置するためのサセプタの表面を、予めシリコン膜でコーティングしておくことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 - 特許庁

To provide a cleaning agent for use in a cleaning process after the planarizing polishing process in a semiconductor device manufacturing process capable of effectively removing the organic residue and/or particles etc. existing on the surface of the semiconductor device, particularly on the surface of the semiconductor device having copper wiring thereon without subjecting the copper wiring to corrosion and/or oxidation, and to provide a cleaning method of the semiconductor device using it.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機残渣やパーティクルなどを、銅配線の腐蝕や酸化を引き起こすことなく、有効に除去することができる洗浄剤及びそれを用いた半導体デバイスの洗浄方法を提供する。 - 特許庁

The organic luminescent display device includes a substrate; a first thin film formed on the substrate, while having ruggedness portions on the surface thereof; a second thin film formed on the first thin film, while planarizing the ruggedness portions; a first electrode formed on the second thin film, a luminescent member formed on the first electrode; and a second electrode formed on the first electrode.例文帳に追加

本発明による有機発光表示装置及びその製造方法は、基板、前記基板上に形成されて、表面に凹凸部を有する第１薄膜、前記第１薄膜上に形成されて、前記凹凸部を平坦化する第２薄膜、前記第２薄膜上に形成されている第１電極、前記第１電極上に形成されている発光部材、及び前記第１電極上に形成されている第２電極を含む。 - 特許庁

In the treatment method for planarizing the surface of the SiC substrate by hydrogen gas, hydrocarbon is supplied to the SiC substrate, while making its temperature rise, under the condition in the reaction chamber that the supply of carbon is suppressed; the supply of hydrocarbon is stopped or reduced, after reaching an epitaxial growth temperature; and then, hydrogen gas is supplied to etch the surface of the SiC substrate.例文帳に追加

水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。 - 特許庁

The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a.例文帳に追加

多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。 - 特許庁

The method for producing a high planarity semiconductor wafer by machining a semiconductor wafer through plasma etching comprises a step S5 for measuring the thickness distribution of the semiconductor wafer, and a step S7 for locally plasma etching the rear surface of the semiconductor wafer, while varying the etching amount depending on the thickness distribution measured in the planarity measuring step, thus planarizing the rear surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウェーハをプラズマエッチングにより加工する高平坦度半導体ウェーハの製造方法であって、前記半導体ウェーハの厚さ分布を測定する平坦度測定工程Ｓ５と、プラズマエッチングにより前記半導体ウェーハの裏面を前記平坦度測定工程で測定された厚さ分布に応じてエッチング量を変えながら局部的に加工し平坦化する裏面プラズマ加工工程Ｓ７とを備えている。 - 特許庁

The method of polishing a semiconductor wafer W pressed to and slid along a polishing surface comprises a first polish step of planarizing a surface of the wafer W and a second polishing step of finish-polishing the wafer surface with feeding an abrasives liquid Q, containing elastic grains 3 to the polishing surface at the start or the midway of the polishing process.例文帳に追加

半導体ウェハＷを研磨面に押圧しつつ摺動することで半導体ウェハＷの研磨を行なう研磨方法において、半導体ウェハＷの被研磨面を平坦化する第１の研磨工程と、弾性体粒子３を含有する研磨液Ｑを研磨処理の開始時から又は研磨処理の途中から研磨面に供給しつつ仕上げ研磨を行なう第２の研磨工程とを有する。 - 特許庁

The method includes steps of: planarizing a film to be polished formed on a semiconductor substrate 10 using a polishing pad 104, while supplying abrasive containing abrasive grains and additive composed of a surfactant on the polishing pad; and further polishing the surface of the film after having planarized it, using the polishing pad, while supplying abrasive and water on the polishing pad.例文帳に追加

研磨砥粒と界面活性剤より成る添加剤とを含む研磨剤を研磨パッド１０４上に供給しながら、半導体基板１０上に形成された被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて研磨し、被研磨膜の表面を平坦化する工程と、被研磨膜の表面が平坦化された後、研磨剤と水とを研磨パッド上に供給しながら、被研磨膜の表面を研磨パッドを用いて更に研磨する工程とを有している。 - 特許庁

The manufacture method of the semiconductor film includes a process to prepare an amorphous semiconductor film, a process to crystallize to obtain a crystalline semiconductor film by irradiating a crystallizing laser beam to at least a part of the amorphous semiconductor film, and a process to planarize a surface of the crystalline semiconductor film by irradiating a planarizing laser beam to the crystalline semiconductor film continuously from the crystallizing process.例文帳に追加

本発明による半導体膜の製造方法は、非晶質半導体膜を用意する工程と、非晶質半導体膜の少なくとも一部に結晶化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜を得る結晶化工程と、結晶化工程に連続して、結晶質半導体膜に平坦化レーザビームを照射することにより、結晶質半導体膜の表面を平坦化する平坦化工程とを包含する。 - 特許庁

The evaluation method of the canopies of the forest by processing image data obtained by photographing the forest from the above performs planarizing processing to planarize a part of peaks and valleys without substantially varying brightness variations at boundary parts of the canopies relating to spatial change of brightness values of the image data, and conducts area dividing processing for the spatial change of the brightness values of the planarized image data to obtain the canopy shapes.例文帳に追加

森林を上空から撮影した画像データを処理して森林の樹冠を評価する樹冠評価方法において，前記画像データの輝度値の空間変化について樹冠の境界部分の輝度値変化を実質的に変更せずに峰と谷の部分を平坦にする平坦化処理を行い，その平坦化された画像データの前記輝度値の空間変化に対して領域分割処理を行って，樹冠の形状を求める。 - 特許庁

The production process for facilitating machining on the surface in following process by planarizing protrusions and recesses on the surface of a workpiece 1 comprises a step for coating the surface with photosensitive resin 2, a step for exposing the photosensitive resin using a gray scale mask 3 corresponding to the surface profile of the photosensitive resin coating, and a step for developing exposed photosensitive resin and removing uncured photosensitive resin (shaded portion).例文帳に追加

加工対象物１の表面の凹凸を平坦化し後工程における表面への加工を容易にする製造方法であって、表面に感光性樹脂２を塗布する塗布工程と、塗布された感光性樹脂の表面形状に対応するグレースケールマスク３を用いて感光性樹脂を露光する露光工程と、露光された感光性樹脂を現像し硬化していない感光性樹脂（斜線部分）を除去する現像工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method includes a first step of forming the insulating film 35 on the pixel region 10 and the peripheral region 50, a second step of lowering the height of a part of the insulating film 35 formed in the peripheral region 50 selectively, and a third step of planarizing the insulating film 35 by performing CMP polishing of the insulating film 35 entirely over the pixel region 10 and peripheral region 50.例文帳に追加

その製造方法は、絶縁膜３５を画素領域１０及び周辺領域５０に形成する第１の工程と、絶縁膜３５における周辺領域５０に形成された部分について、選択的にその高さを低くする第２の工程と、その後に、絶縁膜３５に対して画素領域１０及び周辺領域５０の全体に渡ってＣＭＰによる研磨を行って、絶縁膜３５を平坦化する第３の工程と、を備える。 - 特許庁