「substrate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a flexure substrate for suspensions, a suspension, a suspension with a head, a hard disk drive and a method of manufacturing a flexure substrate for suspensions that can prevent generation of wiring defect in spite of structures in which first wiring intersects second wiring in three dimensions.例文帳に追加

本発明は、第２配線が第１配線と立体的に交差する構造を有していても、配線欠陥の発生を防止できるサスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用フレキシャー基板の製造方法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

According to the method, a dispersion liquid obtained by dispersing the thin wiry structures such as the silicon nanowires 17, is made to flow on a surface of a substrate 11 in the predetermined orientation, and a binding portion (gold nanoparticle 21) at one end of each thin wiry structure is joined to a predetermined binding portion (-SH group) on the surface of the substrate 11.例文帳に追加

シリコンナノワイヤー１７などの細線状構造体を分散させた分散液を基板１１の表面上を所定の方向に流し、細線状構造体の一端の結合部位（金ナノ粒子２１）と基板１１の表面の所定の結合部位（−ＳＨ基）とを結合させる。 - 特許庁

The indication plate 120 is provided with light scattering structures, such as a surface irregularity structure, the tabular insulated substrate 121 of visible light permeability, and the metal layer 122 deposited on the opposite surface of an observation side of the insulated substrate 121.例文帳に追加

本発明の表示板１２０は、表面凹凸構造などの光散乱構造を具備し可視光透過性を備えた板状の絶縁基材１２１と、この絶縁基材１２１における観察側とは反対側の面上に被着された金属層１２２とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The quantum dot organic electroluminescent element includes: a substrate 100; a first electrode layer 110 on the substrate 100; a plurality of quantum dot structures 120 including an organic electroluminescent layer on the first electrode layer 110; and a second electrode layer 130 on the quantum dot structure 120.例文帳に追加

本発明の量子ドット有機電界発光素子は、基板１００と、基板１００上の第１電極層１１０と、第１電極層１１０上の有機発光層を含む複数の量子ドット構造１２０と、量子ドット構造１２０上の第２電極層１３０と、を含む。 - 特許庁

In Fig.(a) and Fig.(b) being an equivalent circuit thereof, p-diffusion is carried out in an n-well (n-type well) 220 of a p-type substrate 210 to form p-n-p structures 230 and 240 (refer to right and left rectangles in the well) by utilizing the p-type substrate under the n-well 220.例文帳に追加

（ａ）とその等価回路である（ｂ）において、ｐ型基板２１０のｎ−ｗｅｌｌ（ｎ型ウエル）２２０内にｐ拡散を行い、ｎ−ｗｅｌｌ２２０の下のｐ型基板を利用してｐ−ｎ−ｐ構造２３０，２４０(ウエル内の左と右の長方形参照）を作る。 - 特許庁

In a microarray, including a substrate and a cover that is attachable firmly to a part of the substrate, the microarray is characterized by making the inner surface of the cover to be hydrophilic property, making the cover to have at least one through hole, making the substrate to contain a plurality of relief structures, and making selective binding matter to be fixed on the upper surface of convex parts.例文帳に追加

基板と該基板の一部に密着可能なカバーとを含むマイクロアレイであって、該カバーの内側表面が親水性でありかつ該カバーがそれを貫通する少なくとも１つの穴を有し、該基板が複数の凹凸構造を含み、その凸部の上面に選択結合性物質が固定化されていることを特徴とするマイクロアレイ。 - 特許庁

This method has a process to prepare for a primary substrate 1000 that has recessed sections 1010, a process to form a primary layer 1020 on the recessed sections, a process to move the primary layer to a secondary substrate 2000, and a process to form structures 2020 on the secondary substrate using the primary layer.例文帳に追加

凸部１０１０を有する第１の基板１０００を用意する工程（図１（ａ））、前記凸部上に第１の層１０２０を形成する工程（図１（ｂ））、前記第１の層を第２の基板２０００に移す工程（図１（ｃ））、及び該第１の層を用いて該第２の基板に凹凸構造２０２０を形成する工程（図１（ｄ））を有する構造体の製造方法。 - 特許庁

To provide a tool for manufacturing a semiconductor device capable of positioning a base plate (heat sink), an insulative substrate and a terminal block while avoiding complication of their structures, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

この発明は、ベース板（放熱板）、絶縁基板および端子台を、それらの構造の複雑化を回避しつつ位置決めすることができる半導体装置製造用治具及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming structures regularly arranged on a substrate in a two-dimensional manner without using a high-precision/high-performance/expensive processing device and without requiring a fine and complicated processing step.例文帳に追加

高精度・高性能・高額な処理装置を使用する必要がなく、かつ精細で複雑な処理工程を必要としないで、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法を提供する。 - 特許庁

A non-magnetic amorphous layer 3 is formed on a non-magnetic substrate 1, and medium distance ordered structures to become grain growth nuclei are formed by adjusting the heating temperature and time or the material compositions in the layer 3.例文帳に追加

非磁性基板１上に非磁性アモルファス層３を設け、この非磁性アモルファス層３中に、加熱温度、加熱時間もしくは材料組成により、結晶粒成長核とする中距離秩序構造が形成されている。 - 特許庁

Circuit structures such as a positive electrode driver circuit 11 and a negative electrode driver circuit 12 are mounted on a part of the transparent substrate 1 and, for example, ground lines of these are connected in common through the conductors 21a, 21b.例文帳に追加

透明基板１の一部には、陽極ドライバ回路１１および陰極ドライバ回路１２等の回路構成体が搭載されており、これらの例えばアースラインは、導電体２１ａ，２１ｂを介して共通接続される。 - 特許庁

In the manufacturing method of the optical film, ink droplets are stuck on a transparent base material film, thereby, fine convex structures are formed on at least one side surface of substrate surfaces and, resultantly, anti-blocking processing is performed.例文帳に追加

透明基材フィルム上にインク液滴を付着させて、該基材表面の少なくとも一方の面に微細凸構造を形成しブロッキング防止加工をすることを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁

The dot structures in the GaN single crystal substrate 10 can be formed by a simple heat-treatment alone, which does not necessarily need a particular surface heat-treatment process or many steps.例文帳に追加

すなわち、このＧａＮ単結晶基板１４は、簡便な熱処理のみでドット構造が形成され、特別な表面処理や多くの工程を必ずしも必要とはしないため、ドット構造を容易に形成することができる。 - 特許庁

The lens parts 20 and 22 have same structures each other, and the lens part 20 includes toroidal lens surfaces S1 and S2 facing each other respectively formed on one principal surface and another principal surface of the substrate 16.例文帳に追加

レンズ部２０，２２は、互いに同じ構成であり、レンズ部２０について説明すると、基板１６の一方及び他方の主面にはそれぞれトロイダル面状のレンズ面Ｓ１，Ｓ２を互いに対向するように形成する。 - 特許庁

The flexible substrate 2 is watertightly sealed between an inside piece 7A coinciding with the shape of the row 3 of teeth of the user and the outside piece 7B covering the outside of the inside piece 7A by inner and outer double insulating structures.例文帳に追加

このフレキシブル基板２は、使用者の歯列３の形状に合致した内側ピース７Ａと、この内側ピース７Ａの外側に被せる外側ピース７Ｂとの間に内外二重絶縁構造で水密に封止されている。 - 特許庁

An area without recessed structure is formed mutually between the recessed structures, and its occupied area rate (a ratio of the area occupied by the area without recessed structure in the surface area of the semiconductor substrate) is 1-40%.例文帳に追加

この凹型構造相互間には凹型構造のない領域を形成し、その占有面積率（半導体基板の表面積に対する凹型構造のない領域の占有する面積比）を１〜４０％とする。 - 特許庁

This arrangement, wherein the layer structure of the suspension substrate 3 is substantially the same with the layer structure of the first wiring circuit board 14, enables the characteristic impedances of the two layer structures to match with each other at the contact therebetween.例文帳に追加

これによって、回路付サスペンション基板３の層構造と、第１配線回路基板１４の層構造とを実質的に同じにして、これらの接続点において、両者の特性インピーダンスを整合させることができる。 - 特許庁

In this method for manufacturing a nitride semiconductor epitaxial wafer, an intermediate layer 2 obtained by implanting ions including hydrogen, nitrogen, oxygen, or etc., into the vicinity of the surface of a sapphire substrate 1 is formed as amorphous structures, thereby absorbing and relieving deformation to reduce cracks and warpage.例文帳に追加

サファイア基板１の表面近傍に水素や窒素、酸素等のイオンを打ち込むことにより得られる中間層２は、アモルファス的な構造となるため、歪みを吸収、緩和し、クラックや反り等が低減する。 - 特許庁

An active matrix substrate 1 consists of TFTs (Thin-Film Transistors) which respectively have low-concentration source and drain region (LDD (Lightly Doped Drain)) structures and optimize their areas in order to reduce the electric field intensity at a drain end.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１では、ドレイン端における電界強度を緩和するために、各ＴＦＴが低濃度ソース・ドレイン領域（ＬＤＤ）構造を有しているとともに、その面積を最適化することを特徴とする。 - 特許庁

The n-cladding layer 3 is formed on a semiconductor substrate 2, the active layer 4 is formed on the n-cladding layer 3, the p-cladding layer 5 is formed on the active layer 4, and the mesa structures 7 to 9 are formed on a portion of the p-cladding layer 5.例文帳に追加

ｎ−クラッド層３は半導体基板２上に、活性層４はｎ−クラッド層３上に、ｐ−クラッド層５は活性層４上に、メサ構造７−９はｐ−クラッド層５の一部上に形成される。 - 特許庁

Mutually connecting structures 42 and 43 formed on a substrate 20 include conductive vias 52 and 54, which are connected to pixel electrodes 44 of an N-type material formed along the surface of the top side.例文帳に追加

基板２０上に形成される相互接続構造４２、４３は、その頂側の面に沿ってＮ型の材料によって形成される画素電極４４の各々に対して接続される導電性ビア５２、５４を含む。 - 特許庁

A plurality of semiconductor structures 22 having a rewiring pattern 30 formed on a silicon substrate (semiconductor chip) 24 are bonded on an adhesive layer 21 on a base plate 20 corresponding to a plurality of semiconductor devices.例文帳に追加

複数の半導体装置に対応するサイズのベース板２０上の接着層２１上に、シリコン基板（半導体チップ）２４上に再配線３０を設けてなる複数の半導体構成体２２を接着する。 - 特許庁

To simplify formation of an electrical contact to a laser diode array, avoid the use of special structures, and mount a heat sink to the laser diode array by eliminating a sapphire substrate after laser diode array structure is grown.例文帳に追加

レーザダイオードアレイ構造の成長後にサファイア基板を除去して、レーザダイオードアレイへの電気的コンタクトの形成の簡略化と特別な構造の使用の回避、更に優れたヒートシンクのレーザダイオードアレイへの取り付けを、可能にする。 - 特許庁

The optical component comprises: the substrate 46 on which V-shaped grooves 49 are formed and to which semiconductor lasers 48 are provided; and the waveguide circuit element 41 on which notch structures 44 fitted to the V-shaped grooves 49 and which includes waveguide cores 43.例文帳に追加

Ｖ溝４９が形成され、半導体レーザ４８が設けられた基板４６と、Ｖ溝４９と嵌合するノッチ構造４４が形成された、導波路コア４３を含む導波路回路素子４１とを備える。 - 特許庁

The mutually adjacent second section pieces 5, 5 of a pair of at least door structures 1 by superposing the first section pieces 4 in the width direction are inserted among the pinching pieces 10, 10 arranged on the insides of the second section pieces 5, 5 through the notches 8 and the substrate 9, and the door structures 1, 1 are coupled through the assembling frame 2.例文帳に追加

前記第一部片４を見付け方向に重合させて少くも一対の前記扉構成体１，１の互いに隣接する第二部片５，５を、前記切欠８を通じて前記第二部片５，５の内側に配した前記挾持片１０，１０と前記基板９との間に挾入して、前記組付け枠２を介して前記扉構成体１，１を連結する。 - 特許庁

The fabrication method for the packaging substrate includes: mutually stacking two metal layers; encapsulating the two metal layers with dielectric layers; forming built-up structures on both sides of the dielectric layers, respectively; and lastly separating the built-up structures along the interface between the two metal layers so as to form two packaging substrates.例文帳に追加

本発明に係るパッケージ基板の製造方法は、先ず、二つの金属層を相互にラミネートし、誘電体層で二つの金属層を覆い、次に、誘電体層の両側にビルドアップ構造をそれぞれ形成し、最後に二つの金属層の界面に沿って両側のビルドアップ構造を分離させることにより、二つのパッケージ基板を形成する。 - 特許庁

In this method, a detection element having a plurality of metal-including structures onto which molecules for verification having affinity to detection object molecules are immobilized and a substrate onto which the metal-including structures are immobilized is prepared, and the detection element is brought into contact with a specimen to generate a reaction in the plurality of temperature zones, and then light is irradiated and detection is performed.例文帳に追加

検出目的分子と親和性を有する検定用分子が固定された複数の金属含有構造体と、この金属含有構造体が固定された基体とを有する検出素子を用意し、複数の温度域において、この検出素子と検体を接触させて反応せしめたのち、光を照射して検出する方法。 - 特許庁

This sample holder for differential thermal analysis is provided with additional thermal conversion measures and connecting structures (11,11', 20,20', 21,21', 22, 23, 24,24', 25,25') on at least one position out of the two positions (5, 6) on a substrate (1).例文帳に追加

本発明による示差熱分析用サンプルホルダーには、追加熱変換手段及び接続構造（１１，１１’，２０，２０’，２１，２１’，２２，２３，２４，２４’，２５，２５’）が、基板（１）上の２つの位置（５，６）の内の少なくとも１つの位置に設けられる。 - 特許庁

The recordable optical recording medium includes a substrate, and one or more film stacked structures each comprising a reflective film, an upper dielectric film, one or more recording films, a lower dielectric film and a barrier film.例文帳に追加

該書込み可能な光学記録媒体は基板と少なくとも一層の膜層堆積構造を包含し、各膜層堆積構造は、反射層、上誘電層、１層或いは複数層の記録層、下誘電層及びバリア層で構成される。 - 特許庁

At least one of the first and second support structures is comprised of a planar base, a movable stage for supporting the patterning means or the substrate that can be moved over said planar base, and an actuator for providing said movement of the stage.例文帳に追加

第１及び第２支持構造の少なくとも一方が、平面ベースと、パターン化手段又は基板を支持し、平面ベースの上を移動することができる移動可能なステージと、ステージの動きを与えるアクチュエータとを備える。 - 特許庁

After this, structures 22-24 are floated to the support substrate 11 by introducing an etching medium from an opening 15 of the semiconductor layer 13, and etching the sacrifice layer 12 in which the micro crack 12a is formed to be removed.例文帳に追加

この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。 - 特許庁

To clean bodies to be cleaned which have fine structures, such as a semiconductor wafer for LSI and a substrate for MEMS, at a high level by effectively cleaning them using gas dissolved water without any damage resulting from the cleaning.例文帳に追加

ＬＳＩ用半導体ウエハやＭＥＭＳ用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。 - 特許庁

On the inner surface of a front substrate 2, a plurality of first ribs 21 extending to an X direction and a plurality of second ribs 22 extending to a Y direction are partially piled on each other and formed into a rib structures, and a metal back 14 is evaporated through the rib structure.例文帳に追加

前面基板２の内面にＸ方向に延びた複数本の第１リブ２１およびＹ方向に延びた複数本の第２リブ２２を部分的に重ねて形成し、これらリブ構造を介してメタルバック１４を蒸着する。 - 特許庁

To provide a method for forming a free-standing (Al, Ga, In)N article which is of superior morphological character, and suitable for use as a substrate, e.g. for fabrication of microelectronic and/or optoelectronic devices and device precursor structures.例文帳に追加

非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of stacked gate structures are formed on a semiconductor substrate, which are arranged in a first space in a first region, and arranged in a second space, wider than the first one, in a second region that is adjacent to the first region.例文帳に追加

半導体基板上に第１領域では第１間隔に配置されて前記第１領域に接した第２領域では前記第１間隔より広い第２間隔に配置される複数個の積層型ゲート構造物が形成される。 - 特許庁

A semiconductor light emitting element 10 includes: a lower electrode layer 11; a semiconductor substrate 12; a lower clad layer 13; an active layer 16; a cap layer 17; a level difference confinement layer 19; current constriction structures 21A and 21B; and an upper electrode layer 23.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、下部電極層１１、半導体基板１２、下部クラッド層１３、活性層１６、キャップ層１７、段差閉じ込め層１９、電流狭窄構造２１Ａ，２１Ｂ、および上部電極層２３を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a minute structure capable of easily manufacturing minute structures each formed of a metal or metal oxide by being regularly arranged on a conductive substrate, and to provide a complex obtained by using the method.例文帳に追加

金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。 - 特許庁

In a waveguide connection structure for connecting a first dielectric substrate 100 having a waveguide structure and a second dielectric substrate 200 having a waveguide structure via a plurality of bumps 30, formed at least around the waveguide structures between the first dielectric substrate 100 and the second dielectric substrate 200, a dummy waveguide constituted of the plurality of bumps 30 is formed in a ridge waveguide structure.例文帳に追加

導波管構造を有する第１誘電体基板１００と、導波管構造を有する第２誘電体基板２００とを、第１誘電体基板１００および第２誘電体基板２００との間であって導波管構造の少なくとも周囲に形成された複数のバンプ３０によって接続する導波管の接続構造において、複数のバンプ３０によって構成される擬似導波管をリッジ導波管構造とする。 - 特許庁

In the hard coat film making the hard coat layer overlie at least one surface of a substrate of a polyester film, the laminated film has protrusion structures formed between the substrate polyester film and the hard coat layer, and the size of the length direction of 80% or more protrusions of the total protrusions is in the range of the average size of the length direction±≤30%.例文帳に追加

基材ポリエステルフィルムの少なくとも片面にハードコート層が積層されたハードコートフィルムにおいて、基材ポリエステルフィルムとハードコート層との間に突起構造が形成され、該突起の総数の８０％以上の突起の長さ方向のサイズが長さ方向の平均サイズ±３０％以下の範囲にある積層フィルム。 - 特許庁

A mold for nanoimprint 10 includes: a crystalline substrate 11; and protruding structures 20, each of which is disposed on one main surface 11a of the crystalline substrate 11 and has multiple crystal surfaces 22 including a bottom surface 21 arranged in parallel with the one main surface 11a and surfaces arranged so as not to be in parallel with the one main surface 11a.例文帳に追加

結晶性基板１１と、結晶性基板１１の一主面１１ａ上に配置された、一主面１１ａに平行な底面２１および一主面１１ａに非平行な面を含む複数の結晶面２２を有する突起構造２０とを備えるナノインプリント用モールド１０である。 - 特許庁

The method forms structures arranged on a substrate in a two-dimensional manner by forming a single layer by arranging spherical particles on the surface of the substrate so as to fill the surface with the spherical particles most densely using self-organization of the spherical bodies, and performing etching processing using the single layer formed of the spherical particles as an etching mask.例文帳に追加

球体の自己組織化を利用して、基板表面に球状粒子を最密に充填するように配置して単層を形成し、前記球状粒子からなる単層をエッチングマスクとしてエッチング処理を行うことにより、基板上に規則的に二次元配置した構造体を形成する方法。 - 特許庁

An ND filter 10 which forms a nonreflective cycle layer 23 made of a large number of minute rugged cyclic structures 21 at an imaging element side on a substrate 11 and forms an ND film 15 at the other side of the substrate 11, is placed in a photographic optical system of the camera to improve the antireflection function.例文帳に追加

カメラの撮影光学系内にＮＤフィルタ１０を配置し、このＮＤフィルタ１０は基板１１上の撮像素子側に多数の微細凹凸周期構造体２１による無反射周期層２３を形成し、基板１１の他面にＮＤ膜１５を成膜することにより、反射防止機能を向上させる。 - 特許庁

The multi-domain liquid crystal display device with a concave structure comprises a substrate with a pixel electrode layer, another substrate with a common electrode layer, an isolation layer formed on the electrode layer of the one of those substrates, a liquid crystal layer formed between two pieces of the substrates and multiple concave structures formed in the electrode layer, at least, one of the substrates.例文帳に追加

画素電極層を具えた基板、共電極層を具えたもう一つの基板、そのうち一方の基板の電極層の上方に形成された隔離層、２片の基板の間に形成された液晶層、及び少なくとも一方の基板の電極層に形成された複数の凹構造を具えている。 - 特許庁

The structured surface structures the substrate which stimulates the smooth crystallization of the microcrystals or boosts the hydrophobic properties of the substrate.例文帳に追加

基材の擬制表面に高められた多数の高化構造の整然配列を含む造成表面を備え、上記高化構造の少なくとも２つの寸法は、１ｎｍ〜１００μｍの範囲にあり、上記造成表面は、微結晶の円滑な結晶化を起こさせるか、又は基材の疎水特性を向上させる、基材が提供される。 - 特許庁

A plurality of cooling structures connecting a plurality of heating components 102-108 having the same shape to a single thermal diffusion plate 112-114 via first thermally conductive members 109-111 are provided on the same substrate 101, and respective thermal diffusion plates of the plurality of cooling structures are connected to a single radiator 118 via second thermally conductive members 115-117.例文帳に追加

同一形状の複数の発熱部品１０２〜１０８を第１の熱伝導部材１０９〜１１１を介して１つの熱拡散板１１２〜１１４に接続した冷却構造体を同一基板１０１上に複数備え、複数の冷却構造体の各熱拡散板を第２の熱伝導部材１１５〜１１７を介して１つの放熱体１１８に接続する。 - 特許庁