「substrate structures」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a technique by which interior substrate structures for mounting walls, ceilings, partition walls and floors can be easily formed while one kind of member with a simple structure is used as a main material.例文帳に追加

単純な構成を備えた１種類の部材を主要資材として用いつつ、表装壁用内装下地構造、天井用内装下地構造、間仕切り壁用内装下地構造及び床用内装下地構造を容易に形成する技術を提供する。 - 特許庁

(3) The method for manufacturing the functional organic thin film comprises forming grid-like patterns by using the self-systematically regularly arrayed polymers on the substrate having the recessed grooves, then embedding the functional organic material in the portions of the pores of the grid-like structures.例文帳に追加

（３）凹状の溝部を有する基板上に、自己組織的に規則配列するポリマーを用いて格子状のパターンを形成した後、その格子状構造の孔の部分に機能性有機材料を埋設する機能性有機薄膜の製造方法。 - 特許庁

An insulating film 18 having a plurality of openings 18a is formed on an Si substrate 11, and columnar multilayer structures 20 having light emitting layers are formed of a nitride semiconductor material in the respective openings 18a in the insulating film 18.例文帳に追加

Ｓｉ基板１１上に、複数の開口部を有する絶縁膜１８が設けられており、絶縁膜１８の各開口部１８ａに、窒化物半導体材料によって発光層を有する柱状多層構造体２０が形成されている。 - 特許庁

The impurity ion implantation 180 is performed with a second concentration higher than the first in order to form a source/a drain in the semiconductor substrate 110 with the gate structures 120, the first insulation spacers142 and the second insulation spacers 148a serving as masks.例文帳に追加

前記ゲート構造１２０、第１絶縁スペーサ１４２及び第２絶縁スペーサ１４８ａをマスクとして前記半導体基板１１０にソース／ドレーンを形成するために第１濃度より高い第２濃度で不純物イオン注入１８０を行う。 - 特許庁

The second substrate has first alignment controlling structures producing alignment controllability to make liquid crystal molecules in the liquid crystal layer on the connection parts align in a radially-inclined manner at least under voltage application in regions corresponding to the respective connection parts.例文帳に追加

第２基板は、各接続部に対応する領域に、接続部上の液晶層の液晶分子を少なくとも電圧印加状態において放射状傾斜配向させる配向規制力を発現する第１配向規制構造を有する。 - 特許庁

To cause no troubles in laminated structures formed on a part where a groove is formed and on the other part where no groove is formed when wiring is buried in the groove formed on the substrate etc., as to an electrooptical device such as a liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置等の電気光学装置において、配線等を基板等の上に形成された溝内に埋め込む場合、該溝が形成されている部分及びそうでない部分の上に形成される積層構造物等に不具合を生じさせない。 - 特許庁

At this time, the CaF2 layer for the first insulating layer 2 and the CoSi2 layer for the first metal film 3 are deposited in the respective crystal structures lattice matching a silicon wafer forming the substrate 1 and lattice-commensurate with the CaF2 layer for the first insulating layer 2.例文帳に追加

このとき、第１の絶縁膜２であるＣａＦ_2 層は基板１であるシリコンウェハと、また第１の金属膜３であるＣｏＳｉ_2 層は第１の絶縁膜２であるＣａＦ_2 層とそれぞれ格子整合した結晶構造で堆積する。 - 特許庁

To prevent abnormal growth that occurs during second epitaxial growth by removing failure when substrate cleaning before the second epitaxial growth, during a manufacturing process of a compound dual wavelength laser product including two laser structures within a single chip.例文帳に追加

１チップ内に二つのレーザ構造を有する化合物二波長レーザ製品の製造過程における二回目のエピタキシャル成長前の基板洗浄における不具合を除去し、二回目のエピタキシャル成長時に発生する異常成長を防止する。 - 特許庁

To provide a method for selecting semiconducting carbon nanotubes from a random collection of conducting and semiconducting carbon nanotubes synthesized on a plurality of synthesis sites carried by a substrate and structures formed thereby.例文帳に追加

基板およびそれによって形成された構造に載置された複数の合成サイト上に合成された導電性および半導電性のカーボン・ナノチューブのランダムな集合体から半導電性カーボン・ナノチューブを選択する方法を提供すること。 - 特許庁

The optical recording medium of an embodiment has a construction wherein three laminated structures each consisting of the organic layer 3 and a spacer layer 4 are provided on a transparent substrate 1, a reflection layer 5 is formed on the uppermost spacer layer and a protective layer 6 is formed on the reflection layer 5.例文帳に追加

実施の形態に係る光記録媒体では、透明基板１上に有機層３とスペーサ層４からなる積層構造を３重に設け、最上層のスペーサ層上に反射層５と、その上に保護層６とを形成した構造とする。 - 特許庁

To provide an organic EL module and an organic EL illumination device including the same capable of simplifying structures of supporting an organic EL panel to a frame body and applying a voltage to the organic EL panel, and utilizing light impossible to transmit a transparent substrate.例文帳に追加

有機ＥＬパネルの枠体への支持と有機ＥＬパネルへの通電の構造を簡単化するとともに透明基板を透過し得ない光を有効に利用する有機ＥＬモジュールおよびこれを備えた有機ＥＬ照明装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for predicting stress distribution and a device for simulating the stress distribution capable of predicting the stress distribution in micro-regions, even when structures are constructed by metal, in the method for predicting the stress distribution for predicting the stress distribution applied to the structures formed on a substrate and the device for simulating the stress distribution used in the method for predicting the stress distribution.例文帳に追加

基板上に形成された構造体に印加される応力分布を予測する応力分布予測方法及びこの応力分布予測方法において使用する応力分布シミュレーション装置において、微小領域における応力分布予測が可能で、前記構造体が金属により構成されていても予測可能な応力分布予測方法及び応力分布シミュレーション装置を提供する。 - 特許庁

The light emitting device 1 of the present invention includes a substrate 2, the light emitting element 6 arranged on the substrate 2, translucent sealing resin 4 covering the light emitting element 6, and scattering structures 5 which are formed from a surface of the sealing resin 4 to an inner part and are arranged only on wall surfaces of grooves formed from the sealing resin 4 to the inner part.例文帳に追加

本発明に係る発光デバイス１は、基板２と、基板２上に配置された発光素子６と、発光素子６を覆う透光性の封止樹脂４と、封止樹脂４の表面から内部に向かって形成され、封止樹脂４から内部に向かって形成した溝の壁面にのみに配置された散乱構造５とを備えた構成とした。 - 特許庁

A space larger than the soldered joint area of the footprint 3 is made between the footprint and the printed circuit board 1 to give a spring property to the footprint so that it can release stress even if the board is distorted and structures, for example, with a through-hole formed in the lower substrate of the footprint or a recession formed in the lower substrate surface of the footprint are provided.例文帳に追加

フットプリント３のはんだ接合されるエリアより少し広く、フットプリントとプリント配線板１の間に空間を作ることで、フットプリントにばね性を持たせ、プリント配線板がたわんだ場合でも、応力を緩和する構造とし、例えば、フットプリント下方の基板に貫通孔を設ける、フットプリント下方の基板表面に凹部を設ける等の構造とした。 - 特許庁

In the semiconductor device, two MOS structures which share a drain are formed in the front surface side of the semiconductor substrate, and a plurality of ditch-like opening parts 4 are formed to extend from the drain region of one MOS structure to the drain region of the other MOS structure in the interior of an N+ type drain layer 7 in the back surface side of the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板の表面側にドレインを共有するＭＯＳ構造が２つ形成され、かつ、半導体基板の裏面側のＮ＋型ドレイン層７の内部に、一方のＭＯＳ構造のドレイン領域から他方のＭＯＳ構造のドレイン領域まで、延在して形成された複数の堀状の開口部４を有する。 - 特許庁

The first and the second liquid feeding structures (424a, 424b) are constituted so that the liquid (422) is sent out to the morphological characteristic portion (404) for at least a part of time during which the laser beam (410) acts on the substrate (300).例文帳に追加

前記第１および第２の液体供給構造（４２４ａ、４２４ｂ）は、前記レーザ光線（４１０）が前記基板（３００）に対して作用する時間のうちの少なくとも一部において、液体（４２２）を前記形態的特徴部（４０４）に送出するよう構成される。 - 特許庁

The first and second porous structures 12 and 22 are same in structure, and anodic oxidation treatment and oxidation treatment are applied to the non-doped polycrystalline silicon layer formed on one surface side of the element forming substrate 1.例文帳に追加

第１の多孔質構造部１２と第２の多孔質構造部２２とは同一構造であって、素子形成基板１の一表面側に成膜したノンドープの多結晶シリコン層に対して陽極酸化処理および酸化処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁

To provide a technology which ensures removal of a silicide protection film (SP film) on a semiconductor substrate in a region for forming a silicide film, while reducing deterioration in the performance of a semiconductor device even when a distance between gate structures is reduced.例文帳に追加

ゲート構造間の距離が小さくなった場合であっても、半導体装置の性能の劣化を低減しつつ、シリサイド膜が形成される領域における半導体基板上のシリサイドプロテクション膜（ＳＰ膜）を確実に除去することが可能な技術を提供する。 - 特許庁

When brittle material particulate is brought into collision at a high velocity from a nozzle 106 against the substrate surface 108 pasted with a mask 109, the brittle material structures 111 deposited with the brittle material particulate are formed only in the apertures 109a of the mask 109.例文帳に追加

マスク１０９が貼着された基材１０８にノズル１０６から脆性材料微粒子を高速で衝突せしめると、マスク１０９の開口１０９ａの部分にのみ脆性材料微粒子が堆積した脆性材料構造物１１１が形成される。 - 特許庁

The disclosed method includes: the steps of forming an amorphous silicide layer or an amorphous TiSiN layer on a semiconductor substrate in which given structures are formed; and forming a line conductive layer on the amorphous silicide layer or amorphous TiSiN layer.例文帳に追加

所定の構造物が形成された半導体基板上に非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜を形成する段階と、上記非晶質シリサイド膜または非晶質ＴｉＳｉＮ膜の上に配線用導電膜を形成する段階を含む。 - 特許庁

To provide a recording head for detecting the temperature of a head substrate using a plurality of temperature-detecting elements, wherein the number of pads and the number of FPC signals are prevented from increasing, thereby accurately detecting the temperatures of a plurality of points without complexing the structures of the head substrates and the recording devices.例文帳に追加

複数の温度検知素子を用いてヘッド基板の温度検知を行う記録ヘッドにおいて、パッド数、ＦＰＣの信号数の増大を抑え、ヘッド基板も記録装置も構成を複雑にすることなく複数点の温度検知を正確に行うことである。 - 特許庁

The total thickness of the epitaxially grown layers is controlled to 0.3-1.0 μm by providing the low-temperature-deposited InGaN layer 5 on a sapphire substrate 6 and GaN-based field effect transistor structures 1-3 on the layer 5 through a GaN buffer layer 4.例文帳に追加

サファイア基板６上にＩｎＧａＮ低温堆積層５を設け、そのＩｎＧａＮ低温堆積層５上に、ＧａＮバッファ層４を介して、ＧａＮ系電界効果トランジスタ構造１〜３を設け、成長層の総膜厚を０．３μｍ以上１μｍ以下とする。 - 特許庁

This nitride semiconductor structure is provided with a sapphire substrate having processing structures of a recess portion and a projection portion on its surface in advance; a nitride semiconductor buffer layer formed on at least the projection portion on the substrate; and a nitride semiconductor layer formed on the semiconductor structure having an uneven portion by the sapphire substrate and the nitride semiconductor buffer layer.例文帳に追加

しかし、ＳｉＯ_2層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_2は窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、そのため作製された窒化物半導体発光素子は、発光効率の低下と個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下を招くと共に、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下させるという問題があった。 - 特許庁

The lighting system 1 includes: an LED substrate 2; a plurality of LED light sources 3 arranged on the LED substrate 2; light-shielding barrier ribs 4, provided on the LED substrate 2, for forming light-emitting regions partitioned to include at least one of the plurality of LED light sources 3; and lens-shaped structures 5 provided on the barrier ribs 4 for covering the light-emitting regions partitioned with the barrier ribs 4.例文帳に追加

本発明に係る照明装置１は、ＬＥＤ基板２と、ＬＥＤ基板２上に配設された複数のＬＥＤ光源３と、ＬＥＤ基板２上に設けられており、複数のＬＥＤ光源３の少なくとも１つを含むように仕切られた発光領域を形成する、遮光性の隔壁４と、隔壁４上に設けられており、上記隔壁４により仕切られた発光領域を覆うレンズ状構造物５とを備えている。 - 特許庁

Afterwards, when a single-crystal semiconductor thin film 20 is grown on the porous layer, a plurality of fine projecting structures 21 formed of crystal habits appearing on the surface with the same plane direction (100) as that of the single-crystal semiconductor substrate are formed on the surface of the single-crystal semiconductor thin film 20.例文帳に追加

その後、多孔質層の上に単結晶半導体薄膜２０を成長させると、その表面に、単結晶半導体基板と同一の（１００）面方位を有するとともに、表面に現れた結晶晶癖により形成された多数の微小な凸構造２１が形成される。 - 特許庁

A light-emitting element 100 has a separate formation of LED structures, each composed of laminated semiconductor layers of an n-type semiconductor layer (LED structure) 20, an active layer (not shown) and a p-type semiconductor layer 3, respectively disposed in the vicinity of corners on one diagonal of a rectangular-shaped substrate 1.例文帳に追加

発光素子１００は、矩形状の基板１の一方の対角線上の角部近傍それぞれに、ｎ型半導体層（ＬＥＤ構造）２０、活性層（不図示）及びｐ型半導体層３を積層した半導体層で構成されるＬＥＤ構造を分離して形成してある。 - 特許庁

The lens-shaped structures 5 each have construction for changing the moving direction of light entering from the LED light source 3 into the lens-shaped structure 5 to reduce an angle between the moving direction of the light from the LED light source 3 and the normal direction of the LED substrate 2.例文帳に追加

レンズ状構造物５は、ＬＥＤ光源３からの光の進行方向とＬＥＤ基板２の法線方向との角度がより小さくなるように、ＬＥＤ光源３から発せられてレンズ状構造物５に入射した光の進行方向を変化させる構造を有している。 - 特許庁

The anti-glare hard coat film is arranged with an active energy-ray curing resin coating layer on one side of a transparent plastic substrate, and includes an irregular structure, consisting of two kinds of fine irregular structures that differ in the height difference in irregularities on the surface of the side of the active energy-ray curing resin coat layer.例文帳に追加

透明プラスチック基材の片面に、活性エネルギー線硬化型樹脂被膜層が設けてあり、活性エネルギー線硬化型樹脂被膜層の側の表面に、凹凸の高低差が異なる２種類の微細な凹凸からなる凹凸構造を備えた防眩性ハードコートフィルム。 - 特許庁

To provide a new stretchable elastic conductive resin which has both low elasticity and low resistance and is useful for connecting printed circuit boards to each other, connecting structures to each other, and directly forming electrodes or wirings on a dynamically stretchable substrate such as a polymer actuator.例文帳に追加

プリント配線板同士の結線等、構造体間の結線および高分子アクチュエータ等の動的な伸縮をする基体に対して直接に電極あるいは配線を形成するために、従来にない伸縮可能な低弾性と低抵抗を両立した弾性導電樹脂を提供する。 - 特許庁

A first group III material gas containing a gallium compound or an aluminum compound, a group V material gas, and a second material gas containing an indium compound are supplied to a chamber in which a substrate 11 formed with a plurality of columnar nano-structures 13 on a surface is installed.例文帳に追加

複数の柱状ナノ構造体１３が表面上に形成された基板１１が設置されたチャンバ内に対して、ガリウム化合物又はアルミニウム化合物を含む第１のIII族原料ガスと、Ｖ族原料ガスと、インジウム化合物を含む第２の原料ガスを供給する。 - 特許庁

In a display device which produces image display by using a light valve to modulate a transmitted state or a reflected state of light with an electric signal, the light valves 13, 14, 15 have terminal structures directly connected to a light valve control substrate 11 which outputs a signal to the light valves.例文帳に追加

光の透過状態または反射状態を電気信号により変調するライトバルブを用いて画像表示を行う表示装置において、ライトバルブ１３、１４、１５が、このライトバルブへの信号を出力するライトバルブ制御基板１１と直接接続する端子構造を持つ。 - 特許庁

The catheter is constituted of a metallic tubular body including a substrate part and a tip end part, which are formed with the same wire made of the alloy of Cu-Al-Mn and obligatory impurity element, and partially having the compatible phase tissue of two-layer structures, i.e., an α phase and a β phase.例文帳に追加

カテーテルであって、その金属管状体がＣｕ−Ａｌ−Ｍｎおよび不可避不純物元素から構成された合金からなる同一線で形成された基質部と先端部とを持ち、その少なくとも一部にα相とβ相の２層構造の混相組織を備えている。 - 特許庁

The imprinting method comprises irradiating, with UV rays, an aggregate of two or more superimposed imprint structures whose imprint resist layer, on a substrate, composed of a UV-curable resin composition has been pressed with an irregular pattern of a mold in such a way that the rays penetrate the gravity-center part of the aggregate.例文帳に追加

基板上の紫外線硬化樹脂組成物からなるインプリントレジスト層にモールドの凹凸パターンを押し付けたインプリント構造体を複数重ね合わせてなる集合体に対し、該集合体の重心部を通過するように紫外線を照射するインプリント方法である。 - 特許庁

(1) The optical recording medium has two or more pairs of three layer structures each having the optical recording layer wherein recording is performed by two-photon absorption or multiphoton absorption, a UV absorption layer having 100 to 1,000 nm film thickness and the intermediate layer comprising the UV curable material which are laminated in this order on a substrate.例文帳に追加

（１）基板上に、２光子又は多光子吸収により記録が行なわれる光記録層、膜厚が１００〜１０００ｎｍの紫外線吸収層、紫外線硬化可能な材料からなる中間層がこの順に積層された３層構造を２組以上有する光記録媒体。 - 特許庁

If the surface of the substrate is coated with the alignment film by utilizing the transfer plate having the projecting parts of the double structures, the difference in the film thicknesses between the edges and the center is overcome, and the liquid crystal display device of the excellent quality suppressed of a gap defect and screen display unevenness can be provided.例文帳に追加

二重構造の凸部を有する転写板を利用して基板上に配向膜をコーティングすれば、エッジ及び中央の膜厚さ差を克服してギャップ不良及び画面表示むらを抑制させて優れた品質の液晶表示装置を提供することができる。 - 特許庁

Also, two die packages have a first die attached to the same surface as the second level interconnect structures and connected using flip chip interconnection, and a second die 44 connected to the opposite surface of the substrate and interconnected either by wire bonding or by flip chip interconnection.例文帳に追加

また、２つのダイパッケージは、第２レベルの相互接続構造と同じ平面に取り付けられ、フリップチップ相互接続を用いて接続された第１のダイと、前記基板の反対側の表面に接続され、ワイヤボンディング又はフリップチップ相互接続の何れかによって接続された第２のダイ４４とを備える。 - 特許庁

The probe card assembly 200 is composed of an elastic contact structure 211, a space exchanger 210, a frame 212, an interposer 230, elastic contact structures 229 and 231, a frame 218, a printed wiring substrate 220, a drive plate 222, a stud 238, an extension stud 240, and a screw 224.例文帳に追加

プローブカードアセンブリ２００は弾性接触構造体２１１、空間交換機２１０、フレーム２１２、インターポーザ２３０、弾性接触構造体２２９および２３１、フレーム２１８、プリント配線ボード２２０、ドライブプレート２２２、スタッド２３８、延長スタッド２４０、ネジ２２４より構成される。 - 特許庁

Since a thin film laminated structure 43 in an IR blocking region has the thickest constitution, the thin film laminated structure 43 in the third blocking region C is film-formed on one side of a substrate 31, and thin film laminated structures 41, 42 in the first blocking region A and the second blocking region B are film-formed on the other side.例文帳に追加

ＩＲ阻止域の薄膜積層構造体４３が最も厚い構成になることから、基板３１の片面に第３阻止域Ｃの薄膜積層構造体４３、他面に第１阻止域Ａ、第２阻止域Ｂの薄膜積層構造体４１、４２を成膜する。 - 特許庁

The liquid immersion lithographic apparatus is provided to minimize bubbles generated or to prevent bubbles from being generated in the immersion liquid by reducing sizes or volumes of gaps between a target object and a substrate support table, and their upper structures, in the liquid immersion lithographic apparatus, and/or preparing a cover plate covering the gaps.例文帳に追加

液浸露光装置において、対象物と基板テーブル上の間隙の大きさまたは間隙領域を低減することにより、及び／または、間隙を覆い隠すカバープレートを備えることにより、液浸用液体中での気泡の形成を最小化または防止される。 - 特許庁

It is remarkable when the refractive indices of the semiconductor laminating structures 2 to 4 are larger than those of the substrates 1, and an effect is remarkable particularly when the light emitter is formed of the laminating structure of a group III nitride compound semiconductor and sapphire, silicon, SiC or a spinel is used as the substrate.例文帳に追加

これは、基板１の屈折率よりも半導体積層構造２〜４の屈折率の方が大きい場合に顕著であり、III族窒化物系化合物半導体の積層構造で発光部を形成し、サファイア、シリコン、ＳｉＣ又はスピネルを基板とする場合に特に効果が顕著となる。 - 特許庁

In a liquid ejecting head for ejecting liquid droplets from a nozzle hole by deforming a diaphragm, a plurality of electrodes 14 comprising conductive structures electrically insulated with each other are provided in the diaphragm 10, and a second substrate (protection member) 2 for protecting the electrodes 14 is provided such that the part of the second substrate (protection member) 2 corresponding to the electrodes 14 is opened.例文帳に追加

振動板を変形させてノズル孔から液滴を吐出させる液吐出ヘッドにおいて、振動板１０に電気的に互いに絶縁分離された導電性を有する構造体からなる複数の電極１４を設け、この電極１４を保護する第２基板（保護部材）２を有し、この第２基板（保護部材）２の電極１４に対応する部分が開口されている。 - 特許庁

A manufacturing method of the nanostructure wherein a plurality of periodic pore arrangement structures having different periods are formed on the anodic oxide film next to each other comprises a step wherein pore-starting points comprising different kinds of periodic arrangements are formed on the surface of a substrate essentially comprising aluminum, and a step wherein the substrate is simultaneously subjected to anodic oxidation with the same anodic oxidation potential.例文帳に追加

陽極酸化膜に形成された異なる周期を有する複数の細孔周期配列構造が、互いに隣接して配列したナノ構造体の製造方法であって、アルミニウムを主成分とする基板表面に複数種類の周期配列からなる細孔開始点を作製する工程と、基板を同じ陽極酸化電圧で同時に陽極酸化をする工程とからなる。 - 特許庁

The organic EL panel sealing substrate designed to achieve the above objectives has flexibility and includes at least a metal layer, with conductive projected structures formed in a pattern-like manner on the surface on one side of the metal layer, and the organic EL substrate of an organic EL panel disposed on the projected structure side.例文帳に追加

フレキシブル性を備え、少なくとも金属層を有するものであり、かつ上記金属層の一方の表面には導電性を有する突起構造がパターン状に形成されており、上記突起構造側に有機ＥＬパネルの有機ＥＬ基板が配置されて用いられることを特徴とする有機ＥＬパネル用封止基板を提供することにより、上記目的を達成する。 - 特許庁

The semiconductor device 1 includes the horizontal MISFET formed on the main surface of a SOI substrate 2, and on the substrate 2 where concave-convex structures 6 for expanding the current pathway between a source region 3 of the MISFET and the drain region 4 are disposed, and the boundary of the concave part 11 and the convex part 12 of the concave-convex structure 6 is constituted by a slanting face.例文帳に追加

半導体装置１は、ＳＯＩ基板２の主表面に横型のＭＩＳＦＥＴを形成して成り、基板２の主表面には、ＭＩＳＦＥＴのソース領域３とドレイン領域４間の電流経路を拡大させるための凹凸構造６が設けられており、凹凸構造６の凹部１１と凸部１２の境界が斜めに傾斜している面によって構成されている。 - 特許庁

Quantum thin lines of various sizes are formed on the single substrate by successively performing the processes of: vapor-depositing an oxide film on the semiconductor substrate; etching the oxide film so that areas where the oxide film is not formed have various sizes; and forming triangular epitaxial structures in the areas where no triangular epitaxial structure is present by using the selective epitaxial growing method.例文帳に追加

半導体基板上に酸化膜を蒸着する段階と、酸化膜のない領域が多様な大きさを有するように前記酸化膜をエッチングする段階と、選択的エピタキシャル成長法を利用して前記酸化膜のない領域に三角形のエピタキシャル構造を形成する段階と、を順次行うことで、単一基板に多様な大きさの量子細線を形成する。 - 特許庁