「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(43ページ目) - Weblio英語例文検索

The liquid crystal device is provided with an array substrate and a color filter (CF) substrate between which a liquid crystal layer is held.例文帳に追加

この液晶装置は、液晶層を挟持するアレイ基板及びカラーフィルタ（ＣＦ）基板を備える。 - 特許庁

The vertical MOSFET which has a semiconductor substrate layer and a drift layer, provided above the semiconductor substrate layer and having a lower impurity concentration than the semiconductor substrate layer is provided with a buffer layer which continuously varies in impurity concentration, with the depth position within an impurity range being lower than the impurity concentration of the semiconductor layer and higher than the impurity concentration of the drift layer between the semiconductor substrate layer and drift layer.例文帳に追加

半導体基板層と、半導体基板層の上方に設けられて半導体基板層の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有するドリフト層と、を有する縦型ＭＯＳＦＥＴにおいて半導体基板層とドリフト層との間に半導体基板層の不純物濃度よりも低く且つドリフト層の不純物濃度よりも高い不純物濃度範囲において、その深さ位置に応じて不純物濃度が順次変化しているバッファー層を設ける。 - 特許庁

The first substrate and the second substrate may be joined by heating via a first joint layer, a second joint layer, and a third joint layer stacked in this order between the first substrate and the second substrate.例文帳に追加

第１の基板と第２の基板の間に、第１接合層と第２接合層と第３接合層と順に積層し、第１接合層と第２接合層と第３接合層とを介して、第１の基板と第２の基板を加熱して接合してもよい。 - 特許庁

A single-crystal semiconductor substrate having an embrittlement layer and a dummy substrate having an isolation layer are bonded to each other, and the single-crystal semiconductor substrate is separated at the embrittlement layer as a boundary by heat treatment to form a single-crystal semiconductor strip on the dummy substrate.例文帳に追加

脆化層を設けた単結晶半導体基板と、分離層を設けたダミー基板とを貼り合わせ、熱処理によって脆化層を境として単結晶半導体基板を分離し、ダミー基板上に単結晶半導体片を形成する。 - 特許庁

The laminating substrate 50 having a porous layer inside is retained by substrate retention sections 105 and 106, and fluid is jetted out of a nozzle 120 toward the porous layer of the laminating substrate 50, thus separating the laminating substrate 50 by the porous layer.例文帳に追加

内部に多孔質層を有する貼り合わせ基板５０を基板保持部１０５及び１０６によって保持し、貼り合わせ基板５０の多孔質層に向けてノズル１２０から流体を噴射することにより貼り合わせ基板５０を多孔質層で分離する。 - 特許庁

An electric contact 10 comprises a conductive substrate 12, a metal layer 14 formed on the surface 12a of the substrate 12 and electrically connected to the substrate 12, and a ceramics layer 16 intervening partially between the substrate 12 and the metal layer 14.例文帳に追加

電気接点１０は、導電性の基材１２と、基材１２の表面１２ａに形成されて基材１２に電気的に接続される金属層１４と、基材１２と金属層１４との間に部分的に介在するセラミックス層１６とを備える。 - 特許庁

Furthermore, on an outer edge of the above sealing substrate 25 and the transparent substrate 12, a space between the sealing substrate 25 and the transparent substrate 12, namely a sealing layer which seals each data line 21, each luminous layer 22, each hole transport layer 23 and each scanning line 13 is formed.例文帳に追加

また、前記封止基板２５と透明基板１２の外縁に、封止基板２５と透明基板１２との間の空間、すなわち各データ線２１、各発光層２２、各正孔輸送層２３及び各走査線１３を封止する封止層を形成した。 - 特許庁

After an epitaxial layer 11 (n-type semiconductor layer) 11 is formed on the surface of a silicon substrate (p-type semiconductor substrate) 10, n-type diffusion regions 17 are formed on the peripheral edge sections of the substrate 10 and layer 11 and the rear surface of the substrate 10.例文帳に追加

シリコン基板１０（ｐ型の半導体基板）表面にエピタキシャル層１１（ｎ型の半導体層）を形成し、シリコン基板１０及びエピタキシャル層１１の周縁部、並びにシリコン基板１０の裏面にｎ型拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the device consists of using a composite substrate S comprising a semiconductor substrate with a semiconductor layer 206a to be a device forming layer and a supporting substrate 10A bonded together and forming the device from the semiconductor layer 206a, and has a plurality of steps to subject the composite substrate S to wet etching treatment.例文帳に追加

デバイス形成層となる半導体層２０６ａを有した半導体基板と支持基板１０Ａとを貼り合わせてなる複合基板Ｓを用い、半導体層２０６ａからデバイスを形成するデバイスの製造方法である。 - 特許庁

The liquid crystal display has an upper glass substrate 26, a lower glass substrate 12, a liquid crystal layer 30 and a filter layer 20 formed between the upper glass substrate 26 and lower glass substrate 12, and an upper transparent electrode and a lower transparent electrode between which the liquid crystal layer 30 is sandwiched.例文帳に追加

上ガラス基板２６と、下ガラス基板１２と、上ガラス基板２６と下ガラス基板１２との間に形成されている液晶層３０及び濾過層２０と、液晶層３０を挟む上透明電極及び下透明電極とを備える。 - 特許庁

To improve the planarity of a first flattening layer formed in the upper layer of a first wiring layer on a semiconductor substrate, and a second flattening layer formed in an upper layer of a second wiring layer formed on the first flattening layer.例文帳に追加

半導体基板上の第１の配線層の上層に形成される第１の平坦化層、第１の平坦化層上に形成される第２の配線層の上層に形成される第２の平坦化層の平坦性の向上を図る。 - 特許庁

The manufacturing method of a heterojunction bipolar transistor first forms a collector contact layer 2; a collector layer 3; a base layer 4; a base protective layer 5; an emitter layer 6; an emitter contact layer 7; and a WSi layer 8 formed sequentially on a substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法では、まず、基板１の上に、コレクタコンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、ベース保護層５、エミッタ層６およびエミッタコンタクト層７、ＷＳｉ層８を順次形成する。 - 特許庁

An n-type clad layer 2, an n-type light containment layer 3, an undoped MQW layer 4, a cap layer 5, a p-type light containment layer 6, a p-type clad layer 7 and a p-type contact layer 8 are sequentially grown on an n-type GaN substrate 1, and LD structure is obtained.例文帳に追加

ｎ型ＧａＮ基板１上にｎ型クラッド層２、ｎ型光閉じ込め層３、アンドープMQW層４、キャップ層５、p型光閉じ込め層６、p型クラッド層７、p型コンタクト層８を順次成長させてLD構造を得た。 - 特許庁

A semiconductor laser having a structure laminating a buffer layer 11, a grating layer 2, a grating buried layer 3, a light confinement layer 4, a multiple quantum well active layer 5, a light confinement layer 6, and a clad layer 7 is formed on an n-type substrate 1.例文帳に追加

ｎ型基板１の上に、バッファ層１１、回折格子層２、回折格子埋込層３、光閉込層４、多重量子井戸活性層５、光閉込層６、クラッド層７を積層した構造の半導体レーザが形成されている。 - 特許庁

A vertical magnetic recording disc 10 is equipped with an adhesion layer 12, a soft magnetic layer 13, a first base layer 14, a second base layer 15, a vertical magnetic recording layer 16, a medium protection layer 17, a lubricating layer 18 on a substrate 11 in this sequence.例文帳に追加

垂直磁気記録ディスク１０は、基体１１上に、密着層１２、軟磁性層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、垂直磁気記録層１６、媒体保護層１７、潤滑層１８をこの順に備える。 - 特許庁

The transparent laminate is constituted by forming a dielectric layer on a substrate, forming a metallic layer on this dielectric layer, forming the dielectric layer thereon, forming an amorphous layer thereon, forming the dielectric layer thereon and forming a protective layer thereon.例文帳に追加

基板上に誘電体層を形成し、この誘電体層の上に金属層を形成し、この上に誘電体層を形成し、この上にアモルファス層を形成し、この上に誘電体層を形成し、この上に保護層を形成する。 - 特許庁

An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.例文帳に追加

ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁

This semiconductor laser 10 has a double-heterojunction multiplayer structure of a 1st buffer layer 14, a 2nd buffer layer 16, an n-type clad layer 18, an active layer/guide layer 20, a p-type clad layer 22, and a p-type cap layer 24 on a substrate 12.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、基板１２上に、第１バッファ層１４、第２バッファ層１６、ｎ型クラッド層１８、活性層／ガイド層２０、ｐ型クラッド層２２、及びｐ型キャップ層２４のダブルヘテロ接合積層構造を備える。 - 特許庁

When an undercoat layer 3 is formed on an electrically conductive substrate 2 and a photosensitive layer 6 is formed on the undercoat layer 3 by laminating an electric charge generating layer 4 and an electric charge transferring layer 5 to obtain an electrophotographic photoreceptor 1, titanium dioxide is incorporated into the electric charge transferring layer 5 of the photosensitive layer 6 of the photoreceptor 1.例文帳に追加

導電性支持体２上に下引き層３を形成し、さらにその上に電荷発生層４及び電荷輸送層５を積層した感光層６を形成して電子写真用感光体１を構成する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel includes: a first substrate in which a substrate body 11 is a glass substrate; a second substrate provided facing the first substrate; a display medium layer between both the substrates; and a seal 40 provided surrounding the display medium layer between the first substrate and the second substrate by which both the substrates are bonded to each other while sealing the display medium layer.例文帳に追加

表示パネルは、基板本体11がガラス基板である第１基板と、それに対向して設けられた第２基板と、それらの基板間の表示媒体層と、第１基板と第２基板との間に表示媒体層を周回するように設けられ両基板を接着すると共に表示媒体層を封止するシール40とを備える。 - 特許庁

On a ZnO single crystal substrate 1, an n-type contact layer 6, an n-type clad layer 7, an active layer 8, p-type clad layer 9, and a p-type contact layer 10 are sequentially laminated.例文帳に追加

ＺｎＯ単結晶基板１上にｎ形コンタクト層６、ｎ形クラッド層７、活性層８、ｐ形クラッド層９、及びｐ形コンタクト層１０が順次積層されている。 - 特許庁

This compound semiconductor device includes: an i-GaN layer 2 (carrier transit layer) formed over a substrate 1; and an n-AlGaN layer 4 (carrier supply layer) formed over the i-GaN layer 2.例文帳に追加

基板１上に形成されたｉ−ＧａＮ層２（キャリア走行層）と、ｉ−ＧａＮ層２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ層４（キャリア供給層）と、が設けられている。 - 特許庁

A separation preventive layer 19A is provided between a front glass substrate 11 and a dielectric layer 20, and a separation preventive layer 19B is provided between the dielectric layer 20 and a protective layer 21.例文帳に追加

前面ガラス基板１１と誘電体層２０との間には剥離防止層１９Ａが設けられ、誘電体層２０と保護層２１の間には剥離防止層１９Ｂが設けられている。 - 特許庁

An undoped GaN layer 2, an n-type AlGaN drain layer 3, an n-type GaN layer 4, a p-type GaN channel layer 5, and an n-type GaN source layer 6 are formed on a sapphire substrate 1.例文帳に追加

サファイア基板１上にアンドープＧａＮ層２、ｎ型ＡｌＧａＮドレイン層３、ｎ型ＧａＮ層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。 - 特許庁

Also, the colored object 1 is produced by forming the undercoat layer 4 as the base layer, the concave and convex layer 5, the deposition layer 6 as metal layer, the protective layers 7 and 8 in this order from the side of substrate 3.例文帳に追加

また、着色体１は、基体３側から順に、下地層としてのアンダーコート層４、凹凸層５、金属層としての蒸着層６、保護層７，８を形成して製造される。 - 特許庁

To prevent a curling phenomenon in a photoconductor which includes a supporting substrate, an optional ground plane layer, an optional hole blocking layer, an optional adhesive layer, a photogenerating layer, and at least one charge transport layer.例文帳に追加

支持基板、任意のグラウンドプレーン層、任意の正孔阻止層、任意の接着層、光生成層、および少なくとも１つの電荷輸送層を有する光導電体のカール現象を防止する。 - 特許庁

The colore object 1 bears an undercoat layer 4 as a base layer, a concave and convex layer 5, a deposition layer 6 as a first metal layer, protective layers 7 and 8 in this order from the side of substrate 3.例文帳に追加

着色体１は、基体３側から順に、下地層としてのアンダーコート層４、凹凸層５、第１の金属層としての蒸着層６、保護層７、保護層８を有している。 - 特許庁

A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.例文帳に追加

基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁

The multilayer structure for a display device comprises an ITO layer, a first Nb_2O_5 layer, a first SiO_2 layer, a second Nb_2O_5 layer and a second SiO_2 layer successively deposited on a glass substrate.例文帳に追加

本発明は、ガラス基板上に順次形成されたＩＴＯ層、第１Ｎｂ_2Ｏ_5層、第１ＳｉＯ_2層、第２Ｎｂ_2Ｏ_5層及び第２ＳｉＯ_2層を含む表示装置用多層構造を提供する。 - 特許庁

In an SOI substrate 12, an SOI active layer 3 is formed on a buried oxide film 2, and at least a part of the layer 3 is formed by ALE (atomic layer epitaxy: atomic layer epitaxial growth).例文帳に追加

埋め込み酸化膜２上に、ＳＯＩ活性層３が形成され、この少なくとも一部がＡＬＥ（Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシャル成長）によって形成されているＳＯＩ基板１２。 - 特許庁

The logic GND line 5 of the substrate 21 is formed of the first layer wiring layer and a logic power supply line 4 is formed of a second layer wiring layer through an insulation layer.例文帳に追加

記録ヘッド用基体２１のロジック用ＧＮＤライン５が１層目の配線層で形成され、ロジック用電源ライン４は絶縁層を介して２層目の配線層で形成されている。 - 特許庁

An undercoat layer 3, a heat diffusion layer 4, a 1st dielectric layer 5, a recording layer 6 and a 2nd dielectric layer 7 are successively laminated on a disk substrate 2 to constitute the objective magneto-optical disk 1.例文帳に追加

ディスク基板２上にアンダーコート層３、熱拡散層４、第１の誘電体層５、記録層６および第２の誘電体層７を順次積層して光磁気ディスク１を構成する。 - 特許庁

The magnetoresistance effect element comprises a bias substrate layer 33, a hard bias layer 34 and an electrode layer 36 laminated on the antiferromagnetic layer 26 of both side regions of a multilayer film 31 via an amorphous insulating layer 32.例文帳に追加

多層膜３１の両側領域の反強磁性層２６上に、アモルファス絶縁層３２を介してバイアス下地層３３、ハードバイアス層３４、電極層３６を積層する。 - 特許庁

The transfer sheet has a releasing layer formed on at least one surface of a substrate, a peeling off layer formed on the releasing layer, and a catalyst layer formed on the peeling off layer.例文帳に追加

本発明の転写シートは、基材の少なくとも片面に離型層が形成され、該離型層の上に剥離層が形成され、更に剥離層の上に触媒層が形成されている。 - 特許庁

The resist pattern 50 comprises a first resist layer 2 on a substrate 1, a second resist layer 3 on the first resist layer 2, a third resist layer 4 on the second resist layer 3, and an opening 5.例文帳に追加

レジストパターン５０は、基板１上に第一のレジスト層２と、第一のレジスト層２上に第二のレジスト層３と、第二のレジスト層３上に第三のレジスト層４と、開口部５とを備える。 - 特許庁

The photoconductor includes a supporting substrate, an optional ground plane layer, an optional hole blocking layer, a photogenerating layer, and at least one charge transport layer, wherein the charge transport layer contains a polyalkylene glycol benzoate.例文帳に追加

支持基板、随意的接地板層、随意的ホールブロック層、光生成層、および少なくとも1つの電荷輸送層を含み、さらに、電荷移動層がポリアルキレングリコールベンゾエートを含む光伝導体。 - 特許庁

The transfer sheet is manufactured by forming the releasing layer on the substrate, forming the peeling off layer on the releasing layer, and forming the catalyst layer on the peeling off layer.例文帳に追加

本発明転写シートは、基材上に離型層を形成し、次いで該離型層上に剥離層を形成し、更に剥離層上に触媒層を形成させることにより製造される。 - 特許庁

The present invention includes forming a doped layer in a surface region of a first substrate, forming a buried oxide layer on the doped layer and forming a semiconductor layer on the buried oxide layer to obtain an SeOI wafer.例文帳に追加

本発明は、第１の基板の表面領域にドープ層、ドープ層上に埋め込み酸化物層、埋め込み酸化物層上に半導体層を形成してＳｅＯＩウェーハを得る。 - 特許庁

On a surface of a substrate 1, a semiconductor layer 30 is formed which has an undoped GaN layer 2, an n-type semiconductor layer 3, an active layer 4, and a p-type semiconductor layer 5 laminated in this order.例文帳に追加

基板１表面には、アンドープＧａＮ層２、ｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５がこの順に積層した半導体層３０を形成してある。 - 特許庁

A triple layer constituted of a tunneling insulating layer, the charge storing layer and a blocking insulating layer, and a second conducting layer are formed in order on the whole surface of the substrate on which the first conducting film is formed.例文帳に追加

第１導電膜が形成された基板の全面にトンネリング絶縁層、電荷貯蔵層及びブロッキング絶縁層で構成された三重層と第２導電膜層を順次に形成する。 - 特許庁

The optical information recording medium 1 is composed by making successively a reflective layer 11, a protective layer 12, a recording layer 13, a protective layer 14 and an optical transmission protective layer 15 overlie a substrate 10.例文帳に追加

基板１０上に反射層１１、保護層１２、記録層１３、保護層１４および光透過保護層１５を順次積層することにより光情報記録媒体１を構成する。 - 特許庁

The wiring substrate 20 has an insulating resin layer 22, a wiring layer 50 provided on the L1 face of the insulating resin layer 22, and a wiring layer 50 provided on the L2 face of the insulating resin layer 22.例文帳に追加

配線基板２０は、絶縁樹脂層２２、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０を有する。 - 特許庁

The wiring substrate 20 has an insulating resin layer 22, a wiring layer 50 provided on an L1 face of the insulating resin layer 22, and a wiring layer 60 provided on an L2 face of the insulating resin layer 22.例文帳に追加

配線基板２０は、絶縁樹脂層２２、絶縁樹脂層２２のＬ１面に設けられた配線層５０、絶縁樹脂層２２のＬ２面に設けられた配線層６０を有する。 - 特許庁

The antislip processed floor material is obtained by providing a substrate layer 11 with a foam layer 12, a printed layer 13 and a surface layer 14 to give a floor material 15 and furnishing the back of the floor material with a slip prevention layer 16 of an unfoamed synthetic resin.例文帳に追加

基材層１１上に発泡層１２と表面層１３，１４を設けた床材１５の裏面に、非発泡合成樹脂の防滑層１６を設けるようにする。 - 特許庁

After a getter layer 12 is formed on a substrate 10, the getter layer 12 is caused to absorb gas and, continuously, a gas barrier layer 13 and a semiconductor layer 16 are formed on the getter layer 12.例文帳に追加

基板１０上にゲッター層１２を形成した後、このゲッター層１２にガスを吸着させ、続いて、このゲッター層１２の上にガスバリア層１３，半導体層１６を形成する。 - 特許庁