「planarizing」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The image sensor includes: a semiconductor substrate 10 including pixels; an interlayer insulating film 11 formed on the semiconductor substrate 10 and including a metal wiring; a color filter layer 30 and a planarizing layer 40 formed on the interlayer insulating film 11; and seed microlenses formed on the planarizing layer 40, wherein the seed microlenses are formed so as to be separated from or to contact with an adjacent seed microlens.例文帳に追加

イメージセンサは、画素を含む半導体基板１０と、該半導体基板１０上に形成されて金属配線を含む層間絶縁膜１１と、該層間絶縁膜１１上に形成されたカラーフィルタ層３０及び平坦化層４０と、該平坦化層４０上に形成されたシードマイクロレンズを含んで、前記シードマイクロレンズは隣合うシードマイクロレンズと離隔または接するように形成されることを含む。 - 特許庁

An interface 34 between the light-shielding layer 29 opposing the core layer 30 and the planarizing layer 31 is formed so that the interval between itself and the core layer 30 is gradually increased from the light-receiving section 10 side toward the light incidence side.例文帳に追加

コア層３０に対向する遮光層２９と平坦化層３１との界面３４は、受光部１０の側から光の入射する側に向かって、コア層３０との間隔が漸増されるように形成されている。 - 特許庁

One terminal end 3a of the inductor coil 8 is located at the top of the pyramid 9 and is connected with an upper metallic wiring layer 7 by means of a through hole 6 formed in an interlayer insulating film 4 and a planarizing layer 5.例文帳に追加

インダクタコイル８の一方の終端３ａは、角錐台９頂部に位置し、層間絶縁膜４及び平坦化層５に形成されたスルーホール６を介し上層の金属配線層７に接続される。 - 特許庁

To improve optical coupling efficiency by planarizing the surface of a substrate including a wiring layer and facilitating height adjustment between optical waveguides and an optical active device about an optical wiring substrate having planarized electric wiring.例文帳に追加

平坦化電気配線を有する光配線基板に関し、配線層を含む基板の表面を平坦化して光導波路と光学能動素子との高さ合わせを容易にして光結合効率を向上する。 - 特許庁

To provide a polishing method in which improvement in polishing speed of a silicon oxide film or the like and reduction in polishing scratches can be easily performed in a CMP technology of planarizing an interlayer insulating film, a BPSG film and an STI film.例文帳に追加

層間絶縁膜、ＢＰＳＧ膜、ＳＴＩ膜を平坦化するＣＭＰ技術において、酸化珪素膜等の研磨速度の向上と、研磨傷の低減を容易に行なうことができる研磨方法を提供する。 - 特許庁

The audio signal correcting section 16 executes correction for planarizing the frequency characteristics of an audio signal supplied from a microphone and/or correction of the level of the audio signal, based on a recording mode.例文帳に追加

音声信号補正部１６は、マイクロホンから供給される音声信号に対して、録音モードに基づいて、音声信号の周波数特性を平坦化する補正及び／又は音声信号のレベルを補正する。 - 特許庁

On an array substrate 10 having a thick resin film (planarizing film) 5, electric field shield wirings 13 branching off from an auxiliary capacity line 12 are provided for edges 6A of pixel electrodes 6 along a signal line 31.例文帳に追加

厚型樹脂膜（平坦化膜）５を備えたアレイ基板１０において、補助容量線１２から枝状に延びる電界遮蔽配線１３を、画素電極６における信号線３１に沿った端縁６Ａごとに設ける。 - 特許庁

To fabricate an SEM sample and STEM sample without operation for planarizing a sample surface by an FIBAD film conducted before cross-sectional processing and slice processing by an FIB, and without causing a damage by FIB radiation on the sample surface.例文帳に追加

FIBによる断面加工や薄片加工に先立って行なわれていたFIBAD膜による試料表面平坦化作業を行なうこと無く、試料表面にFIB照射損傷を与えることなく、SEM試料やSTEM試料を作製する。 - 特許庁

Then each of the primary parts provided with a base part is formed by planarizing the blank 42 cut away from a ring 30, which is provided with a bump 32, having a large diameter d to reduce costs.例文帳に追加

基部部分を備える各一次部品は、コストを削減するために、隆起部３２が設けられた大きな直径ｄを有するリング３０から切り取られた、ブランク４２を平坦化することによって形成される。 - 特許庁

Subsequently, the surface of the interlayer insulation film 4a is polished using a CMP method until the interlayer insulation film 4 remaining on the metal wiring 3 has a predetermined thickness thus planarizing the surface of the interlayer insulation film 4a.例文帳に追加

その後、ＣＭＰ法を用いて、金属配線３上の層間絶縁膜４ａの残膜が所定の膜厚になるまで層間絶縁膜４の表面を研磨して、層間絶縁膜４ａの表面を平坦化する。 - 特許庁

To provide a color filter substrate and a liquid crystal display, capable of planarizing a substrate surface, even in structure using a resin black matrix and omitting an overcoat layer, and which is capable of enhancing display quality.例文帳に追加

樹脂ブラックマトリクスを使用し、かつ、オーバーコート層を省略した構造でも、基板表面を平坦化することができ、表示品位を向上させることができるカラーフィルタ基板及び液晶表示装置の提供。 - 特許庁

To provide an active matrix type liquid crystal display device having a structure with uniform and excellent alignment and being formed a planarizing film in a display area, for realizing a large storage capacitance with a small area and achieving a high aperture ratio.例文帳に追加

表示領域に平坦化膜が形成された配向が均一で良好な構造で、蓄積容量を小面積で大きく確保し、高開口率化できるアクティブマトリクス型液晶表示装置の提供。 - 特許庁

To provide a polishing liquid having a high planarizing performance mainly in a polishing process of a copper wiring by providing an unevenness dependency to oxidization efficiency of a metal surface and combining with polishing by abrasive grain.例文帳に追加

金属表面の酸化効率に凹凸依存性を持たせると共に、砥粒による研磨と組み合わせることで、主として銅配線の研磨工程において、高い平坦化性能を有する研磨液を提供する。 - 特許庁

With this configuration, a microlens 33 allows some components of an incident light which are not collected in an incident surface 30a to be transmitted through the planarizing layer 31 and to be reflected on the interface 34, and to be guided to the opening 28.例文帳に追加

これにより、マイクロレンズ３３で入射面３０ａに集光しきれなかった入射光の成分の一部が、平坦化層３１を透過したり、界面３４で反射したりして、開口２８に導かれる。 - 特許庁

To provide a display device and an electronic apparatus, in which when a dry-etched film is formed by dry etching, at the end portion of the film, an organic planarizing film is prevented from having a reverse tapered shape and in which the occurrence of defects caused by discharging can be prevented.例文帳に追加

被ドライエッチング膜をドライエッチする際に、膜端部において有機平坦化膜が逆テーパー形状になることを防ぎ、ひいては放電による欠陥発生を防ぐことができる表示装置および電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide abrasive powder for planarizing a plane to be polished of an oxidation insulating film efficiently at a high speed while facilitating process management, and applicable to shallow trench isolation because of a high polishing speed ratio to a silicon nitride film.例文帳に追加

酸化絶縁膜等の被研磨面の平坦化を効率的、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができ、かつ窒化珪素膜との研磨速度比が大きくシャロー・トレンチ分離にも適用可能な研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a stable multicolor or full-color organic EL display panel that does have delamination, short circuiting, or the like caused by uneven coating and crawling of a polymeric planarizing layer at the outermost peripheral end of a color filter/color conversion layer pattern.例文帳に追加

カラーフィルタ／色変換層パターンの最外周端部における高分子平坦化層の不均一な被覆やはじきに起因した層間剥離や短絡等のない安定なマルチカラーまたはフルカラー有機ＥＬディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

At the contact hole part 207, a plurality of conductive projecting structures are provided in the planarizing film 206 , and the drain line 204 of the TFT circuit 203 and the first electrode 208 are connected by the projecting structures.例文帳に追加

コンタクトホール部２０７において、複数の導電性の凸構造が平坦化膜２０６の中に設けられており、この凸構造によって、ＴＦＴ回路２０３のドレイン配線２０４と第１電極２０８とが接続されている。 - 特許庁

The ferroelectric 103 and an insulation film 104 can form the same plane by forming and planarizing the insulation film 104 after forming the ferroelectric film 103, and the a base of the second electrode 105 becomes flat.例文帳に追加

強誘電体膜１０３形成後、絶縁膜１０４を成膜し、平坦化することにより、強誘電体膜１０３と絶縁膜１０４は同一平面を形成することができ、第二電極１０５の下地は、平坦な形状となる。 - 特許庁

To provide polishing solution containing solid abrasive grains and being used for chemical mechanical polishing in a process for planarizing a semiconductor integrated circuit having a barrier layer while suppressing occurrence of dishing and erosion, and to provide a polishing method.例文帳に追加

バリア層を有する半導体集積回路の平坦化工程において、化学的機械的研磨に用いる固体砥粒を含む研磨液であって、ディッシング及びエロージョンの発生を抑える研磨液および研磨方法を提供する。 - 特許庁

Since the surface of the node interconnection N1 is planar, the capacitor insulation film 131 and the upper capacitor electrode 132 can be made thin, reliability of the capacitor is enhanced and scaling-down can be attained by planarizing the upper layer interconnection.例文帳に追加

ノード配線Ｎ１の表面が平坦であるため、容量絶縁膜１３１と上部容量電極１３２の薄膜化が実現でき、キャパシタの信頼性を向上し、かつ上層配線の平坦化を図って微細化が可能になる。 - 特許庁

To provide a polishing pad that has a fine pattern formed on a semiconductor wafer, is used for a polishing process for planarizing fine irregularities in the pattern, especially contains independent bubbles, and has a high polishing rate in polishing.例文帳に追加

半導体ウエハ上に微細なパターンが形成されており、該パターンの微小な凹凸を平坦化する研磨工程に使われる研磨パッド、特に独立気泡を含有し、研磨時に高い研磨レートを有する研磨パッドを提供する。 - 特許庁

Since the ability for planarizing the projecting and recessing parts on the surface is given, in a state where the solvent is volatilized, the projecting parts of the liquid film move to a lower direction, and the surface of the application film formed after volatilization has been completed has become flat.例文帳に追加

溶剤が揮発していく段階で表面の凹凸を平坦化させる能力を有しているので液状膜の凸部は低い方向に移動し揮発が完了してから形成される塗布膜の表面が平坦になっている。 - 特許庁

Namely, different display colors are assigned to the respective pixel electrodes and the planarizing film 5 is so formed that the thickness of the parts corresponding to the pixel electrodes are different in accordance with the wavelengths of the display colors assigned to the pixel electrodes.例文帳に追加

即ち、各画素電極に異なった表示色が割り当てられており、平坦化膜5は、各画素電極に対応する部分の厚みが各画素電極に割り当てられた表示色の波長に応じて異なるように形成されている。 - 特許庁

To prevent loss in an SAC nitride film formed on an upper portion of a gate and improve the hump characteristics of a transistor in a planarizing process of an interlayer dielectric for subsequent formation of a contact plug, even if a surface roughness exists on a metal silicide layer.例文帳に追加

金属シリサイド層に表面粗さが存在しても、後続のコンタクトプラグの形成のための層間絶縁膜の平坦化工程の際、ゲートの上部に形成されたSAC窒化膜の損失を防止し、トランジスタのハンプ特性を改善すること。 - 特許庁

At this time, the second and third interlayer insulating films 42, 43 are respectively subjected to planarization processing by using a CMP method, and the contact holes are made, only in the pixel regions 10a of the second and third interlayer insulating films 42, 43 subjected to the planarizing processing.例文帳に追加

その際、ＣＭＰ法を用いて第２，第３層間絶縁膜４２，４３をそれぞれ平坦化処理し、これら平坦化処理した第２，第３層間絶縁膜４２，４３に対しては画素領域１０ａのみにコンタクトホール８３，８４を開孔する。 - 特許庁

To provide an MRAM having a structure planarizing various layers constituting a tunnel magnetoresistive (TRM) element achieved surely and making the contact hole highly reliabile for electrically connecting the TRM element and a transistor for select.例文帳に追加

トンネル磁気抵抗（ＴＲＭ）素子を構成する各種の層の平坦化を確実に達成でき、しかも、ＴＲＭ素子と選択用トランジスタとを電気的に接続する接続孔に高い信頼性を付与し得る構造を有するＭＲＡＭを提供する。 - 特許庁

To provide a method of planarizing insulation film, where the insulation film formed on a substrate having a step is planarized, without generating a hollow on its surface, a metal short circuit or the like is not induced and a metal interconnection can be formed at a high yield.例文帳に追加

段差を有する基板上に成膜された絶縁膜をその表面に窪みを生じることなく平坦化させ、メタルショート等を誘発させず、高い歩留まりでメタル配線を形成することができる絶縁膜の平坦化方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing method, a polishing device, and a manufacturing method for a semiconductor device, where occurrence of dishing or erosion is suppressed in a planarizing process for polishing a metal film to constitute wiring of a semiconductor device having a multilayer interconnection structure.例文帳に追加

多層配線構造を有する半導体装置の配線を構成するための金属膜の研磨による平坦化工程において、ディッシング、エロージョンの発生を抑制可能な、研磨方法、研磨装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a chemical mechanical polishing method capable of suppressing surface defect including scratches, and sufficiently suppressing a cost in practical usage in a planarizing process of a surface to be polished by the chemical mechanical polishing method.例文帳に追加

化学的機械的研磨方法による被研磨面の平坦化工程において、スクラッチをはじめとした表面欠陥が抑えられ、現実の使用においてもコストを十分に抑える事が出来る化学的機械的研磨方法を提供することを目的とする - 特許庁

Then, the protective layer 52 directly above the MTJ laminate structure 20 is selectively removed by etching after selectively removing the silicon oxide layer 53 other than an MTJ laminate structure 20 region by planarizing and polishing the entire surface by the CMP process.例文帳に追加

その後、ＣＭＰプロセスにより全面を平坦化研磨してＭＴＪ積層構造２０領域以外のシリコン酸化物層５３を選択的に除去した後、エッチングにより、ＭＴＪ積層構造２０の真上にある保護層５２を選択的に除去する。 - 特許庁

A plurality of first electrodes 14 are formed on the planarizing insulation film 13 and an insulation film 15 between electrodes which is composed of photosensitive resin such as polyimide or polybenzoxazole is formed and baked in a region between the first electrodes 14.例文帳に追加

平坦化絶縁膜１３の上に、複数の第１電極１４を形成し、これらの第１電極１４の間の領域に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる電極間絶縁膜１５を形成し、焼成する。 - 特許庁

Next, the surface layer of the substrate is pressed against the fixed abrasive grain polishing pad, at a portion where the planarizing solution exists and at least one of the fixed abrasive grain polishing pad or the substrate moves relative to the other, to eliminate material from the surface of the substrate.例文帳に追加

次に、基板の表面層は、平坦化溶液の存在するところで固定砥粒パッドに対して押圧され、固定砥粒パッドまたは基板のうち少なくとも一方は他方に相対して移動し、基板の表面から材料を除去する。 - 特許庁

To provide organic coating compositions including antireflective coating compositions that can reduce reflection of exposing radiation from a substrate back into an overcoated photoresist layer and/or function as a planarizing or via-fill layer.例文帳に追加

基体からオーバーコートされたフォトレジスト層に戻る照射放射線の反射を減少させることができ、および／または平坦化もしくはビア充填層として機能し得る反射防止コーティング組成物を含む、有機コーティング組成物を提供する。 - 特許庁

A heat dissipating plate is fixed onto a protective film 7 via an adhesive layer, and the protective layer has a planarizing layer to cover the organic electroluminescent element part, and a shield layer to interrupt bad influence to the organic electroluminescent element part, when curing the adhesive layer, in this order.例文帳に追加

保護膜７上に接着層を介して放熱板が固定されるとともに、保護膜が、有機エレクトロルミネッセンス素子部を被覆する平坦化層と、接着層を硬化する際の有機エレクトロルミネッセンス素子部への悪影響を遮断するシールド層とをこの順に有する。 - 特許庁

Thus, the protective layer is protected from breaking by eliminating stress concentration, because of forming a planarized layer 15 on the protective layer 14 where the step is generated by covering the wire layer 13 and planarizing the surface to surely protect the protective layer 14.例文帳に追加

こうして、導線層１３を覆って表面に段差の生じている保護層１４の上に平坦化層１５を形成して表面を平坦にして保護層１４を確実に保護するので、応力集中をなくして保護層の破損を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide an apparatus for planarizing electrode posts and manufacturing method of a wafer level package in which a metal paste is applied to a wafer, electrode posts made of the metal paste are so formed that their heights are equal, and nibs or deviations generated on electrode tip portions are planarized.例文帳に追加

ウェハ上に金属ペーストを形成し、金属ペーストで形成された電極ポストの高さを均一に形成するとともに、電極先端部に発生する尖りや片寄りを平坦化した電極ポスト平坦化装置およびウエハレベルパッケージ製造方法を提供する。 - 特許庁

A screen image generating means 2 generates a screen image comprising only high frequency components with a prescribed frequency or more and an image with multi-value gradation resulting from planarizing the gradation histogram of pixels.例文帳に追加

スクリーン画像生成手段２は、入力手段１から入力されたパラメータ値に基づいて、ある一定の周波数以上の高周波成分のみからなる画像であって、且つ画素の階調値ヒストグラムが平坦化された多階調の画像であるスクリーン画像を生成する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a bonded wafer, capable of obtaining the bonded wafer having a thin film satisfactory in film thickness uniformity, even when heat treatment is performed for planarizing the thin-film surface of the bonded wafer after peeling, in an ion implantation peeling method.例文帳に追加

イオン注入剥離法において、剥離後の貼り合わせウェーハの薄膜表面を平坦化するための熱処理を行った際にも、膜厚均一性に優れた薄膜を有する貼り合わせウェーハを得ることができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

On the planarizing layer 43 covering the sets of metal wiring 34, a plurality of first on-chip lenses 51 as cylindrical lenses for converging an incident light in a row direction are formed to extend in the columnar direction so as to cover each of the photodiodes 21 formed in one column.例文帳に追加

金属配線３４を覆う平坦化層４３の上には、入射光を行方向に収束するシリンドリカルレンズである複数の第１のオンチップレンズ５１が、一の列に形成された各フォトダイオード２１を覆うように列方向に延びてそれぞれ形成されている。 - 特許庁

To achieve both surface planarization and film thickness uniformity of an upper insulation film by uniformly planarizing the surface of the upper insulation film, which covers a structure having a level difference on a surface thereof, across the whole substrate in order to stably and reliably form a desired semiconductor element.例文帳に追加

表面に段差部分を有する構造物を覆う上部絶縁膜を基板全面に亘って均一に表面平坦化し、上部絶縁膜の表面平坦化及び膜厚均一化を共に実現して、所期の半導体素子を安定且つ確実に形成する。 - 特許庁

To provide an electrolytic machining liquid reducing a polishing speed of copper, which is a wiring layer, up to at least a speed equivalent to that of a barrier layer and capable of planarizing the surface of a copper film flush with the surface of an insulating layer at electrolytic polishing time of a surface of a substrate.例文帳に追加

基板表面の電解研磨時に、配線層である銅の加工速度を少なくともバリア層と同等な速度まで遅くし、銅膜の表面と絶縁層の表面とをほぼ同一平面になるように平坦化できる電解加工液を提供する。 - 特許庁

It is preferable that the planarizing solution do not contain abrasive grains which makes the surface layer of the substrate oxidized, without discharging a surface layer on the substrate into the solution and the fixed abrasive grain polishing pad is one, in which substantially uniformly distributed abrasive grains are fixedly adhered to the suspension medium.例文帳に追加

平坦化溶液は、基板上の表面層を溶液中に排出せずに酸化させる、砥粒を含まない平坦化溶液であることが好ましく、固定砥粒パッドは、実質的に均一な分布の砥粒が懸濁媒体に固定的に接着される。 - 特許庁

To provide a high-sensitivity positive photosensitive resin composition for use in formation of a planarizing film for a TFT substrate, an interlayer insulation film or a core or cladding material of an optical waveguide having such properties as high hardness, high resoluiton, high heat resistance, high transparency and a low dielectric constant.例文帳に追加

高硬度、高解像度、高耐熱性、高透明性、低誘電率性の特性を有する、ＴＦＴ基板用平坦化膜、層間絶縁膜、あるいは光導波路のコアやクラッド材の形成に用いられる高感度のポジ型感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The method of planarizing the insulation film is provided with a process, in which the insulation film is formed on the substrate having the step, a process in which the surface of the formed insulation film is polished, so as to be planarized and a process in which the polished insulation film is heat-treated, thereby achieving the purpose.例文帳に追加

段差を有する基板上に前記絶縁膜を成膜する工程と、成膜された絶縁膜の表面を平坦化のために研磨する工程と、研磨された絶縁膜を熱処理する工程とを有することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁