「substrate layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(92ページ目) - Weblio英語例文検索

The receiver substrate 20 is provided with: a base board 21; an intermediate insulating layer 22 laminated on the base board 21; a connecting pattern layer 23 laminated on the intermediate insulating layer 22; and a surface protection layer 27 for protecting the connecting pattern layer 23.例文帳に追加

レシーバ基板２０は、ベース基台２１、ベース基台２１に積層された中間絶縁層２２、中間絶縁層２２に積層された接続パターン層２３、接続パターン層２３を保護する表面保護層２７を備える。 - 特許庁

The optical recording medium has the organic light absorbing layer 3, the organic intermediate layer 4 and the organic heat receiving layer on a substrate 1 in this order and further has a reflecting layer 10 directly thereon or through a second organic intermediate layer (3).例文帳に追加

３）基板１上に、有機光吸収層３、有機中間層４、有機熱受容層５をこの順に有し、更に、直接又は第二有機中間層を介して反射層１０を有する光記録媒体。 - 特許庁

The optical recording medium 10 is constituted so that a metal layer 3, a metal oxide layer 4, a recording layer 5, a light incident layer 6 and a protective layer 8 are provided in this order on a substrate 2.例文帳に追加

好適な実施形態に係る光記録媒体１０は、基板２上に、金属層３、金属酸化物層４、記録層５、光入射層６及び保護層８がこの順に設けられた構成を有している。 - 特許庁

In an infrared laser region; a lower side clad layer 12, an active layer 13, a first upper side clad layer 14, an etching stop layer 15, and a second upper side layer 16 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。 - 特許庁

A first wiring layer 2 formed on an insulating substrate 1 and made of an Al layer or an Al alloy layer is covered by a first insulating layer 3 having a contact hole 33 exposing a part of the first wiring layer 2.例文帳に追加

絶縁性基板１上に形成されたＡｌ層またはＡｌ合金層からなる第１配線層２を、第１配線層２の一部を露出させるコンタクトホール３３を持つ第１絶縁層３で覆う。 - 特許庁

An n-GaAs buffer layer 2, n-A1GaAs clad layer 3, AlGaAs active layer 4, p-AlGaAs clad layer 5 and p-GaAs cap layer 6 are laminated on an n-GaAs substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１の上に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３、ＡｌＧａＡｓ活性層４、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５、ｐ−ＧａＡｓキャップ層６が順に積層されている。 - 特許庁

The medium transferring foil for judging truth having the thermal adhesive layer, the infrared permeable reflective layer, the hologram layer and the substrate film in this order, and in which the thermal adhesive layer is the infrared permeable black layer, is provided.例文帳に追加

感熱性接着剤層、赤外透過性反射層、ホログラム層および基材フィルムをこの順に有し、前記感熱性接着剤層が赤外透過性黒色層である真偽判定用媒体転写箔。 - 特許庁

The stencil mask 10 has a backside layer 50 on the side where a semiconductor substrate is arranged, a surface layer 20 on the incident side of ionized atoms, and an intermediate layer 30 provided between the backside layer 50 and the surface layer 20.例文帳に追加

ステンシルマスク１０は、半導体基板が配置される側の裏面層５０と、イオン化原子が入射する側の表面層２０と、裏面層５０と表面層２０の間に設けられている中間層３０を備えている。 - 特許庁

A semiconductor laser diode 10 includes a substrate 1, a buffer layer 2, a first cladding layer 3, an active layer 4, a second cladding layer 5, a contact layer 6, a first electrode 7, a second electrode 8 and a resonator end surface.例文帳に追加

半導体レーザダイオード１０は、基板１と、バッファ層２と、第１のクラッド層３と、活性層４と、第２のクラッド層５と、コンタクト層６と、第１の電極７と、第２の電極８と、共振器端面とを備える。 - 特許庁

A conductive light shielding layer 11 is formed between a semiconductor layer 31 of the TFT 30 and the substrate, and the gate electrode lines 12 are formed on the opposite side layer of the semiconductor layer 31 to the light shielding layer 11.例文帳に追加

ＴＦＴ３０の半導体層３１と基板との間には導電性の遮光層１１が形成され、ゲート電極線１２は、半導体層３１に対して遮光層１１とは反対側の層に形成されている。 - 特許庁

A tunnel dielectric layer 210, a charge capture layer 230, a first length setting layer 310 and a second length setting layer 330 for localizing the charge capture layer 230 are formed in order on a semiconductor substrate 100.例文帳に追加

半導体基板１００上にトンネル誘電層２１０、電荷捕獲層２３０、電荷捕獲層２３０を局部化するための第１長さ設定層３１０及び第２長さ設定層３３０を順に形成する。 - 特許庁

Because the abrasive grain layer of a multilayer structure is formed with one layer at each time, the plating layer is formed on the surface of the abrasive grains, from a layer contacting with the substrate of the multilayer structure to a layer laminated on the uppermost stage.例文帳に追加

多層構造の砥粒層を一層づつ形成していくため、多層構造の基材に接する層から最も上段に積層された層まで、砥粒の表面に鍍金層が形成されたものとなる。 - 特許庁

The method comprises steps of forming a recessed portion 4A in the usual way by forming a photoresist layer 3 on a first electrode layer 2 of a substrate 1; and forming a light-emitting layer by laminating a buffer layer 7A, an organic phosphor layer 8A or the like in the recessed portion 4A.例文帳に追加

基板１の第１電極層２上に、フォトレジスト層３を設け、常法により凹部４Ａを形成し、凹部４Ａ内に、バッファー層７Ａ、有機蛍光体層８Ａ等を積層して発光層を形成した。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a structure wherein at least a soft magnetic backing layer 4, an intermediate layer 5, a magnetic recording layer 6 and a protective layer 7 are successively formed on a non-magnetic substrate 1 and a liquid lubricant layer 8 is formed thereon.例文帳に追加

非磁性基板１上に少なくとも軟磁性裏打ち層４，中間層５，磁気記録層６および保護層７が順に形成された構造を有しており、その上に液体潤滑剤層８が形成される。 - 特許庁

In this light-emitting device 1, an n clad layer 3, an active layer 4 and a first p-clad layer 5 are laminated on a substrate 2, and a second p-clad layer 6 lower in oxidation nature and lower in conductivity than the first p-clad layer 5 is further laminated.例文帳に追加

発光装置１は、基板２上に、ｎクラッド層３、活性層４、第１ｐクラッド層５を積層し、第１ｐクラッド層５より酸化性が低く、かつ導電性が低い第２ｐクラッド層６を積層する。 - 特許庁

The outer material layer of the outermost layer has high hardness and protects the inside pattern layer, the design can easily be changed by changing the pattern layer, and the equipment within the case can be protected from shock by the substrate layer.例文帳に追加

最外層の外材層は、高硬度で内部の図柄層を保護し、図柄層を変更することにより容易にデザインを変更可能であり、基材層によりケース内の機器類を衝撃から保護することができる。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor element 20 is provided with a buffer layer 2 formed on a sapphire (0001) substrate 1, a channel layer 3 made of an undoped GaN layer, and an electron supplying layer 4 made of an undoped AlGaN layer.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体素子２０は、サファイア（０００１）基板１上に形成されたバッファ層２と、アンドープＧａＮ層から成るチャネル層３と、アンドープＡｌＧａＮから成る電子供給層４とを備える。 - 特許庁

A dopant barrier layer 14 is formed on a substrate (dummy wafer) 12, and a target layer (polysilicon layer) 16 is formed on the dopant barrier layer, and an injection is performed by the injecting device 20, and a sheet resistance of the polysilicon layer is measured by a four-point probe 22.例文帳に追加

基板（ダミーウェハ）１２にドーパント障壁層１４、その上にターゲット層（ポリシリコン層）１６を形成し、注入装置２０によって注入を行い、４点プローブ２２によりポリシリコン層のシート抵抗を測定する。 - 特許庁

This polishing composition is used for polishing a wiring structure which is composed of an insulating layer having a wiring trench on a substrate, a conductive layer embedded in the wiring trench and a barrier layer between the insulating layer and the conductive layer.例文帳に追加

この研磨用組成物は、基板上に配線溝を有する絶縁層、配線溝に埋設される導体層、及び絶縁層と導体層との間のバリア層を備えた配線構造体の研磨に使用される。 - 特許庁

In the magnetic recording medium, a magnetic layer 4 is formed on a non-magnetic substrate 2 via a non-magnetic layer 3 and at least the non-magnetic layer 3 out of the non-magnetic layer 3 and the magnetic layer 4 contains a corrosion inhibitor.例文帳に追加

非磁性支持体２上に、非磁性層３を介して磁性層４が形成されており、非磁性層３及び磁性層４のうちの少なくとも非磁性層３が防錆剤を含有している、磁気記録媒体。 - 特許庁

Prepared first is an SOI substrate which has a first silicon layer 2, a first silicon oxide layer 4, and a second silicon layer 6 laminated in order, wherein the thickness T1 of the first silicon layer 2 is equal to the thickness T3 of the second silicon layer 6.例文帳に追加

まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。 - 特許庁

A substrate for suspension 1 according to the present invention comprises: an insulating layer 10; a metal support layer 20 that is provided on one surface of the insulating layer 10; and a wiring layer 30 that is provided on the other surface of the insulating layer 10.例文帳に追加

本発明によるサスペンション用基板１は、絶縁層１０と、絶縁層１０の一方の面に設けられた金属支持層２０と、絶縁層１０の他方の面に設けられた配線層３０と、を備えている。 - 特許庁

Further, a process forming the n-type diamond layer on the surface of the substrate and a process containing a transition metal element from a surface layer side of the n-type diamond layer to the surface layer part of the n-type diamond layer are included.例文帳に追加

また、基体の表面上にｎ型ダイヤモンド層を形成する工程と、前記ｎ型ダイヤモンド層の表層部に、該ｎ型ダイヤモンド層の表層側から遷移金属元素を含有させる工程と、を含むこと。 - 特許庁

A sensor mainframe 1 is formed by using an SOI substrate 100' in which an active layer 103 composed of an n-type silicon layer is formed on a buried insulating layer 102 on a support layer 101 composed of an n-type silicon layer.例文帳に追加

センサ本体１は、ｎ形シリコン層からなる支持層１０１上の埋込絶縁層１０２上にｎ形シリコン層からなる活性層１０３が形成されたＳＯＩ基板１００’を用いて形成される。 - 特許庁

This antifogging film-formed substrate is obtained by laminating a silane coupling layer as a ground layer, an organic-inorganic composite film comprising an organic polymer as a water-absorbing layer, and an inorganic material comprising silica, and a water-repellent finishing layer as a protective layer in order.例文帳に追加

基材表面に、下地層としてのシランカップリング層、吸水層としての有機高分子とシリカを含む無機物質よりなる有機無機複合被膜、保護層としての撥水加工層を順次積層してなる。 - 特許庁

A positive electrode layer 12 and an insulating layer 15 are laminated on a substrate 11, and a penetrating part 15A is formed in the stripe state to be orthogonal to the positive electrode layer 12 of the depth not reaching the positive electrode layer 12 in this insulating layer 15.例文帳に追加

基板１１上に陽極層１２、絶縁層１５を積層し、この絶縁層１５に陽極層１２に達しない深さの貫通部１５Ａを陽極層１２と直交するストライプ状に形成する。 - 特許庁

In the ZnO semiconductor element, an n-type Mg_ZZnO layer 2, an undoped MgZnO layer 3, an MQW active layer 4, an undoped Mg_XZnO layer 5 and an acceptor-doped Mg_YZnO layer 6 are sequentially laminated on a ZnO substrate 1.例文帳に追加

ＺｎＯ基板１上にｎ型Ｍｇ_ＺＺｎＯ層２、アンドープＭｇＺｎＯ層３、ＭＱＷ活性層４、アンドープＭｇ_ＸＺｎＯ層５、アクセプタドープＭｇ_ＹＺｎＯ層６が順に積層されている。 - 特許庁

Electrons in a direction perpendicular to a rectangular direction of the substrate are transmitted from one side of the first conductive layer and the first second conductive layer to the other side of the first conductive layer and the second conductive layer through the phosphor layer.例文帳に追加

電子が、基板の垂直方向に対して大略直角な方向に、第１導電層と第２導電層の一方から燐光物質層を介して第１導電層と第２導電層の他方に伝送される。 - 特許庁

In the perpendicular magnetic recording medium, on a substrate 10, an adhesive layer 11, a soft magnetic underlayer 12, a seed layer 13, an intermediate layer 14, perpendicular recording layers 15 (15a, 15b), a protective layer 16, and a lubrication layer 17 are formed successively.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体は、基板１０上に、密着層１１、軟磁性下地層１２、シード層１３、中間層１４、垂直記録層１５（１５ａ，１５ｂ）、保護層１６、潤滑層１７が順次形成されている。 - 特許庁

In the optical recording medium having at least a recording layer containing an organic dye, the intermediate layer and a cover layer on a substrate, the intermediate layer has 80 to 300 nm layer thickness.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、有機色素を含有する記録層と、中間層と、カバー層とを有する光記録媒体であって、前記中間層の層厚が８０〜３００ｎｍであることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁

On the disk substrate 10, at least an under layer 18, a magnetic recording layer 22, and a medium protection layer 26 are formed in order, and the lubricant is applied on the medium protection layer 26 by the dipping method to form the lubricant layer 28.例文帳に追加

ディスク基体１０上に少なくとも下地層１８、磁気記録層２２、媒体保護層２６を順次形成し、さらに媒体保護層２６上に浸漬法で潤滑剤を塗布して潤滑層２８を形成する。 - 特許庁

An n-type substrate 1, n-type buffer layer 2, GRIN-SCH-MQW active layer 3, p-type spacer layer 4, p-type clad layer 6, p-type contact layer 7, and p-side electrode 10 are successively laminated upon an n-side electrode 11 in this order.例文帳に追加

ｎ側電極１１の上にｎ−基板１、ｎ−バッファ層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−スペーサ層４、ｐ−クラッド層６、ｐ−コンタクト層７、ｐ側電極１０の順に積層する。 - 特許庁

Next, an insulating layer is formed on the substrate so that the dummy gate insulator layer and a dummy gate electrode are embedded, and then the dummy gate insulating layer and the dummy gate electrode are removed from the insulating layer so as to form an opening in the insulating layer.例文帳に追加

次に、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を埋め込むように、基板上に絶縁膜を形成し、ダミーゲート絶縁膜及びダミーゲート電極を、絶縁膜から除去して、絶縁膜に開口を形成する。 - 特許庁

An SiGe mixed crystal layer 14 is formed on a first Si layer 13 of an SOI substrate 10, and a second Si layer 16 which has a thickness of 55 to 550 nm thicker than the thickness of the first Si layer is formed on the SiGe mixed crystal layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０の第１Ｓｉ層１３上にＳｉＧｅ混晶層１４を形成し、ＳｉＧｅ混晶層上に第１Ｓｉ層の厚さより厚い５５〜５５０ｎｍの厚さの第２Ｓｉ層１６を形成する。 - 特許庁

This scintillator panel 10 comprising a reflection layer 3 and a scintillator layer 2 on a substrate 1 has an optical absorption layer 4 with the maximum absorption wavelength of 560-650 nm between the reflection layer 3 and the scintillator layer 2.例文帳に追加

基板１上に反射層３及びシンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０であって、該反射層３とシンチレータ層２の間に極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍである光吸収層４を有する。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a local wiring layer 14 (first wiring layer) provided on a semiconductor substrate 10 and a global wiring layer 18 (second wiring layer) provided on the local wiring layer 14.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０上に設けられたローカル配線層１４（第１の配線層）、およびローカル配線層１４上に設けられたグローバル配線層１８（第２の配線層）を備えている。 - 特許庁

A laminate structure is formed in which a p-3C-SiC layer 102 is formed on a p-Si substrate 101, and an i-GaN layer (channel layer) 103 and an n-AlGaN layer (barrier layer) 104 are formed on it.例文帳に追加

ｐ−Ｓｉ基板１０１上にｐ−３Ｃ−ＳｉＣ層１０２が形成された積層構造が形成され、その上にｉ−ＧａＮ層（チャネル層）１０３、ｎ−ＡｌＧａＮ層（バリア層）１０４が形成されている。 - 特許庁

In a red laser region; a lower side clad layer 22, an active layer 23, a first upper side clad layer 24, an etching stop layer 25, and a second upper side clad layer 26 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.例文帳に追加

赤色レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層２２、活性層２３、第１上側クラッド層２４、エッチングストップ層２５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層２６が順次積層されている。 - 特許庁

The perpendicular magnetic recording medium has a film structure, where a ferromagnetic layer 12, an antiferromagnetic layer 13, a soft magnetic backing layer 14, an intermediate layer 15, a perpendicular magnetic recording layer 16, and a protective film 17 are deposited sequentially on a substrate 11, in this order.例文帳に追加

基板１１上に、強磁性層１２，反強磁性層１３，軟磁性裏打ち層１４，中間層１５，垂直記録層１６及び保護膜１７を、この順序で成膜した膜構造を有している。 - 特許庁

A field effect transistor 100 is provided with an i-GaN layer 5 formed on a substrate 1, an i-GaN layer 9, and a pulse dope layer 7 formed between the i-GaN layer 5 and the i-GaN layer 9.例文帳に追加

本発明の電界効果トランジスタ１００は、基板１上に設けられたｉ−ＧａＮ層５と、ｉ−ＧａＮ層９と、ｉ−ＧａＮ層５とｉ−ＧａＮ層９との間に設けられたパルスドープ層７とを備える。 - 特許庁

Thereafter, the high-density layer and the low-density layer are hardened in a condition of acting external force in a direction heading from the low-density layer to the high-density layer against the high-density layer to manufacture the substrate with the plurality of layers.例文帳に追加

その後、高密度層に対して、低密度層から高密度層に向かう方向に外力を作用させた状態で、高密度層と低密度層とを硬化することによって複数層付き基材を製造する。 - 特許庁

The photodetector using a semiconductor crystal material comprising a light absorbing layer having lattice mismatch with a substrate material further comprises a substrate, a light absorbing layer comprising a plurality of layers having different lattice constant, and a buffer layer formed between the substrate and the light absorbing layer and having a lattice constant varying gradually from that of the substrate to that of the absorbing layer.例文帳に追加

基板材料と格子不整合のある光吸収層を有する半導体結晶材料を用いた受光素子において、基板と、格子定数の異なる複数の層で構成された光吸収層と、基板と光吸収層との間に形成されその格子定数が基板の格子定数から吸収層の格子定数まで徐々に変化するバッファ層とを設ける。 - 特許庁

The inorganic electroluminescent element at least includes: a substrate 18; a light-emitting active layer 11 including quantum dots and arranged above the substrate; the insulating layer 15 arranged between the substrate 18 and the light-emitting active layer 11; a lower part electrode 17 arranged between the substrate 18 and the insulating layer 15; and an upper electrode 16 arranged above the light-emitting active layer 11.例文帳に追加

無機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１８と、量子ドットを含み且つ基板の上方に配置される発光活性層１１と、基板１８と発光活性層１１の間に配置される絶縁層１５と、基板１８と絶縁層１５の間に配置される下部電極１７と、発光活性層１１の上方に配置される上部電極１６とを少なくとも有する。 - 特許庁

In a manufacturing step of the substrate 10c, a partial insulation layer 12a is formed on the substrate, a single crystal silicon layer 13 is grown on a region between the partial insulation layers 12a, a polycrystalline silicon layer 15 is grown on the layer 12a, and thereafter the substrate is ion injected to thereby form the layer 15 in the substrate.例文帳に追加

第１基板１０ｃの作製工程では、基板上に部分的な絶縁層１２ａを形成し、部分的な絶縁層１２ａの間の領域には単結晶シリコン層１３を成長させ、部分的な絶縁層１２ａの上には多結晶シリコン層１４を成長させ、その後、該基板にイオンを注入することにより、該基板の内部に分離層１５を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel includes an array substrate overlaid with an alignment layer by covering a polymer layer and a transparent electrode formed on the polymer, and 5 nm or more of surface roughness Ra by roughening the polymer layer overlaying the array substrate and the surface of the alignment layer in the IPS (In-Plane Switching) liquid crystal display panel sealing a liquid crystal layer between the array substrate and a color filter substrate.例文帳に追加

本発明の液晶表示パネルは、ポリマー層及び該ポリマー層上に形成した透明電極を覆って配向膜を積層したアレイ基板と、該アレイ基板とカラーフィルタ基板との間に液晶層を封止したＩＰＳ（In−Plane Switching）液晶表示パネルであって、前記アレイ基板上に積層したポリマー層や配向膜の表面を荒らして表面粗さＲａを５ｎｍ以上とした。 - 特許庁