「re-plating」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Moreover, the re-wiring circuits 4, 5 are electrically connected with the plating process 6, 6 conducted to the cutout portions 3, 3, 3...例文帳に追加

また該再配線回路４、５を前記切欠部３、３、３・・・内に施したメッキ６、６により電気的に接続する。 - 特許庁

It is enough if the vibrating step is applied in place of a removing step and a re-plating step, with no plating liquid required, thus the production steps are simplified than heretofore and production cost is reduced.例文帳に追加

また、除去工程および再メッキ工程に代えて振動工程を適用すればよくメッキ液も不要なので、製造工程が従来よりも簡素になり製造コストを低く抑えられる。 - 特許庁

For example, when the cavity forming surface 59 of a core block 56 is re-ground or re-polished, a thickness adjusting layer 102 is formed on an abutting surface 56a to a movable receiving plate 52 in the core block 56 by chromium plating.例文帳に追加

例えばコアブロック56のキャビティ形成面59を再研削または再研磨したとき、コアブロック56における可動側受け板52への突き合わせ面56aにクロームめっきにより厚さ調整層102を形成する。 - 特許庁

To provide a welding wire without copper plating of less occurrence of irregular winding and excellent wire re-winding property when the wire is re-wound in an alignment winding in a spool in a final wire manufacturing stage.例文帳に追加

ワイヤ製造最終段階においてスプールに整列巻きにてワイヤ巻き替えを行う際に巻き乱れの発生が少なく、ワイヤ巻き替え性に優れた銅めっき無し溶接用ソリッドワイヤを提供すること。 - 特許庁

To effectively perform a pre-process of electroless plating and a subsequent rinse process (cleaning process) or the like while preventing re- contamination of the substrate processing surface.例文帳に追加

無電解めっきの前処理や、それに続くリンス処理（洗浄処理）等を、基板処理面の再汚染を防止しつつ、効率よく行うことができるようにする。 - 特許庁

To provide a resist stripper which can remove a resist after a tin plating film is formed on copper without inducing re-precipitation of tin on copper.例文帳に追加

銅上にすずめっき被膜を形成した後に、銅上へのすず再析出を生じさせることなくレジストを剥離することが可能なレジスト剥離剤を提供する。 - 特許庁

To provide an Au film correction method for suppressing the damage to a base metal film to a minimum, cleaning the surface and improving reliability at the time of re-plating.例文帳に追加

下地金属膜などのダメージを最小限に抑えると共に、表面を清浄化し、再めっき時の信頼性を向上したＡｕ膜修正方法を提供すること。 - 特許庁

A conductive film 12 to be arranged between a re-wiring 9 and a bump electrode is formed by a non-electrolytic plating method in a condition where an Al wiring 2 of a plating power feeding region 52 is not exposed on the external peripheral portion of a semiconductor wafer.例文帳に追加

再配線９とバンプ電極との間に配置される導体膜１２を無電解めっき法によって形成するにあたり、半導体ウエハの外周部のめっき給電領域５２のＡｌ配線２が露出しない状態で行う。 - 特許庁

Firstly, electrolytic plating of copper is performed by using an underlying metal layer 6 as a deposition current path, thereby forming a re-wiring layer 7 on an upper surface of the metal layer 6 in an opening 12 of a first plating resist film 11 composed of positive type liquid resist of novolac system resin.例文帳に追加

まず、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、ノボラック系樹脂のポジ型の液状レジストからなる第１のメッキレジスト膜１１の開口部１２内における下地金属層６の上面に再配線７を形成する。 - 特許庁

The thickness of the re-wiring 8 formed by a laminated body of the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23, and the thickness of the metal plating layer 29 is determined to be twice as much as that of the outermost layer of the film.例文帳に追加

金属スパッタ層又は金属蒸着層２３と金属めっき層２９との積層体をもって形成される再配線８の厚みを表皮の厚さの２倍以上とする。 - 特許庁

To provide an electroless plating bath which makes it possible to form a diffusion barrier layer of a Re-based alloy, having a uniform thickness regardless of the shape and size of a workpiece, on the surface of a Ni-based alloy by a relatively simple method.例文帳に追加

Ｎｉ基合金の表面に、製品の形状や寸法に拘らず、比較的簡単な方法により、均一な膜厚のＲｅ基合金からなる拡散バリア層を形成する。 - 特許庁

Secondly, copper electrolytic plating of copper is performed by using the metal layer 6 as a deposition current path, while the first plating resist film 11 is made to remain as it is, thereby forming a columnar electrode 8 on a connection pad upper surface of the re-wiring 7 in an opening 14 in a second plating resist film 13 composed of negative type dry film resist of acryl resin.例文帳に追加

次に、第１のメッキレジスト膜１１をそのまま残存させた状態で、下地金属層６をメッキ電流路として銅の電解メッキを行うことにより、アクリル系樹脂のネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜１３の開口部１４内における再配線７の接続パッド部上面に柱状電極８を形成する。 - 特許庁

In the wiring pattern 24, a zincate treatment is performed to surfaces of the electrode pads 22 of the semiconductor chip 12, connection electrodes 23 are formed, a seed layer 28 is formed on a Pb containing resin layer 26 by electroless plating, and a re-wiring 30 is formed on the seed layer 28 by electrolytic solder plating.例文帳に追加

また、配線パターン２４は、半導体チップ１２の電極パッド２２の表面にジンケート処理を施して接続電極２３を形成した後、Pb含有樹脂層２６に無電解めっきによりシード層２８を形成し、シード層２８に再配線３０を電解めっきにより形成したものである。 - 特許庁

Then re-formation processing for a barrier metal layer is performed, and a Cu seed layer and a Cu plating layer are formed to form a second Cu wiring portion to be buried in the connection hole 8 and groove 9 for wiring finally.例文帳に追加

その後、バリアメタル層の再成膜処理、Ｃｕシード層及びＣｕめっき層を形成し、最終的に接続孔８及び配線用溝９内に埋め込まれる第２のＣｕ配線部を形成する。 - 特許庁

To provide an improved Rh-Re alloy plating bath in an electrolytic rhodium plating applied on a contact part to aim the improvement of durability to prevent the damage and the deterioration of the contact surface due to the oxidation caused by the spark on a contact point which necessitates high sensitive electroconductivity and suffers radical spark due to the repeated on-off and an alloy plating film.例文帳に追加

高感度の電気伝導度を必要とし、ＯＮ−ＯＦＦの反復回数の激しい接点のスパークによる、接点面の損傷及び酸化等による劣化を防止する為に、その耐久性の向上を目的として、前記接点部に施工される電解ロジュウムめっきに関して、改良されたＲｈ−Ｒｅ合金めっき浴および合金めっき被膜を提供する。 - 特許庁

After a sealing film 34 is formed, a surface-processing layer 35 for preventing oxidation is formed on the upper surface of the column type electrode 2, by conducting electrolytic plaing using the auxiliary wiring 32, connection line 33 and re-wiring 31 as the plating current path.例文帳に追加

そして、封止膜３４を形成した後に、補助配線３２、接続線３３及び再配線３１をメッキ電流路として電解メッキを行うことにより、柱状電極２９の上面に酸化防止用の表面処理層３５を形成する。 - 特許庁

In the multilayer wiring board where insulating layers of resin insulating film and conductor layers of conductor film are laid alternately in layers, a via hole connecting the upper and lower wiring layers sandwiching the insulating layer is made by at least one of electroless plating or electrolytic plating employing a laminar flow of fluid Reynolds Number (Re') 10^-3-10^-2.4 in the vicinity of the via hole.例文帳に追加

樹脂絶縁膜よりなる絶縁層と導体膜よりなる導体層とが交互に積層されてなる多層配線基板において、絶縁層を挟んだ上下の配線層を接続するビアホールが、ビアホール近傍の流体レイノルズ数（Ｒｅ’）１０^−３〜１０^−２．４の層流を用いる無電解めっきもしくは電解めっきの少なくともどちらか一方により形成する。 - 特許庁

To provide an ion plating apparatus which can form a film having stable film characteristics on a workpiece by suppressing the re-vaporization of a formed film deposit which has been deposited on a hearth by the vaporization of a film material, or suppressing the deposition of a formed film deposit on the hearth, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

膜材の気化によりハースに付着した成膜堆積物の再気化を抑制、または成膜堆積物がハースに堆積するのを抑制して、ワークに安定した膜特性を有する被膜を成膜することができるイオンプレーティング装置および成膜方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a chemically amplified negative photoresist composition for thick films having high sensitivity and good plating resistance and suitable for the formation of thick films favorable for use as materials for forming bumps, re-wiring and a metal post used in a CSP manufacturing technique and to provide a photoresist base material and a method for forming bumps using the same.例文帳に追加

高感度で、メッキ耐性が良好である上に、ＣＳＰ製造技術に用いられるような、バンプ、再配線、メタルポスト形成用材料として好適な厚膜形成に適する厚膜用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物、ホトレジスト基材およびこれを用いたバンプ形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a forming method for a columnar metal body which can reduce its diameter by controlling its shape and make its height uniform and nearly eliminates the need to re-set a plating current each time a circuit is designed, and to provide a manufacturing method for a multi-layer wiring board which uses the forming method.例文帳に追加

柱状金属体の形状を制御して更なる小径化が可能で、その高さを均一化することができ、しかも回路設計ごとにメッキ電流を設定し直す必要が殆どない柱状金属体の形成方法、及びそれを利用した多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A re-wiring 8 through which a signal of ≥800MHz is transmitted is formed by a process where a metal sputter layer or a metal vapor-deposition layer 23 is formed on a passivation film 5 on a completed wafer 21 prepared through a predetermined process and a process where a metal plating layer 29 is laminated on the metal sputter layer or the metal vapor-deposition layer 23.例文帳に追加

８００ＭＨｚ以上の信号を伝送する再配線８の形成を、所定のプロセスを経て作製された完成ウエハ２１のパッシベーション膜５上に金属スパッタ層又は金属蒸着層２３を形成する工程と、当該金属スパッタ層又は金属蒸着層２３上に金属めっき層２９を積層する工程とを含んで行う。 - 特許庁