「pulse process」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, and a thermal processing apparatus such that damage to a semiconductor substrate due to irradiation with irradiation light having a pulse width of ≤100 msec is suppressed in a process of manufacturing the semiconductor device to suppress a decrease in yield due to cracking of the semiconductor substrate, and thus lower resistance and shallow joining are compatibly achieved.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、１００ｍｓｅｃ以下のパルス幅で照射光を照射することによる半導体基板のダメージを抑え、半導体基板の割れによる歩留り低下を抑えるとともに、低抵抗化と浅接合化の両立を図ることが可能な半導体装置の製造方法と熱処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a heating amount setting device for a cooker capable of properly executing the other process by preventing the disadvantage applying the bad influence on the other processing by executing the processing to adjust the heating amount, though the heating amount is adjusted by using an encoder outputting a pair of pulse signals in accompany with the rotating operation.例文帳に追加

回転操作に伴って一対のパルス信号を出力するエンコーダを用いて加熱量を調整するようにしたものでありながら、加熱量調整用の処理を実行することによって他の処理に悪影響を与える不利を回避して、他の処理を適正に実行することが可能となる調理器用の加熱量設定装置を提供する。 - 特許庁

In an active layer formation process of the semiconductor device using a ZnO film 40 for an active layer, laser annealing L1 is executed to the ZnO film 40 by a pulse laser of ultraviolet light to reduce resistance thereof, and a specific resistance value of a channel part of the ZnO film 40 excessively reduced in resistance then is increased to a value ≥10^3 Ω cm by an oxidation treatment.例文帳に追加

ＺｎＯ膜４０を活性層に用いた半導体素子の活性層形成過程において、ＺｎＯ膜４０に対して紫外光のパルスレーザによってレーザアニールＬ１を行い低抵抗化し、このとき過度に低抵抗化したＺｎＯ膜４０のチャネル部の比抵抗値を酸化処理によって１０^３Ω・ｃｍ以上にまで上げる。 - 特許庁

In order to perform a heat treatment required in a process for forming a thin film element by forming a semiconductor film and an insulating film on a glass substrate without causing any thermal damage on the substrate, a light absorption layer capable of absorbing pulse light is formed locally at a specified part on the substrate for forming the thin film element.例文帳に追加

ガラス基板を用いて、その上に半導体膜や絶縁膜を積層して形成する薄膜素子を形成する工程において必要となる熱処理を、該基板に熱的な損傷を与えることなく行うために、薄膜素子が形成される基板の特定部分にパルス光の吸収が可能な光吸収層を局所的に形成して熱処理を行うものである。 - 特許庁

The reaction gas-removed silicon ball is then accelerated by a pulse of carrier gas composed of inert gas in a sending- out part 30 to be sent out to the next process.例文帳に追加

渦巻き流を前記球状物を含む第１の雰囲気に接触させ、この渦巻き流に巻き込むように第1の雰囲気を選択的に外方に吸引して、外方に拡散させる一方、前記球状物が搬送装置の中心部を通過するように案内し、この球状物に第2の雰囲気を供給し、前記第2の雰囲気とともに次の工程に送出するようにしたことを特徴とする。 - 特許庁

In a first sub-field SF1 and a second sub-field SF2 in a unit display period, a pixel data pulse DP is applied to a column electrode while applying respective reset scanning pulses SPW, SPWW of negative polarity to one row electrode out of each row electrode pair to execute a reset address process for causing a discharge cell to transition from an OFF mode to an ON mode.例文帳に追加

単位表示期間内の第１サブフィールドＳＦ１及び第２サブフィールドＳＦ２では、負極性の各書込走査パルスＳＰＷ、ＳＰＷＷを各行電極対の一方の行電極に印加しつつ画素データパルスＤＰを列電極に印加してこの放電セルを消灯モードから点灯モードの状態に遷移させる書込アドレス行程を実行する。 - 特許庁

In the changing process, since a fine vibration applying part 7 superimposes a fine pressure vibration on the applying pressure to the cuff 2 and applies it, the artery wall of the blood pressure measuring part is vibrated by the applied pressure vibration and generated vibration components are superimposed on volume pulse waves indicating a volume change between a contracted period pressure and an expanded period pressure of the artery and detected.例文帳に追加

この変化過程において、微小振動印加部７はカフ２に対する印加圧力に重畳して微小の圧力振動を印加するので、印加した圧力振動によって血圧測定部位の動脈壁に振動が生じて、生じた振動成分は動脈の収縮期圧と拡張期圧間の容積変化を示す容積脈波に重畳して検出される。 - 特許庁

The driving device with the encoder comprises a motor 9 that drives a movable member 2, an encoder 7 that outputs an analog waveform signal ANG corresponding to the driving quantity of the motor 9, a process circuit 5 that processes the analog signal ANG by a threshold value of a predetermined level to output a digital pulse signal DGT, and a CPU that counts the digital pulses to control a motor 9.例文帳に追加

エンコーダ付駆動装置は、可動部材２を駆動するモータ９と、モータ９の駆動量に応じてアナログ波形の信号ＡＮＧを出力するエンコーダ７と、アナログ波形信号ＡＮＧを所定のレベルの閾値により処理してデジタルパルスの信号ＤＧＴを出力する処理回路５と、デジタルパルスを計数してモータ９を制御するＣＰＵ６とを備えている。 - 特許庁

The joining method for cemented carbide is provided with a joining process where cemented carbide members (alloy members) 3 and 5 consisting essentially of tungsten carbide (WC) are joined to the object 6 to be joined directly contacted at the mutual joining faces 3A and 5A in the upper and lower directions by performing pulse conducting while applying pressure between the cemented carbide members 3 and 5 from the upper and lower directions.例文帳に追加

この超硬合金の接合方法は、タングステンカーバイド（ＷＣ）を主成分とする超硬合金部材（合金部材）３、５を互いの接合面３Ａ、５Ａで上下方向に直接接触させた被接合物６に、上下方向から超硬合金部材３、５間に圧力を加えながらパルス通電を行って接合させる接合工程を備えている方法とした。 - 特許庁

To provide a flyback transformer equipped with a capacitor, a breeder resistor inserted into a protecting case, coils and a terminal board for holding the capacitor and the breeder resistor, and configured to output a high voltage according to the input of a flyback pulse for achieving the miniaturization of the flyback transformer and the reduction of an operation process, and for realizing its firmer fixing than that connected to conventional coils.例文帳に追加

コンデンサと、保護ケースに挿入されるブリーダ抵抗器と、コイル部品と、前記コンデンサ及びブリーダ抵抗器を保持するためのターミナルボードとを備え、フライバックパルスの入力により、高電圧を出力するフライバックトランスにおいて、フライバックトランスの小型化及び作業工程の低減が図れると共に、従来のコイル部品に接続したものよりもしっかりと固定することができるフライバックトランス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This formed die 100 is formed to a desired shape by using a binderless superfine sintered hard alloy material in the segment of a molding surface 102 for forming at least the surface of the forming die and sintering this superfine sintered hard alloy material by a pulse electrosintering process and the forming surface 102 for forming the above surface is subjected to nearnet shaping sintering to a mirror finished surface form then to polishing.例文帳に追加

この発明の成形型１００は、成形型の少なくとも前記表面を成形する成形面１０２の部分にバインダレスの超微粒超硬合金粉末材料が使用され、その超微粒超硬合金粉末材料をパルス通電焼結法により焼結して所望の形状に形成され、前記表面を成形するための成形面１０２が鏡面状にニヤネットシェープ焼結された後に研磨されている点に特徴がある。 - 特許庁

In the method of manufacturing an electronic component with a semiconductor chip connected to a substrate, a pretreatment prior to die bonding step, comprises installing a solid dielectric on at least one opposed surface of a pair of opposed electrodes under near the atmospheric pressure, introducing a process gas between the pair of opposed electrodes, applying a pulse-like electric field to obtain a plasma, and contacting the plasma with the substrate.例文帳に追加

半導体チップを基板に接続してなる電子部品の製造方法において、ボンディング工程の前処理として、大気圧近傍の圧力下、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の対向電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られるプラズマで基板を接触処理することを特徴とする電子部品の製造方法。 - 特許庁

In an ashing processing in the semiconductor manufacturing process by the plasma processing, a solid dielectric is installed on the opposing surface of at least one of a pair of electrodes opposing each other in the atmosphere under a pressure near the atmospheric pressure, and discharge plasmas obtained by introducing the processing gas between the pair of the electrodes and applying a pulse-like electric field are brought into contact with a base material to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。 - 特許庁

In an activation process for increasing an element current and an emission current by accumulating carbon or a carbon compound by impressing a voltage pulse between element electrodes of electron emitting elements for forming an electron emitting part in an organic substance atmosphere, electron emitting efficiency is uniformized by controlling the element current of the respective elements by changing activation time with every element in response to a distance from a spacer.例文帳に追加

有機物質雰囲気下において、電子放出部を形成した電子放出素子の素子電極間に電圧パルスを印加して該電子放出部に炭素或いは炭素化合物を堆積させることにより素子電流及び放出電流を増加せしめる活性化工程において、スペーサからの距離に対応して、素子毎に活性化時間を変えることによって、各素子の素子電流を制御し、電子放出効率を均一にする。 - 特許庁