| 例文 |
substrate structuresの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 395件
Further, a high concentration impurity region is partially formed in a silicon substrate, and a plurality of times of processing for forming a silicon layer on that substrate and partially forming a high concentration impurity region therein are carried out, and then porous regions are formed in the high concentration impurity regions respectively to manufacture the three dimensional porous structure having a plurality of porous regions having different three dimensional structures respectively.例文帳に追加
また、シリコン基板中に部分的に高濃度不純物領域を形成し、その基板上にシリコン層を形成して部分的に高濃度不純物領域を形成する処理を複数回行い、その後、高濃度不純物領域に多孔質領域を形成することによって三次元構造の異なる複数の多孔質領域を有する三次元多孔質構造体を作製する。 - 特許庁
The reflection type liquid crystal display device has glass substrates 581 and 582, transparent electrodes 60 disposed on the substrate 581, insulating films 44 disposed on the substrate 582 and formed with the rugged structures 50, the reflection electrodes 51 disposed on the films 44 and a liquid crystal layer 61 sandwiched by the electrode 60 side and the electrode 51 side.例文帳に追加
本発明の反射型液晶表示装置は、ガラス基板581,582と、ガラス基板581上に設けられた透明電極60と、ガラス基板582上に設けられるとともに表面に凹凸構造50が形成された絶縁膜44と、絶縁膜44上に設けられた反射電極51と、透明電極60側と反射電極51側とで挟み込まれた液晶層61とを備えたものである。 - 特許庁
The multidomain liquid crystal display device consists of a first substrate 31 and a second substrate 33 on which pixel regions are formed, a liquid crystal layer formed between the substrates 31 and 33, a first dielectric structure 53 formed on one of the pixel region, a second dielectric structure 53 formed on the other pixel region, and a third dielectric structure 53 formed between these dielectric structures 53.例文帳に追加
画素領域が形成された第1基板31及び第2基板33と、これら基板31,33の間に形成された液晶層と、画素領域の一方に形成された第1誘電体構造物53と、画素領域の他方に形成された第2誘電体構造物53と、これらの誘電体構造物53の間に形成された第3誘電体構造物53とからなるマルチドメイン液晶表示素子を提供する。 - 特許庁
The substrate may use metal, ceramic, glass, heat-resistive plastic, and other possible substances durable at sintering temperatures, and semiconductor devices, light emitting elements or solar cells can be directly assembled on possible constructions such as roofs, walls, etc., possible structures such as cars and aircraft, or other possible substances.例文帳に追加
また、その基板として、金属、セラミック、ガラス、耐熱プラスチックその他、焼成温度に耐えられるあらゆる物質を用いることが可能となり、屋根や壁などあらゆる建造物、自動車や航空機などの構造物、その他あらゆる物質上に太陽電池や発光素子、半導体デバイスを直接作り込むことが可能となる。 - 特許庁
A layer structure including: a laser 25 of a semiconductor laser structure; and an optical amplifier 26 of a semiconductor optical amplifier structure with a staircase ridge structure wherein an InP clad layer 16 and an InGaAs contact layer 17 both adopting tapered structures are overlapped in a way of two-stages are formed on an InP substrate 11.例文帳に追加
InP基板11上に、半導体レーザー構造のレーザー部位25と、テーパ状構造のInPクラッド層16及びInGaAsコンタクト層17が二段に重ねられた階段状のリッジ構造を有する半導体光増幅器構造の光増幅部位26とを含む層構造が形成されている。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent device capable of improving a light emitting characteristic in all organic EL elements different in structures of organic functional layers by plasma irradiation to pixel electrodes, and surely preventing an etching residue and the like from being deposited again on an element substrate in the plasma irradiation.例文帳に追加
画素電極に対するプラズマ照射によって、有機機能層の構成が相違するいずれの有機EL素子においても発光特性を向上でき、さらに、プラズマ照射時、エッチング残滓などが素子基板上に再び堆積することを確実に防止することのできる有機EL装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁
The offset length of the TFTs driven at 12V by level shifters 85 and 89 among the TFTs of the offset gate structures constituting the driving circuits 82 and 83 of the active matrix substrate of the liquid crystal display device is made longer than the offset length of the other TFTs driven at 5V so as to assure the reliability thereof.例文帳に追加
液晶表示装置のアクティブマトリクス基板において、その駆動回路82、83を構成するオフセットゲート構造のTFTのうち、レベルシフタ85、89で12V駆動されるTFTのオフセット長は、その他の5V駆動されるTFTのオフセット長に比較して長くして、その信頼性を確保してある。 - 特許庁
In the MEMS structure where a plurality of MEMS oscillators 30a-30d are arranged on a substrate, each of the plurality of MEMS oscillators has a beam structure, and the plurality of MEMS oscillators have different resonance frequencies because of their different beam structures.例文帳に追加
本発明の一態様は、基板上に複数のMEMS振動子30a〜30dを配置したMEMS構造体であって、前記複数のMEMS振動子それぞれは、梁構造を有しており、前記複数のMEMS振動子は、それぞれの梁構造が異なることによって共振周波数が異なるMEMS構造体である。 - 特許庁
The wiring structure includes a substrate 1 which has a first region R1 with many structures formed with fine pitches and a second region R2 formed in a plane, and a metal layer 4 which is formed continuously to the second region R2 among the first region R1 and the second region R2 to form a wiring pattern.例文帳に追加
配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第1の領域R1と、平面状に形成された第2の領域R2とを有する基体1と、第1の領域R1、および第2の領域R2のうち第2の領域R2に連続的に形成されて、配線パターンをなす金属層4とを備える。 - 特許庁
On the package substrate 1, columnar preliminary solders (solder structures 4 for connection formed by die pressing) each having a concave region which is hollowed at a center part on a top surface as compared with a peripheral part are formed by press processing using a die 5 for tip parts, and the LSI is thereby mounted by flip-chip bonding the solder bumps.例文帳に追加
パッケージ基板1には、その先端部に対する金型5を用いた押圧加工などによって、先端面の周辺部に比し中心部が窪んだ凹部領域を有する柱状の予備はんだ(金型加圧した接続用はんだ構造物4)を形成し、これによって、はんだバンプをフリップチップボンディングしてLSIを実装する。 - 特許庁
The device comprises a plurality of analytic fields, disposed on a predetermined region of a semiconductor substrate, semiconductor transistors arranged in the analytic fields to form an array structure, and wordline and bitline structures, arranged on the analytic fields, connecting the semiconductor transistors with each other in a horizontal direction and a vertical direction.例文帳に追加
本発明の装置は、半導体基板の所定領域に配置された複数の分析領域と、アレイ構造を形成しつつ分析領域に配置される半導体トランジスタと、分析領域に配置されて、半導体トランジスタを横方向及び縦方向に連結するワードライン及びビットライン構造体と、を含む。 - 特許庁
A microstructure has a conductor thin film (B) partially formed on a substrate (A) containing a thermoplastic resin and having a periodic irregular structure having a pitch of 0.1 to 200 μm, wherein the conductor thin film (B) is formed on bottom surfaces and sides of the periodic irregular structures.例文帳に追加
熱可塑性樹脂を含んでなり、間隔が0.1〜200μmの周期的凹凸構造を有する基板(A)上に、導体薄膜(B)が部分的に形成されてなる微細構造体であって、前記導体薄膜(B)が、前記周期的凹凸構造の凹部の底面および側面に形成されている、微細構造体。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor has a photosensitive layer 4 comprising an electric charge generating layer 2 and an electric charge transferring layer 3 containing a compound selected from specific compounds having three or four triphenylamine structures which act as electric charge hopping sites in one molecule as an electric charge transferring medium on the electrically conductive substrate 1.例文帳に追加
導電性支持体1の上に、電荷発生層2と、1つの分子内に電荷のホッピングサイトとなるトリフェニルアミン構造を3個または4個備えている特定の化合物から選ばれる化合物を電荷輸送媒体として含有する電荷輸送層3からなる感光層4を備えた電子写真感光体を構成する。 - 特許庁
This is an organic electric field light emitting element in which a positive electrode 2, an organic layer and a negative electrode 9 are laminated on a substrate 1, and at least one organic layer is an light emitting layer 5 containing a host agent and a dope agent, and as this host agent, a compound having 2 to 4 of pyrazole structures expressed by a formula 1 in one molecule is used.例文帳に追加
基板1上に、陽極2、有機層及び陰極8が積層されてなる有機電界発光素子であって、少なくとも1層の有機層がホスト剤とドープ剤を含む発光層5であり、このホスト剤として、同一分子中に下記式Iで表されるピラゾール構造を2〜4個持つ化合物を使用する。 - 特許庁
To obtain a light power detecting device which can securely detect the projection light from an optical waveguide even if there is an obstacle, etc., such as a protruding substrate below the light projection port of the optical waveguide or if it is difficult to install a thick optical fiber since structures are densely installed nearby the optical waveguide.例文帳に追加
光導波路の光出射口の下部に基板が突き出している等の障害物がある場合や、光導波路近傍に構造物が密集していて太い光ファイバを設置することが困難な場合においても、光導波路からの出射光を確実に検出することができる光パワー検出装置の提供。 - 特許庁
The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加
特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板1の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜2が原子層堆積(ALD)法により成膜された誘電体多層膜構造体10を2枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁
The piezoelectric islands can be formed, in a part of the steps, by forming cuts (145) into a thick layer of a piezoelectric material, temporarily bonding it to a handle substrate, attaching the cut piezoelectric layer (107) to the body (200) having etching formation structures, and grinding the piezoelectric layer to a thickness that is smaller than depths of the cuts (140).例文帳に追加
圧電アイランドは、工程の一部として、圧電材料の厚いレイヤにカット(145)を形成し、それを取り扱い基板に一時的に結合し、カットされた圧電レイヤ(107)をエッチング形成構造を持つ前記ボディ(200)に取り付け、圧電レイヤをカット(140)の深さより薄い厚さに研磨することによって形成することができる。 - 特許庁
When a CF substrate 10 is regenerated, the organic material structures, namely, the alignment layer 7, a columnar spacer 5 and the protrusion structure 6 existing in an upper layer of an ITO transparent electrode 4 to be the inorganic material film are polished and removed by using an abrasive containing cerium oxide and by wet polishing using water.例文帳に追加
CF基板10を再生するにあたり、無機材料膜であるITO透明電極4より上層に存する有機材料構造物、即ち配向膜7、柱状スペーサ5及び突起構造物6を、酸化セリウムを含有する研磨剤及び水を用いた湿式研磨によって研磨除去する。 - 特許庁
The first and the third optically anisotropic layers 37 and 39 are negative birefringent structures each comprising a vapor deposition thin film of an inorganic material formed by oblique vapor deposition while a substrate is rotated and an incident angle is changed, and compensate positive optical retardation generated by hybrid alignment regions A2.例文帳に追加
第1の光学異方性層37及び第3の光学異方性層39は、基板を回転させ、入射角度を変化させながら斜方蒸着した無機材料の蒸着薄膜からなる負の複屈折性構造体であり、ハイブリッド配向領域A2により生じる正の位相差を補償する。 - 特許庁
The vertical alignment mode liquid crystal display device is equipped with: first and second substrates placed opposite to each other; first and second bus lines arranged on the second substrate in mutually vertically intersecting directions; a liquid crystal provided between the first and the second substrates; and protruding structures to control alignment of the liquid crystal.例文帳に追加
垂直配向型の液晶表示装置は、互いに対向する第1及び第2の基板と、第2の基板上に互いに直交する方向に配置された第1及び第2のバスラインと、第1及び第2の基板間に設けられた液晶と、液晶の配向を規制する突起状の構造物とを備える。 - 特許庁
By forming a non-magnetic amorphous layer 3 on the non-magnetic substrate 1 and heating the surface of the non-magnetic amorphous layer 3 with an excimer laser, the frequency of the medium distance ordered structures serving as the grain growth nuclei can be optimized by optimizing the materials of the non-magnetic amorphous layer 3 and the laser irradiation conditions.例文帳に追加
非磁性基板1上に非磁性アモルファス層3を形成し、エキシマレーザーにより非磁性アモルファス層3の表面を加熱し、レーザー照射条件及び非磁性アモルファス層3の材料を最適化することで結晶粒成長核となりうる中距離秩序構造の頻度を最適化することができる。 - 特許庁
The trench isolation structure 20 has structures that an insulation film 4 is disposed on the inner surface of a trench provided inside a silicon substrate 1, and that doped polysilicon for which phosphorus is doped to the density of about 1×1020/cm3 for instance as the conductor 3 is buried on a lower part side inside a trench space stipulated by the insulation film 4.例文帳に追加
トレンチ分離構造20はシリコン基板1内に設けられたトレンチの内面に絶縁膜4を配設し、絶縁膜4で規定されるトレンチ空間内の下部側に、導電体3として、例えばリンを1×10^20/cm^3程度の濃度にドープしたドープトポリシリコンが埋め込まれた構成を有している。 - 特許庁
This electronic device packaging substrate includes coaxial multilayer structure that is composed of a center conductive part 1, a cylindrical dielectric layer 2 that is formed around the center conductive part 1, and a cylindrical conductive layer that is formed around the cylindrical dielectric layer 2, and an insulation layer where a plurality of coaxial multilayer structures are mutually embedded at intervals.例文帳に追加
中心導電部1とその中心導電部1の周囲に形成された筒状誘電体層2とその筒状誘電体層の周囲に形成された筒状導電層から構成された同軸多層構造と、同軸多層構造が互いに間隔を置いて複数埋め込まれる絶縁層とを含む。 - 特許庁
This solid-state imaging element includes: avalanche photodiodes each having a structure including an n+ region 2 and a p+ region 3 each formed by extending in the thickness direction of a semiconductor substrate 7, and an avalanche region 4 interposed between the n+ region 2 and the p+ region 3; and a pixel repeatedly including the plurality of structures of the avalanche photodiodes.例文帳に追加
それぞれ半導体基体7の厚さ方向に延びて形成された、n^+領域2と、p^+領域3と、n^+領域2とp^+領域3とに挟まれているアバランシェ領域4とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁
To solve the following problem that the operation of a transponder having a structure of an antenna conductor connecting the both sides of a radio recognizing semiconductor chip having a double-sided electrode structures by an anisotropic conductive adhesive agent fails by a short-circuit between the surface of the electrode and a silicon substrate caused by conductive particles in the anisotropic conductive adhesive agent.例文帳に追加
両面電極構造をもつ無線認識用半導体チップを用いて、その上下を異方導電性接着剤でアンテナ導体で接続する構造のトランスポンダでは、異方導電性接着剤の中にある導電性粒子によって、表面の電極とシリコン基板がショートして、トランスポンダが動作不能となってしまう。 - 特許庁
To provide a primer composition with excellent interlayer adhesiveness when the recoating time is taken long such that the primer composition is applied to a substrate, left for 24 hours and then coated with a radical polymerizable unsaturated resin coating material, and with a long pot life for coating, civil engineering and building structures using the same and a construction method of the civil engineering and building structure using the same.例文帳に追加
基体にプライマー組成物を塗布後一昼夜置いてラジカル重合性不飽和樹脂被覆材を塗布するような塗り継ぎ時間を長く取った場合の層間接着性に優れかつ塗布のための可使時間の長いプライマー組成物、これを用いた土木建築構造体及びこれを用いる土木建築構造体の施工方法にある。 - 特許庁
By two-dimensionally arranging metal structures (metal particles 2) minuter than wavelength of incident light on a flat surface of a transparent glass substrate 1 at a distance smaller than the wavelength of incident light, the polarization control element 10 which has high light transmittance, can afford a sufficient retardation, is high in the latitude of design and is excellent in heat resistance and light resistance can be obtained.例文帳に追加
透明なガラス基板1の平坦な面に、入射する光の波長よりも微小な金属構造(金属粒子2)を、入射する光の波長よりも小さい距離で2次元に配置することにより、光の透過率が高く、十分な位相差を与えることの可能な、設計自由度が高く、耐熱性や耐光性に優れた偏光制御素子10とする。 - 特許庁
The thin film inductor 100 is formed by individualizing a plurality of unit structures on a wafer by dicing, and includes a coil 22 formed to be embedded in an insulation layer 20 and wound around the protrusion 11 on an annular groove 12 of a magnetic substrate W having the protrusion 11 projected on an in-plane center part.例文帳に追加
薄膜インダクタ100は、ウェハ上に複数形成された単位構造がダイシングによって個片化されたものであり、面内中央部に突起部11が突設された磁性基板Wの環状の溝部12上に、絶縁層20内に埋め込まれるように、かつ、突起部11の周囲を巻回するように設けられたコイル22が形成されたものである。 - 特許庁
In the manufacturing process of a compound dual wavelength laser including two laser structures, or red and infrared, within a single chip, a GaAs substrate 1 is cleaned, before a second epitaxial growth, in such cleaning liquid as containing sulphuric acid 97 wt%, hydrogen peroxide solution 30 wt%, and water at the ratio of 1:1:50-250, at 20-25°C for 20-50 seconds.例文帳に追加
1チップ内に赤色と赤外の二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザの製造工程において、二回目のエピタキシャル成長前のGaAs基板1に対する洗浄の際、洗浄液を硫酸97wt%、過酸化水素水30wt%、水、1:1:50〜250の割合で、温度20〜25℃にて20〜50秒処理する。 - 特許庁
The semiconductor device is formed with element separation grooves 106a and 106b of STI structures provided on a semiconductor substrate 101, insulated films 108 formed in the element separation grooves 106a and 106b and containing a metal oxide as a principal component, and a poly silazane film 109 which is formed on the insulated film 108 and in which the element separation grooves 106a and 106b are embedded.例文帳に追加
半導体装置は、半導体基板101内に設けられたSTI構造の素子分離溝106a,106bと、この素子分離溝106a,106b内に形成され、金属酸化物を主成分とする絶縁膜108と、この絶縁膜108上に形成され、素子分離溝106a,106bを埋め込むポリシラザン膜109とを具備する。 - 特許庁
In this method of cleaning a substrate treatment apparatus by using a cleaning transfer member, the cleaning transfer member is provided with an aggregation layer of oblique columnar structures each protruding with an elevation angle of <90° from the surface of the transfer member and having an aspect ratio of ≥1, and the cleaning transfer member is used after completion of cleaning processing.例文帳に追加
本発明の基板処理装置のクリーニング方法は、クリーニング搬送部材を用いて基板処理装置をクリーニングする方法であって、該クリーニング搬送部材は搬送部材の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出したアスペクト比が1以上の斜め柱状構造体の集合層を備え、該クリーニング搬送部材を清浄処理した後に用いる。 - 特許庁
To provide a display panel module assembling device that mounts electronic components with high accuracy on an edge of a display panel having a step difference to an electrode substrate caused by an increase in waviness and warpage due to an increase in size and reduction in thickness of a display panel, and variety of lamination structures of the display panels due to specifications of a FPD (Flat Panel Display), without complicating the mechanism.例文帳に追加
表示パネルモジュール組み立て装置において、機構を複雑にすること無く、表示パネルの大型化や薄型化に伴って生じるうねりや反りの増大、また、FPDの仕様に伴う表示パネル積層構成の多様化が起因した電極基板までの段差違いなどを有する表示パネル縁辺部に対して電子部品の搭載を高精度で行わせること。 - 特許庁
In the organic EL panel in which on a substrate, the organic EL element having a pair of electrodes and at least one layer of organic compound layer including a light-emitting layer between them is covered by the sealing member, between the organic EL element and the sealing member, this has the layer in which two or more kinds of structures different in composition in a face direction of the organic EL element are arranged.例文帳に追加
基板上に一対の電極と、その間に発光層を含む少なくとも1層の有機化合物層を有する有機EL素子を、封止部材により覆ってなる有機ELパネルにおいて、該有機EL素子と該封止部材の間に、該有機EL素子の面方向に組成の異なる2種以上の構成物を配置した層を有することを特徴とする有機ELパネル。 - 特許庁
The plasmon lens is constructed by including a plurality of fine structures (13) for lenses formed on positions on a metal film formed on an upper surface of an optically flat substrate on the basis of a prescribed rule, and condenses surface plasmon light resulting from the incident light, which is the input information, with which the metal film is irradiated at a prescribed incident angle, excited and scattered on the metal film surface.例文帳に追加
プラズモンレンズは、所定の規則に基づいて光学的に平坦な基板の上面に形成された金属膜上の配置に形成された複数のレンズ用微細構造(13)を含んで構成され、入力情報である入力光を金属膜に所定の入射角度で照射して金属膜の表面に励起しかつ散乱する表面プラズモン光を集光する。 - 特許庁
The LED structure comprises: a substrate 200; emission epitaxial structures 204, 210, and 212; a first conductive contact layer 214; a second conductive contact layer 216; a transparent insulation layer 218; a first reflective layer 226; a second reflective layer 230; a first barrier layer 228; a second barrier layer 232; a first conductive electrode 234; and a second conductive electrode 236.例文帳に追加
LED構造は、基板200と、発光エピタキシャル構造204,210,212と、第1の導電型接触層214と、第2の導電型接触層216と、透明絶縁層218と、第1の反射層226と、第2の反射層230と、第1の障壁層228と、第2の障壁層232と、第1の導電型電極234と、第2の導電型電極236とを備える。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加
樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
The method of controlling dimensions of structures formed on the substrate using the etching process includes a step 204 of measuring pre-etching dimensions of the respective elements of a patterned etching mask, a step 206 of adjusting the process recipe of the etching process using the results of the pre-etch measurements, and a step 208 of adjusting the process recipe of the etching process, using the patterned etch mask.例文帳に追加
エッチングプロセスを用いて基板上に形成された構造物の寸法を制御する方法がパターン化されたエッチングマスクのそれぞれの素子のエッチング前の寸法を測定するステップ204、前記エッチング前の測定結果を用いてエッチングプロセスのプロセスレシピを調整するステップ206及びパターン化されたエッチングマスクを用いてエッチングプロセスを行い、プロセスレシピを調整するステップ208を有する。 - 特許庁
In the electrophotographic photoreceptor obtained by successively laminating an undercoat layer and a photosensitive layer on an electrically conductive substrate, the photosensitive layer contains a phthalocyanine pigment and a disazo pigment of formula I (where A and B are coupler residues having mutually different structures) and the undercoat layer contains an inorganic pigment and a resin binder which is crosslinked methoxymethylated nylon.例文帳に追加
導電性支持体上に下引き層、感光層を順次積層してなる電子写真感光体において、前記感光層がフタロシアニン系顔料及び下記一般式(I)で表わされるジスアゾ顔料を含有し、かつ該下引き層が少なくとも無機顔料と結着剤樹脂を含有し、該結着剤樹脂が架橋したメトキシメチル化ナイロンであることを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor has a single layer type or multilayer type photosensitive layer containing a hole transport agent and a binder resin on a conductive substrate, wherein a first polycarbonate resin and a second polycarbonate resin having mutually different molecular structures are contained as the binder resin, and the photosensitive layer contains a triphenylamine compound represented by formula (1) as an additive.例文帳に追加
導電性基体上に、正孔輸送剤、及び結着樹脂を含有する単層型あるいは積層型の感光層を備えた電子写真感光体であって、結着樹脂としてそれぞれ分子構造が異なる第1のポリカーボネート樹脂及び第2のポリカーボネート樹脂を含むとともに、感光層が、添加剤として、下記一般式(1)で表されるトリフェニルアミン化合物を含有する電子写真感光体。 - 特許庁
A wiring structure includes a substrate having a first region where a lot of structures are formed with a minute pitch and a second region formed into a flat shape, and a conductive layer where a layer of a conductive material of the same material is formed on both the first and second regions and the conductive material is continuously formed to configure a writing pattern on the second region.例文帳に追加
配線構造体は、微細ピッチで構造体が多数形成された第1の領域と、平面状に形成された第2の領域とを有する基体と、第1の領域、および第2の領域共に同一材料の導電材料が成膜されており、第1の領域、および第2の領域のうち該第2の領域に導電材料が連続的に形成されて、配線パターンをなす導電層とを備える。 - 特許庁
The electrophotographic photoreceptor provided with a photosensitive layer having a copolymer containing an insulatable block and a charge transfer type block on a conductive substrate includes at least one kind of structures having rubber elasticity as a repetitive unit in at least either of the insulatable block and charge transfer type block described above as well as the process cartridge and image forming device having the same.例文帳に追加
導電性基体上に、絶縁性ブロックと電荷輸送性ブロックとを含む共重合体を含有する感光層を設けた電子写真感光体であって、前記絶縁性ブロック及び前記電荷輸送性ブロックの少なくとも一方に、ゴム弾性を有する構造の少なくとも1種を繰り返し単位として含むことを特徴とする電子写真感光体、並びに、それを備えたプロセスカートリッジ及び画像形成装置である。 - 特許庁
The image display medium is obtained by forming a photosensitive layer containing microcapsules housing at least a photochromic compound and an electron accepting compound on a supporting substrate, wherein the photochromic compound is a fulgide-based compound having two or more structures represented by formula (I) in its molecule, and the electron accepting compound is a Lewis acid compound the long chain structure moiety of which except the Lewis acid moiety has a carbon number of ≥12.例文帳に追加
少なくともフォトクロミック化合物と電子受容性化合物を含むマイクロカプセルを含有する感光層を支持基板上に形成した画像表示媒体であって、該フォトクロミック化合物がその分子中に以下の一般式(I)で示す構造を2つ以上有するフルギド系化合物であり、該電子受容性化合物がルイス酸化合物であり、ルイス酸部位を除く長鎖構造部位の炭素数が12以上であることを特徴とする。 - 特許庁
Structures employed to block stray light in compact single track optical encoders having a single dome lens 50 and dual track triple dome lens optical encoders include optically opaque light barriers, air gap trenches, and coatings disposed between first and second sides (56 and 58, respectively) of a substrate 40 of the encoder to be composed so as to inhibit or prevent that stray light enters single track photodetectors 46/48.例文帳に追加
単一ドーム・レンズ50を有する小型の単一トラック式光学エンコーダ、及び三重ドーム・レンズ付二重トラック式光学エンコーダ内の迷光を阻止するために採用された構造体には、エンコーダの基板40の第1の側部56及び第2の側部58間に配置され、迷光が単一トラック式光検出器46/48に入射するのを防止又は阻止するように構成された光学的に不透明な光バリア、エアギャップ・トレンチ、及びコーティングが含まれる。 - 特許庁
The semiconductor laser device includes a laser diode (semiconductor laser region 10) provided on a semiconductor substrate and having a first optical waveguide including a gain waveguide, three photodiodes (two photodiode structures 22 and one photodiode element) optically coupled to the first optical waveguide, a ring resonator (optical waveguide 213) optically coupled between one photodiode structure 22 and the first optical waveguide, and an etalon filter optically coupled between the photodiode element and the first optical waveguide.例文帳に追加
半導体レーザ装置は、半導体基板上に設けられ、利得導波路を含む第1の光導波路を有するレーザダイオード(半導体レーザ領域10)と、第1の光導波路と光結合された3つのフォトダイオード(2つのフォトダイオード構造22及び一つのフォトダイオード素子)と、一つのフォトダイオード構造22と第1の光導波路との間に光結合されたリング共振器(光導波路213)と、フォトダイオード素子と第1の光導波路との間に光結合されたエタロンフィルタとを備える。 - 特許庁
The laminated structure is manufactured using a substrate on which a plurality of columnar structures are arranged in a prescribed array.例文帳に追加
この積層構造体は、複数の柱状構造物が所定の配列で配置された基板を用いて製造される積層構造体であって、複数の柱状構造物の内の第1群の柱状構造物の周囲を除く基板又は絶縁層上に導電材料を成膜することにより形成された第1の電極層11と、第1の電極層が形成された基板に絶縁原料の粉体を吹き付けて堆積させることにより形成された絶縁層10と、複数の柱状構造物の内の第2群の柱状構造物の周囲を除く絶縁層上に導電材料を成膜することにより形成された第2の電極層12と、少なくとも第1の電極層と絶縁層と第2の電極層とが形成された基板から複数の柱状構造物を除去することによって形成された空孔に導電材料を充填して形成された複数の配線13及び14とを含む。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|