| 例文 |
substrate surfaceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 43285件
The magnetic side is formed over the first surface of the substrate and defines a recording surface.例文帳に追加
磁気側は、基材の第1の表面に形成されていて、記録面を画定している。 - 特許庁
The surface of the glass substrate is polished and its surface roughness Ra is no larger than 2 nm.例文帳に追加
ガラス基板の表面が研磨され、その表面粗さRaが2nm以下とされた。 - 特許庁
A power semiconductor circuit substrate 3 comprises a top surface electrode 14 and a bottom surface electrode 15.例文帳に追加
パワー半導体回路基板3は上面電極14と下面電極15を有する。 - 特許庁
SOLDERING PATTERN FOR SURFACE MOUNT COMPONENT, SUBSTRATE AND SURFACE MOUNT COMPONENT MOUNTING STRUCTURE例文帳に追加
表面実装部品の半田付けパターン、基板および表面実装部品搭載構造 - 特許庁
A semiconductor substrate 1 comprises a surface 1A, tilted relative to a bottom surface 1B.例文帳に追加
半導体基板1は、底面1Bに対して傾斜した表面1Aを有している。 - 特許庁
METAL IMPURITY ANALYTICAL METHOD IN SURFACE OXIDE FILM EXISTING ON SILICON SUBSTRATE SURFACE例文帳に追加
シリコン基板表面に存在する表面酸化膜中の金属不純物分析方法 - 特許庁
Then, it uniformly pours the slurry onto the top surface 53 of the substrate with the dent on its surface.例文帳に追加
次に、表面に窪みを具えた基板の上面53上に均一にスラリーを注ぐ。 - 特許庁
Then, it uniformly pours the slurry onto the top surface (53) of the substrate with the dent on its surface.例文帳に追加
次に、表面に窪みを具えた基板の上面(53)上に均一にスラリーを注ぐ。 - 特許庁
A surface protective film is formed on the surface of a semiconductor substrate to which a gate or the like is formed.例文帳に追加
ゲート部等が形成された半導体基板表面に表面保護膜を形成する。 - 特許庁
SURFACE ROUGHENING APPARATUS FOR CERAMIC SUBSTRATE AND SURFACE ROUGHENING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加
セラミック基板の表面粗化処理装置及びセラミック基板の表面粗化処理方法 - 特許庁
SURFACE PROTECTING FILM SUBSTRATE, SURFACE PROTECTING ADHESIVE FILM, AND METHOD FOR PRODUCING ADHESIVE FILM例文帳に追加
表面保護用フィルム基材、ならびに、表面保護用粘着フィルムおよびその製造方法 - 特許庁
First, uneven processing is performed on a surface of a sapphire substrate 10 having a c-plane as a primary surface.例文帳に追加
まず、c面を主面とするサファイア基板10表面に凹凸加工を施す。 - 特許庁
To provide a method for forming a metal surface fine structure on the surface of a metal substrate.例文帳に追加
金属基板表面に金属表面微細構造の作成する方法を提供する。 - 特許庁
By performing anisotropic etching from one substrate surface 3 to the other substrate surface 5 facing one substrate surface 5 of the semiconductor substrate 1, particularly an Si semiconductor substrate 1, an annular recess 15 is formed on the one substrate surface side 5, and the diaphragm 18 is formed at the bottom 17 of the recess 15.例文帳に追加
半導体基板1または特にSi半導体基板の一方の基板面3から該一方の基板面5と対向する他方の基板面5に向かって異方性エッチングを施すことにより、一方の基板面側5に開口する環状の凹部15を形成して凹部15の底部17にダイアフラム18を形成する。 - 特許庁
A circular suction jig 1 rotating on its own axis with a substrate 2 stuck to a suction surface 1a by suction is disposed on a rotating surface plate, and the lower surface of the substrate is polished by bringing it into sliding contact with the surface plate surface 5a.例文帳に追加
吸着面1aに基板2を吸着して自転する円形吸着治具1を、回転する定盤上に配置し、基板2の下面を定盤面5aに摺接させて研磨する。 - 特許庁
A rear surface of the substrate 11 has grooves and recesses formed therein in order to rigidly stick the substrate to the wall surface where the wall surface material is to be stuck, even if the wall surface has some dips and bumps and does not exhibit a flat surface.例文帳に追加
基板11の裏側には、壁面材を貼り付ける壁面が多少の凹凸を有し平坦でない場合でも強固に貼り付けることができるように、溝や凹部が形成してある。 - 特許庁
The heat sink 1 comprises: an insulating substrate 3 having one surface serving as a heating element mounting surface; and a heat sink 5 secured to the other surface of the insulating substrate 3.例文帳に追加
放熱装置1は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板3と、絶縁基板3の他面に固定されたヒートシンク5とを備えている。 - 特許庁
A semiconductor element 21 is mounted on the first surface 32 of the intermediate substrate body 38, and a second surface 33 is mounted on the surface 42 of the substrate 41.例文帳に追加
中継基板本体38の第1面32には半導体素子21が実装され、第2面33は基板41の表面上に実装される。 - 特許庁
In the substrate processing apparatus, each surface of the dummy substrate received is inverted and then is conveyed to a back-surface cleaning processing unit to perform a back-surface cleaning process.例文帳に追加
基板処理装置では、受け取ったダミー基板を表裏反転してから裏面洗浄処理ユニットに搬送して裏面洗浄処理を実行する。 - 特許庁
Since the attained pressure is reduced, residual gas does not easily flow around to a substrate back surface, and contamination of the substrate back surface, a surface of a stage 88, and an internal tool is prevented.例文帳に追加
到達圧力が低くなるために、基板裏面に残留ガスが回り込みにくく、基板裏面、ステージ88表面及び内部治具の汚染が防止される。 - 特許庁
The second substrate is formed so as to face a surface over which the first pattern of the first substrate is formed and has an insulating surface (hereafter, a second insulating surface).例文帳に追加
第2の基板は、第1の基板の第1のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面(以下、第2の絶縁表面)を有する。 - 特許庁
The semiconductor element 15 is mounted on the first surface 32 of the main body 38 of the intermediate substrate 21 and the second surface 33 of the main body 38 is mounted on the surface of the substrate 41.例文帳に追加
中継基板本体38の第1面32には半導体素子15が実装され、第2面33は基板41の表面上に実装される。 - 特許庁
COATING SOLUTION FOR FORMING FLAT-SURFACE INSULATION FILM, SUBSTRATE COATED WITH FLAT-SURFACE INSULATION FILM, AND METHOD FOR PRODUCING SUBSTRATE COATED WITH FLAT-SURFACE INSULATION FILM例文帳に追加
表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、表面平坦性絶縁膜被覆基材、及び表面平坦性絶縁膜被覆基材の製造方法 - 特許庁
Duteration solvent liquid is applied onto the surface of the sample substrate 4 or the inside surface (surface for partitioning and forming an insertion space 9a) of a coil substrate 9.例文帳に追加
試料基板4の表面またはコイル基板9の内側面(差し込み用スペース9aを区画形成する面)に、重水化溶媒液を塗布している。 - 特許庁
After forming an element structure or a surface electrode on the surface side of an n^+-type substrate 1, an amorphous layer 12 is formed on the rear surface 1b of the n^+-type substrate 1.例文帳に追加
n^+型基板1の表面側に素子構造や表面電極を形成した後、n^+型基板1の裏面1bにアモルファス層12を形成する。 - 特許庁
A packaging substrate 17 has a packaging substrate pad 18 that opposes the first LSI chip pad on one surface excluding a surface to the second LSI chip surface.例文帳に追加
実装基板17は第2LSIチップ面に対する面を除いた片面に第1LSIチップパッドと相対する実装基板パッド18を備える。 - 特許庁
The substrate 22a and the earthing surface 21a are formed of an aluminum alloy; and the substrate 22a is provided with a contact part 23a coming into surface contact with the earthing surface 21a.例文帳に追加
また、基体22aとアース面21aとをアルミニウム合金で構成するとともに、基体22aにアース面21aと面接触する接触部23bを設けた。 - 特許庁
To provide a method for producing a surface water-repellent glass, capable of supplying high water repellency and yet furnishing the surface of glass substrate with water repellency without changing the physical properties of the surface of glass substrate.例文帳に追加
高い撥水性を得ることができ、しかもガラス基材の表面の物理的性質を変えずに、その表面に撥水性を付与する。 - 特許庁
The circuit chip 20 is formed on a substrate and has a flat back surface fixed to the substrate and a flat front surface, positioned on the opposite side of the back surface.例文帳に追加
回路チップ20は、基板上に形成され、この基板に固定された平坦な裏面と、この裏面の反対側に位置する平坦な表面とを有している。 - 特許庁
The heat radiator 1 includes an insulating substrate 3 whose one surface is used as a heating element-mounting surface, and a heat sink 5 fixed to the other surface of the insulating substrate 3.例文帳に追加
放熱装置1は、一面が発熱体搭載面となされた絶縁基板3と、絶縁基板3の他面に固定されたヒートシンク5とを備えている。 - 特許庁
The entire surface of an alignment film on the substrate surface of a substrate 3 is subjected to first alignment treatment (treatment for overall surface uniformity) such as rubbing in a direction (a).例文帳に追加
基板3の基板表面上の配向膜全面に対して、aの方向にラビングなどの第1配向処理(全面均一処理)がなされる。 - 特許庁
In a touch panel substrate, a surface protection laminate film 10 is pasted uniformly to the upper surface of a transparent conductive film 4 and the lower surface of an insulating transparent substrate 3.例文帳に追加
タッチパネル基板は、透明導電膜4の上面と絶縁性透明基板3の下面とに、表面保護用のラミネートフィルム10を均一に貼り付けている。 - 特許庁
The second substrate is provided so as to face the surface over which the first pattern of the first substrate is formed and has an insulating surface (second insulating surface).例文帳に追加
第2の基板は、第1の基板の第1のパターンが形成された面に対向して設けられており、絶縁表面(以下、第2の絶縁表面)を有する。 - 特許庁
PRE-INSULATING SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING SURFACE ACOUSTIC WAVE VIBRATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE VIBRATOR, SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE, AND ELECTRONIC APPARATUS例文帳に追加
絶縁化処理前基板、基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、弾性表面波振動子、弾性表面波装置、および電子機器 - 特許庁
The semiconductor element 15 is mounted on the first surface 32 of an interposer substrate body 38 having a second surface 33 being mounted on the surface of the substrate 41.例文帳に追加
中継基板本体38の第1面32には半導体素子15が実装され、第2面33は基板41の表面上に実装される。 - 特許庁
A semiconductor element 21 is mounted on the first surface 32 of the intermediate substrate body 38, and a second surface 33 is mounted on the surface 42 of the substrate 41.例文帳に追加
中継基板本体38の第1面32には半導体素子21が実装され、第2面33は基板41の表面42上に実装される。 - 特許庁
A substrate-holding member has a contact surface brought into contact with a rear surface of a holding substrate, and further, has stress relaxing parts which are arranged along the peripheral part of the holding substrate and, when a pressure is applied from the rear surface to the contact surface, relaxes the pressure propagated to the substrate from the contact surface in the peripheral part of the substrate.例文帳に追加
保持する基板の裏面に接する接触面を有する基板保持部材であって、保持する基板の周縁部に沿って配され、接触面に対する裏面から圧力が加えられた場合に、当該基板の周縁部において接触面から当該基板に伝播される圧力を緩和する応力緩和部を有する。 - 特許庁
The SOI semiconductor substrate manufacturing method includes steps of: activating a support substrate surface and an insulator layer surface by irradiating the insulator layer surface where an insulator layer is exposed and the support substrate surface in a support substrate in an active layer substrate where the semiconductor layer and the insulator layer are laminated with particles; and bonding the support substrate and the active layer substrate by bringing the support substrate surface into contact with the insulator layer surface.例文帳に追加
半導体層と絶縁体層とが積層されている活性層基板のうちのその絶縁体層が露出している絶縁体層表面と支持基板のうちの支持基板表面とに粒子を照射することにより、その支持基板表面と絶縁体層表面とを活性化するステップと、その支持基板表面と絶縁体層表面とを接触させることにより、その支持基板とその活性層基板とを接合するステップとを備えている。 - 特許庁
Surface roughening treatment is applied to the surface of the shadow mask 1, on the side facing the surface of the glass substrate 130.例文帳に追加
シャドウマスク1のガラス基板300表面に対向する側の表面には粗面化処理が施されている。 - 特許庁
The mechanical support beam includes an inner surface 74 and an outer surface 76 fixed on a part of the second surface of the flexible substrate.例文帳に追加
機械的支持梁は、可撓性基板の第2面の一部に固定される内面74と、外面76とを有する。 - 特許庁
To obtain an easy inspecting method for evaluating the surface unevenness of a polished surface of a one-surface polished glass substrate without contact.例文帳に追加
片面研磨ガラス基板の研磨面の表面凹凸を非接触で評価する簡便な検査方法を得る。 - 特許庁
Further, a rounded surface of a curvature 0.013-0.080 mm is provided between the data surface and the chamfered surface of this glass substrate.例文帳に追加
該ガラス基板のデータ面とチャンファー面との間に、曲率が0.013〜0.080mmのR面を設ける。 - 特許庁
A hydrophilic surface (a) and a hydrophobic surface (b) are provided on the surface of the substrate constituting the main flow channels.例文帳に追加
この主流路を構成する基板の上面には親水面aと疎水面bとを含んで構成している。 - 特許庁
Thereafter, the mirror surface sheet 3 and the substrate 4 are laminated by the laminating roll 5 to manufacture the mirror surface member 6 having a mirror surface.例文帳に追加
その後、ラミネートロール5によりラミネートして表面が鏡面となった鏡面部材6を製造する。 - 特許庁
To improve flatness of a surface of a silicon film to be formed regardless of conditions of a substrate surface and a facing surface.例文帳に追加
基板表面や対向面の状態によらず、形成するシリコン膜の表面の平坦性を向上させる。 - 特許庁
First, a semiconductor substrate having a top surface crystallographically equivalent to the {110} surface or {100} surface is prepared.例文帳に追加
まず、{100}面又は{110}面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。 - 特許庁
The process (1) is a surface activation process: the surface activation treatment is applied at least to one surface of the substrate.例文帳に追加
工程(1)表面活性化処理工程:基材の少なくとも一面に表面活性化処理を施す工程。 - 特許庁
To etch a flexible substrate in such a manner that the entire surface thereof receives an etching effect uniformly over the entire surface of the substrate by improving a technique of etching the flexible substrate by spraying an etchant to the flexible substrate 3 from a nozzle 7 while conveying the substrate 3.例文帳に追加
フレキシブル基板3を搬送しつつノズル7からエッチング液を吹きつけて該フレキシブル基板をエッチングする技術を改良して、フレキシブル基板の全面が均一にエッチング作用を受けるようにする。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|