「vertical diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a vertical transistor structure that improves a contact-matching margin without separately forming a contact pad on an upper diffusion layer.例文帳に追加

上部拡散層上にコンタクトパッドを別途形成することなく、コンタクト合わせマージンを向上させる縦型トランジスタ構造を提供する。 - 特許庁

In the vertical MOS semiconductor device 1, a source region is formed of double diffusion structures 5 and 6 of different impurity concentrations.例文帳に追加

本発明の縦型ＭＯＳ半導体装置１では、ソース領域を不純物濃度の異なる二重拡散構造５、６により形成する。 - 特許庁

Therefore, an incident angle obtained when a light beam from the projection part 6 is made incident on the vertical diffusion screen 10 is made small.例文帳に追加

このため、投射部６からの光線が垂直拡散スクリーン１０に入射するときの入射角を小さくすることができる。 - 特許庁

A pitch Lp of lenticular lenses is <0.5 mm, and Lt/Lp wherein Lt is the thickness of the lenticular lens sheet 1 is ≥1.36, and the diffusion sheet 4 has an anisotropy to have a horizontal diffusion property higher than a vertical diffusion property.例文帳に追加

そして、レンチキュラーレンズのピッチＬｐが０．５ｍｍよりも小さく、レンチキュラーレンズシート１の厚さＬｔとレンズピッチＬｐの比であるＬｔ／Ｌｐが１．３６以上であり、拡散シート４が垂直拡散特性よりも水平拡散特性の方が高い非等方性を有する。 - 特許庁

Main spray E diffused by the first spray hole 41 only in the vertical direction and having a fixed thickness in the lateral direction is formed and diffusion spray F having a diffusion angle α only in the lateral direction by the pair of right and left second spray holes 43 and having a fixed thickness in the vertical direction is formed.例文帳に追加

第１噴口４１によって縦方向のみに拡散し、横方向に一定の厚みを有する主噴射Ｅが形成されるとともに、左右一対の第２噴口４３によって横方向のみに拡散角αを有し、縦方向に一定の厚みを有する拡散噴射Ｆが形成される。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing equipment 1 having a vertical furnace such as a vertical diffusion CVD equipment with a substrate transfer machine 2, the direction of the substrate transfer machine 2 is set to a direction where dead space is reduced for arrangement.例文帳に追加

基板移載機２を具備する縦型拡散、ＣＶＤ装置等の縦型炉を有する半導体製造装置１に於いて、基板移載機２の向きをデッドスペースが少なくなる方向に傾けて配置する。 - 特許庁

A vertical diffusion screen 10 includes lenticular sheets 12 and 13 turning a side of center O of curvature of a partial cylinder toward a reverse side to a projection part 6.例文帳に追加

垂直拡散スクリーン１０は、部分円筒の曲率中心Ｏ側を投射部６の逆側に向けたレンチキュラーシート１２、１３を備える。 - 特許庁

In parts of the base region 5, impurity diffusion regions 9 having a lower impurity concentration than the other part of the base region are formed in the vertical direction.例文帳に追加

ベース領域５の一部に縦方向にベース領域の他の部分より不純物濃度の低い不純物拡散領域９を形成する。 - 特許庁

The gas diffusion layer 32 is placed thereon, the members are heated in a reflow furnace, and cooled while pressing in the vertical direction to the stacked surface of the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34, and thereby, the gas diffusion layer 32 and the porous body passage 34 are fixed and bonded.例文帳に追加

さらに、その上に、ガス拡散層３２を乗せ、当該部材をリフロー炉で加熱した上で、ガス拡散層３２及び多孔体流路３４の積層面に対して垂直方向にプレスしながら冷却して、ガス拡散層３２と多孔体流路３４とを固定・接着する。 - 特許庁

The irradiation light of the LED 17 is reflected at the light diffusion film and reflecting plate 21 each other and is guided in the irradiation direction, and is diffused in the orthogonal direction vertical to the irradiation direction of light by a diffusion effect of the light diffusion film 22, and is surface-emitted from the lens 13.例文帳に追加

ＬＥＤ１７の照射光は、光拡散フィルム及び反射板２１とで反射し合いながら照射方向に導かれるとともに、光拡散フィルム２２の拡散効果により、光の照射方向と垂直に交わる直交方向に拡散されて、レンズ１３から面発光する。 - 特許庁

Pixel constitution in which a plurality of photoelectric conversion elements are connected to one floating diffusion part through a transfer switch, the floating diffusion part is connected to a vertical output line through a reset switch and the floating diffusion part is connected to the gate of an amplifying MOS transistor is two-dimensionally arranged.例文帳に追加

複数の光電変換素子を１つのフローティングディフュージョンに転送スイッチを介して接続、前記フローティングディフュージョンを垂直出力線にリセットスイッチを介して接続、前記フローティングディフュージョンを増幅用ＭＯＳトランジスタのゲートに接続した画素構成を二次元状に配置する。 - 特許庁

The junction field effect transistor has such a vertical structure that a gate diffusion layer 5 comes into face contact with a channel layer 3 wherein the gate diffusion layer 5 has a spot-like plan view arranged in matrix and the channel layer 3 is formed to surround each gate diffusion layer 5.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、チャネル層３にゲート拡散層５が面接触した縦型構造を有しており、ゲート拡散層５が平面視点状の形状を有し、マトリクス状に設けられ、その各ゲート拡散層５の周囲を取り囲むようにチャネル層３が形成されている。 - 特許庁

If the semiconductor substrate 1 is disposed in vertical placement so as to be subjected to thermal diffusion in a diffusion furnace, the sheet resistance of an upper side 7 of the semiconductor substrate 1 become lower than the sheet resistance of a lower side 8 so that the irregularities in the plane of sheet resistance are generated.例文帳に追加

半導体基板１を縦置きして、拡散炉で熱拡散を行うと、半導体基板１の上辺７のシート抵抗が下辺８のシート抵抗より低くなって、シート抵抗の面内ばらつきが生じる。 - 特許庁

A gate insulating film is inserted between the tunnel junction layer and the word line diffusion layer adjacent thereto, and a tunnel junction type transistor is constituted by a part of the trench capacitors, the vertical tunnel junction layers and a part of the word line diffusion layers.例文帳に追加

トンネル接合層とこれに隣接するワード線拡散の間には、ゲート絶縁膜が挿入され、トレンチキャパシタの一部と、縦型トンネル接合層と、ワード線拡散層の一部とで、トンネル接合型トランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide an air vent feeding a distributed diffusion air stream capable of varying a main flow direction in a vertical wide direction range each other.例文帳に追加

主流れ方向を互いに垂直な広い方向範囲内で変化させることができる分配された拡散空気流を送出できるエアベントを提供する。 - 特許庁

The inhibiting effect of the diffusion is obtained by selecting a height of the vertical plate 3, and the highly uniform vapor concentration distribution can be achieved in the coating region 2.例文帳に追加

立て板３の高さの選択により拡散の抑制効果を得られ、塗布領域２上で均一性の高い蒸気濃度分布を実現できる。 - 特許庁

According to this structure, when the vertical P-type PNP transistor is put in ON operation, a parasitic current flows, mainly through a zone having the P-type diffusion layer 23 formed therein.例文帳に追加

この構造により、縦型ＰＮＰトランジスタがオン動作した際に、Ｐ型の拡散層２３が形成された領域が、主に、寄生電流の経路となる。 - 特許庁

To provide a semiconductor treating device that can perform a uniform heat treatment on the wafers and is a vertical thermal diffusion furnace preventing metal contamination.例文帳に追加

ウエハに対して均質な熱処理を施すことが出来、かつ、金属汚染を防止した縦型熱拡散炉である半導体処理装置を提供すること。 - 特許庁

To restrain a vertical bipolar transistor in an element isolating diffusion region from latching up and to prevent a collector current from flowing out to a semiconductor substrate.例文帳に追加

素子分離用の拡散領域内の縦型バイポーラトランジスタにおいて、ラッチアップを回避しつつ、コレクタ電流が半導体基板に流出することを回避する。 - 特許庁

The linear prism 4 has two slant faces 4A having tilt angles generally equal to each other with respect to a plane vertical to the thickness direction of the light diffusion member 1.例文帳に追加

線状プリズム４は、光拡散部材１の厚み方向に垂直な面に対する傾斜角度が略等しい２つの斜面４Ａを有する。 - 特許庁

To effectively prevent characteristic deterioration of an element due to diffusion of a dopant by forming a carbon planar doped layer having a sharp impurity distribution in the vertical direction.例文帳に追加

縦方向における不純物分布が急峻な、炭素のプレーナドープ層を形成して、ドーパントの拡散による素子特性の低下を効果的に防止する。 - 特許庁

A slide control plate 46 is a metallic plate which is vertical to the sliding direction of the carrier loading member 39 and having almost the same width as that of the diffusion box 27.例文帳に追加

スライド規制板４６は、キャリア装着部材３９のスライド方向に対して垂直で、かつ拡散ボックス２７とほぼ同じ幅である金属板である。 - 特許庁

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

The semiconductor-on-insulator type transistor comprises (a) an insulating layer, (b) a semiconductor material layer on the insulating layer, (c) a transistor gate provided in the semiconductor material layer, and (d) a vertical, outer source/drain diffusion region and a vertical, inner diffusion-region, provided in the semiconductor material layer operationally adjacent to the transistor gate.例文帳に追加

セミコンダクタ・オン・インシュレータ型トランジスタは、ａ）絶縁層、ｂ）絶縁層上の半導体物質の層、ｃ）半導体物質層内に設けられたトランジスタゲート、ｄ）トランジスタゲートに動作上近接して半導体物質層内に設けられた上下方向外側ソース／ドレイン拡散領域及び上下方向内側拡散領域とからなる。 - 特許庁

The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加

縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁

A vertical field effect transistor 40 has an n-Si layer 14 which is epitaxially grown on an n+-silicon substrate 12, a p-base diffusion layer 16 formed on the surface of the n-Si layer and an n+ source diffusion layer 18 formed on the inner side of the p-base diffusion layer on the surface of the n-Si layer.例文帳に追加

本縦型電界効果トランジスタ４０は、ｎ^+ シリコン基板１２上にエピタキシャル成長させたｎ−Ｓｉ層１４と、ｎ−Ｓｉ層の表面部に形成されたｐ−ベース拡散層１６と、ｎ−Ｓｉ層の表面部でｐ−ベース拡散層の内側に形成されたｎ^+ ソース拡散層１８とを備える。 - 特許庁

The vertical diffusion section 10V has first to third diffusion chambers 111 to 131 which are stepwise partitioned from the introduction side toward the releasing side of the vapors of the organic materials and connected through second and third communication holes 122, 132.例文帳に追加

鉛直方向拡散部１０Ｖは、有機材料の蒸気の導入側から放出側に向って段階的に区分けされ第２及び第３連通口１２２、１３２を介して接続された第１〜第３の拡散室１１１〜１３１を有する。 - 特許庁

The diffusion sheet 23 transforms the light which is guided from the light-guiding sheet 22 and then passes through the diffusion sheet 23 into the light composed of beams parallel in the direction vertical to an irradiation surface of the panel, so that the light having approximately uniform intensity and distribution of the color all over the irradiation surface is emitted.例文帳に追加

拡散シート２３はこれを通過する導光板２２からの光を照射面に対して垂直方向の平行光線に変換し、照射面全面に亘ってほぼ均一な強度と均一な色分布の光を放出する。 - 特許庁

A vertical diffusion furnace has: a cylindrical heater 11 inside a casing, and an inner tube having a boat mounted with treated substrates (works) inside the cylindrical heater 11.例文帳に追加

縦型拡散炉は、筐体の内部には筒状ヒータ１１を、筒状ヒータ１１の内部には被処理基板（ワーク）を搭載されたボートが配置される内管を有している。 - 特許庁

To ensure uniform thickness, quality and impurity diffusion of a film formed on a plurality of semiconductor wafers in a vertical reaction tube.例文帳に追加

縦型反応炉内において複数の半導体ウェーハを均一に処理ガスにさらすことによって、半導体ウェーハに均一な膜厚、膜質、不鈍物拡散を得ること。 - 特許庁

A multiplication expression multiplying the function of the vertical direction adjacent diffusion layer distance and a weighting function is generated and a parameter correction amount is calculated on the basis of the multiplication expression.例文帳に追加

その縦方向隣接拡散層距離の関数と重み付け関数とを掛け合わせた乗算式を生成し、その乗算式に基づいて、パラメータ補正量を算出する。 - 特許庁

To provide vertical diffusion/CVD equipment and wafer transfer method which can uniformly allot the transfer position of a monitor wafer by a short-time, as well as simple operations.例文帳に追加

短時間かつ単純な作業でモニタウェーハの移載位置を均等に振り分けることのできる縦型拡散／ＣＶＤ装置及びウェーハ移載方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a vertical double diffusion MOS transistor in a trench gate structure, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device capable of simplifying a manufacturing process.例文帳に追加

製造工程を簡素化することができる、トレンチゲート構造の縦型二重拡散ＭＯＳトランジスタを有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, the lenticular sheet 13 continuously changes the horizontal diffusion angle θt of incident light after entering from a lenticular sheet 12 in the vertical direction (Z-direction).例文帳に追加

これにより、レンチキュラーシート１３は、レンチキュラーシート１２から入射した入射光の水平拡散角θｔを垂直方向（Ｚ方向）に連続的に変化させる。 - 特許庁

In the mist apparatus, the nozzles are arranged in the vertical direction, and the nozzles arranged above have diffusion angles smaller than that of the nozzles arranged below.例文帳に追加

また、前記のミスト装置において、ノズルが垂直方向に配列され、上方に配置したノズルが、下方に配置したノズルよりも拡散角度の狭いミスト装置である。 - 特許庁

Consequently the voltage of the vertical signal line in a situation that signals accumulated in the photo diode are transferred to the floating diffusion can be used as a comparison voltage for each row of pixels.例文帳に追加

フォトダイオードに蓄積した信号がフローティングディフュージョンに転送された状態での垂直信号線の電圧を各列ごとの比較電圧として用いることができる。 - 特許庁

To enhance productivity when boron doping is performed in a vertical furnace and to lessen damage onto an Si substrate by making thermal diffusion of boron uniform.例文帳に追加

縦型炉にてボロンドープを行う場合、生産性を向上させ、さらにボロンの熱拡散を均一することでＳｉ基板へのダメージを軽減することを可能とする。 - 特許庁

To provide a washer nozzle for solving such problems of conventional washer nozzles that when a guide plate to suppress diffusion of a cleaning liquid in the vertical direction is disposed at an injection port, the length of the guide plate in the injection direction can not be changed as desired in response to a vertical diffusion angle of the cleaning liquid.例文帳に追加

本発明は、ウォッシャーノズルに関し、従来のウォッシャーノズルにおいて、噴射口に洗浄液が上下方向に拡散するのを抑制するガイド板を設けた場合に、そのガイド板の噴射方向の長さを洗浄液の上下方向の拡散角度に応じて自在に可変できなかったことが課題であって、それを本発明により解決することである。 - 特許庁

Among projectors 61 to 65, the projectors 61 and 65 are disposed so that their respective optical axes K are parallel to the direction (X direction in FIG. 2) of an optical axis orthogonal to the light-incident surface 10a of a vertical diffusion screen 10 and outside the vertical diffusion screen 10 in a horizontal direction (Y direction in FIG. 2).例文帳に追加

プロジェクタ６１〜６５のうちプロジェクタ６１及びプロジェクタ６５は、それぞれの光軸Ｋが垂直拡散スクリーン１０の光入射面１０ａに直交する光軸方向（図２に示すＸ方向）に平行でありかつ水平方向（図２に示すＹ方向）に垂直拡散スクリーン１０の外側に位置するように設けられている。 - 特許庁

The metallic layers 12 are composed of horizontal layers 12H and 13H, which are in contact with the upper surface of the diffusion layer and vertical layers 12V and 13V, which are in contact with the side walls 7 and 8, and the vertical layers 12V and 13V are further reduced in electrical resistance.例文帳に追加

金属層１２，１３は、拡散層の上面に接触する水平層１２Ｈ，１３Ｈと第１サイドウオール７，８に接触する垂直層１２Ｖ，１３Ｖ）からなり、垂直層１２Ｖ，１３Ｖは電気抵抗が更に低くなっている。 - 特許庁

The vertical PNP transistor is equipped with a base layer which comprises a first phosphorus injection layer exhibiting its peak concentration at a position deeper than an emitter diffusion layer and a second phosphorus injection layer showing its peak concentration at a position shallower than the emitter diffusion layer, and the width of the base layer is expanded, whereby an Early effect can be restrained.例文帳に追加

エミッタ拡散層より深い位置にピーク濃度を持つ第１のリン注入層７とエミッタ拡散層７より浅い位置にピーク濃度を持つ第２のリン注入層６を有し、ベース幅を広げることにより、アーリー効果を抑制することができる。 - 特許庁

The illumination light guided in the vertical direction reflects at a rear-side face of the light guide plate due also to action of a reflection sheet, and further becomes uniform with a diffusion sheet, to be guided to liquid crystal.例文帳に追加

垂直方向へ導かれた照明光は、反射シートの作用もあって導光板の奥側の面で反射し、拡散シートでさらに一様な光となって、液晶へ導かれる。 - 特許庁

To maintain gradation characteristics of a low gradation section without the disappearance of error diffusion data diffusing into a vertical direction even when part of subfields are subject to interlace scanning.例文帳に追加

一部のサブフィールドをインターレース走査した場合にも、垂直方向に拡散する誤差拡散データが消失することがなく、低階調部の階調性を保つことができるようにする。 - 特許庁

The multi-projection system is equipped with rear projectors PJ1-PJ4 and the projection screen 4, and the projection screen 4 has a diffusion plate 1, a horizontal prism sheet 2, and a vertical prism sheet 3.例文帳に追加

マルチ投射システムは、背面投射器ＰＪ１〜ＰＪ４，投射スクリーン４を備え、投射スクリーン４は、拡散板１と、水平プリズムシート２と、垂直プリズムシート３とを有している。 - 特許庁

Consequently, luminance distributions on the diffusion plate 12 and an optical sheet 13 of the backlight are shown by (A) and vertical rows each above and below the row position of the lowest luminance in a screen longitudinal direction has intermediate luminance.例文帳に追加

これにより、バックライトの拡散板１２及び光学シート１３上の輝度分布は（Ａ）で示され、最も輝度の低い行位置の画面縦方向の上下１行が中間輝度となる。 - 特許庁