「あいあいしい」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

量子井戸と超格子とを有するＩＩＩ族窒化物系発光ダイオード構造例文帳に追加

GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE WITH QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物半導体高電子移動度トランジスタ及びその製造方法例文帳に追加

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

微粒子一酸化チタン（ＩＩ）の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR PRODUCING PARTICULATE TITANIUM(II) MONOXIDE - 特許庁

テーブル２の回転に伴い、袋２８が停止位置ＩＩＩから停止位置ＩＶに移動するとき、アーム２０及び吸盤１９が従動移動し、シール後、これらは停止位置ＩＩＩに復帰する。例文帳に追加

When the bag 28 is moved from the stop position III to the stop position IV with the rotation of a table 2, an arm 20 and the suction cup 19 are moved accordingly and brought back to the stop position III after being sealed. - 特許庁

含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる障壁層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層を備えた積層構造体において、活性層が、含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるバリア層とＩＩＩ族窒化物半導体からなる井戸層とから構成される量子井戸構造を有する。例文帳に追加

In a laminated structure provided with an active layer, composed of a III-V compound semiconductor on the barrier layer composed of the boron- containing III-V compound semiconductor, the active layer has a quantum well structure constituted of the barrier layer composed of the boron-containing III-V compound semiconductor, and a well layer composed of a III nitride semiconductor. - 特許庁

希土類添加物をドープされた第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを備えた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）２００Ａであって、前記真性層の上に形成された第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層２１０ａ及び該第２のＩＩＩ−Ｖ族真性層の上に形成されたＩＩＩ−Ｖ族半導体層２２０も備える。例文帳に追加

The HEMT 200A includes a first group III-V intrinsic layer 209a doped with a rare earth additive and also includes a second group III-V intrinsic layer 210a formed over the intrinsic layer 209a and a group III-V semiconductor layer 220 formed over this second group III-V intrinsic layer. - 特許庁

水難溶性のセリウム化合物（Ａ）は、炭酸セリウム（ＩＩＩ）、フッ化セリウム（ＩＩＩ）、フッ化セリウム（ＩＶ）及び酸化セリウム（ＩＶ）から選ばれる１種又は２種以上であることが好ましい。例文帳に追加

The hardly water-soluble cerium compound (A) is preferably at least one selected from cerium carbonate (III), cerium fluoride (III), cerium fluoride (IV) and cerium oxide (IV). - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層（２２）との界面における傾斜バンドギャップ層（２４）のバンドギャップは、実質的にＩＩＩ−Ｖ族半導体層のバンドギャップに等しい。例文帳に追加

The band gap of th inclined band gap layer 24 located on the interface of the III-V group semiconductor layer 22 is substantially equal to the band gap of the III-V group semiconductor layer. - 特許庁

Ｘ線回折プロファイルにおいて、酸化ニオブ（ＩＩＩ）のピークを有し、１次粒子径が１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする微粒子酸化ニオブ（ＩＩＩ）。例文帳に追加

The particulate niobium (III) oxide includes a peak of a niobium (III) oxide in X-ray diffraction profile and a primary particle diameter of 100 nm to 1 μm. - 特許庁

ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。例文帳に追加

A group III nitride based semiconductor device and a method of manufacturing the group III nitride based semiconductor device having the active region including at least one of the quantum well structure are provided. - 特許庁

量子井戸構造中のＧａＩｎＡｓＮ井戸層１２のＩＩＩ族（ＧａとＩｎ）組成とＧａＩｎＡｓＰ障壁層１１のＩＩＩ族組成が、ほぼ等しくなるように設定する。例文帳に追加

A composition of the III group (Ga and In) of a GaInAsN well layer 12 in a quantum well structure is set to be substantially equal to that of the group III of a GaInAsP barrier layer 11. - 特許庁

トリスビピリジンルテニウム（ＩＩ）錯体から電子受容体への光電子移動反応とマンガン（ＩＩＩ）ポルフィリンのトリスビピリジンルテニウム（ＩＩＩ）錯体による電子移動酸化反応を組み合わせることにより、水を酸素源とする基質の触媒的光酸素化反応を開発した。例文帳に追加

The catalytic photo-oxygenation reaction of substrates, using water as the oxygen source is provided by combining a reaction of photoelectron transfer reaction of from trisbipyridine-ruthenium (II) complex to an electron acceptor with an electron-transfer oxidation reaction by trisbipyridine-ruthenium (III) complex of manganese (III) porphyrin. - 特許庁

（ｉ）特定構造を有するアクリジン系増感色素、（ｉｉ）活性剤化合物、及び（ｉｉｉ）ラジカルまたは酸によって反応する重合性化合物を含有する感光性組成物であり、成分（ｉｉｉ）としては、エチレン性不飽和二重結合を有する付加重合性化合物であることが好ましい。例文帳に追加

The photosensitive composition contains (i) an acridine-based sensitizing dye having a specified structure, (ii) an activator compound and (iii) a polymerizable compound which reacts under a radical or an acid, wherein the component (iii) is preferably an addition-polymerizable compound having an ethylenically unsaturated double bond. - 特許庁

加熱処理（ＩＩ）は、加熱処理（Ｉ）より高温で行なうことが好ましい。例文帳に追加

This heat treatment (II) is preferably performed at a higher temperature as compared with heat treatment (I). - 特許庁

酸化物材料（ＩＩ）が、さらにＳｎＯを含有することが好ましい。例文帳に追加

Preferably, the oxide material (II) contains SnO furthermore. - 特許庁

好ましいベクターは、（ｉｖ）複製起点；および（ｖ）（ｉｉ）の下流にありかつ（ｉｉ）と作動可能に連結されている転写ターミネーターをさらに含む。例文帳に追加

Preferred vector further comprises, (iv) an origin of replication, and (v) a transcription terminator downstream of (ii) and operably linked to the (ii). - 特許庁

オン状態電圧（Ｖ_f）が低く、逆電流（Ｉ_rev）を比較的低く保つ構造を有する、新しいＩＩＩ族ベースのダイオードを可能にすること。例文帳に追加

To provide a new group III based diode whose on state voltage (V_f) is low, and having structure to keep reverse current (I_rev) relatively low. - 特許庁

また本発明の照明装置における励起光源は窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた発光素子を有することが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the excitation light source in the lighting system have a light-emitting element by using a nitride-base group III-V compound semiconductor. - 特許庁

停止位置ＩＩＩで袋口へのスパウトの挿入、停止位置ＩＶでスパウトと袋口のシールが行われる。例文帳に追加

The spouts are inserted into the bag openings at a stop position III, and the spouts and the bag openings are sealed at a stop position IV. - 特許庁

短縮型可溶性腫瘍壊死因子Ｉ型およびＩＩ型レセプター例文帳に追加

TRUNCATED SOLUBLE TUMOR NECROSIS FACTOR TYPE-I AND TYPE-II RECEPTORS - 特許庁

発光素子１１は、ＩＩＩｂ−Ｖｂ族系化合物半導体又はＩＩｂ−ＶＩｂ族系化合物半導体を発光層として含む固体発光素子であることが好ましい。例文帳に追加

The light emitting element 11 is preferably a solid-state light emitting element including a group IIIb-Vb compound semiconductor or a group IIb-VIb compound semiconductor as a luminescent layer. - 特許庁

インジウムを含むキャッピング構造を有する第ＩＩＩ属窒化物ベースの量子井戸発光デバイス構造例文帳に追加

GROUP III NITRIDE BASED QUANTUM WELL LIGHT EMITTING DEVICE STRUCTURES WITH CAPPING STRUCTURE CONTAINING INDIUM - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族半導体層を作製する方法、量子井戸構造を作製する方法、及び、窒素源装置例文帳に追加

PRODUCTION METHOD FOR GROUP III-V SEMICONDUCTOR LAYER, PRODUCTION METHOD FOR QUANTUM-WELL STRUCTURE, AND NITROGEN SOURCE DEVICE - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の気相成長方法及び高電子移動度トランジスタの製造方法例文帳に追加

VAPOR GROWTH METHOD FOR III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR AND MANUFACTURE OF HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR - 特許庁

但し、一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）式中、Ａｒは下記一般式（ＩＩ−１）または（ＩＩ−２）で表される置換基を表す。例文帳に追加

Provided, in formulae (I-1) and (I-2), Ar represents a substituent expressed in formula (II-1) or (II-2). - 特許庁

ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。例文帳に追加

To provide a III-V nitride article that is useful for a device, such as LED and a high electron mobility transistor. - 特許庁

前記α，ε−ビス（γ−Ｎ−（炭素数１０〜３０）アシルグルタミル）リジンにおけるアシル基は、ラウロイル基が好ましく、前記セラミド及び／又はその誘導体は、セラミド・タイプＩＩ又はセラミド・タイプＩＩＩが好ましい。例文帳に追加

The acyl group in the α,ε-bis(γ-N-(10-30C) acylglutamyl)lysine is preferably lauroyl group, and the ceramide and/or its derivative is preferably ceramide type II or ceramide type III. - 特許庁

（Ａ）不飽和カルボン酸化合物により官能化されたポリフェニレンエーテル系樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）Ｉ価、ＩＩ価またはＩＩＩ価の金属元素を含有する化合物０．００１〜５重量部を添加してなる樹脂組成物。例文帳に追加

The resin composition is produced by compounding (A) 100 pts.wt. of a polyphenylene ether resin functionalized with an unsaturated carboxylic acid compound with (B) 0.001-5 pts.wt. of a compound containing I-valent, II-valent or III-valent metal element. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁

該触媒（Ｉ）および触媒（ＩＩ）には、特にロジウムが担持されることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable for the catalyst (I) and the catalyst (II) that particularly rhodium is supported. - 特許庁

また、重合性化合物の皮膚一次刺激性インデックスＰ．Ｉ．Ｉ．の値が３以下であるのが好ましい。例文帳に追加

Still further preferably, the value of primary skin irritation index P.I.I. of the polymerizable compound is 3 or below. - 特許庁

油溶性染料としては一般式ＩＩの油溶性アゾメチン色素が好ましい。例文帳に追加

As the oil-soluble dye, oil-soluble azomethine pigments of formula II are preferred. - 特許庁

環境に優しいＩＩ族およびＩＶ族またはＶ族スピン−オン前駆材料例文帳に追加

ENVIRONMENT-FRIENDLY SPIN-ON PRECURSOR MATERIAL CONTAINING GROUP II AND GROUP IV OR GROUP V ELEMENT - 特許庁

上記重合体（ＩＩ）の加水分解性珪素基はトリアルコキシル基であることが好ましい。例文帳に追加

It is preferable that the hydrolyzable silicon group of the polymer (II) is trialkoxyl group. - 特許庁

発光素子１０はＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を有し、青色の発光をする。例文帳に追加

The element 10 has a II-VI compound semiconductor layer, and emits a blue light. - 特許庁

障壁層２及び量子井戸層３は、タイプＩＩ型の超格子を構成している。例文帳に追加

The barrier layers 2 and the quantum well layers 3 constitute a type II superlattice. - 特許庁

好ましい触媒は、（ｉ）１種またはそれより多いハロゲン化された３価またはより多価の金属酸化物、（ｉｉ）１種またはそれより多い３価またはより多価の金属ハロゲン化物、および（ｉｉｉ）１種またはそれより多い天然黒鉛または合成黒鉛物質からなる群から選択される。例文帳に追加

The preferred catalyst is selected from the group consisting of (i) one or more halogenated trivalent or higher valent metal oxides, (ii) one or more trivalent or higher valent metal halides, and (iii) one or more natural or synthetic graphite materials. - 特許庁

すなわち、方法１、（ｉ）生の測定値を獲得し１３２、（ｉｉ）生の測定値と以前の生の測定値および／または推定の組み合わせに基づいて推定を更新し１３４、（ｉｉｉ）更新された推定を位置特定サーバに送信する１３６。例文帳に追加

A method 1 includes: (i) a step 132 for acquiring a raw measurement value; (ii) a step 134 for updating estimation based on the raw measurement value and a previous raw measurement value and/or combination of estimation; (iii) and a step 136 for transmitting the updated estimation to a location specification server. - 特許庁

別の好ましい態様において、提供されるフォトレジスト組成物は、（ｉ）１種以上の樹脂、（ｉｉ）光活性成分、および（ｉｉｉ）少なくとも１オングストローム／秒のダークフィールド溶解速度を提供するのに充分な量の酸性基を含む１種以上の物質を含む。例文帳に追加

In another preferred aspect, photoresist compositions are provided that comprise (i) one or more resins, (ii) a photoactive component, and (iii) one or more materials that comprise a sufficient amount of acidic groups to provide a dark field dissolution rate of at least one angstrom per second. - 特許庁

該第二の凝固剤としては、第ＶＩＩＩ因子、第ＩＸ因子、第Ｖ因子、第ＸＩ因子、第ＸＩＩＩ因子、第一の凝固剤とは異なる第ＶＩＩ因子または第ＶＩＩａ因子、およびそれらの何れかの組み合わせから成る凝固因子の群から選択されるもの、または、抗繊維素溶解剤であるＰＡＩ−１、アプロチニン、ε−アミノカプロン酸、トラネキサム酸、およびそれらの何れかの組み合わせから成る群から選択されるものであることが好ましい。例文帳に追加

The second coagulant is desirably selected from the group consisting of a factor VIII, a factor IX, a factor V, a factor XI, a factor XIII, a factor VII or VIIa different from the first coagulant, and a combination of any of these coagulation factors; or the group consisting of PAI-1, aprotinin, ε-aminocaproic acid, tranexamic acid, and a combination of any of these antifibrinolytic agents. - 特許庁

ｉ）ペルオキシ一炭酸イオンの少なくとも１つの供給源、ｉｉ)少なくとも１つのアルカリ化剤、好ましくはアンモニウムイオンの供給源、及びｉｉｉ）少なくとも１つのラジカルスカベンジャーを含む毛髪着色及び漂白組成物に関し、その際前記組成物は９．５までのｐＨを有する。例文帳に追加

The present invention relates to a hair coloring and bleaching composition which comprises (i) at least one source of peroxycarbonate ion, (ii) at least one alkalizing agent, preferably a source of ammonium ion, and (iii) at least one radical scavenger and has a pH of up to 9.5. - 特許庁

また、融液７の表面と基板１０の表面との間の最短距離Ｘが５０ｍｍ以下であることが好ましいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法である。例文帳に追加

In the method, the minimum distance X between the surface of the melt 7 and the surface of a substrate 10 is preferably 50 mm or less. - 特許庁

本発明に係る電圧非直線性抵抗素子１００は、対向する導電体層２、６ａ、６ｂと、これらの導電体層間に配され、第１のＮｉＯ層３、ＺｎＯ及びＩＩＩ族元素を含むＩＩＩ族元素含有ＺｎＯ層４、及び第２のＮｉＯ層５がこの順に積層されてなる積層構造２０とを有する。例文帳に追加

The voltage nonlinear resistor element 100 includes: opposite conductor layers 2, 6a and 6b; and a multilayer structure 20 provided among the conductor layers and comprising a first NiO layer 3, a group-III-element-containing ZnO layer 4 containing ZnO and a group III element, and a second NiO layer 5, which are laminated in the order named. - 特許庁

アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。例文帳に追加

A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and one or more group-III atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises lithium, copper, silver, or gold as an additive. - 特許庁

発光素子１００を製造するに際し、単結晶基板１上に、それぞれＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる発光層部２４と電流拡散層７とを形成する。例文帳に追加

When the light-emitting element 100 is manufactured, a light-emitting layer 24 and the current diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductors are formed on a single-crystal substrate 1. - 特許庁