「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(44ページ目) - Weblio英語例文検索

An anode layer 102 is formed on a substrate 100, a first mixture layer 202 is formed on the anode layer 102, a mixture layer 200 is formed on the first mixture layer 202, a second mixture layer 204 is formed on the mixture layer 200 and a cathode layer 114 is formed on the second mixture layer 204.例文帳に追加

アノード層１０２を、基板１００の上に形成し、第１混合層２０２を、アノード層１０２の上に形成し、混合層２００を第１混合層２０２の上に形成し、第２混合層２０４を混合層２００上に形成し、カソード層１１４を第２混合層２０４の上に形成する。 - 特許庁

A buffer layer 102, a first contact layer 103, a first clad layer 104, a first optical guide layer 107, an active layer 108, a cap layer 109, a second optical guide layer 110, a second clad layer 111 and a second contact layer 112 are formed in order on a sapphire substrate 101.例文帳に追加

サファイア基板１０１上に、バッファ層１０２、第１のコンタクト層１０３、第１のクラッド層１０４、第１の光ガイド層１０７、活性層１０８、キャップ層１０９、第２の光ガイド層１１０、第２のクラッド層１１１、及び第２のコンタクト層１１２を順次形成する。 - 特許庁

(3) The phase transition type optical recording medium mentioned in (1) or (2) has at least a lower protective layer, the phase transition recording layer, an upper protective layer and a reflection layer on the substrate and has the interface layer between the lower protective layer and the phase transition recording layer and/or between the phase transition recording layer and the upper protective layer.例文帳に追加

（３）基板上に少なくとも、下部保護層、相変化記録層、上部保護層、反射層を有し、下部保護層と相変化記録層の間、及び／又は相変化記録層と上部保護層の間に、前記界面層を有する（１）又は（２）記載の相変化型光記録媒体。 - 特許庁

A first single crystal semiconductor layer is formed on a supporting substrate by isolating the single crystal semiconductor substrate from the isolating plane of the fragile layer or the area near the relevant fragile layer after stacking and laminating the insulating layer and the supporting substrate.例文帳に追加

絶縁層と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device has a silicon layer formed on a substrate insulating layer on a substrate, an element formed on the silicon layer, and an insulating film which is formed on the substrate insulating layer adjacent to the element in a manner of covering the element.例文帳に追加

基板上の基板絶縁層上に形成されたシリコン層と、そのシリコン層上に形成された素子と、その素子と隣接する基板絶縁層上に形成され、かつ、その素子を覆うように形成された絶縁膜とを有する半導体装置。 - 特許庁

In the optical recording medium having an information recording layer and an image recording layer on a first substrate in this order and a second substrate on the image recording layer, the surface on the image recording layer side of the second substrate is roughened.例文帳に追加

第１の基板上に、情報記録層と画像記録層とをこの順に有し、前記情報記録層上に第２の基板を有する光記録媒体であって、第２の基板の前記画像記録層側の面が粗面化されている光記録媒体である。 - 特許庁

The inkjet printhead comprises a substrate, a channel forming layer prepared on the substrate, and an adhesive layer interposed between the substrate and the channel forming layer, and the adhesive layer comprises a silicone-modified resin having photosensitivity.例文帳に追加

基板と、基板上に設けられる流路形成層と、基板と流路形成層との間に介在される接着層とを含むインクジェットプリントヘッドであって、接着層は、感光性を持つシリコン変性樹脂で形成されるインクジェットプリントヘッドが提供される。 - 特許庁

The belt type cables 10c, 10d are extended from a substrate 10C forming the power supply layer and a substrate 10D forming the GND layer, and the wiring of the power supply layer and the wiring of the GND layer are led out to the external side of the multilayer substrate 10.例文帳に追加

電源層を構成する基板１０ＣとＧＮＤ層を構成する基板１０Ｄとから帯状のケーブル部１０ｃ、１０ｄが延設され、電源層の配線とＧＮＤ層の配線とが直接多層基板１０の外部に引き出される。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

To provide a method for analyzing, for each layer, a multilayer film on the surface of a substrate by which the multilayer film on the surface of the substrate can be analyzed for each layer, and in particular to provide a method for analyzing each layer of the multilayer film on the surface of the substrate which is suitable for the analysis of impurities for each layer.例文帳に追加

基板表面多層膜を各層毎に分析することができる基板表面多層膜の層別分析方法、特に各層毎の不純物の分析に適した基板表面多層膜の層別分析方法を提案する。 - 特許庁

The micro structure is equipped with: a first substrate 1 having a recessed part; and a second substrate 2 which is composed of a multi-layer substrate, connected to the first substrate 1 to seal the recessed part and forms a sealing space 10 between the substrate 1 and the second substrate 2.例文帳に追加

凹部を有する第１の基板１と、多層基板からなり第１の基板１に結合して凹部を密封し第１の基板１との間に密閉空間１０を形成する第２の基板２とを備える。 - 特許庁

In this light alloy wheel, a photoluminescent coating film which has a substrate layer comprising a primer layer and/or a color base layer, a metallic layer and a clear layer formed on the metallic layer is applied on a substrate.例文帳に追加

プライマー層および／もしくはカラーベース層からなる下地層と、メタリック層と、前記メタリック層の上にクリアー層が形成された光輝性塗膜が基体に施された軽合金ホイールであって、前記下地層とメタリック層の間に中間層が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The surface-protecting film comprises at least one substrate layer and a pressure-sensitive adhesive layer formed by co-extrusion, where the outermost layer of one side thereof is the pressure-sensitive adhesive layer and the substrate layer as the outermost layer of the other side is comprised of a polyamide resin.例文帳に追加

少なくとも１層の基材層と粘着層とが共押出により成膜された表面保護フィルムであって、表面保護フィルムの一方側の最外層が粘着層であり、他方側の最外層である基材層がポリアミド系樹脂からなる、表面保護フィルム。 - 特許庁

An n-type multilayer reflection layer 12 (first reflection layer), an absorption layer 13, a p-type phase adjustment layer 14, and an anode layer 15 (second reflection layer) are formed on the lower surface of the n-type InP substrate 11 in this order from the side of the n-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１１の下面に、ｎ型ＩｎＰ基板１１側から順番に、ｎ型多層反射層１２（第１の反射層）、吸収層１３、ｐ型位相調整層１４およびアノード電極１５（第２の反射層）が形成されている。 - 特許庁

In the substrate on whose surface the perovskite type metal oxide is formed, an electrode layer contacting with the perovskite type metal oxide, an adhesion layer contacting with the surface oxide layer of the substrate and an alumina layer interposed between the adhesion layer and the electrode layer are provided.例文帳に追加

表面にペロブスカイト型酸化物の金属酸化物が成膜される基板において、ペロブスカイト型酸化物膜に接する電極層、基板の表面酸化層に接する密着層、この密着層と電極層との間に介在するアルミナ層を介在させる。 - 特許庁

The lead frame includes a substrate, a reflection layer formed on one part of the substrate and a characteristic maintaining layer, provided at least on the reflection layer so as to cover the reflection layer and maintain the characteristics of the reflection layer by shielding the reflection layer from outside.例文帳に追加

本発明に係るリードフレームは、基材と、基材上の一部に形成される反射層と、反射層を覆って少なくとも反射層上に設けられ、反射層を外部から遮断することにより反射層の特性を維持する特性維持層とを備える。 - 特許庁

There is provided a lamination structure 20 of AlGaInP system constituted, including a lower clad layer 11, a lower guide layer 12, an active layer 13, an upper guide layer 14, an upper clad layer 15 and a contact layer 16 on a substrate 10 in this order from the substrate 10 side.例文帳に追加

基板１０上に、下部クラッド層１１、下部ガイド層１２、活性層１３、上部ガイド層１４、上部クラッド層１５およびコンタクト層１６を基板１０側からこの順に含んで構成されたＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造２０を備える。 - 特許庁

In this semiconductor laser, a stripe-type active layer waveguide is formed into a mesa-like shape on an n-type InP substrate 10 by successively laminating an n-type InP clad layer 20, optical confinement layer 22, MQW active layer 24, optical confinement layer 26, and p-type InP clad layer 28 upon the substrate 10.例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層２０、光閉じ込め層２２、ＭＱＷ活性層２４、光閉じ込め層２６、及びｐ型ＩｎＰクラッド層２８とが順次積層して、ストライプ状の活性層導波路がメサ型に形成されている。 - 特許庁

The element has a GaP substrate 1, an active layer 4 which is positioned above the GaP substrate 1 and comprises an n-type AlInGaP layer and a p-type AlInGaP layer, and an ELO layer 3 which is positioned between the GaP substrate 1 and the active layer 4 and is formed by epitaxial lateral growth.例文帳に追加

ＧａＰ基板１と、ＧａＰ基板１の上方に位置し、ｎ型ＡｌＩｎＧａＰ層とｐ型ＡｌＩｎＧａＰ層とを含む活性層４と、ＧａＰ基板１と活性層４との間に位置し、エピタキシャル横方向成長により形成されたＥＬＯ層３とを備える。 - 特許庁

The medium comprises at least an underside substrate with a servo pit pattern; a recording layer for recording information with the use of holography superimposed on the underside substrate; and a cover layer on the recording layer, wherein a transparent resin layer is interposed between the cover substrate and the recording layer.例文帳に追加

サーボピットパターンを有する下側基板と、該下側基板上にホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、該記録層上にカバー基板と、を少なくとも有してなり、前記カバー基板と前記記録層との間に、透明樹脂層を有する光記録媒体である。 - 特許庁

(1) A light absorption layer is provided adjacently to the substrate or a light absorption layer, a recording layer formed of an organic compound, and a reflecting layer are provided on the substrate to obtain a write once read many optical recording medium which can have its recording part formed without forming any gap part in the substrate nor cover layer.例文帳に追加

（１）基板又はカバー層に隣接して、光吸収層が設けられ、又は基板上に、光吸収層、有機化合物からなる記録層、及び反射層が設けられ、基板内又はカバー層内に空隙部を形成させることなく記録部を形成できる追記型光記録媒体。 - 特許庁

In a manufacturing method of a semiconductor substrate, a process for changing stress of a hetero-epitaxial layer is performed on a support substrate comprising a structure where the hetero-epitaxial layer whose lattice constant differs from the support substrate, an insulating layer, and an Si layer are sequentially laminated for changing distortion of the Si layer.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、絶縁層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of: forming a substrate layer comprising a TiW film on a surface of an insulating layer including a fine shape after forming the insulating layer having the fine shape on a substrate surface; and forming a wiring layer comprising a tungsten film on a surface of the substrate layer.例文帳に追加

本発明は、基板表面に、微細形状を有する絶縁層を形成した後、この微細形状を含む絶縁層表面に、ＴｉＷ膜からなる下地層を形成する工程と、下地層の表面に、タングステン膜からなる配線層を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The element is provided with a p-type semiconductor substrate 1, a p-type well layer 3 formed above the substrate, an n-type photoelectric conversion layer formed within a p-type well layer 3 as a light receiving portion 4, and a floating n-type accumulation layer 2 between the p-type semiconductor substrate and the p-type well layer 3.例文帳に追加

ｐ型半導体基板１とその上部に形成されたｐ型ウエル層３と、ｐ型ウエル層３内に受光部４として形成されたｎ型光電変換層を有し、ｐ型半導体基板１とｐ型ウエル層３との間にフローテイングＮ型蓄積層２を有している。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor 100 comprises an aluminum substrate 3, a photosensitive layer 6 containing a charge generating material, an intermediate layer 4 interposed between the substrate 3 and the photosensitive layer 6, and an oxide film layer 2 comprising a metal oxide interposed between the intermediate layer 4 and the substrate 3.例文帳に追加

電子写真感光体１００は、アルミニウム基体３と、電荷発生物質を含む感光層６と、アルミニウム基体３と感光層６との間に配置される中間層４と、中間層４とアルミニウム基体３との間に配置される金属酸化物からなる酸化膜層２とを有する。 - 特許庁

The optical film is made by disposing a hard coat layer, a high gradient-index hard coat layer and a low refractive index layer on a substrate, wherein a refractive index in the neighborhood of an interface between the hard coat layer and the substrate is continuously changed or a refractive index of the hard coat layer is approximated to the refractive index of the substrate.例文帳に追加

基材上にハードコート層、高屈折率傾斜ハードコート層、及び低屈折率層を設けた光学フィルムであって、ハードコート層と基材の界面近傍の屈折率が連続的に変化してなるか、又はハードコート層の屈折率が基材の屈折率と近似してなる光学フィルム。 - 特許庁

A substrate protection layer 3 is formed on the surface of the sub-mount substrate 2 of the sub-mount 1 on which a semiconductor apparatus is mounted, the electrode layer 4 is formed on the substrate protection layer 3, and a solder layer 5 is formed on the electrode layer 4 whose surface is ≤0.1 μm in mean roughness.例文帳に追加

半導体装置が搭載されるサブマウント１において、サブマウント基板２の表面に基板保護層３を形成し、基板保護層３上に電極層４を形成し、電極層４上に半田層５を形成し、電極層４表面の平均粗さを０．１μｍ未満とする。 - 特許庁

The cell comprises a substrate 11, a first electrode layer 12 laminated on the substrate 11 one by one from the substrate 11 side, a p-type semiconductor layer 13, a layer A15 and a second electrode layer 16, and produces photovoltaic force by light projected from the second electrode layer 16 side.例文帳に追加

基板１１と、基板１１上に基板１１側から順に積層された第１の電極層１２、ｐ形半導体層１３、層Ａ１５および第２の電極層１６とを含み、第２の電極層１６側から入射する光によって光起電力を発生する。 - 特許庁

In this suede-tone artificial leather comprising a substrate layer and a napped fiber layer formed on the surface of the substrate layer and having pores communicating with the inside on the surface of the substrate layer, the suede-tone artificial leather comprises the napped fiber layer in which a part coated with a softener and a part not coated with the softener coexist.例文帳に追加

基体層およびその表面に形成された立毛層からなり、かつ該基体層表面には内部に連通する孔を有しているスエード調人工皮革において、その該立毛層には柔軟剤が塗布されている部分とそうでない部分が混在しているスエード調人工皮革。 - 特許庁

The metallized substrate is composed of a ceramic substrate, a first active metal layer formed on the ceramic substrate, an aluminum electrode formed on the first active metal layer, a barrier layer formed on at least a part of the surface of the aluminum electrode, and the solder layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

セラミック基板、該セラミック基板上に形成された第１活性金属層、該第１活性金属層上に形成されたアルミニウム電極、該アルミニウム電極表面の少なくとも一部に形成されたバリア層、該バリア層上に形成されたはんだ層を備えて構成される、メタライズ基板。 - 特許庁

The image display apparatus has an electrode layer, a guest-host mode liquid crystal layer, and at least a barrier layer on a plastics substrate, wherein the barrier layer is mounted on at least a surface of the plastics substrate, or on a surface of a functional layer disposed on the surface of the plastics substrate.例文帳に追加

プラスチック基板上に、電極層と、ゲストホスト方式液晶層と、少なくとも一層のバリア層とを有し、前記バリア層は、少なくとも、前記プラスチック基板の表面にまたは、前記プラスチック基板の表面に機能層を設けた表面に設けられている、画像表示装置。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a composition for forming an organic antireflection layer, from which an organic antireflection layer can be formed on a substrate or at least one layer of a basecoat layer formed on the substrate surface while suppressing formation of cracks in the substrate or in the basecoat layer.例文帳に追加

基材あるいは下地層にクラックが形成されるのを抑制しつつ、基材の上、又はこの基材表面に形成された少なくとも１層の下地層の上に有機系の反射防止層を形成できる、有機系の反射防止層形成用組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The optical recording medium comprises having a substrate, a recording layer recorded with information by using holography on the substrate, and a filter layer between the substrate and the recording layer, in which the filter layer has the coloring material-containing layer containing the coloring material of the at least either of the pigment and the dye.例文帳に追加

基板と、該基板上にホログラフィを利用して情報が記録される記録層と、前記基板と該記録層との間にフィルタ層とを有してなり、前記フィルタ層が顔料及び染料の少なくともいずれかの色材を含有する色材含有層を有する光記録媒体である。 - 特許庁

A substrate adhesive layer 2 including a coupling material is formed on a substrate 1, then an underclad layer 3 is layered on the substrate adhesive layer 2 and a core layer 4b is further formed on the underclad layer 3 in a prescribed pattern employing a wet process method using developer.例文帳に追加

基板１上にカップリング剤含有の基板密着層２を形成した後、この基板密着層２上にアンダークラッド層３を積層形成し、さらに上記アンダークラッド層３上に、現像剤を用いたウェットプロセス法により所定のパターンにコア層４ｂを形成する。 - 特許庁

The circuit board comprises: an insulated substrate 1; a wax material layer 2 provided on the top of the insulated substrate 1; a protective layer 3 provided on the top of the wax material layer 2; and a metal circuit board 4 joined to the top of the insulated substrate 1 by the wax material layer 2 with the protective layer 3 interposed therebetween.例文帳に追加

回路基板は、絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に設けられたろう材層２と、ろう材層２の上面に設けられた保護層３と、保護層３を介してろう材層２によって絶縁基板１の上面に接合された金属回路板４とを備えている。 - 特許庁

A manufacturing method of a semiconductor substrate includes a step of varying stress to a hetero-epitaxial layer to change the deformation of a Si layer on a support substrate at least containing a structure including the hetero-epitaxial layer with a different grating constant from that of the support substrate, a porous layer and the Si layer sequentially laminated.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、支持基板とは格子定数の異なるヘテロエピタキシャル層、多孔質層、Ｓｉ層が順に積層された構造を少なくとも含む支持基板に、前記Ｓｉ層の歪みを変化させるために、前記ヘテロエピタキシャル層の応力を変化させる工程を行なう。 - 特許庁

This element has a transparent substrate, a translucent layer formed on the transparent substrate, a first positive electrode layer formed on the translucent layer in a prescribed pattern, a negative electrode layer formed on the first positive electrode layer by total reflection metal films, and an organic layer which is arranged between the first positive electrode layer and the negative electrode layer and which includes at least a light-emitting layer.例文帳に追加

透明基板と、前記透明基板上に形成される半透明層と、前記半透明層上に所定パターンで形成された第１正極層と、前記第１正極層の上に全反射金属膜で形成された負極層と、前記第１正極層と負極層との間に配置された少なくとも発光層を含む有機層とを備える。 - 特許庁

The invention relates to a structure of a light emitting diode including a substrate, a first conductivity semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first conductivity semiconductor layer, a second conductivity semiconductor layer formed on the light emitting layer, a barrier layer formed on the second conductivity semiconductor layer, and a contact layer formed on the barrier layer.例文帳に追加

基板と、基板上に形成された第１の導電性半導体層と、第１の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２の導電性半導体層と、第２の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。 - 特許庁

A display panel includes a first substrate of which the substrate body 11 is a glass substrate, a second substrate which is provided oppositely to the first substrate and which is thinner than the first substrate, a display medium layer provided between those substrates, and a seal 40 which is provided between the first substrate and the second substrate so as to surround the display medium layer, which joins both substrates together, and which seals the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体１１がガラス基板である第１基板と、それに対向して設けられた第１基板よりも薄い第２基板と、それらの基板間に設けられた表示媒体層と、第１基板と第２基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール４０とを備える。 - 特許庁

Then, the recording layer 12 is pasted to the cover layer 11 and the bottom substrate 13 with adhesives.例文帳に追加

そして、記録層１２は、カバー層１１およびボトム基板１３に対して接着剤で貼り合わされている。 - 特許庁

An EL 10 is obtained by providing the top of a transparent substrate body 2 constituting a luminescent layer 1 with a fluorescent color layer 8.例文帳に追加

ＥＬ１０は発光層１を構成する透明基体２の上面に蛍光カラー層８を設ける。 - 特許庁

The high-intensity light-emitting diode includes a luminous structure, a non-alloy ohmic contact layer, a metal layer, and a substrate in this order.例文帳に追加

以下の順に配置された発光構造、非合金オームコンタクト層、金属層、及び基板を包含する。 - 特許庁

A phase-changing type optical recording medium comprises a substrate 1 and at least a recording layer 3 and a reflective layer 5.例文帳に追加

相変化型光記録媒体は、基板１と、少なくとも記録層３と反射層５からなる。 - 特許庁

The device has features of comprising a metal layer formed on the semiconductor substrate, an alloyed layer which is an alloy of the semiconductor substrate and the metal layer formed under the metal layer, and the via hole extending from the back side of the semiconductor substrate to the metal layer or the alloyed layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された金属層と、前記金属層の下に前記半導体基板と前記金属層が合金化反応して形成された合金化反応層と、前記半導体基板の裏面側から前記金属層または前記合金化反応層に至るよう形成されたビアホールとを備えることを特徴とする。 - 特許庁

RESIST LOWER-LAYER COMPOSITION CONTAINING THERMAL ACID GENERATOR, RESIST LOWER LAYER FILM-FORMED SUBSTRATE, AND PATTERNING PROCESS例文帳に追加

熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法 - 特許庁