| 例文 |
vertical diffusionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 183件
VERTICAL DIFFUSION/CVD EQUIPMENT AND WAFER TRANSFER METHOD例文帳に追加
縦型拡散/CVD装置及びウェーハ移載方法 - 特許庁
Among them, the vertical diffusion sheet 12 comprises a substrate 12a and a vertical diffusion lens part 12b which is disposed on one side surface of the substrate 12a and has a vertical diffusion function.例文帳に追加
このうち垂直拡散シート12は、基板12aと、基板12aの一方の面に設けられ、垂直拡散機能を有する垂直拡散レンズ部12bとを有している。 - 特許庁
A vertical-type diffusion furnace is used as a diffusion furnace, and vapor-phase diffusion is performed while the semiconductor substrate is heated at 1,150°C or higher.例文帳に追加
拡散炉には縦型拡散炉を用い、気相拡散は半導体基板を1150℃以上の温度として行う。 - 特許庁
Further, a horizontal diffusion lens part 12c having a horizontal diffusion function is disposed on the vertical diffusion lens part 12b.例文帳に追加
また、垂直拡散レンズ部12b上に、水平拡散機能を有する水平拡散レンズ部12cが設けられている。 - 特許庁
To obtain a vertical double diffusion MOS FET which has a stable quality.例文帳に追加
品質の安定した縦型二重拡散MOSFETを得る。 - 特許庁
A vertical diffusion furnace has a cylindrical heater 11 inside a casing.例文帳に追加
縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ11を有している。 - 特許庁
The rear projection type screen 10 is provided with a horizontal diffusion sheet 13 and a vertical diffusion sheet 12 arranged adjacently to the horizontal diffusion sheet 13.例文帳に追加
背面投影型スクリーン10は、水平拡散シート13と、水平拡散シート13に隣接して配置された垂直拡散シート12とを備えている。 - 特許庁
As a result, the light beam is linearly diffused in a vertical direction on the vertical diffusion screen 10, and the vertical stripe irregularity is suppressed.例文帳に追加
この結果、垂直拡散スクリーン10で垂直方向に直線状に光線を拡散することができ、縦すじムラを抑制することができる。 - 特許庁
In other words, the horizontal diffusion angle θt of light emitted from a vertical diffusing screen 10 is made into an optimum horizontal diffusion angle, according to the position in the vertical direction of the vertical diffusing screen 10.例文帳に追加
つまり、垂直拡散スクリーン10の垂直方向での位置に応じて、垂直拡散スクリーン10から出射される光の水平拡散角θtを最適水平拡散角にすることができる。 - 特許庁
Further, the horizontal diffusion of the transmitted light by the vertical diffusion sheet is small, so a decrease in the resolution can be suppressed.例文帳に追加
さらに、垂直拡散シートの水平方向への透過光の拡散作用が小さいことで、解像度の低下が抑えられる。 - 特許庁
To provide a vertical diffusion furnace which makes uniform a flow of a process gas in a heat treatment chamber.例文帳に追加
熱処理室内のプロセスガスの流れを均一にできる縦型拡散炉を提供する。 - 特許庁
OPTICAL DIFFUSION PLATE FOR VERTICAL BACK LIGHT MADE OF POLYCARBONATE RESIN FOR LARGE-SIZED LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE例文帳に追加
大型液晶表示装置用ポリカーボネート樹脂製直下型バックライト用光拡散板 - 特許庁
The device is provided with a diffusion limitation part opening along the jet direction of the diffusion flow and to the exterior, and the diffusion in the vertical direction of the jet flow is limited and rectified by the diffusion limitation part.例文帳に追加
拡散流の噴射方向に沿いかつ外部に開口する拡散制限部が設けられており、噴射される拡散流は、拡散制限部によって上下方向の拡散が制限されて整流される。 - 特許庁
The main spray E diffusing in the vertical direction by the first nozzle hole 41 and having a prescribed amount of vertical diffusion angle also in the transverse direction is formed and a diffusion spray F having a transverse diffusion angle α formed by a pair of left and right second nozzle holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加
第1噴口41によって縦方向に拡散し、横方向にも所定量の縦拡散角を有する主噴射Eが形成されるとともに、左右一対の第2噴口43によって横拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Fが形成される。 - 特許庁
An impurity diffusion device is constituted into a structure, wherein carrier gas containing impurities for diffusion, which is passed through an impurity bubbler 27, is introduced in a reaction tube 22 of a vertical type diffusion furnace 21 through a nozzle 26 provided in the upper part of the tube 22.例文帳に追加
縦型拡散炉21の反応管22内には、上部に設けられるノズル26から、不純物バブラ27を通過して拡散用の不純物を含むキャリアガスが導入される。 - 特許庁
VERTICAL DIFFUSION SHEET, REAR PROJECTION TYPE SCREEN AND REAR PROJECTION TYPE TELEVISION DEVICE PROVIDED WITH THE SAME例文帳に追加
垂直拡散シート、背面投影型スクリーンおよびそれを備えた背面投影型テレビ装置 - 特許庁
The floating diffusion layer converts a signal charge transmitted from a vertical transmitting part into signal voltage.例文帳に追加
浮遊拡散層は、垂直伝送部から伝送される信号電荷を信号電圧に転換する。 - 特許庁
Potential is supplied to a diffusion layer via a contact by using a cell which has the diffusion layer, a contact provided in almost perpendicular direction of the diffusion layer inside a wiring layer A different from the diffusion layer, and vertical wiring which passes through an intermediate layer between the diffusion layer and the wiring layer (a) and connects the diffusion layer and the contact.例文帳に追加
拡散層、拡散層と異なる配線層A内であって拡散層の略鉛直方向に設けられた接点、及び、拡散層及び配線層aの間の中間層を貫通し、拡散層と接点とを接続する垂直配線を備えるセルを用いて、拡散層に対して接点を介して電位を供給する。 - 特許庁
When a gate width direction is set as a vertical direction, the middle point is set as an origin and a distance between a MOS transistor and a diffusion layer adjacent to the MOS transistor is set as a vertical direction adjacent diffusion layer distance, the vertical direction adjacent diffusion layer distance is specified as a function of a vertical direction distance to be changed according to a position X in the longitudinal direction of the channel.例文帳に追加
そして、ゲート幅方向を縦方向とし、その中点を原点としてそのMOSトランジスタとそのMOSトランジスタの隣の拡散層との距離を縦方向隣接拡散層距離とするとき、その縦方向隣接拡散層距離を、そのチャネル長方向の位置Xに応じて変化する縦方向の距離の関数として特定する。 - 特許庁
Furthermore, a p-type diffusion layer 31 and an n-type diffusion layer 32 are formed closely to the vertical electric charge transfer region 2 on the surface side of the semiconductor substrate 23.例文帳に追加
更に、半導体基板23の表面側の垂直電荷転送領域2の近傍には、p型拡散層31とn型拡散層32が形成される。 - 特許庁
In the diffusion plate 3, light diffusion in a direction nearly vertical to the length direction of the straight tube-like lamp is larger than light diffusion in a direction nearly parallel to the length direction of the straight tube-like lamp.例文帳に追加
拡散板3は、直管状ランプの長さ方向と略垂直な方向における光拡散が、直管状ランプの長さ方向と略平行な方向における光拡散よりも大である。 - 特許庁
Further, a source of an address transistor 31 which is the n-type diffusion layer 26 is connected to a vertical signal line 34.例文帳に追加
また、n型拡散層26であるアドレストランジスタ31のソースは、垂直信号線34に接続される。 - 特許庁
The vertical backlight is provided with an upper and a lower frames 11, 14, a diffusion plate 12 and a light source 13.例文帳に追加
本発明の直下型バックライトは、上下フレーム11,14と、拡散板12と、光源13とを備えている。 - 特許庁
Si substrates 41 placed facing each other in the vertical direction of a diffusion source 51 of a solid principally comprising B2O3 is thermally diffused with high density boron in a vertical furnace.例文帳に追加
縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源51の上下方向に対向して配置したSi基板41へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁
This underwater diffusion preventing device for polluted water includes: a diffusion preventive film 7 provided under the water extending in the vertical direction and lateral direction A; and a support 9 provided on the over water side for supporting the upper edge part of the diffusion preventive film 7 to hang the diffusion preventive film 7.例文帳に追加
水中における汚濁水の拡散防止装置は、上下方向かつ左右方向Aに延びて水中に設けられる拡散防止膜7と、水上側に設けられ、拡散防止膜7を吊り下げるようこの拡散防止膜7の上縁部を支持する支持体9とを備える。 - 特許庁
The diffusion part 23 diffuses blue light from the light emitting diode element 13 toward the vertical direction to reduce light distribution in the vertical direction and to increase light distribution in the direction inclining against the vertical direction.例文帳に追加
拡散部23により、垂直方向へ向かう発光ダイオード素子13の青色光を拡散させ、垂直方向ヘの配光を減少させるとともに垂直方向に対して傾斜方向への配光を増大させる。 - 特許庁
Namely, the light beam from the projection part 6 is made incident vertically to the vertical diffusion screen 10 as shown in Fig.5.例文帳に追加
つまり、図5に示すように投射部6からの光線が垂直拡散スクリーン10に対して垂直に入射する。 - 特許庁
The silicon film functions as the vertical channel region of the structure and interconnects a diffusion region adjacent to the gate region.例文帳に追加
シリコン膜は構造の垂直チャネル領域の働きをし、ゲート領域に隣接した拡散領域を相互接続する。 - 特許庁
In the vertical PNP transistor 21, on the other hand, the forming area of the transistor 21 is surrounded by an N^+-type diffusion region 38.例文帳に追加
一方、縦型PNPトランジスタ21では、N+型拡散領域38でトランジスタ21形成領域を囲っている。 - 特許庁
In the vertical furnace, a solid diffusion source 51 based on B2O3 is superposed on a supporting substrate 52 contacting the diffusion source only by an outer peripheral part, and the high-density boron is diffused thermally to the Si substrate 41 arranged opposite to the diffusion source.例文帳に追加
縦型炉によってB_2O_3を主成分とする固体の拡散源51と、拡散源に外周部のみ接する支持基板52を重ね、拡散源に対向して配置したSi基板41へ高濃度のボロンを熱拡散させる。 - 特許庁
Since the creeping distance from a p-type diffusion region 23 to an n-type diffusion region 24 can be made longer in the vertical direction, the capacity of the n-type MOSFET 26 can be increased.例文帳に追加
p型拡散領域23からn型拡散領域24までの沿面距離を垂直方向に長くすることができ、n型MOSFET26のキャパシティーを大きくすることができる。 - 特許庁
A height H2 of an air flow direction control device 10 is specified as a height of H/2 or more based on the diffusion vertical width H.例文帳に追加
そして、気流方向制御装置10の高さH2を、拡散上下幅Hに対してH/2以上の高さと規定する。 - 特許庁
To provide a protector and a protection method of a vertical diffusion furnace capable of reducing a damage when an earthquake occurs, with a simple structure.例文帳に追加
簡素な構造で地震の際の被害を低減することができる縦型拡散炉の保護装置及び保護方法を提供する。 - 特許庁
Each of the vertical electrodes 2 comprises the main body 30 of the electrode, a gas flow channel 31, a gas diffusion channel 34 and 35, and a gas dispersion portion 36.例文帳に追加
縦電極2は、電極本体30、ガス流通路31、ガス拡散路34、35、ガス分散部36とを備える。 - 特許庁
To rapidly cool an object after thermal process from an annealing temperature to a room temperature, related to a vertical diffusion device.例文帳に追加
縦型拡散装置において、熱処理済みの被処理物をアニール温度から室温に高速に冷却することを可能にする。 - 特許庁
To prevent generation of a compound of diethyl zinc and AsH_3 in a vertical thermal diffusion device for diffusing diethyl zinc on a GaAs wafer.例文帳に追加
GaAsウェハーにジエチル亜鉛を拡散する縦型熱拡散装置で、ジエチル亜鉛とAsH_3の化合物の生成を防ぐ。 - 特許庁
To provide a transfer device capable of preventing diffusion of dust and reducing a dead space between shelves in the vertical direction.例文帳に追加
発塵の拡散防止と上下方向の棚間のデッドスペースの縮小とを実現することのできる移載装置を提供する。 - 特許庁
To improve the degree of integration by preventing the diffusion of semiconductor impurities that occurs in a manufacturing process of a vertical NPN transistor.例文帳に追加
縦型NPNトランジスタの製造過程で生じる半導体不純物の拡散を抑制して、集積度を向上させる。 - 特許庁
Related to the p-type partition region 38b, 3-stage of p-type embedded diffusion unit regions Up are connected mutually in the vertical direction.例文帳に追加
p型の仕切領域38bは3段のp型の埋め込み拡散単位領域U_p を縦方向に相互連結して成る。 - 特許庁
At a position in a recess 20 opposing a light emitting diode element 13 in the vertical direction, a diffusion part 23 having a size comparable to the size of the light emitting diode element 13 when viewed in the vertical direction is provided.例文帳に追加
凹部20内の発光ダイオード素子13に対して垂直方向に対向する位置に、垂直方向視で発光ダイオード素子13の大きさと同程度の大きさの拡散部23を設ける。 - 特許庁
Many pictures are displayed in the horizontal direction and the vertical direction so that they don't have the same display direction in the horizontal direction, and vertical display angle ranges of all the pictures are widened by a vertical-direction diffusion plate 17 to generate a vertical display angle area common to all the pictures.例文帳に追加
多数の画像を水平方向の表示方向が一致しないように水平方向と垂直方向に表示し、垂直方向拡散板17によりすべての画像の垂直表示角度範囲を広げて、すべての画像に共通な垂直表示角度域を発生させる。 - 特許庁
Accordingly, the incident angle θ at which emission light L1 from the projector 61 enters the vertical diffusion screen 10 can be made larger than tan^-1(W/D), and the emission angle ϕ of the vertical diffusion light L2 relative to the optical axis K can be made larger.例文帳に追加
このため、プロジェクタ61からの出射光L1が垂直拡散スクリーン10に入射する入射角度θをtan^−1(W/D)より大きくし、光軸Kに対する垂直拡散光L2の出射角度φを大きくすることができる。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|