「planarizing」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A method of manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming an insulating film on a semiconductor substrate formed with a semiconductor element, and planarizing its upper surface by a CMP or the like.例文帳に追加

半導体素子を形成した半導体基板上に絶縁膜を形成し、その上面をＣＭＰ等で平坦化する。 - 特許庁

To realize both improvement in the global planarity of an interlayer insulating film and insurance of uniformity in a wafer surface in a CMP planarizing process.例文帳に追加

ＣＭＰ平坦化工程において、層間絶縁膜のグローバル平坦性の向上とウェハ面内均一性の確保とを両立させる。 - 特許庁

This enables formation of crystal nucleus at even below 900°, increasing the density thereof and planarizing the second GaN layer 102.例文帳に追加

９００度以下でも結晶核を生成でき、かつその密度を大きくすることができ、第２層のＧａＮ層１０２を平坦化できる。 - 特許庁

The planarizing insulation film 13 which is composed of photosensitive resin such as polyimide or polybenzoxazole is formed and baked on a board for driving 11.例文帳に追加

駆動用基板１１に、ポリイミドまたはポリベンゾオキサゾールなどの感光性樹脂よりなる平坦化絶縁膜１３を形成し、焼成する。 - 特許庁

This manufacturing method includes a stage of depositing a deposition film, having a different thickness, and a stage of planarizing the deposition film.例文帳に追加

本製造方法は、相異する厚みを有する蒸着膜を蒸着する段階と、蒸着膜を平坦化させる段階とを含む。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin-film magnetic head which hardly make an error in thickness of a thin film (planarizing layer) for making an element.例文帳に追加

素子を構成する薄膜（平坦化対象層）の層厚に誤差が生じにくい、薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

The wafer W having the coated insulating film A in a soft state before being hardened is conveyed to the planarizing equipment 18, and the brush 101 is moved along the surface of the coated insulating film A while it is pressed against the coated insulating film A, thus planarizing the coated insulating film A to a predetermined film thickness.例文帳に追加

硬化前の柔らかい状態の塗布絶縁膜Ａを有するウェハＷが平坦化装置１８に搬送され，ブラシ１０１を塗布絶縁膜Ａに押し当てて当該塗布絶縁膜Ａの表面に沿って移動させることにより，塗布絶縁膜Ａを所定の膜厚に平坦化できる。 - 特許庁

To provide a composition for forming a lower layer film for lithography and a composition for forming a planarizing film, both being used for a lithography process for manufacturing a semiconductor device, and to provide a lower layer film and a planarizing film that exhibit an etching rate greater than that of a photoresist and does not cause the intermixing with a photoresist.例文帳に追加

半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物並びに平坦化膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜並びに平坦化膜を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of planarizing a surface of a junction layer, and a semiconductor manufacturing apparatus.例文帳に追加

本発明は、接合層の表面を平坦化させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

The deflection is predicated upon a planarizing of the pixel, and it is calculated while utilizing an algorithm that includes the fraction of the at least one constituent material.例文帳に追加

偏差は、画素の平坦化に基づいて予測され、少なくとも一つの構成材料の比率を含むアルゴリズムを利用して計算される。 - 特許庁

The electrode upper layer 16 has a top surface being a flat surface having no relation with surface morphology of the ferroelectric film 13 by planarizing.例文帳に追加

そして、電極上層１６の上面は、平坦化により、強誘電体膜１３の表面モホロジーと無関係な平坦面となっている。 - 特許庁

To provide a mixed acid liquid in etching which is suitably used for planarizing a semiconductor wafer or improving its glossiness required for the wafer.例文帳に追加

半導体ウエハーに要求されるウエハーの平坦化や光沢度向上のために好適に使用されるエッチングプロセスにおける混酸液を提供する。 - 特許庁

Etching is not performed in the process of planarizing a polycrystalline Si wafer, but only mechanical grinding is performed for planarization (S104, S106).例文帳に追加

本発明では、多結晶Ｓｉウェハの平坦化の工程でのエッチングは行なわれず、機械研削のみで平坦化がなされる（Ｓ１０４、Ｓ１０６）。 - 特許庁

To provide a method and a structure for planarizing the surface of a semiconductor having irregularities of surface shape.例文帳に追加

本発明の目的は、表面形状の不規則部を有する半導体の表面を平面化するための方法と構造を提供することである。 - 特許庁

The glass substrate 3 is provided with a color filter layer 5, wherein the surface of the color filter layer 5 is covered with a planarizing layer 6 made of a material which planarizes the surface.例文帳に追加

ガラス基板３には、カラーフィルタ層５が設けられ、カラーフィルタ層５の表面は、該表面を平坦にする材料からなる平坦化層６で覆われている。 - 特許庁

To solve at once both the problems of planarizing being difficult, when a dummy pattern is large and the data quantity increases taking much time, when the dummy pattern is small.例文帳に追加

ダミーパターンが大きい場合は、平坦化が困難であり、ダミーパターンが小さい場合は、データ量が多くなって時間がかかるという問題を同時に解決する。 - 特許庁

Then, an insulating film 9 is made over the entire surface, and next planarizing is performed, with the stopper film 4 as a polishing deterring film in chemical and mechanical polishing.例文帳に追加

その後、全面に絶縁膜９を形成し、次いでストッパー膜４を化学的機械的研磨の研磨阻止膜として用いて平坦化を行う。 - 特許庁

A method of chemical mechanical planarization of the substrate on the fixed abrasive grain polishing pad to which planarizing solution is dispensed, is disclosed.例文帳に追加

固定砥粒研磨パッド上に平坦化溶液が分配される、固定砥粒研磨パッド上で基板を化学機械的に平坦化する方法を開示する。 - 特許庁

In one embodiment of the present invention, pH of the planarizing solution is controlled so as to make the material of the surface layer oxidized, without discharging it into the solution.例文帳に追加

本発明の一実施態様において、平坦化溶液のｐＨは、表面層の材料を溶液中に排出せずに酸化させるように制御される。 - 特許庁

To provide a caterpillar type stair ascending/descending vehicle to support a load by planarizing irregularities and increasing non-slip parts at the time of an ascending/descending on stairs by a caterpillar.例文帳に追加

段階をキャタピラで昇降する際、凹凸を埋めて、ノンスリップ部分をふやして荷重を支持するキャタピラ型段階昇降車を提供する。 - 特許庁

To provide a method for CMP polishing, capable of selectively polishing a surface to be polished at a stably polishing speed and highly planarizing the surface.例文帳に追加

安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨方法を提供する。 - 特許庁

A planarizing protective film 5 is deposited on the black mask 4, and a plurality of scan electrodes 6 are formed in parallel with one another on the flat surface.例文帳に追加

ブラックマスク４には、平坦化保護膜５が被着され、その平坦な表面には、複数本の走査電極６が互いに平行に形成されている。 - 特許庁

A drain line 204 of the TFT circuit 203 and the first electrode 208 are connected through a contact hole part 207 provided in the planarizing film 206.例文帳に追加

平坦化膜２０６に設けられたコンタクトホール部２０７を介してＴＦＴ回路２０３のドレイン配線２０４と第１電極２０８とが接続されている。 - 特許庁

In operation, the planarizing solution is easily removed by the polishing surface of the polishing pad, to form a coarse rough surfaced layer of insoluble oxide on the surface layer.例文帳に追加

動作中に平坦化溶液は、研磨パッドの研磨表面により容易に除去される、表面層上の不溶性酸化物の荒い粗面層を形成する。 - 特許庁

To provide a treatment method for planarizing the surface of an SiC substrate which gives a smooth surface, under the condition in a reaction chamber with the supply of carbon being suppressed.例文帳に追加

カーボンの供給を抑えた反応室内条件での平滑な表面を与えるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing platen of a CMP apparatus and a planarizing method using the platen, which can increase a wafer uniformity in a wafer CMP step.例文帳に追加

ウエハのＣＭＰ工程時にウエハ均一度を向上させるようにしたＣＭＰ装置の研磨プラテン及びそれを用いた平坦化方法を提供する。 - 特許庁

Then an insulating dielectric layer is adhered to the whole structure, and conductive polymer wires are produced by planarizing an insulator by the chemical mechanical polishing (CMP).例文帳に追加

次いで、絶縁誘電体層を構造全体の上に付着し、絶縁体の化学的機械研磨（ＣＭＰ）平坦化を行い、導電ポリマー線を作り出す。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a substrate processing apparatus for planarizing a film shape when depositing a semiconductor film of Si, SiGe and the like based on selective growth on a substrate such as an Si wafer.例文帳に追加

Ｓｉウエハなどの基板にＳｉ、ＳｉＧｅなどの半導体膜を選択成長にて成膜する際の、膜形状を平坦化させる。 - 特許庁

To provide method and system for planarizing of semiconductor contactor, attaining flatter relation, with regard to probe card assembly, and more specifically, between contacting element and device under test on the probe card assembly.例文帳に追加

プローブカードアセンブリに関し、より具体的には、プローブカードアセンブリ上の接触要素と被試験デバイスとの間で、より平坦な関係を達成する。 - 特許庁

The tendency of short circuit esp. between the lower capacitor electrode 102 and the upper electrode 406 due to planarizing steps of chemical mechanical polishing is avoided by physically separating the two layers 102, 406.例文帳に追加

上部電極層と下部電極層のオーバーラップは存在せず、平面化プロセスの間発生することのある短絡の問題を回避できる。 - 特許庁

The semiconductor substrate is exposed by performing an etching process to the insulating film between the planarizing layers using the photoresist pattern and the other photoresist pattern as etching masks.例文帳に追加

フォトレジストパターン及び他のフォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて平坦化層間絶縁膜にエッチング工程を実行して半導体基板を露出する。 - 特許庁

In one aspect of the invention, the method includes planarizing the masking material layer and structure material to remove a portion of the structure material.例文帳に追加

本発明の一つの観点に於て、方法はマスク材料層及び構造材料を平面化して、構造材料の一部分を除去することを含む。 - 特許庁

A planarizing plate is settled in contact with a ununiform outer surface of a dielectric layer covering underlying functional circuit elements and filler circuit elements.例文帳に追加

下側に存在する機能回路要素及びフィラー回路要素を被覆する誘電体層の不均一な外部表面と接触して平坦化プレートを配置させる。 - 特許庁

It is possible to make the bottom layer by passing thermoplastic elastomer through a calendar process (for instance, mixture and/or planarizing) and/or a vulcanization process.例文帳に追加

熱可塑性エラストマーをカレンダープロセス（たとえば、混合および／または平坦化される）および／または加硫プロセスに通すことによって、ボトム層を作ってもよい。 - 特許庁

The top surface of the secondary insulating film is polished for the planarizing process until the primary insulating film formed on the main plane of the silicon substrate 11 is exposed.例文帳に追加

第２の絶縁膜の表面を、シリコン基板１１の主面に形成された第１の絶縁膜が露出するまで研磨して平坦化処理する。 - 特許庁

The feed wiring 90 is embedded in the protective insulating film 32 and the planarizing film 33 and is provided projectingly from the surface of the flat film 33.例文帳に追加

給電配線９０は保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３に埋設されているとともに、平坦化膜３３の表面から凸設されている。 - 特許庁

To provide a method of planarizing a semiconductor layer without increasing the number and complexity of manufacturing processes as well as without deteriorating crystal characteristics, and a method of planarizing a surface of a semiconductor layer for stabilizing the interface between the surface of the semiconductor layer and a gate insulating film, in order to achieve a TFT having good characteristics.例文帳に追加

良好な特性を有するＴＦＴを実現するために、製造工程を増加、複雑化させることなく、さらに、結晶性を低下させることなく半導体層を平坦化する方法、また、半導体層表面を平坦化させゲート絶縁膜との界面を安定させる方法を実現することを目的としている。 - 特許庁

To provide a technology capable of providing a step for performing any processing after a step for carrying out the planarizing processing of a folding portion of a booklet with a simple structure.例文帳に追加

簡易な構成で冊子の折り曲げ部の平坦化処理行う工程の後に何らかの処理を施せる工程を設けることができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide an abrasive and a polishing method which enable high speed polishing and a high planarizing in a CMP technology, which planarizes an interlayer insulation film, and a shallow trench isolating an insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜、シャロートレンチ分離用絶縁膜を平坦化するＣＭＰ技術において、高速研磨と高平坦化を可能にする研磨剤および研磨法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for planarizing a surface containing Cu or a Cu alloy, by which the number of surface defects can be reduced greatly and the leakage between adjacent lines reduced.例文帳に追加

表面の欠陥数が大幅に減少し、近接したライン間の漏洩が減少するようなＣｕおよびＣｕ合金の平坦化を可能にする方法を提供する。 - 特許庁

At least one of the interlayer insulating films includes a boron phosphorus silicate glass film and has its top face subjected to planarizing treatment by being put into a fluidized state.例文帳に追加

層間絶縁膜の少なくとも１つは、ボロンリンガラス膜からなると共に、流動化状態を経ることにより上面に対して平坦化処理が施されている。 - 特許庁

To provide an organic EL display device eliminating influence of a recess due to a contact hole formed in a planarizing film for forming an excellent light-emitting layer.例文帳に追加

平坦化膜に形成されたコンタクトホールによる窪みの影響を解消することにより、良好な発光層が形成された有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reflection type liquid crystal display device satisfactory in display quality by embedding space between reflectors with insulating material, and planarizing the surface of a semiconductor chip module.例文帳に追加

反射電極間の隙間を絶縁物で埋め込み、かつ、半導体チップモジュールの表面を平坦化して、表示品質が良好な反射型液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a dust core having low loss by planarizing the surface of a soft magnetic powder, and performing insulation processing to improve an annealing temperature and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

軟磁性粉末の表面を平坦化した後、絶縁処理を行うことで、焼純温度の向上を図り、低損失な圧粉磁心と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

The method further includes steps of: planarizing an upper surface of the group III-V semiconductor body and an upper surface of the group IV semiconductor body to render those respective upper surfaces substantially co-planar.例文帳に追加

III−Ｖ族半導体本体の上面とIＶ族半導体本体の上面とを平坦化して、それぞれの上面をほぼ同一平面にするステップをさらに含む。 - 特許庁