「substrate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The diffraction grating substrate has periodic grating structures having a pitch of 150 to 1,500 nm.例文帳に追加

１５０ｎｍ〜１５００ｎｍのピッチの周期格子構造を有する基板とする。 - 特許庁

The components and the substrate 7 are electrically connected by connection structures 6 and 8.例文帳に追加

部品と基板７とは、接続構造６，８によって電気的に接続される。 - 特許庁

The buried oxide layer is arranged in the substrate at ≥2 trench separate structures in depth.例文帳に追加

埋め込み酸化物層が基板内において、２つ以上の深さに配置される。 - 特許庁

The emitters are formed by erecting the cantilever structures in a direction vertical to the substrate.例文帳に追加

片持ち梁構造を基板に垂直な方向に向けて起立させてエミッタとする。 - 特許庁

The columnar structures 1 and the substrate are separately formed and then integrated with the substrate to produce the joint structure.例文帳に追加

柱状構造１と基体とを別々に形成した後、該基体と一体化して、接合構造体を製造する。 - 特許庁

Periodic structures sufficiently smaller than the wavelength of a light source are formed on a substrate and thereafter the refractive index of the substrate is changed.例文帳に追加

基板に光源の波長より十分小さい周期構造を形成した後、該基板の屈折率を変える。 - 特許庁

The nonvolatile memory includes a substrate, isolation structures disposed in and protrudent over the substrate, floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the isolation structures protrudent over the substrate, and a tunneling layer between each floating gate and the substrate.例文帳に追加

不揮発性メモリは、基板と、基板に設けられ、その上に突き出た分離構造と、基板上に突き出た分離構造の側壁上にある導電性スペーサーとしての浮遊ゲートと、各浮遊ゲートと基板の間のトンネル層とを含む。 - 特許庁

To provide a substrate module having three-dimensional (3D) structures formed on the surfaces and its manufacturing method.例文帳に追加

表面に３次元構造が成形された基材モジュールの製造方法の提供。 - 特許庁

Three kinds of periodic structures 2, 3 and 4 are formed on a substrate 1, in that order.例文帳に追加

基板１上に順に３種類の周期性構造物２，３，４が形成されている。 - 特許庁

With respect to the power semiconductor device, a plurality of cell structures of the vertical power devices are formed in a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１に、縦型パワーデバイスの複数のセル構造が形成されている。 - 特許庁

The two trench separate structures enter the substrate to the same or different depths.例文帳に追加

２つのトレンチ分離構造が基板内に、同一のまたは異なる深さに侵入する。 - 特許庁

An overlay target on a substrate is disclosed, the overlay target including a periodic array of structures wherein every structure is different from the rest of the structures.例文帳に追加

ｎ個ごとに１個の構造が構造の残りとは異なる、構造の周期的なアレイを含む、基板上のオーバーレイターゲットが開示される。 - 特許庁

To provide a MEMS device and technique of fabricating or manufacturing the MEMS device having mechanical structures and anchors to secure the mechanical structures to the substrate.例文帳に追加

機械構造及びこれらの機械構造を基板に固定するためのアンカーを含むＭＥＭＳ装置及びその製造技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of controlling substrate treatment, which can strictly control the dimensions of shapes of minute structures even when a substrate has two types of minute structures.例文帳に追加

基板が２種類の微小構造を有する場合であっても、微小構造における形状の寸法を厳密に制御することができる基板処理制御方法を提供する。 - 特許庁

An micro electro mechanical system (MEMS) pressure sensor apparatus 20, 62 includes substrate structures 22 and 64 having cavities 32 and 68 formed on the substrate structures 22 and 64 and a substrate structure 24 having a reference element 36 formed on the substrate structure 24.例文帳に追加

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）圧力センサ装置２０、６２が、基板構造２２、６４に形成されたキャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４、基板構造２４に形成された基準素子３６を有する基板構造２４を含む。 - 特許庁

In this display device, structures 31 are provided projectingly between both end parts of a display electrode 12 formed on a substrate 1 and the substrate 1 and also an opening part 32 which is parallel with the structures 31 is provided at the middle part between the both structures 31, 31.例文帳に追加

基板１上に形成した表示電極１２の両端部と基板１との間に、構造物３１を突設させ、また、表示電極１２における両構造物３１，３１間の中間部位には、構造物３１に平行な開口部３２を設ける。 - 特許庁

The top surfaces of the semiconductor substrate 101 on both sides of the respective gate structures G1, G2 are turned into silicide with the first and second gate structures masked.例文帳に追加

第一、二のゲート構造Ｇ１，Ｇ２をマスクした状態で、各ゲート構造Ｇ１，Ｇ２の両脇における半導体基板１０１上を、シリサイド化させる。 - 特許庁

On a substrate, a heat radiating material is disposed which has linear structures of carbon elements and a thermoplastic resin filling layer disposed between the linear structures.例文帳に追加

基板上に、炭素元素の線状構造体と線状構造体間に配置された熱可塑性樹脂の充填層とを有する放熱材料を配置する。 - 特許庁

METHOD FOR FORMING STRUCTURE STRING ON SUBSTRATE AND DEVICE PROVIDED WITH PLURALITY OF NON-UNIFORM STRUCTURES例文帳に追加

基板上に構造体列を形成する方法と、複数の非均一の構造体を具備する装置 - 特許庁

To provide a wiring substrate, on which connectors having various shapes and structures are mounted, at low cost.例文帳に追加

様々な形状及び構造のコネクタを搭載する配線基板を低コストで提供する。 - 特許庁

To prevent water mark caused by liquid attached to structures on a substrate stage such as reference marks.例文帳に追加

基準マーク等の基板ステージ上構成物に付着した液体によるウォーターマークを防ぐ。 - 特許庁

First and second dummy structures 201, 202 are formed on a semiconductor device substrate 10.例文帳に追加

第１および第２ダミー構造（２０１，２０２）が半導体装置基板（１０）上に形成される。 - 特許庁

In order to cover gate structures 5 and 6, a lower layer insulating film 10 is formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造５，６を覆うように、半導体基板１上に、下層絶縁膜１０を形成する。 - 特許庁

Linear structures 16 of elemental carbon are formed on a substrate 12, filler layers 18 are each formed between the linear structures 16, and the filler layers 18 and the linear structures 16 are cut into a plurality of sheets to form a plurality of sheet-like structures 10 each including the cut filler layers 18 and linear structures 16.例文帳に追加

基板１２上に炭素元素の線状構造体１６を形成し、線状構造体１６間に充填層１８を形成し、充填層１８及び線状構造体１６を複数枚に切断し、切断された充填層１８及び線状構造体１６をそれぞれ含む複数のシート状構造体１０を形成する。 - 特許庁

The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加

また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁

The polymeric structures include an area that is attached to the substrate and a detached area that is not attached to a surface of a substrate.例文帳に追加

ポリマー構造体は、基材に取り付けられた領域と、基材の表面に取り付けられていない分離領域とを含んでいる。 - 特許庁

A plurality of structures are regularly aligned on a surface of a first substrate 31 having a liquid crystal 40 filled between the surface and a second substrate 32.例文帳に追加

第２基板３２との間に液晶４０が充填される第１基板３１の表面に複数の構造を規則配列する。 - 特許庁

The apparatus comprises the wafer substrate of a semiconductor or a dielectric and first and second multi-layer structures arranged on the wafer substrate.例文帳に追加

装置が半導体もしくは誘電体のウェハ基板、およびウェハ基板の上に配置された第１および第２の多層構造を有する。 - 特許庁

To suppress frequency dispersion caused by dielectric substrate thickness and characteristic deterioration caused by surrounding structures.例文帳に追加

誘電体基板厚さによる周波数分散や周辺の構造物による特性劣化を抑制する。 - 特許庁

A detection element 44 is arranged between the substrate structures 22 and 24 and separated from the reference element 36.例文帳に追加

検知素子４４は、基板構造２２、２４の間に配置され、基準素子３６から離間されている。 - 特許庁

The polymeric structures are formed using thermoplastic compositions and are attached to a surface of a substrate.例文帳に追加

ポリマー構造体は、熱可塑性組成物を用いて形成され、基材の表面に取り付けられている。 - 特許庁

The photoelectric parts and the substrate 2 are coupled by electric wiring structures 48a to 48c.例文帳に追加

光電部品と制御基板との間が電気配線構造４８ａ〜４８ｃにより結合されている。 - 特許庁

The nano structures 13 are formed so as to extend in columnar shapes in a direction nearly vertical to the substrate 12.例文帳に追加

ナノ構造体１３は、基板１２の略垂直方向に柱状に延びるように形成されている。 - 特許庁

The brightness enhanced film includes a translucent substrate, a plurality of optical structures, a reflecting layer and a prism layer.例文帳に追加

輝度向上フィルムであって、透光基板と、複数の光学構造と、反射層及びプリズム層を含む。 - 特許庁

Thereby, the semiconductor light emitting device is obtained whose thin substrate has fine irregular structures at an optical projection side.例文帳に追加

これによって、光射出面に微細凹凸構造を持つ薄い基板の半導体発光装置を得る。 - 特許庁

The sacrificial layer is patterned so that those parts adjacent to the multiple structures on the substrate are not be exposed.例文帳に追加

基板で前記複数の構造物に隣接した部分を露出させるように犠牲層をパターニングする。 - 特許庁

The columnar structures 1 are formed integrally with a substrate by a transfer method to obtain the joint structure 1.例文帳に追加

転写法により柱状構造１と基体とを一体に形成して、接合構造体１を製造する。 - 特許庁

A nitride film 6 is formed covering an oxide film 5 on gate structures G1, G2 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ゲート構造Ｇ１，Ｇ２と半導体基板１上の酸化膜５を覆うように、窒化膜６を形成する。 - 特許庁

A manufacturing method 76 of the MEMS pressure sensor apparatus includes a step 78 for forming the substrate structures 22 and 64 having the cavities 32 and 68, a step 84 for manufacturing the substrate structure 24 including the detection element 44, a step 92 for connecting the substrate structures, and a step 96 for forming the reference element 36 on the substrate structure 24.例文帳に追加

製造方法７６が、キャビティ３２、６８を有する基板構造２２、６４を形成すること７８、検知素子４４を含む基板構造２４を製造すること８４、基板構造を結合すること９２、次いで、基板構造２４に基準素子３６を形成すること９６を含む。 - 特許庁

The joint structure has a plurality of columnar structures 1 each having a radius of 500 nm or less on a substrate surface, with the layout spacing, length, radii of the columnar structures 1 partially varying.例文帳に追加

半径が５００ｎｍ以下の柱状構造１を基体表面に複数備え、柱状構造１の、配設間隔、長さ及び半径などが部分的に異なる。 - 特許庁

There is provided a structure including a plurality of nano structures extending from a substrate to upward and a porous membrane provided along top edges of the plurality of nano structures.例文帳に追加

一実施形態では、構造は、基板から上方に延出する複数のナノ構造と、複数のナノ構造の上端にわたって延在する多孔質メンブランとを含む。 - 特許庁

The respective space structures have a supporting substrate 24 having a first surface opposed to the first substrate and a second surface opposed to the second substrate, and a plurality of spacers 30 erected and installed on the supporting substrate.例文帳に追加

各スペーサ構体は、第１基板に対向した第１表面および第２基板に対向した第２表面を有した支持基板２４と、支持基板上に立設され複数のスペーサ３０と、を有している。 - 特許庁

The nitride-semiconductor forming substrate has a substrate in which silicon layers having different porous structures are combined, and a silicon epitaxial film layer prepared on the substrate, on a silicon single crystal substrate.例文帳に追加

シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 - 特許庁

The conductive optical element includes: a substrate having a surface; many structures arranged on the surface of the substrate at a fine pitch equal to or less than a wavelength of visible light; and a transparent conductive film formed on the structures.例文帳に追加

導電性光学素子は、表面を有する基体と、基体の表面に可視光の波長以下の微細ピッチで多数配置された構造体と、構造体上に形成された透明導電膜とを備える。 - 特許庁

After step structures 2 are formed on a compound semiconductor substrate 1 by using lithography, quantum dots 6 are selectively formed only in specific portions on the substrate 1 having the step structures 2 by using a crystal growing technique.例文帳に追加

化合物半導体基板１にリソグラフィー技術を用いて段差構造２を形成し、結晶成長技術により上記段差構造を有する基板上の特定の部位にのみ選択的に量子ドット６を形成する。 - 特許庁