「reverse-current device」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a resistance change type memory device capable of preventing disturbance caused by the flowing of reverse element current at the end time of a low resistance operation.例文帳に追加

低抵抗化動作の終了時に、逆向きの素子電流が流れディスターブが発生することを防止した抵抗変化型メモリデバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can shorten a convergence time of a vibration phenomenon of a current and voltage occurring during reverse recovery action of a reflux diode.例文帳に追加

環流ダイオードの逆回復動作時に発生する電流及び電圧の振動現象の収束時間を短縮可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To reduce reverse leakage current of a semiconductor device produced by grinding a semiconductor substrate to have a smaller thickness and performing ion implantation on the grinding surface.例文帳に追加

半導体基板を研削して薄くし、その研削面にイオン注入を行うことにより作製される半導体装置の逆漏れ電流を少なくすること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a small ON-state voltage, when an IGBT is kept in operation and a diode keeps operating forward and has a small reverse recovery current and soft recovery characteristics, when a diode operates in reverse.例文帳に追加

ＩＧＢＴ動作時およびダイオード順動作時のオン電圧が低く、また、ダイオード逆動作時の逆回復電流が小さく、ソフトリカバリー特性となる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device on which a reverse bias leak current is reduced in a thin film insulated gate field-effect transistor to be used for an active matrix electric optical device, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

アクティブマトリクス型電気光学装置に用いる薄膜絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、逆バイアス時のリ−ク電流を減少せしめた半導体装置とその作製方法を提供する。 - 特許庁

A digital controller 11 for repairing the chip digitally control the application of heating current pulse from a heating current pulse adjusting device 10 and reverse charge voltage from a reverse charge voltage adjusting device 9 to flash the electron gun chip 3 under heating and repair the shape.例文帳に追加

更に、電子銃チップ３に対する加熱電流パルス調整装置１０からの加熱電流パルスおよび逆電荷電圧調整装置９からの逆電荷電圧の付与をチップ修復ディジタル制御装置１１でディジタル制御することにより、電子銃チップ３に対して加熱フラッシングおよび形状修復が行われる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which an ON voltage is low at the time of an IGBT operation and forward operation of a diode, a reverse recovery current is small at the time of the reverse operation of the diode, and soft recovery characteristics are attained.例文帳に追加

ＩＧＢＴ動作時およびダイオード順動作時のオン電圧が低く、また、ダイオード逆動作時の逆回復電流が小さく、ソフトリカバリー特性となる半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

With the ignition device of such a construction, since direction of current tending to flow by rectifying action of the Zener diode is a reverse direction of one of two Zener diodes 11, 12, current dose not flow.例文帳に追加

このような構成の点火装置によれば、ツェナーダイオードが有する整流作用によって流れようとする電流に対して、２つのツェナーダイオード１１、１２の内の一方が逆方向となるため、電流が流れない。 - 特許庁

This breakdown preventing circuit (30) for an electronic device includes a cut-off circuit for cutting off a current running through the portable electronic device (20) from the battery (10), if a battery (10) is inserted in reverse into the portable electronic device (20).例文帳に追加

電子機器破壊防止回路（３０）は、電池（１０）が携帯電子機器（２０）に逆差しされた場合に、電池（１０）から携帯電子機器（２０）に流れる電流をカットオフするカットオフ回路から構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device provided with a protection circuit capable of protecting a protected element having low surge pressure resistance in the reverse direction and a small surge current resistance value.例文帳に追加

逆方向のサージ耐圧が低くサージ電流耐量の小さい被保護素子をサージから保護することが可能な保護回路を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic disk device of a perpendicular magnetic recording system which uniforms intensity of magnetization recorded on a magnetic disk without depending on a reverse interval of a recording current.例文帳に追加

記録電流の反転間隔に依らずに、磁気ディスクに記録される磁化の大きさを一様にすることが可能な垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, with a MPS structure, capable of reducing leakage current in reverse characteristics.例文帳に追加

本発明は、ＭＰＳ構造の半導体装置において、逆方向特性の漏れ電流を低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device with a Schottky diode that reduces stationary loss during forward bias application without increasing a leakage current during reverse bias application.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, easily decreasing a reverse direction leakage current by reducing defects in a semiconductor substrate during manufacturing processes.例文帳に追加

製造工程中に半導体基板に発生する欠陥を低減し、逆方向リーク電流を小さくすることが容易な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a kinesthetic sense device which can be operated with a small current and gives the sense of rebounding in the reverse direction to an operating direction.例文帳に追加

小電流で作動させることができ、力覚として操作方向と反対方向に跳ね返されるような感覚を得ることができる力覚ディバイスの提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that prevents reverse current in the boundary between a diode region and IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) region without blocking heat conduction.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間における熱伝導を阻害することなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

A reverse recovery current preventing device 2 includes a full-wave rectification unit 21, first and second diodes D22, D23, a switching element 24, and a switching element control unit 30.例文帳に追加

逆回復電流防止装置２は、全波整流部２１と、第１及び第２ダイオードＤ２２，Ｄ２３と、スイッチング素子２４と、スイッチング素子制御部３０とを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a Schottky diode for reducing steady loss when applying forward bias without increasing a leakage current when applying reverse bias.例文帳に追加

逆方向バイアス印加時のリーク電流を増加させることなく、順方向バイアス印加時の定常損失を低減するショットキーダイオードを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an SiC semiconductor device equipped with a schottky diode for controlling a barrier height to suppress the increase in a reverse leakage current value, and its production method.例文帳に追加

バリアハイトを制御し、逆方向リーク電流値が高くなることを抑制できるショットキーダイオードを備えたＳｉＣ半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The switching device (10) includes: a main IGFET (11) incorporating a Schottky diode D3 for blocking a reverse current; a protecting switch means (12); and a protecting switch control means (13).例文帳に追加

スイッチング装置（１０）は、逆方向電流を阻止するショットキダイオードＤ３を内蔵する主IGFET（１１）と、保護スイッチ手段（１２）と、保護スイッチ制御手段（１３）とを有する。 - 特許庁

In the display device, a switching transistor 267d is provided between an EL element 266 and a driving transistor 267a controlling the current value of the element 266 in order to apply a reverse voltage to the EL element 266 and the EL element 266 is made to be in a non-conduction state in a reverse bias application period.例文帳に追加

ＥＬ素子２６６に逆バイアス電圧を印加するために、ＥＬ素子２６６と電流値を制御する駆動トランジスタ２６７ａの間にスイッチングトランジスタ２６７ｄを設け、逆バイアス印加期間では非導通状態とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of suppressing an increase of dV/dt during reverse recovery, suppressing oscillation in a voltage current waveform during the reverse recovery, and simultaneously improving both of high-speed and low-loss characteristics and soft recovery characteristics.例文帳に追加

逆回復時のｄＶ／ｄｔの増加を抑制し、逆回復時の電圧電流波形の振動を抑制し、高速・低損失特性とソフトリカバリー特性の両者を同時に向上させる半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

When the main switching element 101 is on state and the element temperature rises, the increase in leakage current, which flows the diode 102 in the reverse direction, is detected and the controlling switching device 104 is made on state by the leakage current.例文帳に追加

主スイッチング素子１０１がオン状態にあり、素子温度が上昇した場合にダイオード１０２を流れる逆方向のリーク電流の増加を検知して、リーク電流により制御スイッチング素子１０４をオン状態とする。 - 特許庁

The output of a plurality of dispersed solar cell power supply devices comprising a DC/DC converter device for boosting the voltage of direct-current power obtained by interconnecting the solar cell panels in series or in parallel through a plurality of reverse-current preventing diodes and preventing reverse current is connected with a feeder for the electric train for supplying power to the electric train.例文帳に追加

その太陽電池パネルを直列あるいは並列に複数台逆流防止ダイオードを介して相互接続して得た直流電力の電圧の昇圧および電流の逆流防止用のＤＣ／ＤＣコンバータ装置と、で構成される複数の分散太陽電池電源装置の出力を電車に電力を供給する電車用き電線に接続する。 - 特許庁

A motor driving device 6 supplies a current responsive to the counted value of the up and down counter 44 to the motor 2 in the direction reverse to the direction represented by the rotating direction detection signal.例文帳に追加

モータ駆動装置６は、回転方向検出信号が表している方向とは逆の方向に、アップダウンカウント部４４のカウント値に応じた電流をモータ２に供給する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device of smaller size, capable of reducing a switching loss caused by a reverse recovery current for a reduced heating loss.例文帳に追加

逆回復電流に起因するスイッチング損失を減少することができ、発熱損失を減少することができ、小型化を実現することができる電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a display device in which by making a bias current, ample for insulating a short-circuited point, to flow in the reverse direction and applying a transistor with the use of amorphous silicon.例文帳に追加

短絡箇所を絶縁化するのに十分な逆方向のバイアス電流を流し、アモルファスシリコンを用いたトランジスタを適用することにより表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of suppressing an increase of reverse current in a rectifier element, and capable of preventing diffusion of impurities such as fluorine and hydrogen to a memory element.例文帳に追加

整流素子における逆方向電流の増大を抑制できると共に、メモリ素子へのフッ素や水素等の不純物の拡散を防止できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a reverse current in a boundary without forming a deep isolation structure formed between a diode region and an IGBT region.例文帳に追加

ダイオード領域とＩＧＢＴ領域の間に形成される分離構造を深くすることなく、境界部における逆電流を抑制することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is capable of decreasing effectively in forward ON-voltage without deteriorating the reverse characteristic of the breakdown voltage, a leakage current and the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐圧、漏れ電流等の逆方向特性を損なうことなく、順方向のオン電圧を効果的に引き下げることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an IGBT and a diode where a reverse current is not generated easily during a recovery operation of the diode, and an on-voltage of the IGBT is low.例文帳に追加

ＩＧＢＴとダイオードを備える半導体装置であって、ダイオードのリカバリ動作時に逆電流が生じ難いとともに、ＩＧＢＴのオン電圧が低い半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a directional power supply relay device, capable of reducing the installation number of current transformers for protecting a three-phase AC circuit against reverse flows, and the number of directional power relays.例文帳に追加

逆潮流から三相交流回路を保護するための変流器および電力方向継電器の設置台数を削減することができる電力方向継電装置を提供する。 - 特許庁

To provide an analog signal buffer which blocks overcurrent to an AFE and reverse current to a CCD, and to provide an image reading device provided with the analog signal buffer.例文帳に追加

ＡＦＥに対する過電流を阻止するとともに、ＣＣＤに対する逆電流を阻止するアナログ信号バッファおよび当該アナログ信号バッファを備える画像読取装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a camera battery loading device capable of preventing the current of reversed polarity from being made to flow into a load side, and preventing deterioration of batteries or the like caused by a reverse connection between the batteries.例文帳に追加

負荷側へ逆極性の電流が流れるのを防止することができ、電池相互の逆接続に起因する電池の劣化等を防止できるカメラ電池装填装置を提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device or the like capable of surely blocking a current flowing to a transistor when a power source is reversely connected and surely protecting the transistor from the reverse connection of the power source.例文帳に追加

電源が逆接続された場合に、トランジスタに流れる電流を確実に阻止して、電源の逆接続からトランジスタを確実に保護することが可能な半導体装置などの提供。 - 特許庁

To provide a directional power supply relay device, capable of reducing the installed number of current transformers that protect a three-phase AC circuit against reverse flows, and the number of directional power relays.例文帳に追加

逆潮流から三相交流回路を保護するための変流器および電力方向継電器の設置台数を削減することができる電力方向継電装置を提供する。 - 特許庁

To provide an abnormality judging device for an electric motor drive steering auxiliary device capable of reducing erroneous judgments of abnormalities caused by the influence of the noise included in the forward/reverse driving current without degrading the abnormality judging sensitivity in requiring the assist steering even when the steering torque is small and the forward/reverse driving current supplied to an electric motor is small.例文帳に追加

アシスト操舵を必要とする時の異常判定感度を低下させることなしに、操舵トルクが小さくて電動モータに供給される正逆駆動電流の電流値が小さい時でも、正逆駆動電流に含まれるノイズの影響による異常判定の誤判断を少なくすることができる電動モータ駆動式操舵補助装置の異常判定装置の提供。 - 特許庁

To provide a switching circuit that suppresses a vibration phenomenon of current or voltage that is likely to occur in a circuit of a conventional power semiconductor device due to reverse recovery current generated by a reflux diode.例文帳に追加

従来の電力用半導体装置では、還流ダイオードが発生する逆回復電流により、回路内で電流、電圧の振動現象が生じるおそれがあったため、電流電圧の振動現象を抑制するスイッチング回路を提供する - 特許庁

A forward current is injected into a gain region 101 by a DC current source, and a reverse bias voltage is applied to a saturable absorption region 102 from a DC voltage source, whereby the laser device 1 is put in a mode synchronous operation nearly on a f/m repetition frequency.例文帳に追加

レーザ素子１は、利得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加することで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行う。 - 特許庁

The microcomputer 70 constituting the antenna device 1 generates the power signal P11 in the transmitting/receiving IC 40, outputs the power signal P11 and controls a reverse bias voltage B so as to minimize the magnitude of the direct current voltage signal D while changing the magnitude of the reverse bias voltage B within a prescribed range.例文帳に追加

アンテナ装置１を構成するマイクロコンピュータ７０は、送受信ＩＣ４０にて電力信号Ｐ１１を生成出力させて逆バイアス電圧Ｂの大きさを所定範囲内で変化させつつ、直流電圧信号Ｄの大きさが最小となるように逆バイアス電圧Ｂを制御する。 - 特許庁

To increase a latch-up resistance and to reduce a leakage current at a reverse voltage applying time by improving a trade-off relation between an on voltage and turn-off loss of a MOS semiconductor device such as an IGBT or the like.例文帳に追加

ＩＧＢＴ等のＭＯＳ半導体装置のオン電圧／タ─ンオフ損失間のトレードオフ関係を改善し、またラッチアップ耐量の増大、逆電圧印加時の漏れ電流の低減を図る。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element and a solid-state imaging device capable of suppressing breakdown current between a channel stop and a vertical transfer register, which causes a false signal detected by a sensor, and capable of structurally preventing a reverse readout of signal charges.例文帳に追加

センサ部により検出される偽信号の原因となるチャネルストップと垂直転送レジスタとの間の降伏電流を抑制し、構造的に信号電荷の逆読み出しを防止する。 - 特許庁

To provide a method in which sense current lines in a cross-point memory are connected so that the effect of reverse leakage from unaddressed row or column lines (257, 258) is greatly reduced, and a device.例文帳に追加

アドレス指定されていない行又は列線(257,258)からの逆方向漏れ電流の影響を大幅に低減するような、交点メモリアレイ(25)のセンス電流線を接続する方法と装置の提供。 - 特許庁

To reduce an electric field applied to a gate insulating film when a reverse bias is applied, and to reduce the channel resistance while making the distribution of the on current uniform in a semiconductor device having a MOS structure.例文帳に追加

ＭＯＳ構造を有する半導体装置において、逆バイアス印加時にゲート絶縁膜に加わる電界を抑えると共に、チャネル抵抗の低減およびオン電流分布の均一化を図る。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a main switching element 1; a serial circuit of a current sensing element 2 connected in parallel thereto and a sensing resistor 3; and a reverse recovery time detecting circuit 5 connected to a sensing voltage terminal SE between the current sensing element 2 and the sensing resistor 3.例文帳に追加

半導体装置は、主スイッチング素子１と、それに並列接続した電流センス素子２およびセンス抵抗３の直列回路と、電流センス素子２とセンス抵抗３との間のセンス電圧端子ＳＥに接続した逆回復時間検出回路５とを備える。 - 特許庁