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raを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 2467



例文

In this sample table for the electron microscope, surface roughness of a surface is set to 0.05 to 1.0 μm in arithmetical mean roughness Ra stipulated in JIS B 0601.例文帳に追加

表面の面粗さがJIS B 0601に規定される算術平均粗さ(Ra)で0.05〜1.0μmとしてなる電子顕微鏡用試料台。 - 特許庁

The lubricating oil delivery port having the opening center is not formed in the other phase area except for this area Ra.例文帳に追加

この領域Ra以外の他の位相領域に開口中心を有する潤滑油吐出口は形成されていない。 - 特許庁

All or part of registration control variables Ra, Rb and Rc stored in a memory of the image forming apparatus are made rewritable.例文帳に追加

画像形成装置のメモリに記憶されているレジスト制御量Ra,Rb,Rcの全部あるいは一部は書き換え可能に構成されている。 - 特許庁

An arithmetic average roughness Ra on an adhesive face between the base 10 and the sleeve 11 is 0.1-1.0 μm.例文帳に追加

ベース10とスリーブ11の接着面の算術平均粗さRaは0.1〜1.0μmの範囲にある。 - 特許庁

例文

In the reflective region RA, the pixel electrode 190 is formed in a comb-like shape, and through an insulating layer 180, the common electrode 130 is formed in a plane state.例文帳に追加

反射領域RAでは、画素電極190を櫛歯状に形成し、絶縁層180を介して共通電極130を面状に形成する。 - 特許庁


例文

When Ra on the upper surface side of the metal foil 11' is set similarly, evacuation work efficiency is enhanced when photolithography is utilized.例文帳に追加

金属箔11’の上面側のRaも同様に規定するもとにより、フォトリソグラフィーを利用する際の真空引きの作業効率が向上する。 - 特許庁

On the opposite side of the address signal line region RA of the first word line driver region WD1, a memory cell array CA is arranged.例文帳に追加

また、第1のワード線ドライバ領域WD1のアドレス信号線領域RAとは反対側にメモリセルアレイCAが配置されている。 - 特許庁

The proton conductive film has a surface roughness Ra of 0.5 mμ to 2 mμ.例文帳に追加

本発明のプロトン伝導性膜は、表面粗度Raが0.05μm〜2μmであるプロトン伝導性膜となる。 - 特許庁

An evaluating object parameter Ra and the threshold value (0.5 μm) are set by using a keyboard 16.例文帳に追加

本発明は、評価対象パラメータ(Ra)及びその閾値(0.5μm)をキーボード16を用いて設定する。 - 特許庁

例文

Arithmetic surface roughness (Ra) on the surface 131A of the electrode 120 side of the dielectric board 131 is set to be 1 to 10 μm.例文帳に追加

誘電体板131の電極120側の表面131Aの算術表面粗さ(Ra)は、1μm以上10μm未満とされている。 - 特許庁

例文

Varying sizes of the surface roughness Ra in a range of 10 μm×10 μm of the a-Si photoreceptor are formed alternately in the direction of the generatrix.例文帳に追加

a-Si感光体の10μm×10μmの範囲における表面粗さRaの大小を、母線方向に交互に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

A node between temperature sensing resistors Rd2 and Ru2 is connected to a node between the sensing resistor Ra and the minus input terminal of the amplifier A.例文帳に追加

感温抵抗体Rd2とRu2との接続点は感温抵抗体Raと増幅器Aのマイナス入力端子との間に接続される。 - 特許庁

The spacer column is formed on the transparent conductive film 4 of ≥1.76 nm in center line mean roughness (Ra).例文帳に追加

スペーサ柱が中心線平均粗さ(Ra)1.76nm以上の透明導電膜4上に形成されたこと。 - 特許庁

Concerning a power circuit Ra, a DC/DC switching power circuit Rd, one of the voltage current of voltage current characteristics a/b is selected and outputted.例文帳に追加

電源回路Ra、DC/DCスイッチング電源回路Rdは、電圧電流特性a/bの電圧電流の一方が選択され、出力される。 - 特許庁

Furthermore, a center-line average roughness Ra on the surface of the zinc coating is preferably ≥0.1 μm and ≤0.5 μm.例文帳に追加

さらに、亜鉛被膜の表面の中心線平均粗さRaは、0.1μm以上0.5μm以下であることが好ましい。 - 特許庁

The circuit Ra converts mains power supplied in accordance with a control signal from a control circuit 2 to voltage current.例文帳に追加

電源回路Raでは、制御回路2からの制御信号に応じて供給された商用電源が電圧電流に変換される。 - 特許庁

An AC/DC switching power supply circuit Ra outputs the prescribed power supply voltage from the commercial power supply supplied via a terminal Ti.例文帳に追加

AC/DCスイッチング電源回路Raでは、端子Tiを介して供給された商用電源から所定の電源電圧が出力される。 - 特許庁

Subsequently, the foundation concrete 211 is fastened for fixation to the bedrock R by using a plurality of rock anchors RA which are arranged in a net-like shape.例文帳に追加

それに続いて、この基礎コンクリート211を網状に配置した複数のロックアンカーRAによって岩盤Rに対して締結固定する。 - 特許庁

Surface roughness Ra on the clamp reference surface 3a is set to 120 nm or higher, and its dynamic friction coefficient is set to 0.5 or higher.例文帳に追加

そして、クランプ基準面3aにおける表面粗さRaを120nm以上として、その動摩擦係数を0.5以上とする。 - 特許庁

Surfaces of the raceway grooves 15, 16 are applied with super-finishing and formed in 0.05 Ra or less surface roughness.例文帳に追加

軌道溝15,16の表面は超仕上げが施されて表面粗さが0.05Ra以下に形成されている。 - 特許庁

The irregularities 21a have an arithmetic average roughness Ra of ≤0.1 μm, and a mean interval Sm between the surface irregularities is 10-60 μm.例文帳に追加

凹凸21aは、算術平均粗さRaが0.1μm以下で、その表面凹凸の平均間隔Smが10〜60μmである。 - 特許庁

The surface roughness (Ra) of the base material film is preferably 0.5-1.6 μm for the wafer full-cut dicing tape.例文帳に追加

前記ウエハフルカット用ダイシングテープの基材フィルムの面粗度(Ra)は、好ましくは、0.5〜1.6μmである。 - 特許庁

Therein, the ruggedness of the boundary 3 between the titanium plate and the steel observed in a cross section of the joining part 5 is ≥1.0 μm in Ra.例文帳に追加

また、接合部5の断面において観察されるチタン板と鋼との界面3の凹凸がRaで1.0μm以上である。 - 特許庁

Then one resist part Ra is formed by exposure and development and the corner part at the upper part of the end surface is hardened after made smooth by a resist flow.例文帳に追加

次いで、レジストの一方Raを露光・現像により形成して、端面上部の角部をレジストフローによりなだらかとした後に硬化する。 - 特許庁

An inversion input terminal of the operational amplifier 21 is connected to the connection point of the first feedback resistor Rb and the second feedback resistor Ra.例文帳に追加

また、オペアンプ21の反転入力端子は、この第1帰還抵抗Rbと第2帰還抵抗Raとの接続点に接続されている。 - 特許庁

In the image editing apparatus, the attachment resolution Ra of an optional image A attached to an optional image frame F is calculated.例文帳に追加

画像編集装置は、任意の画像フレームFに貼り付けられた任意の画像Aの貼り付け解像度Raを算出する。 - 特許庁

Preferably the surface opposite to the surface on which the adhesive layer is formed in the base material resin film has Ra of 0.1-0.3 μm.例文帳に追加

また、前記基材樹脂フィルムの前記粘着剤層が形成された面の反対側の面のRaが、0.1〜0.3μmであることが好ましい。 - 特許庁

To provide a bridge apparatus for relieving a processing load imposed on a communication terminal caused by reception of an RA packet periodically transmitted from a router.例文帳に追加

ルータから定期的に送信されるRAパケットを受信することによる通信端末の処理負荷を軽減する。 - 特許庁

Indoor machines 2a-2d in this air conditioning system 1 supply conditioned air to the inside of a building RA via a plurality of supply openings 21a-21d.例文帳に追加

空調システム1における室内機2a〜2dは、複数の吹き出し口21a〜21dを介して建物RA内に空調空気を供給する。 - 特許庁

Atomization Ra, Rb of the reducing agent from the reducing agent supply valves 77a, 77b covers the end face 69f entirely.例文帳に追加

これら還元剤供給弁77a,77bからの還元剤の噴霧Ra,Rbによって一端面69f全体を覆う。 - 特許庁

The surface roughness is set as follows; Ra=0.08 to 0.10 μm, Rz=0.45 to 0.60 μm, and the pitch P of the linear groove is about 17 μm.例文帳に追加

その表面粗さは、Ra=0.08〜0.10μm、Rz=0.45〜0.60μmであり、線状溝のピッチPは約17μmである。 - 特許庁

Plastic working is applied to a magnesium alloy stock, a surface roughness of a principal part after plastic working is70 μm Ra.例文帳に追加

マグネシウム合金素材に塑性加工を施し、塑性加工後の主要部の表面粗さを70μmRa以下にする。 - 特許庁

The center line average roughness Ra of the substrate 111 in contact with the developer is controlled to be between 0.2 μm and 0.5 μm.例文帳に追加

基板111の現像剤接触面の中心線平均粗さRaを0.2μm以上0.5μm以下とする。 - 特許庁

The metal foil is stainless steel foil and has a glossiness Gs (45°) of at least 300 and below 500 and a surface roughness Ra of 100 nm or below.例文帳に追加

前記金属箔が、ステンレス箔であり、光沢度Gs(45°)が300以上500未満で、表面粗さRaが100nm以下である。 - 特許庁

Q0=W.V.R., where V is rolling speed (m/min), W is the width (m) and R is the surface roughness Ra of the work roll (μm).例文帳に追加

Q_0 =W・V・R 但し、V:圧延速度(m/分)、 W:板幅(m)、 R:ワークロール表面粗度Ra(μm)。 - 特許庁

The cable sheath 15 is provided with an average surface roughness Ra of 0.1 to 1.2 μm by manufacturing the cable 10 by the method.例文帳に追加

このケーブルの製造方法によりケーブル10を製造することで、ケーブル外被15の平均表面粗さRaを0.1〜1.2μmにする。 - 特許庁

The surface roughness Ra of the surface layer 4 is controlled in a range of 0.5 to 3.5 by the add amount of the phenol resin particles.例文帳に追加

表面層4の表面粗さRaは,フェノール樹脂粒子の添加量により,0.5〜3.5の範囲内に調整されている。 - 特許庁

The material of the discharge nozzle is made from stainless steel and the center line average roughness (Ra) of the inside wall surface of the discharge nozzle is ≤0.15 μm.例文帳に追加

吐出ノズルの材料がステンレス鋼で、吐出ノズルの内壁面の中心線平均粗さ(Ra)が0.15μm以下であること。 - 特許庁

A radius of curvature of the center is calculated based on a circular arc Ra of 1/4 of an upper part reflected at the center of the cornea of a reflected image of the cornea.例文帳に追加

角膜反射像の内、角膜中心部に映る上部の4分の1の円弧Raを基に中心部の曲率半径を演算する。 - 特許庁

Nodes of the first ladder resistor Ra and the second ladder resistor Rb are switched by the first selector X1 and the second selector X2.例文帳に追加

第1選択部X1と第2選択部X2とによって第1ラダー抵抗Ra及び第2ラダー抵抗Rbのノードを切り替える。 - 特許庁

The void ratio of the photocatalyst 3 is preferably 1-50% and the surface roughness Ra of the light receiving surface thereof is preferably 5 nm-10 μm.例文帳に追加

光触媒3は、空孔率が1〜50%であるのが好ましく、受光面の表面粗さRaが5nm〜10μmであるのが好ましい。 - 特許庁

The correlation degree is respectively obtained while successively making the center pixel in the source image be different inside the corresponding area RA.例文帳に追加

相関度は原画像における中心画素を対応領域RA内で順に異なるものとしながら、それぞれ求める。 - 特許庁

The spherical hard particles are silica particles of a 3-5 μm mean particle size, and the surface roughness Ra of the surface protection layer 4 is 0.1-0.3 μm.例文帳に追加

球状硬質粒子が平均粒径3〜5μmのシリカ粒子であり、表面保護層4の表面粗さRaが0.1〜0.3μmである。 - 特許庁

The silicon nitride sintered compact for a circuit board obtained by this method has 0.6 μm or smaller surface roughness (Ra value).例文帳に追加

また、前記方法で得られる表面粗さ(Ra値)が0.6μm以下である回路基板用窒化珪素焼結体。 - 特許庁

The skin material has a topcoat containing fine powder and having a surface roughness Ra regulated within the range of 0.5-30 μm in a standard state.例文帳に追加

微粉末を含有し、表面粗さRaが標準状態で0.5〜30μmの範囲にあるトップコートを有することを特徴とする表皮材料。 - 特許庁

A switching circuit Sb and a secondary battery BT are inserted in series between the output terminal of the power supply circuit Ra and the ground.例文帳に追加

電源回路Raの出力端と接地との間に、スイッチ回路Sb、二次電池BTが直列に挿入される。 - 特許庁

In a method for measuring the impact of the robot arm, the robot arm R is held with a braking torque applied to a joint portion Ra of a base end thereof by a torque limiter 4.例文帳に追加

ロボットアームRをその基端の関節部Raにトルクリミッタ4により制動トルクを付与した状態で保持する。 - 特許庁

This magnetic sensor has at least about 80% of an MR portion when the resistor-area (RA) product is about 1.0 Ω μm^2.例文帳に追加

この磁気センサは、その抵抗−面積(RA)積が約1.0Ω・μm^2であるとき、少なくとも約80%のMR比を有する。 - 特許庁

Surface roughness of an inner wall face of the outer cup 22 is adjusted to Ra of 0.5 to 10.0 so that it functions as a hydrophilic front surface.例文帳に追加

外カップ22の内壁面は親水性表面として機能するように表面粗度がRa0.5〜10.0に調整されている。 - 特許庁

例文

A surface of a semiconductor like silicon that has a surface (110) thereon is made of Ra with a thickness of 0.15 nm or smaller, so that a transistor can be fabricated with a high mobility.例文帳に追加

(110)シリコンのような半導体表面をRaで0.15nm以下にすることにより、移動度の高いトランジスタの作製を可能にする。 - 特許庁

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