「turnoff」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The heater control circuit and the image forming apparatus are provided with a heater relay forcible turnoff releasing circuit 103 and further a function to monitor a heater relay forcible turnoff signal, and provided with an abnormality detection and decision circuit 401 and a function to perform forcible turnoff release by software based on a preset sequence and a function to make abnormal decision effective by consecutive detection.例文帳に追加

本発明のヒータ制御回路及び画像形成装置は、ヒータリレー強制ＯＦＦ解除回路１０３を有し、更にヒータリレー強制ＯＦＦ信号をモニタ可能とする機能を有し、異常検知確定回路４０１を有し、ソフトによる強制ＯＦＦ解除はあらかじめ決められたシーケンスに基づいて解除できる機能及び、異常確定を連続検知で有効とする機能を有する。 - 特許庁

To provide a gate turnoff thyristor of a wide gap semiconductor having a mesa type emitter layer which can increase a controllable current.例文帳に追加

メサ型のエミッタ層を有するワイドギャップ半導体のゲートターンオフサイリスタにおいて、可制御電流を大きくできるものを提供すること。 - 特許庁

To shorten a turnoff time while suppressing noise even if a threshold voltage of an output transistor fluctuates in a small circuit scale.例文帳に追加

回路規模が小さく、出力トランジスタのしきい値電圧がばらついてもノイズを抑えつつターンオフ時間を短縮する。 - 特許庁

This gate turnoff thyristor includes: an n-type first emitter layer; a p-type first base layer; an n-type second base layer; and a p-type second emitter layer in this order.例文帳に追加

ｎ型の第１のエミッタ層、ｐ型の第１のベース層、ｎ型の第２のベース層、ｐ型の第２のエミッタ層をこの順に備える。 - 特許庁

A power supply voltage monitoring circuit 105 outputs a turnoff instruction for turning off a semiconductor laser 101 when a power supply voltage supplied to a semiconductor laser protection circuit 1 is lower than a predetermined voltage; and outputs a turnoff cancellation instruction for driving the semiconductor laser 101 when the power supply voltage is higher than the predetermined voltage.例文帳に追加

電源電圧監視回路１０５は、半導体レーザー保護回路１に供給される電源電圧が所定の電圧より低い場合には、半導体レーザー１０１を消灯する旨の消灯命令を出力し、電源電圧が所定の電圧以上である場合には半導体レーザー１０１を駆動する旨の消灯解除命令を出力する。 - 特許庁

The turnoff of the relay 5 in the standby mode can shut off voltage supply to the main power circuit 4 to reduce power consumption.例文帳に追加

これにより、スタンバイモード時にリレー５が切状態になってメイン電源回路４への電圧供給が遮断されるので、消費電力を低減することができる。 - 特許庁

To provide a high-quality semiconductor device like an IGBT with excellent on voltage-turnoff loss tradeoff and on voltage-tolerance tradeoff through the low-cost manufacturing process.例文帳に追加

低コストの製造プロセスを用いて、高良品率で、オン電圧−ターンオフ損失トレードオフおよびオン電圧−耐圧トレードオフの非常に良好なＩＧＢＴ等の半導体装置を得ること。 - 特許庁

To provide a gate turnoff thyristor device that prevents failure, from being caused between anode and a gate by a surge voltage due to an off-gate current, and achieves miniaturization.例文帳に追加

オフゲート電流によるサージ電圧によるアノードとゲートとの間の故障の発生を回避可能で信頼性を向上でき、かつ、小型化を図れるゲートターンオフサイリスタ装置を提供する。 - 特許庁

A pre-driver 48 controls turnon and turnoff of the transistors based on the control signals SH, SL and a first comparison signal Vcmp1 outputted from the first comparator 44.例文帳に追加

プリドライバ４８は、制御信号ＳＨ、ＳＬと、第１コンパレータ４４から出力される第１比較信号Ｖｃｍｐ１と、にもとづき、各トランジスタのオンオフを制御する。 - 特許庁

A switching converter includes a FET 30 for turning on/off an input primary voltage from a DC power source 1, and a choke coil 31 for charging and discharging in response to turnon and turnoff of the FET 30.例文帳に追加

スイッチング・コンバータは、直流電力源１からの入力一次電圧をオン・オフさせるＦＥＴ３０およびこのＦＥＴ３０のオン・オフに応じて充放電されるチョークコイル３１を含む。 - 特許庁

ZVS is achieved, and the switching loss and the surge can be reduced by a resonance action of an active clamp circuit 3 during turnon and turnoff of the switching elements 6, 7.例文帳に追加

アクティブクランプ回路３の共振作用により、スイッチング素子６，７のターンオンとターンオフ時におけるＺＶＳが実現され、スイッチング損失やサージを低減することができる。 - 特許庁

Since commutation during turnoff can be born by the first gate terminal 15 between rows and the second and third gate terminals 16 and 17 on the end side, irregular commutation can be minimized.例文帳に追加

これにより、列間の第１のゲート端子１５と端側の第２,第３のゲート端子１６,１７とでターンオフ時の転流を分担できて、転流の不揃いを抑制できる。 - 特許庁

To provide a power supply circuit for reducing a loss due to turnon, turnoff and a saturation voltage of a transistor as a chopper, and a loss (a copper loss) due a reactor.例文帳に追加

チョッパであるトランジスタのターン・オン／ターン・オフ及び飽和電圧によるロスが小さく、また、リアクトルによるロス（銅損）も小さい電源回路の提供。 - 特許庁

This ring-like gate terminal 10 of a GCT(gate-commutated turnoff) device for controlling large current at an operating frequency of 1 kHz or above is composed of a magnetic material, having maximum permeability of 15,000 or less (CGS Gausian unit system).例文帳に追加

周波数１ｋＨｚ以上の動作周波数で大電流を制御するＧＣＴ装置１のリング状ゲート端子１０を、最大透磁率が１５０００以下（ＣＧＳガウス単位系）となる磁性体の材料によって構成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which plans to reduce a switching loss by efficiently drawing out minority carriers remaining in a reduced surface field region at the time of turnoff.例文帳に追加

ターンオフ時に、リサーフ領域内に残留している少数キャリアを効率良く引き抜き、スイッチング損失の低減を図る半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reverse-blocking semiconductor device which displays a good reverse-recovery property when it acts as a diode keeping a favorable turnoff property for a reverse-blocking IGBT.例文帳に追加

逆阻止型ＩＧＢＴの良好なターンオフ特性を維持しながら、ダイオード動作させた場合に良好な逆回復特性を示す逆阻止型の半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an ignition device for a pulserless capacitor discharge type internal combustion engine capable of safely executing an ignition operation in high speed by using a normal thyristor having a long turnoff time.例文帳に追加

ターンオフ時間が長い普通のサイリスタを用いて高速時の点火動作を支障なく行うパルサレス方式のコンデンサ放電式内燃機関用点火装置を提供する。 - 特許庁

Since a turnon/turnoff time of the switching element 7 is controlled, the combined resistance of the external secondary resistor 5 and the switching circuit 6 is changed, and the secondary current is controlled so as to approach a target.例文帳に追加

スイッチング素子７のオン・オフ時間を制御することによって、外部二次抵抗５とスイッチング回路６の合成抵抗値を変化させ、それによって二次電流が目標値に近づくように制御する。 - 特許庁

To solve the problems that wiring inductance of a conventional module is large and a peak voltage value to be applied in IGBT turnoff becomes high to DC voltage for surge voltage, thus, an IGBT and a diode chip with high voltage resistance amounts are required and size of and costs of the module increase.例文帳に追加

従来のモジュールは配線インダクタンスが大きく、ＩＧＢＴターンオフ時印加されるピーク電圧値は、直流電圧に対してサージ電圧分高くなる。 - 特許庁

The turnon of the switch 3 is generated after a fixed off duration on the basis of a signal for indicating turnon/turnoff of the switch 3 and a load state determination output.例文帳に追加

スイッチ３のオン・オフを示す信号と負荷状態判定出力とに基づいて一定のオフ期間を設けた後にスイッチ３のオン開始を発生させる。 - 特許庁

In a timer circuit 106, a semiconductor laser driving circuit 102 for driving the semiconductor laser 101 is controlled so as to operate after a predetermined time has passed since the power supply voltage monitoring circuit 105 output a turnoff cancellation instruction.例文帳に追加

そして、タイマー回路１０６においては、電源電圧監視回路１０５により消灯解除命令が出力された後、所定時間の経過後に、半導体レーザー１０１を駆動するための半導体レーザー駆動回路１０２を動作させるよう制御する。 - 特許庁

To provide a power supply circuit for shifting turnon and turnoff phases of switching transistors in two systems by 180° by using a simple circuit without increasing a circuit scale, and eliminating a shift in a switching phase even if a switching frequency increases.例文帳に追加

回路規模を大きくすることなく、簡単な回路で２系統のスイッチングトランジスタのオン／オフの位相を１８０度ずらすことができ、スイッチング周波数を上げてもスイッチングの位相がずれることのない電源回路を提供することを目的としている。 - 特許庁

The facility controls, when arranging and wiring a mask layout based on logic circuit connect information for a semiconductor integrated circuit, an increase in resistance caused by the fact that the outer wiring becomes longer than the inner wiring at a turnoff point of multiple bus-lines wiring, by changing its wiring width.例文帳に追加

半導体集積回路の論理回路接続情報にしたがってマスクレイアウトを配置配線するに際し、複数本のバスライン配線の折れ曲がり部において外側の配線の長さが内側の配線の長さよりも増大することによる抵抗の増大を、その配線幅を変化させることによって制御する。 - 特許庁

The board includes a turnoff mark 104 of the same material as that of the wiring 103 at edges 105a and 105b of the flexible insulating board 105.例文帳に追加

屈曲性絶縁基板１０５の主面に複数の配線１０３を備え、端子１０２が備える端子電極１０２ａに接続されたフレキシブル配線基板１０１であって、屈曲性絶縁基板１０５の縁部１０５ａ及び１０５ｂに、配線１０３と同一材料の折曲マーク１０４を配置した構成を備える。 - 特許庁

The vehicular warning light device 1 is characterized in that the lighting time α in the first blinking period T_blink of the warn-blinking is specified so that the time from the start of the normal lighting after the sudden braking of the vehicle to the first turnoff by the warn-blinking is equal to the lighting time at the blinking period T_blink of the warn-blinking.例文帳に追加

そして、車両用警告灯装置１は、車両の急制動後における通常点灯の開始時から警報点滅による最初の消灯までの時間が警報点滅の点滅周期Ｔ_blinkにおける点灯時間と等しくなるように、警報点滅の最初の点滅周期Ｔ_blinkにおける点灯時間αが規定されていることを特徴とする。 - 特許庁

To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff.例文帳に追加

絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。 - 特許庁