「si-t」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At this time, the cast iron is composed of, by mass, 3.4 to 4.5% C, 1.8 t 2.6% Si, 0.5 to 30% carbide forming elements, 0.020 to 0.080% Mg, and the balance substantially Fe.例文帳に追加

この時、質量比でC:3.4〜4.5％、Si:1.8〜2.6％、炭化物形成元素:0.5〜30％、Mg:0.020〜0.080％、残部実質的にFeよりなる球状黒鉛鋳鉄である。 - 特許庁

The lift mechanism 6 raises the tray T against the film Fm and the silicone film sheet SI.例文帳に追加

リフト機構６は、フィルムＦｍおよびシリコンフィルムシートＳＩに対してトレーＴを突き上げる。 - 特許庁

Si in the molten iron is made to be ≤0.15 wt.% and the slag in the previous heat is left to ≥10 kg/t-steel in the furnace, and slag quantity in the furnace is made to be ≤30 kg/t-steel.例文帳に追加

溶銑Ｓｉを０．１５wt.%以下、前回ヒートのスラグを１０kg/t-steel以上炉内に残留させ、炉内スラグ量を３０kg/t-steel以下とする。 - 特許庁

A film formation material for forming an Si-system film contains t-C_4H_9SiX_3.例文帳に追加

Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、 前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 - 特許庁

The modified zeolite catalyst is prepared by performing dealumination-silylation treatment and chemical treatment to an intermediate fine pore zeolite which has a ten-membered ring structure composed of ten units of tetrahedral type TO_4 (T=Si or Al) and has a fine pore diameter in the range of 0.50 to 0.65 nm.例文帳に追加

四面体型TO_4（T = SiまたはAl）ユニット10個からなる10員環構造を有し、細孔径が0.50〜0.65 nmの範囲にある中間細孔ゼオライトに対し、脱アルミニウム−シリル化処理および化学処理を行うことにより調製される変性ゼオライト触媒。 - 特許庁

A poylcrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge which contacts a gate insulating film 2 as well as a polycrystal Si layer 4 provided on the polycrystal semiconductor layer 3 containing at least Si and Ge constitute a gate electrode, especially a T-type gate electrode.例文帳に追加

ゲート絶縁膜２と接する少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３と、この少なくともＳｉとＧｅを含む多結晶半導体層３上に設けた多結晶Ｓｉ層４によって、ゲート電極、特に、Ｔ型ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Concerning one side of a hyperboloid Ci1, a=0 in the case of t=t1, and Ci1 becomes a plane (X=0), and it can be said that the earthquake source is in a domain (Di1) on the point S1 side of a plane of symmetry (X=0) of Si.例文帳に追加

双曲面Ci1の当該片業が、ｔ＝ｔ1の時にはａ＝０で、Ci1は平面（X＝０）となり、震源が点S1、Siの対称面（X＝０）の点S1側の領域（Di1）にあることが言える。 - 特許庁

A film forming material for forming the Si-based film contains t-C_4H_9SiX_3 (X is an arbitrary group) and a reactive compound which reacts with the t-C_4H_9SiX_3.例文帳に追加

Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 - 特許庁

Then correlations between frames of objective titles T[1] to T[Tn] and the reference thumbnail picture Si are respectively obtained and a frame number of a frame with the highest correlation is automatically detected and stored in the memory S[i].例文帳に追加

次に、対象となるタイトルＴ［１］〜Ｔ［Ｔｎ］に対して、各タイトルのフレーム毎に基準サムネイル画像Ｓｉとの相関が求められ、最も相関の高いフレームのフレーム番号が自動検出され、メモリＳ［ｉ］に保存される。 - 特許庁

As to the method for producing a nonoriented silicon steel sheet, steel contg., by weight, ≤0.01%例文帳に追加

重量% で、C:0.01% 以下、Mn:0.05 〜1.5%、Si及び／又はAlを、2.0%≦Si(%)+Al(%) ≦5.0%、及び、2.0%≦Si(%)+ 2・Al(%)-Mn(%) 、の両式を満たす量(%) 含有し、残部はFe及び不可避不純物から成る鋼を熱間圧延して熱延板とし、これに熱延板焼鈍を施し、次いで、一回又は中間焼鈍を挟む二回以上の冷間圧延により最終板厚の冷延板とし、これに仕上焼鈍を施す無方向性電磁鋼板の製造方法において、最終の冷間圧延の前に施す焼鈍を、下記の温度T ℃で、20〜300 秒間行う。 - 特許庁

Substrate thickness T of the Si substrate 1 mounting the oscillator 2 oscillating an LO signal and a transmission amplifier 10 amplifying the high frequency signal modulated by using the LO signal is specified to be not more than a prescribed value.例文帳に追加

ＬＯ信号を発振する発振器２と、そのＬＯ信号を用いて変調された高周波信号を増幅する送信増幅器１０とを実装するＳｉ基板１の基板厚Ｔを所定値以下に規定する。 - 特許庁

In regard to the target buildings, replacement costs A_i and structural aseismic indexes I_Si are evaluated, a maximum ground motion speed v of an expected earthquake is set (S10), and an overall reinforcement cost C_t is determined (S20).例文帳に追加

対象とする建物について再調達価格Ａ_ｉおよび構造耐震指標Ｉ_Ｓｉを評価するとともに、想定地震の最大地動速度ｖを設定し（Ｓ１０）、総補強費Ｃ_ｔを決定する（Ｓ２０）。 - 特許庁

A tire T is vulcanized by heating from both of an outer molding surface So of an outer mold 2 for molding the outer surface of the tire and an inner molding surface Si of an inner mold 3 for molding the inner surface of the tire.例文帳に追加

タイヤ外表面を成形する外金型２の外成形面Ｓｏと、タイヤ内表面を成形する内金型３の内成形面Ｓｉとの双方から加熱し、タイヤＴを加硫する。 - 特許庁

After a Ti film is formed on a wafer W provided with an insulation layer 110 formed with the recessed part T on a Si conductive substrate layer 100, a barrier film 101 is formed by the MOCVD method.例文帳に追加

Ｓｉの導電性基層１００上に凹部Ｔが形成された絶縁層１１０が設けられたウェハＷ上にＴｉ膜を形成した後、ＭＯＣＶＤ法によりバリア膜１０１を形成する。 - 特許庁

In a second scheme, the FH function (r, T) used for soft-handoff users is defined to be orthogonal to or have low correlation with the FH function (k, T) used for users not in soft handoff in each sector Si, so that the modification of the FH function (k, T) is not needed.例文帳に追加

第２のスキームでは、ソフトハンドオフ・ユーザに使用されるＦＨ関数（ｒ，Ｔ）は、ＦＨ関数（ｋ，Ｔ）の修正が必要とされないように、各セクタＳ_ｉにおいてソフトハンドオフ中ではないユーザに使用されるＦＨ関数（ｋ，Ｔ）と直交するように、又は、低い相関関係を有するように定義される。 - 特許庁

A glow plug 100 with tube inner pressure sensor includes a Si element 130 including the pressure-sensitive resistor 131 having a first resistance value r1 thereof varied in response to the variation of the tube inner pressure Pp and a temperature T and a thermosensitive resistor 133 having a second resistance value r2 thereof varied in response to mainly the variation of the temperature T.例文帳に追加

筒内圧センサ付きグロープラグ１００は、筒内圧Ｐｐ及び温度Ｔの変化に応じて自身の第１抵抗値ｒ１が変化する感圧抵抗体１３１と、主に温度Ｔの変化に応じて自身の第２抵抗値ｒ２が変化する感温抵抗体１３３とを有するＳｉ素子１３０を備える。 - 特許庁

In the casting of the die-casting for vehicle steering apparatus forming a JIS H5302 of Al-Si-Cu series aluminum alloy ADC12 having a cylindrical part of 3 mm≤t≤5 mm (thickness t)as the casting of the die-casting; chill layers 2a, 2b having ≥100Hv Vickers hardness on the outer surface and the inner surface, respectively, are provided.例文帳に追加

肉厚ｔが３ｍｍ≦ｔ≦５ｍｍの円筒部を有し、かつＪＩＳ Ｈ５３０２のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ系アルミニウム合金ＡＤＣ１２をダイカスト鋳造して形成される車両操舵装置ハウジング用ダイカスト鋳物であって、外面と内面にそれぞれビッカース硬さＨｖ１００以上のチル層２ａ，２ｂを有している。 - 特許庁

M is one or more of elements from the group consisting of Al and Si, T is one or more of elements from the group consisting of Co, Ni, Mn, Cr, Cu, Ti and V, and R is one or more of elements from the group consisting of Ce, Nd, Y and Pr.例文帳に追加

ＭはＡｌとＳｉからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，ＴはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｃｕ，ＴｉとＶからなる群からの一種又は二種以上の元素であり，そして，ＲはＣｅ，Ｎｄ，ＹとＰｒからなる群からの一種又は二種以上の元素である。 - 特許庁

A voter Vi enciphers voting contents vi with a public key kPC of a vote counter C, connects a tag ti to the enciphered voting contents Xi to make it zi, disturbs zi with a random number ri to prepare a pre-processing sentence ei and sends a signatures si for the pre-processing sentence and the sentence ei to an electron overseeing officer A.例文帳に追加

投票者V_iは投票内容v_iを集計者Ｃの公開鍵k_PC で暗号化し、その暗号化投票内容x_iにタグt_iを連結してz_iとし、z_iを乱数r_iで攪乱して前処理文e_iを作り、その前処理文に対する署名s_iと前処理文e_iを選挙管理者Ａへ送る。 - 特許庁

The steel contains, by mass, 0.05 to 4.0% [Si], ≤0.0030% [Al], ≤0.0002% [Ca], ≤0.0002% [Mg], ≤0.0010% [Ti], ≤0.0001% [Zr], ≤0.0005% [REM] and ≤0.0015% T [O].例文帳に追加

（１）鋼中に質量％で［Ｓｉ］：０．０５〜４．０％、［Ａｌ］：０．００３０％以下、［Ｃａ］：０．０００２％以下、［Ｍｇ］：０．０００２％以下、［Ｔｉ］：０．００１０％以下、［Ｚｒ］：０．０００１％以下、および［ＲＥＭ］：０．０００５％以下、Ｔ［Ｏ］：０．００１５％以下含有する。 - 特許庁

The claim item 1: an aluminum alloy sheet for emboss forming consisting of a soft material having a composition containing 1.2 t 2.1% Mg, in which the content of Si is prescribed to ≤0.3%, and Fe to ≤0.3%, and the balance Al with inevitable impurities and having the average crystal grain size of ≤60 μm.例文帳に追加

請求項１：Ｍｇ１．２〜２．１％を含有し、かつＳｉが０．３％以下、Ｆｅが０．３％以下に規制され、残部がＡｌおよび不可避的不純物よりなり、平均結晶粒径が６０μｍ以下の軟質材からなるエンボス成形加工用アルミニウム合金板。 - 特許庁

A control unit performs the peak value control or the limiter control with the unit energization cycle of the inverter frequency as the fundamental period so that the primary current or the secondary current running in a power supply unit follows the reference current waveform SI irrespective of the polarity of the unit energization period T over the energization time WE.例文帳に追加

制御部は、通電時間ＷＥを通じて電源部で流れる一次電流または二次電流を単位通電期間Ｔの極性に関係なく基準電流波形ＳＩに倣わせるように、インバータ周波数の単位通電サイクルを基本周期としてピーク値制御またはリミッタ制御を行う。 - 特許庁

The semiconductor includes a control electrode containing at least a gate dielectric layer SiO on a semiconductor P-channel layer SiGe, wherein the gate dielectric layer SiO has a defect level E_t, which decreases exponentially as function of energy, from the band edges of the adjacent layer (being the semiconductor P-channel layer SiGe, or optionally a capping layer Si) toward the center of the band gap of the layer.例文帳に追加

半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅの上の、少なくともゲート誘電体層ＳｉＯを含む制御電極とを含む半導体であって、ゲート誘電体層ＳｉＯは、隣り合う層（半導体Ｐチャネル層ＳｉＧｅまたは任意的にキャップ層Ｓｉ）のバンドの端部から、この層のバンドギャップの中央に向かって、エネルギの関数として指数関数的に減少する欠陥レベルＥ_ｔを有する。 - 特許庁

The inductor 4 which has high magnetic permeability, low iron loss and excellent corrosion resistance is obtained by using a soft magnetic powder which has been heat-treated in a hydrogen atmosphere within a temperature range of 500 to 1,000°C and has a composition of 3 to 10 wt.% Si, 3 t o 10 wt.% Cr, and Fe for the rest, and has high moldability.例文帳に追加

水素雰囲気中、５００〜１０００℃の温度範囲で熱処理を施した、Ｓｉ量が３〜１０重量％、Ｃｒ量が３〜１０重量％、残部がＦｅからなる組成の成形性の高い軟磁性粉末を用いることで、高い透磁率と低い鉄損を有する耐食性の良好なインダクタ４が得られる。 - 特許庁

In the case of encryption of data S for encryption consisting of four pieces of data of which the i-th bit data Si has a value of either 1 or -1, the encryption is executed with the number sequence P having four elements arranged with numbers 1 to 4 in arbitrary order, number sequence τaligning with four pieces of arbitrary positive integers and time T as keys.例文帳に追加

ｉ番目のビットデータＳｉが１、または−１のいずれか値をとる４個のデータからなる暗号化対象データＳを暗号化する場合、１乃至４の数が任意の順番で配置された４個の要素を有する数列Ｐと、任意の正の整数が４個並べられた数列τと、時刻Ｔをキーとして暗号化が行われる。 - 特許庁

The alloy contains Fe alone or Fe and an element T by 70 to 79 atomic %, Al by 0 to 10 atomic % and P, C, B and (Si) by 11 go 30 atomic %, so that its saturation magnetization reaches 180×10-6 Wb.m/kg or higher, and the amorphous alloy exhibiting excellent soft magnetic properties can be composed.例文帳に追加

(１) Ｆｅ_100-x-y-z-w-tＡｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wXt (２)(Ｆｅ_1-aＴ_a)_100-x-y-z-w-tＡｌ_xＰ_yＣ_zＢ_wXt (３) Ｆｅ_100-x-v-z-w-tＡｌ_x(Ｐ_1-bＳｉ_b)_vＣ_zＢ_wXt (４)(Ｆｅ_1-aＴ_a)_100-x-v-z-w-tＡｌ_x(Ｐ_1-bＳｉ_b)_vＣ_zＢ_wXt この合金はＦｅ単独またはＦｅと元素Ｔとが７０原子％以上７９原子％以下、Ａｌが０原子％以上１０原子％以下、Ｐ、Ｃ、Ｂ、(Ｓｉ)が１１原子％以上３０原子％以下なので、飽和磁化が１８０×１０^-6Ｗｂ・ｍ／ｋｇ以上になり、優れた軟磁気特性を示す非晶質合金を構成できる。 - 特許庁