「tin type」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

ALKALI-STABLE TYPE TIN OXIDE SOL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

アルカリ安定型酸化スズゾル及びその製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a tin-plated steel strip by using a horizontal-type tin-electroplating line.例文帳に追加

水平型電気錫めっきラインを用いた錫めっき鋼帯の製造方法を提供する。 - 特許庁

ORDINARY TEMPERATURE ARC TYPE METAL SPRAYING METHOD USING TIN AS THERMAL SPRAYING MATERIAL例文帳に追加

錫を溶射材料に用いた常温アーク式金属溶射法 - 特許庁

To provide a substitution type electroless plating bath for tin, silver and tin-silver alloys not containing a cyan compound.例文帳に追加

シアン化合物を含まない錫、銀および錫—銀合金用置換型無電解めっき浴を提供する。 - 特許庁

an alloy of tin and lead and antimony used to make printing type 例文帳に追加

活字を作るのに用いられるすず、鉛、およびアンチモニーの合金 - 日本語WordNet

The solid oxide type fuel cell separator material is a separator material in which a TiN coating layer having a thickness of 0.05-100 μm is formed to a ferrite stainless steel of 11-40 mass% of Cr, and a Ti concentration of the TiN coating layer is adjusted to more than 40 atom%.例文帳に追加

Cr：11〜40質量％のフェライト系ステンレス鋼に膜厚：0.05〜100μmのTiN被覆層を形成したセパレータ材であり、TiN被覆層のTi濃度が40原子％以上に調整されている。 - 特許庁

METHOD FOR PRODUCING CORE SHELL TYPE SILVER-TIN COMPOSITE PARTICLE, CORE SHELL TYPE SILVER-TIN COMPOSITE PARTICLE, BLACK MATERIAL, BLACK LIGHT SHIELDING FILM, AND BLACK PARTICLE-DISPERSED LIQUID例文帳に追加

コアシェル型銀錫複合粒子の製造方法及びコアシェル型銀錫複合粒子並びに黒色材料、黒色遮光膜、黒色粒子分散液 - 特許庁

The tin is an n-type dopant, thus forming an n-type semiconductor region 50 in the semiconductor multilayered film.例文帳に追加

錫はｎ型ドーパントであるので、半導体多層膜中にｎ型半導体領域５０が形成される。 - 特許庁

Then, in the production of the copper-containing tin powder, a wet type substitution method where copper powder and a tin substitution plating liquid are brought into contact with each other, thereby the copper component composing the copper powder is dissolved and tin is substitutionally deposited, is adopted.例文帳に追加

そして、この含銅スズ粉の製造には、銅粉とスズ置換メッキ液とを接触させ、銅粉を構成する銅成分を溶解させスズを置換析出させる湿式置換法を採用する。 - 特許庁

To provide a wet type treating method by which tin is separated from lead and arsenic in an intermediate at a nonferrous refning stage, and the recovery of tin is efficiently performed.例文帳に追加

非鉄製錬工程中間物から、錫を鉛や砒素と分離し、錫回収を効率的に行う湿式処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The core shell type silver-tin composite particle 1 has the average particle diameter of 1 to 300 nm, and has a structure where a tin particulate 2 essentially consisting of tin and also formed into the nucleus is covered with an outer shell layer 3 as a film with fine pores composed of at least one kind selected from silver, a silver-tin alloy, silver and a silver-tin alloy.例文帳に追加

本発明のコアシェル型銀錫複合粒子１は、平均粒子径が１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下であり、錫を主成分としかつ核となる錫微粒子２が、銀、銀錫合金、銀及び銀錫合金のいずれか１種からなる微細孔を有する膜である外殻層３により被覆された構造である。 - 特許庁

To provide a method for film deposition of a tin-plated film capable of depositing the tin-plated film having a desired thickness under the processing condition suitable of a printed circuit board by using a reduction type electroless tin-plating bath.例文帳に追加

還元型の無電解錫めっき浴を用いて、プリント配線基板に適した処理条件で、所望とする膜厚を有する錫めっき皮膜を形成させるための錫めっき皮膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for removing tin in crude copper by dry type refining where the content of tin in crude copper can be made into a low level, and further, the content of tin can be controlled to ≤0.33 mass%.例文帳に追加

本発明の目的は、乾式精錬において、粗銅中の錫含有量を低レベル化できるようにし、また、錫の含有量を０．３３mass-%以下とすることが可能である乾式精錬による粗銅中の錫除去方法を提供する。 - 特許庁

To provide a curable composition having good adhesion and curability using a non tin type curing catalyst.例文帳に追加

非錫硬化触媒を用いて、良好な接着性と硬化性を有する硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

Such sol can be obtained by adding tetramethylammonium hydroxide to an alkali-stable type tin oxide sol containing tin oxide in a concentration of ≤15 mass % expressed in terms of SnO_2 and concentrating the resulting sol.例文帳に追加

このようなゾルは、酸化スズ濃度がＳｎＯ_２として１５質量％以下のアルカリ安定型酸化スズゾルに水酸化テトラメチルアンモニウムを添加し、濃縮を行うことにより得ることができる。 - 特許庁

To provide a BGA-type wiring tape and a BGA-type semiconductor device, where tin contained in a solder ball does not elute to the cleaning liquid of a flux.例文帳に追加

半田ボールに含まれる錫がフラックスの洗浄液に溶出することのないＢＧＡ型配線テープおよびＢＧＡ型半導体装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, the joining of each TiN-based crystalline substance is easily achieved by dotting various shapes such as spherical Ag, a spherical Ag-connected beaded or layered-type, a potbelly-type, a rice cake with sesame-type and the like on the surface part of the TiN-based crystalline substance and then a three-dimensional structure is formed.例文帳に追加

その結果、ＴｉＮ基結晶体表面部には球状Ａｇやこれらが連なった数珠状あるいは積層型、だるま状型、ゴマ餅状型など多様な形状が点在することによりＴｉＮ基結晶体同士接合が容易達成され、３次元的構成体が形成される。 - 特許庁

After sequentially forming an HfSiO film 13 and a TiN film 16 on a semiconductor substrate 10 including a P-type MISFET region 1 and an N-type MISFET region 2, the TiN film 16 in the part located in the N-type MISFET region 2 is alternatively removed.例文帳に追加

Ｐ型ＭＩＳＦＥＴ領域１及びＮ型ＭＩＳＦＥＴ領域２を含む半導体基板１０上にＨｆＳｉＯ膜１３及びＴｉＮ膜１６を順次形成した後、Ｎ型ＭＩＳＦＥＴ領域２に位置する部分のＴｉＮ膜１６を選択的に除去する。 - 特許庁

To provide a performable method for in-situ deposition of TiN and silicon onto substrates inside a batch type reactor.例文帳に追加

バッチ式リアクタ内の基板上にＴｉＮ及びシリコンをインサイチュに蒸着するための実行可能な方法を提供する。 - 特許庁

A TiN film is formed through a PVD method where a Ti reactive sputtering is carried out in a nitrogen atmosphere, and the TiN film is high in density and impurity to protect the TiN-type layer 102 of lower density against fluorine contamination while a W metal layer is deposited through a CVD method.例文帳に追加

窒素雰囲気内でのＴｉ反応性スパッタリングによって作られたＰＶＤによるＴｉＮ被膜は、高い密度及び純度を持ち、ＣＶＤによるタングステン・デポジッションの間、弗素汚染に対して密度が一層低いＴｉＮ形層を保護する。 - 特許庁

To provide a composite-plated material which shows an extremely low coefficient of friction even when being indented and slid several times on another type of a tin-plated material such as a tin-reflowed material; and to provide a production method therefor.例文帳に追加

インデント加工して錫リフロー材などの他の種類の錫めっき材上で複数回摺動させても摩擦係数が極めて低い複合めっき材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A color filter is made by forming an indium-tin oxide layer on a glass substrate and sequentially forming a silicon nitride layer, an amorphous silicon layer, an n-type silicon layer and a metal layer on the indium-tin oxide layer.例文帳に追加

インジウム錫（スズ）酸化物層がガラス基板上に形成され、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層が前記インジウム錫酸化物層上に順次形成され、カラーフィルタとなる。 - 特許庁

A MOSFET structure adopts as a gate stack a three-layered structure composed of a TiN-type layer 102 formed through a CVD method, a TiN layer 103 formed through a PVD method, and a W metal layer 104 formed through a CVD method.例文帳に追加

ゲート・スタックに三層構造、すなわちＣＶＤによるＴｉＮ形層（１０２）、ＰＶＤによるＴｉＮ層（１０３）及びＣＶＤによるＷ金属層（１０４）を取り入れたＭＯＳＦＥＴ構造。 - 特許庁

For example, a transparent conductive layer and a metal reflecting layer composed of indium oxide-tin is located on the second conductivity-type layer, to form an electrical contact with the second conductivity-type layer.例文帳に追加

例えば酸化インジウム・スズからなる透明導電層及び金属反射層は、第２導電型層の上あり、第２導電型層と電気的接触を形成する。 - 特許庁

To provide a tin-plated copper alloy sheet for a fitting type terminal having a small coefficient of friction and a small change of contact resistance with elapsed time.例文帳に追加

摩擦係数が小さく、接触抵抗の経時変化が小さい嵌合型端子用錫めっき付き銅合金板の提供。 - 特許庁

Since the contact type panel uses non-oxide for adhesion of the indium tin oxide film 30 with the substrate 10, the stability of a plane resistance value of the indium tin oxide film 30 is not affected by oxygen diffusion, and the excellent heat resistance and stability of the indium tin oxide film 30 can be maintained.例文帳に追加

接触式パネルは、酸化インジウムスズ膜３０と基板１０との接着に非酸化物を使用するため、酸素拡散により酸化インジウムスズ膜３０の面抵抗値の安定性は影響を受けず、酸化インジウムスズ膜３０の良好な耐熱性および安定性を維持することを可能にする。 - 特許庁

To provide a method for producing a cyanogen-free type copper-tin alloy plating, which can prevent the formed coating film from causing peeling or cracking due to continually given impacts, even when the coating film has thickness as thick as 2 μm or more, which has been a problem of the cyanogen-free type copper-tin alloy plating.例文帳に追加

ノーシアンタイプの銅−錫合金めっきでの課題である２μｍ以上の厚膜時においても、連続的な衝撃による皮膜の剥離あるいは割れのない連続衝撃性に強いノーシアンタイプの銅−錫合金めっきの製造方法の提供。 - 特許庁

This reflection type liq. crystal display element holds a liq. crystal compsn. showing cholesteric phase 21 and a pillar type structure 20 between substrates 11 and 12 which form ITO(Indium Tin Oxide) electrodes 13 and 14.例文帳に追加

ＩＴＯ電極１３，１４を形成した基板１１，１２の間に、コレステリック相を示す液晶組成物２１と柱状構造物２０とを挟持した反射型の液晶表示素子。 - 特許庁

The negative electrode electrolyte contains at least one type of metal ion selected from a titanium ion, a vanadium ion, a chromium ion, a zinc ion, and a tin ion.例文帳に追加

負極電解液は、チタンイオン、バナジウムイオン、クロムイオン、亜鉛イオン、及びスズイオンから選択される少なくとも一種の金属イオンを含有する。 - 特許庁

To provide a transparent, one pack-type curable composition using a non-organic tin catalyst and having the excellent workability and storage stability.例文帳に追加

非有機錫触媒を用いて、良好な作業性、貯蔵安定性を有する透明な１成分型硬化性組成物を提供すること。 - 特許庁

A transparent electrode 9 is formed of an ITO (indium tin oxide) of the film thickness of about 300 nm connected to the p-type contact layer 7.例文帳に追加

透光性の電極９は、ｐ型コンタクト層７に接合する膜厚約３００ｎｍのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で形成されている。 - 特許庁

This substitution type electroless plating bath for the tin-silver alloys contains a tin compound, a silver compound, a pyrophophoric compound or pyrophosphoric acid and an iodine compound and a sulfur compound having a C=S bond.例文帳に追加

本発明に係る錫—銀合金の置換型無電解めっき浴では、錫化合物と、銀化合物と、ピロリン酸化合物またはピロリン酸と、ヨウ素化合物と、Ｃ＝Ｓ結合をもつ硫黄化合物とを含有することを特徴とする。 - 特許庁

To produce an electronic material with tin based plating suitable for an insertion type connection terminal which can prevent the generation of insertion whiskers caused by pressure at the time of insertion in an insertion type connection terminal.例文帳に追加

嵌合型接続端子における端子の挿入時の圧力に起因する嵌合ウイスカの発生を防止できる、嵌合型接続端子に適した錫系めっき付き電子材料を製造する。 - 特許庁

A metal pad 152 for relaxing a stress is formed on the first plug 150n on the N-type diffusion layer by patterning the Ti/TiN/W deposited film 151.例文帳に追加

Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ積層膜１５１をパターニングして、Ｎ型拡散層上第１プラグ１５０ｎの上に応力緩和用金属パッド１５２を形成する。 - 特許庁

The light emitting element 20 has such a structure that a p-type current injection layer 21 is provided on a light emitting layer 12 containing tin oxide (SnO_2) and erbium (Er).例文帳に追加

発光素子２０は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）とエルビウム（Ｅｒ）を含む発光層１２に、ｐ型電流注入層２１が設けられた構造を有している。 - 特許庁

To provide an erbium doped tin oxide light emitting element which has a high emission intensity and is suitable as a current injection type light emitting element, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なエルビウム添加酸化スズ発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The copper-containing tin powder is produced by a wet type substitution method using copper powder as a starting raw material, wherein the content of unsubstituted residual copper is ≤30 wt%.例文帳に追加

銅粉を出発原料として湿式置換法で製造した含銅スズ粉であって、未置換の残留銅量が３０ｗｔ％以下のものである。 - 特許庁

The inorganic material is defined as zinc oxide or titanium oxide made into the N-type semiconductor by doping material such as gallium, aluminum, tin or antimony.例文帳に追加

また前記無機材料はガリウム、アルミニウム、すずあるいはアンチモン等のドーピング材によりＮ型半導体化された酸化亜鉛または酸化チタンとした。 - 特許庁

The precipitation type solder composition contains metal tin powder, and a complex of silver ions and/or copper ions and aryl or alkylphosphines or azoles.例文帳に追加

金属錫粉末と、銀イオン及び／又は銅イオンとアリール若しくはアルキルホスフィン類又はアゾール類との錯体とを含有する、析出型はんだ組成物である。 - 特許庁

An Al-Ti alloy 11 is accumulated on a P-type SiC layer 10 as an electrode material, a protection film 12 of TiN is formed on the alloy.例文帳に追加

Ｐ型ＳｉＣ層１０上に電極材料としてのＡｌ−Ｔｉ合金１１を堆積し、その上にＴｉＮの保護膜１２を形成する。 - 特許庁

The lowest Tin-type layer 102 coming into contact with a gate dielectric is deposited through a MOCVD method and stabilized in situ through a silane treatment.例文帳に追加

ゲート誘電体と接触している１番下のＴｉＮ形層は、ＭＯＣＶＤによってデポジットされ、その場所でのシラン処理によって安定化される。 - 特許庁

The liquid crystal display panel has a polycrystalline indium tin oxide film 106' having a cubic bixbyite type crystal structure formed on the substrate 101, and has an insulating film 107 having a plurality of through holes disposed on the polycrystalline indium tin oxide film.例文帳に追加

液晶表示パネルの基板１０１に形成したキュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶酸化インジウムスズ膜１０６’と、該多結晶酸化インジウムスズ膜の上に配置され、複数のスルーホールを有する絶縁膜１０７とを有する。 - 特許庁

A solid photovoltaic device comprises three inorganic solid materials which are a transparent n-type semiconductor compound 1, a transparent p-type semiconductor compound 3 and an absorber compound 2 arranged between the transparent n-type semiconductor compound and the transparent p-type semiconductor compound, and the absorber compound is the compound of antimony and tin comprising tin antimony sulfide.例文帳に追加

透明なｎ型半導体化合物１と、透明なｐ型半導体化合物３と、透明なｎ型半導体化合物と、透明なｐ型半導体化合物との間に配置された吸収体化合物２とをそれぞれ備える３つの無機固体材料を有する固体型光電池デバイスにおいて、前記吸収化合物は、硫化スズアンチモンからなるアンチモンとスズの化合物である固体型光電池デバイス。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal display device including the active matrix substrate 1 wherein a thin film transistor 14 and a pixel part 13 are formed on a transparent insulative substrate 10, a gate electrode 15 and the scanning line 11 connected to it of the thin film transistor 14 have a TiN/Ti/Al structure, a TiN/Al/Ti structure, or a TiN/Ti/Al/Ti structure.例文帳に追加

透明絶縁性基板１０上に薄膜トランジスタ１４及び画素部１３が形成されたアクティブマトリクス基板１を含むアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタ１４のゲート電極１５及びこれに接続される走査線１１をＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ構造、あるいは、ＴｉＮ／Ａｌ／Ｔｉ構造、さらには、ＴｉＮ／Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ構造とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the rutile type titanium oxide superfine particle, a titanium compound solution having Ti concentration of 0.07-5 mol/L is allowed to react in a range of pH 1-3 in the presence of a tin compound in a molar ratio (Sn/Ti) of tin to titanium of 0.001-2.例文帳に追加

チタンに対するスズのモル比（Ｓｎ／Ｔｉ）が０．００１〜２のスズ化合物共存下、Ｔｉ濃度が０．０７〜５mol/lのチタン化合物溶液をｐＨが−１〜３の範囲で反応させることを特徴とするルチル型酸化チタン超微粒子の製造方法。 - 特許庁