「w rays」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The detection means 3 irradiates X rays to inspected objects W conveyed sequentially by a conveyance part 2, detects the transmission quantity of X rays transmitted by the object W as the X rays are irradiated, and outputs a digital signal of multi-gradation corresponding to the detected transmission quantity of X rays, by serially converting it.例文帳に追加

Ｘ線検出手段３は、搬送部２によって順次搬送される被検査物ＷにＸ線を曝射し、このＸ線の曝射に伴って被検査物Ｗを透過するＸ線透過量を検出し、この検出したＸ線透過量に応じた多階調のデジタル信号をシリアル変換して出力する。 - 特許庁

Infrared light rays are irradiated from an infrared lamp house 5 to the surface of the wafer W and reflected light from the wafer W is incident upon an infrared spectroscope 5.例文帳に追加

赤外用ランプハウス５からの赤外光がウエハＷの表面に照射され、このウエハＷからの反射光が赤外分光器５に入射される。 - 特許庁

A cleaning liquid S supplied to a substrate W is irradiated with ultraviolet rays from a UV irradiation part 31.例文帳に追加

基板Ｗに供給された洗浄液Ｓに対してＵＶ照射部３１から紫外線を照射する。 - 特許庁

Further, the same surface of the web W is irradiated with infrared rays from an infrared ray source 24 separately from white light.例文帳に追加

また、ウェブＷの同じ上面に白色光とは別に赤外光源２４から赤外光を照射する。 - 特許庁

Then, reactive gas existing on the surface of the substrate W becomes radical by irradiation of the ultraviolet rays L, and, by the radical, the surface of the substrate W is etched.例文帳に追加

そして、基板Ｗの表面に存在する反応性ガスが紫外光Ｌの照射によってラジカルとなり、このラジカルにより、基板Ｗの表面をエッチングする。 - 特許庁

A rinse liquid is supplied to the substrate W to carry out rinse treatment, and when most of the rinse liquid adhered to the substrate W is spun off, the substrate W is irradiated with infrared rays from the ceramic heater via the filter plate.例文帳に追加

基板Ｗにリンス液を供給してリンス処理を行い、基板Ｗに付着しているリンス液の大部分を振り切る際に、基板Ｗに向けてセラミック製ヒータからフィルタ板を介して赤外線を照射する。 - 特許庁

An infrared condensing lens 1 receives infrared rays from the opposed object W to be measured on its entire surface thereof.例文帳に追加

赤外線集光レンズ１は、対向する測定対象物Ｗからの赤外線を表面２全体で受光する。 - 特許庁

A conical weak plasma environment W is formed by irradiating X rays from the X ray irradiating part 12.例文帳に追加

エックス線照射部１２からエックス線を照射することにより、円錐形の弱プラズマ環境Ｗを形成する。 - 特許庁

While the substrate W is transferred by the shuttle transfer mechanism 7, the substrate W being transferred is irradiated with the ultraviolet rays to carry out processing wherein organic matter sticking on the substrate W is decomposed and removed and an oxide film is formed on a surface of the substrate W.例文帳に追加

シャトル搬送機構７によって基板Ｗを搬送するのと同時に、搬送中の基板Ｗに紫外線を照射することによって、基板Ｗに付着している有機物を分解・除去したり、基板Ｗ表面に酸化膜を形成する処理を行う。 - 特許庁

On the other hand, at the time of projecting the ultraviolet rays upon the surface WS of the substrate W held on the support pins 2, the ultraviolet rays are projected upon the surface WS of the substrate W after the gap between the surface WS of the substrate W and the projecting surface 94 of the lamp unit 9 is adjusted by lowering the lamp unit 9 to the projecting position.例文帳に追加

一方、基板表面ＷＳに紫外線を照射する際には、ランプユニット９を照射位置にまで下降させて支持ピン２に保持された基板Ｗの表面ＷＳとランプユニット９の照射面９４のギャップを調整した上で基板表面ＷＳに向けて紫外線を照射している。 - 特許庁

Thus, because the infrared rays having the wavelengths absorbed by the substrate W per se are absorbed by the filter plate, and the infrared rays having the wavelengths absorbed by the minute droplets are transmitted through the filter plate, the substrate W is scarcely heated so that the substrate W can be dried by heating the minute droplets adhered thereto.例文帳に追加

これにより、基板Ｗ自体に吸収される波長の赤外線はフィルタ板に吸収され、微小液滴に吸収される波長の赤外線はフィルタ板を透過するので、基板Ｗはほとんど加熱されず、基板Ｗに付着している微小液滴を加熱して乾燥させることができる。 - 特許庁

The semiconductor wafer W is irradiated with UV-rays, having a wavelength of 200 nm or shorter, in order to decompose organic substances adhering thereto.例文帳に追加

半導体ウェハＷに波長２００ｎｍ以下の紫外線を照射し、半導体ウェハに付着した有機物を分解する。 - 特許庁

For this reason, infrared rays directing from each outside heating halogen lamps 24out to the inside region of the wafer W are reflected by the shield member 30, thereby directing to the outside region of the wafer W.例文帳に追加

このため、各外側加熱用ハロゲンランプ２４_Out からウェハＷの内側領域に向かうべき赤外線がシールド部材３０で反射され、ウェハＷの外側領域に向かうようになる。 - 特許庁

In titanium, fluorescent X rays have a different wavelength from that of tungsten and a zircaloy alloy and the amount of fluorescent X rays being detected by a detector at a spectral angle of spectrum W-Lα of the fluorescent X rays of tungsten is smaller than that of tungsten and zircaloy alloy.例文帳に追加

チタンは、蛍光Ｘ線がタングステンやジルカロイ合金と波長が異なり、しかもタングステンの蛍光Ｘ線のスペクトルＷ−Ｌαの分光角度で検出器２２で検出する蛍光Ｘ線量が、タングステンやジルカロイ合金より小さい。 - 特許庁

A submerged light source L for emitting ultraviolet rays is operated by the discharge plasma P and the harmful substance in the washing water W is directly irradiated with ultraviolet rays to be decomposed and detoxified.例文帳に追加

この放電プラズマＰによって、紫外線を放つ液中光源Ｌを発生させ、その紫外線を洗浄水Ｗの有害物質に直接照射することで有害物質を分解して無害化する。 - 特許庁

After that, the tabular object W is sucked by a carrying-in means 5, is positioned immediately above the ultraviolet-ray irradiation means 7 and is stopped temporarily, and the protective member is irradiated with ultraviolet rays that is put to the tabular object W, before the tabular object W is carried into the chuck table 4.例文帳に追加

この後、搬入手段５により板状物Ｗを吸着して紫外線照射手段７の真上に位置付けて一旦停止させ、板状物Ｗに貼着された保護部材に紫外線を照射した後チャックテーブル４に搬入する。 - 特許庁

When exposure is carried out to the periphery of a wafer W, the slit pattern 36 or the pattern 37 for difference in level are moved to an illumination region 35 of exposure rays of light, and exposure is carried out while the wafer W is moved.例文帳に追加

ウエハＷの周辺部に露光を行う際に、スリットパターン３６又は段差用パターン３７を露光光の照明領域３５に移動して、ウエハＷを移動しながら露光を行う。 - 特許庁

A plurality of rod-shaped lamps 11a are opposed to the surface of a substrate W to be arranged parallelly to each other with a predetermined pitch and the substrate W is irradiated with ultraviolet rays from the lamps 11a.例文帳に追加

複数本の棒状ランプ１１ａを基板Ｗの表面に対向して、所定のピッチを持って互いに平行に配置し、ランプ１１ａからの紫外光を上記基板Ｗに照射する。 - 特許庁

In a furnace 34 for receiving component mounting substrates W, a hot air heating means 57 for heating the substrate W with hot air, a far infrared heater 54 for heating with far infrared rays, and a halogen lamp 53 to be near infrared heater for heating with the infrared rays, are provided.例文帳に追加

部品実装基板Ｗの供給を受ける炉体34内に、部品実装基板Ｗを熱風により加熱する熱風加熱手段57と、遠赤外線により加熱する遠赤外線ヒータ54と、近赤外線により加熱する近赤外線ヒータとしてのハロゲンランプ53とを設ける。 - 特許庁

This apparatus is provided with a turn table 16 for placing an article W to be treated, a driving source 18 for rotatably driving the turn table 16 and a filter 15 for adjusting amt. of ultraviolet rays reaching the surface to be treated of the article W to be treated based on the shape of the ultraviolet rays passing region.例文帳に追加

本発明は、被加工物Ｗを載置するターンテーブル１６と、ターンテーブルを回転駆動する駆動源１８と、被加工物Ｗの被加工面に到達する紫外光の光量をその紫外光通過領域の形状により調整するフィルタ１５を備える。 - 特許庁

Silanol system solvent 7 is discharged to a wafer W, and the silanol system solvent 7 discharged to the wafer W is irradiated with ultraviolet rays, and the wafer W is rotated within a horizontal face through a rotary shaft 3 so that the spin shake of the silanol system solvent 7 can be carrier out.例文帳に追加

シラノール系溶剤７をウェハＷ上に吐出した後、ウェハＷ上に吐出されたシラノール系溶剤７に紫外線を照射し、回転軸３を介してウェハＷを水平面内で回転させることにより、シラノール系溶剤７のスピン振り切りを行う。 - 特許庁

Successively, the images of the surface of the object W and the background members 42a-42c, formed of reflected light rays from the surface of the object W and members 42a-42c, are photographed up by means of imaging devices 40a, 40b and 40c.例文帳に追加

引き続き、物体Ｗの表面及び背景部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃで反射された光による物体Ｗの表面及び背景部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃの像を撮像装置４０ａ，４０ｂ，４０ｃによって撮像する。 - 特許庁

In the upper portion of the inside of the processing container 150, an irradiating portion 110 for irradiating ultraviolet rays on the wafer W present on the spinning chuck 120 is provided.例文帳に追加

処理容器１５０内の上方には、スピンチャック１２０上のウェハＷに対して紫外線を照射する照射部１１０が設けられている。 - 特許庁

An ultraviolet-ray radiation lamp 53 for irradiating ultraviolet rays on the front face of the wafer W held by the holding plate 51 is placed above the holding plate 51.例文帳に追加

保持板５１上には、保持板５１により保持されたウエハＷの表面に紫外線を照射する紫外線照射ランプ５３が配置されている。 - 特許庁

A small amount of residue 50 of photoresist is brought into contact with ozone where an UV rays 20 are applied after the photo resist bead at an outer edge W of the substrate is removed.例文帳に追加

基板外周部Ｗのフォトレジストビーズ除去後のフォトレジストの微量な残渣５０にＵＶ光２０を照射させたオゾンを接触させること。 - 特許庁

The parallel rays L1, L2 are incident almost perpendicular to the pattern plates P1, P2 and the resist films R1, R2 on the stripe metal thin plate W.例文帳に追加

なお、平行光Ｌ１，Ｌ２は一対のパターン板Ｐ１，Ｐ２および帯状金属薄板Ｗのレジスト膜Ｒ１，Ｒ２に対してほぼ垂直に入射している。 - 特許庁

A piezoelectric part W with its peripheral surface coated with uncured silicone rubber S is supported on a fixture 10 having a property to reflect far-infrared rays, the uncured silicone rubber 5, 6 applied on the peripheral surface of the part W is irradiated with far-infrared rays by a far-infrared panel heater 24 to cure the silicone rubber.例文帳に追加

遠赤外線を反射する性質を有する治具１０に、外周面に未硬化状態のシリコーンゴムＳが塗布された圧電部品Ｗを支持し、遠赤外線パネルヒータ２４によって圧電部品Ｗの外周面に塗布された未硬化状態のシリコーンゴム５，６に遠赤外線を照射し、シリコーンゴムを硬化させる。 - 特許庁

This radiation plate 17 has a large number of holes 16 to feed hot air heated by the heater 15 with the fin to a work W, and the work W is irradiated with far-infrared rays generated by heating the heater 15 with the fin.例文帳に追加

この輻射板１７は、フィン付ヒータ１５により加熱した熱風をワークＷに供給する多数の孔１６を有するとともに、フィン付ヒータ１５の加熱により発生する遠赤外線をワークＷに輻射する。 - 特許庁

An irradiation device 112 irradiates the wafer W with ultraviolet rays having a wavelength of 120-190 nm in a gas atmosphere that does not contain any oxygen atoms and wafer molecules as pretreatment, and the wafer W is baked at temperature of not less than 170°C.例文帳に追加

前処理として酸素原子、水分子を含まないガス雰囲気中で、波長１２０ｎｍ〜１９０ｎｍの紫外線が照射装置１１２によってウエハＷに対して照射され、ウエハＷは１７０℃以上でベークされる。 - 特許庁

When the objective film consisting of one of metal oxide film, metal film and metal nitride film formed on the surface of the objective body W is to subjected to modification, the film is irradiated with modification rays 54 including UV rays UV and IR rays IR in the presence of a modification gas.例文帳に追加

被処理体Ｗの表面に形成された金属酸化膜、金属膜或いは金属窒化膜の内のいずれか１つの被処理膜を改質処理するに際して、改質ガスの存在下において前記被処理膜に紫外線ＵＶと赤外線ＩＲとを含む改質用光線５４を照射するようにする。 - 特許庁

The spectral radiance calculation part 11 estimates spectral radiance E^(1) of the rays of illumination on the basis of the estimation matrix W received from the estimation matrix storage part 17.例文帳に追加

分光放射輝度算出部１１は、推定行列格納部１７から受けた推定行列Ｗに基づいて、照明光の分光放射輝度Ｅ^（１）を推定する。 - 特許庁

The light irradiation part 11 is relatively moved in the direction parallel to the substrate W and crossing the tube axes of the lamps 11a at a right angle by a drive mechanism 24 and the whole of the substrate W is irradiated with ultraviolet rays while supplying air or oxygen and active oxygen is generated to decompose the organic matter on the substrate W.例文帳に追加

光照射部１１を、駆動機構２４により、基板Ｗと平行にかつランプ１１の管軸に直交する方向に相対的に移動させ、エアーまたは酸素を供給しながら基板全体に紫外線を照射することにより、活性酸素が発生し基板Ｗ上の有機物が分解される。 - 特許庁

In the air cleaning method, a gas component contained in air A flowing in an air circulation system Y is dissolved in water W circulating in a water circulation system X and is removed and the water W dissolved with the gas component is irradiated with UV rays.例文帳に追加

空気流通系Ｙを流れる空気Ａに含まれたガス成分を、水循環系Ｘを循環する水Ｗに溶解させて除去する空気浄化方法において、ガス成分が溶解された水Ｗに対して紫外線を照射する。 - 特許庁

In a method for cleaning a substrate by supplying cleaning liquid S dissolved with ozone from a nozzle 7 to a substrate W, the cleaning liquid S being fed to the substrate W is irradiated with UV-rays from a UV irradiating section 31.例文帳に追加

オゾンを溶解した洗浄液Ｓをノズル７から基板Ｗに供給して洗浄処理を施す基板処理方法において、基板Ｗに供給された洗浄液Ｓに対してＵＶ照射部３１から紫外線を照射する。 - 特許庁

To provide a laserprocessing method and device which not only decreases the cutting speed and stops the shaft but also positively prevent generation of plasma rays and eliminate a promptly defective cutting in a defective cutting due to generation of plasma rays in a laser processing device performing a laser processing on a work W with high pressure assist gas.例文帳に追加

高圧アシストガスで加工するレ−ザ加工において、プラズマ光発生による不良切断時に、単に切断速度を低下したり、軸を停止するのでなく、能動的にプラズマ光の発生を抑制して即座に不良切断をなくするようにする。 - 特許庁

A CPU 17 computes irradiation dose F[W] of ultraviolet rays through the use of voltages V_ini and V_end at the start of a measuring period and at the completion of the measuring period and a reset number (n).例文帳に追加

ＣＰＵ１７は、測定期間開始時及び測定期間終了時の電圧Ｖ＿ｉｎｉ、Ｖ＿ｅｎｄ、リセット回数ｎとを用いて、照射紫外線量Ｆ［Ｗ］を演算する。 - 特許庁

Ultraviolet rays are emitted to the liquid type coating agent from an ultraviolet emitting device 40 so that the coating agent is cured to be fixed, then the printing face of the medium W is coated with an overcoat film.例文帳に追加

そして、液状のコーティング剤に紫外線照射装置４０から紫外線を照射して、コーティング剤を固化し、定着させ、媒体Ｗの被印刷面はオーバーコート膜で覆う。 - 特許庁

Wood W is irradiated with near infrared rays and the strength characteristics, water content and flaw of the wood are simultaneously evaluated with the near infrared spectrum obtained from the reflecting light from the wood.例文帳に追加

木材Ｗに近赤外光を照射し、その反射光から得られる近赤外線スペクトルに基づいて木材の強度特性、含水率、及び欠点の有無を同時に評価する。 - 特許庁

Hydrophilic surface parts w are formed on facing and contacting sliding surfaces 3a, 5a of the fixed ring 3 and rotating ring 5 of the mechanical seal A through plasma irradiation, laser beams, ultraviolet rays, or the like.例文帳に追加

メカニカルシールＡの固定環３、回転環５の対向且つ接触する摺動面３ａ，５ａにプラズマ照射、レーザ光、紫外線などを介して親水面部ｗが形成されること。 - 特許庁

After applying the coating liquid onto the pattern of the wafer W from the applying nozzle 130, the ultraviolet rays are irradiated onto the applied coating liquid from the irradiating portion 110 as to form the coating film.例文帳に追加

塗布ノズル１３０からウェハＷのパターン上に塗布液が塗布された後、塗布された塗布液に対して照射部１１０から紫外線が照射され、塗布膜が形成される。 - 特許庁

In the pre-process unit 3, the wafer W is irradiated with ultraviolet rays for decomposition and modification of the least adhesive layer on the surface of resist pattern, enhancing the affinity to adhesive agent of the adhesive tape.例文帳に追加

前処理ユニット３では、ウエハＷに紫外線を照射して、レジストパターンの表面の難粘着層を改質・分解して、粘着テープの粘着剤との親和性を高める。 - 特許庁

The surface films release the α rays from thorium included in the garnet and are capable of effectively suppressing the deterioration of the oil W by thermal oxidation, thermal polymerization, hydrolysis, etc., of the oil.例文帳に追加

表面被膜は、ざくろ石に含まれるトリウムからのα線を放出し、油Ｗの熱酸化、熱重合、加水分解等による劣化を効果的に抑制することができる。 - 特許庁

Since X-rays having penetrated an inspection object W on the inspection surface passes through ionization gas filled in each cylindrical ionization chamber along the central axis of each cylindrical ionization chamber, the capacity of the ionization gas through which X-rays pass is markedly larger compared to the case where they pass through in the diameter direction.例文帳に追加

検査面上の検査対象物Ｗを透過したＸ線は各筒状電離箱の中心軸線に沿って各筒状電離箱に封入されている電離ガスを通過するので、直径方向に通過する場合に比べて、Ｘ線が通過する電離ガスの容積が格段に多い。 - 特許庁

Further, in the case of the regeneration of the water W by irradiation with UV rays, since a discharge amount of the water W can be eliminated, replenishment of pure water may be an amount corresponding to a reduction amount due to evaporation and a replenishment amount of pure water to the water circulation system X is extremely small.例文帳に追加

さらに、紫外線の照射による水Ｗの再生の場合、水Ｗの排出量を無くすることができるので、純水の補給は蒸発による減少分に相当する量で良く、水循環系Ｘに対する純水の補給量が極めて少なくて済む。 - 特許庁

Then, information decomposed into color components of R, G, B, and W based on the video signal is successively displayed for every field at positions and in timing corresponding to colors of illuminating rays of light to the respective pixels 4.例文帳に追加

各４画素には、映像信号に基づきＲＧＢＷ色成分に分解された情報を、各画素４への照明光の色に対応した位置、タイミングで各フィールドごとに順次表示する。 - 特許庁