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semiconductor processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 8002件
To reduce cost in the overall manufacturing process of a semiconductor device and shorten the manufacturing time.例文帳に追加
半導体デバイスの製造工程全体のコストを下げ、かつ製造時間を短縮する。 - 特許庁
OPTICAL ELEMENT, ITS FABRICATION PROCESS, AND SEMICONDUCTOR LASER DEVICE EMPLOYING THAT OPTICAL ELEMENT例文帳に追加
光学素子、光学素子の製造方法及び該光学素子を用いた半導体レーザ装置 - 特許庁
To enable a DRAM part and a logic part to be formed in the same process without deteriorating a semiconductor device in performance.例文帳に追加
性能を低下させずに、DRAM部とロジック部とを同一工程で形成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device having the small number of masks required and a simplified process.例文帳に追加
マスク数が少なく、工程が簡略な半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁
ION IMPLANTATION METHOD, ION IMPLANTER AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
イオン注入方法およびイオン注入装置ならびに半導体装置の製造方法 - 特許庁
The surface of the single crystal is subjected to nitriding process to obtain a nitride semiconductor substrate.例文帳に追加
また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SILICON NITRIDE FILM DERIVED FROM POLYSILAZANE AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
ポリシラザンに由来する窒化ケイ素質膜を有する半導体装置およびその製造方法 - 特許庁
To provide a double flip chip semiconductor device formed by a double flip manufacturing process.例文帳に追加
ダブルフリップ製作プロセスによって形成されたダブルフリップチップ半導体デバイスを提供する。 - 特許庁
To provide a process for manufacturing a joint integrated circuit device on a semiconductor wafer substrate.例文帳に追加
半導体ウエハ基板上に統合型集積回路を製造するためのプロセスの提供。 - 特許庁
HEAT DISSIPATION CONDUIT STRUCTURE FOR COOLING DEVICE SUCH AS SEMICONDUCTOR CHIP AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加
半導体チップなどのデバイス冷却用放熱導管構造及びその製造方法 - 特許庁
To form a distortion semiconductor polycrystal into a large area, inexpensively, and by a simple process.例文帳に追加
ひずみ半導体多結晶を、大面積に、安価にしかも簡単なプロセスで形成する。 - 特許庁
METALLIC WIRING FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT USING DEFORMED DUAL DAMASCENE PROCESS例文帳に追加
変形されたデュアルダマシン工程を利用した半導体素子の金属配線形成方法 - 特許庁
CLOSED REGION SPECIFYING METHOD IN SEMICONDUCTOR PROCESS/ DEVICE SIMULATION AND PROGRAM RECORDING MEDIUM THEREFOR例文帳に追加
半導体プロセス/デバイスシミュレーションにおける閉領域指定方法およびそのプログラム記録媒体 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING PATTERN FOR MEASURING RESISTANCE OF CONDUCTIVE PLUG AND PROCESS EVALUATION METHOD例文帳に追加
導電性プラグ抵抗測定用パターンを有する半導体素子およびプロセス評価方法 - 特許庁
METHOD OF SURFACE MODIFICATION TREATMENT, MANUFACTURING PROCESS OF SUBSTRATE FOR CONNECTING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR例文帳に追加
表面改質処理方法、電極接続基板及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
To prevent uneven heat distribution from occurring within a semiconductor substrate in a lamp annealing process.例文帳に追加
ランプアニール処理において半導体基板内に熱分布が生じることを抑制する。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH PROCESS MONITOR CIRCUIT, AND TESTING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR例文帳に追加
プロセスモニタ回路を備えた半導体装置、その試験方法、並びにその製造方法 - 特許庁
Thus, the antenna integrated element can be produced using the semiconductor process technology.例文帳に追加
かくして、半導体プロセス技術を用いてアンテナ集積素子を作製することができる。 - 特許庁
In the sixth process, wafer probing 5 is performed for an electrical property test of semiconductor wafer.例文帳に追加
第6工程で、半導体ウエハの電気的特性試験のためにウエハプロービング5をする。 - 特許庁
METAL/RESIN ADHESION STRUCTURE AND RESIN SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS PRODUCTION PROCESS例文帳に追加
金属/樹脂接着構造体及び樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - 特許庁
To facilitate a mounting process of a semiconductor device having a composite power MOSFET.例文帳に追加
複合パワーMOS・FETを有する半導体装置の実装工程を容易にする。 - 特許庁
This method has a process of providing a resist layer on the surface of the semiconductor wafer.例文帳に追加
この方法は、半導体ウェハの表面にレジスト層を提供する工程を有する。 - 特許庁
GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER AND ITS FABRICATION PROCESS例文帳に追加
III族窒化物半導体レーザ及びIII族窒化物半導体レーザを作製する方法 - 特許庁
To provide a polyacene compound which is enabled to form acene-based organic semiconductor film of high mobility by a coating process.例文帳に追加
高移動度のアセン系有機半導体膜を塗布法で形成できるポリアセン化合物。 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD INCLUDING PROCESS FORMING CONTACT HOLES BY USING CH2F2 GAS例文帳に追加
CH2F2ガスを用いてコンタクトホールを形成する工程を含む半導体製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING DAMASCENE GATE AND EPITAXIAL PROCESS, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加
ダマシーンゲート及びエピタキシャル工程を利用した半導体メモリー装置及びその製造方法 - 特許庁
SEMICONDUCTOR LASER ARRAY, ITS PRODUCTION PROCESS, PRINTING DEVICE, AND OPTICAL COMMUNICATION EQUIPMENT例文帳に追加
半導体レーザアレイおよびその製造方法、ならびに印刷装置および光通信装置 - 特許庁
To surely process received signals from a semiconductor wafer spaced apart from a probe card.例文帳に追加
プローブカードから離間された半導体ウエハからの受信信号を確実に処理する。 - 特許庁
TRANSISTOR, PIXEL ELECTRODE SUBSTRATE, ELECTROOPTICAL DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT AND PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
トランジスタ、画素電極基板、電気光学装置、電子機器及び半導体素子の製造方法 - 特許庁
CYCLIC COMPOUND, PHOTORESIST BASE, PHOTORESIST COMPOSITION, MICROFABRICATION PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
環状化合物、フォトレジスト基材、フォトレジスト組成物、微細加工方法及び半導体装置 - 特許庁
SEMICONDUCTOR ON GLASS INSULATOR PREPARED BY USING IMPROVED ION IMPLATATION PROCESS例文帳に追加
改善されたイオン注入プロセスを用いて作成されたガラス絶縁体上半導体 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which facilitates ion implantation process.例文帳に追加
イオン注入の工程が容易となる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
PROCESS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR POLISHING WAFER, AND METHOD FOR SETTING INTERVAL OF ELECTRODE例文帳に追加
半導体装置の製造方法、ウェハの研磨方法、および電極間隔の設定方法 - 特許庁
PRINTED WIRING BOARD FOR MOUNTING ELECTRONIC COMPONENT, ITS PRODUCTION PROCESS AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
電子部品実装用プリント配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置 - 特許庁
That method includes a process for forming a photoresist layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加
その方法は、半導体基板上にフォトレジスト層を形成する工程を含んでいる。 - 特許庁
MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CORRECTION PROCESS OF CHARGED PARTICLE BEAM EXPOSURE DATA例文帳に追加
荷電粒子ビーム露光データの補正工程を有する半導体装置の製造方法 - 特許庁
To form a semiconductor layer which is thicker than in a conventional manner with one time epitaxial growing process.例文帳に追加
1回のエピタキシャル成長工程で従来よりも厚い半導体層を形成する。 - 特許庁
Further, the interposer can be manufactured by using manufacturing process of a general semiconductor device.例文帳に追加
しかも、一般的な半導体装置の製造プロセスを用いて製造することができる。 - 特許庁
A second etching process of a semiconductor layer is performed on the condition that an inverted mesa is formed.例文帳に追加
半導体層の第2のエッチング工程は逆メサを形成する条件で行う。 - 特許庁
A semiconductor device 100 includes a first gate 210, which is formed using the gate last process.例文帳に追加
半導体装置100は、ゲートラストプロセスで形成された第1のゲート210を含む。 - 特許庁
a read only memory of a semiconductor manufacturing process named mask read only memory 例文帳に追加
マスクROMという,半導体素子の製造過程に情報の書込みが行われるリードオンリメモリ - EDR日英対訳辞書
To shorten the time required for the process of providing a semiconductor element with an insulation adhesive material.例文帳に追加
半導体素子に絶縁性接着剤を設ける工程にかかる時間を短縮する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory of which the manufacturing process and the constitution are simple.例文帳に追加
製造プロセスおよび構成が簡単な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which the threshold can be adjusted easily, and to provide its fabrication process.例文帳に追加
閾値を容易に調整できる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, PROCESS FOR FABRICATING THE SAME AND LAMP例文帳に追加
窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体発光素子及びランプ - 特許庁
To enable an accurater measurement of a pressure and an accurater control of the pressure in a semiconductor processing process.例文帳に追加
半導体の加工工程でより正確な圧力測定と制御を可能にする。 - 特許庁
To provide a highly reliable semiconductor device, and a process for manufacturing it efficiently.例文帳に追加
信頼性の高い半導体装置、及び、これを効率よく製造する方法を提供する。 - 特許庁
To suppress an anode junction process from becoming complex and rise in cost of a semiconductor sensor 1.例文帳に追加
陽極接合工程の煩雑化及び半導体センサ1のコスト上昇を抑制する。 - 特許庁
The surface treatment of the ZnTe-based compound semiconductor also includes a second surface treatment process (process A) wherein, while atomic hydrogen is irradiated on the ZnTe-based compound semiconductor substrate, the compound semiconductor substrate is annealed at a temperature ranging between 80°C and 150°C, before the first surface treatment process is conducted.例文帳に追加
さらに、前記第1の表面処理工程の前に、前記ZnTe系化合物半導体基板に原子状水素を照射しながら80℃から150℃の温度範囲でアニールする第2の表面処理工程(工程A)を有するようにした。 - 特許庁
This method comprises a first process where three semiconductor substrates 1 or less are introduced into a processing chamber 3, a second process where the semiconductor substrates 1 are heated up to a prescribed temperature, and a third process where a natural oxide film formed on the surface of the semiconductor substrate 1 is completely removed in a hydrogen atmosphere.例文帳に追加
3枚以下の半導体基板1を処理室3に設置する工程と、半導体基板1を所定の温度に加熱する工程と、所定の温度の水素雰囲気中で半導体基板1の表面の自然酸化膜を除去する工程とを含む。 - 特許庁
| 例文 |
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