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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > 日英固有名詞辞典 > あらぐすくじまの英語・英訳 

あらぐすくじまの英語

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日英固有名詞辞典での「あらぐすくじま」の英訳

あらぐすくじま

地名

英語 Aragusukujima

新城島


「あらぐすくじま」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

一方、吉英は新たに出石城を築城し、有子山城より居城を移転している。例文帳に追加

On the other hand, Yoshifusa newly built the Izushi-jo Castle where he moved to reside from Arikonoyama-jo Castle.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

この女性は『新城島津家文書』のなかに、「一之臺」と記載されている人物と同一ではないかと考えられている。例文帳に追加

This woman is considered to have been the same person referred to as 'Ichinodai' in the "Shinjo-Shimazu-ke Bunsho" (History of the Shinjo-Shimazu family).発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

隆景は沼田小早川氏の本拠高山城に入場するが、翌年の天文21年(1552年)には沼田川を挟んだ対岸に新高山城を築城し、新たな本拠とする。例文帳に追加

After entering the Takayama-jo Castle, which was the headquarter of the Numata-Kobayakawa clan, Takakage built the Shintakayama-jo Castle on the other side of the Mumata-gawa River the next year (in 1552) and relocated the headquarter.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、複数のデバイスが作り込まれるとともに位置決め用のアライメントマークが形成されたデバイス基板を、アライメントマークを基準に位置決めしてダイシングするダイシング方法等に関し、デバイス基板を粘着テープを用いずに確実に固定するとともに、アライメントマークを基準にした位置決めを可能とし、さらに歩留まりを向上させる。例文帳に追加

To fix a device substrate reliably without using any pressure-sensitive adhesive tapes; to enable positioning with an alignment mark as a reference; and to improve yields, in a dicing method or the like for positioning the device substrate where a plurality of devices are fabricated and the alignment mark for positioning is formed, with the alignment mark as a reference for dicing. - 特許庁

裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割する。例文帳に追加

To reliably divide a metal film on a wafer backside without causing breakage of a chip or misalignment of chips when breaking a laser modified semiconductor wafer on which the metal film is formed on the backside. - 特許庁

裏面に金属膜が形成されたレーザー改質後の半導体ウエーハをブレーキングする際、チップが破損したり、チップの配列がずれたりすることなく、ウエーハ裏面の金属膜を確実に分割する。例文帳に追加

To provide a device and a method for breaking a semiconductor wafer whereby chips are not damaged and no slippage is caused in the arrangement of the chips when breaking the semiconductor wafer after laser reforming on the back of which a metal film is formed, and the metal film on the back of the wafer is surely divided up. - 特許庁

例文

ポインティングシステムのあらゆる操作者、とりわけ操作を苦手とする肢体不自由者、高齢者または子供(幼児を含む)などが不自由さを感じずに、確実にポインティングすることを可能とするポインティング操作支援システムを提供する。例文帳に追加

To provide a pointing operation supporting system enabling any operators of a pointing system, especially a physically handicapped person, an aged person or a child (including a small child) or the like who is bad at an operation, to surely perform pointing without feeling inconvenient. - 特許庁

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「あらぐすくじま」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 18



例文

Ti系皮膜などまたはクロムアルミニウム系皮膜などの皮膜がコーティングされた使用済のホブ11の表面に付着した表面酸化皮膜を酸洗処理工程41により剥離した後、皮膜除去工程51によりコーティング皮膜を除去し、次に、このホブ11の表面に皮膜コーティング工程61により新たなTi系皮膜をコーティングすることで、ホブ11を再生する。例文帳に追加

A surface oxide layer attached to the surface of a used hob 11 coated with the film such as the Ti film or the chrome aluminum film is stripped off by an acid washing treatment process 41, then the film is eliminated by a film eliminating process 51, and the new Ti film is formed on the surface of the hob 11 by a film coating process 61 to recycle the hob 11. - 特許庁

スピンのフリップアングルが目標値に一致するように励起用のRFパルスをチューニングするに際し、スピンのフリップアングルが目標値に一致するまでRFパルスのパルス幅を予め定めた初期値から逐次増加させる(902〜912)。例文帳に追加

In tuning RF pulse for excitation so that the flip angle of a spin coincides with a target value, the pulse duration of RP pulse is sequentially increased from a predetermined initial value so that the flip angle of the spin coincides with the target value (902 to 912). - 特許庁

垂直磁気記録ディスクの基板の表面に形成した軟磁性層の表面を、平均表面粗さが2.0Å以下の範囲で、スクラッチやパーティクルさらに腐食欠陥がなく、表面うねりが1Å以下の範囲に、平滑且つ平坦に研磨できる研磨スラリー及び方法を提供することである。例文帳に追加

To provide polishing slurry and a method capable of polishing a surface of a soft magnetic layer formed on a surface of a substrate of a vertical magnetic recording disc smooth and flat to a range of surface waviness of 1Å or less and to a range of average surface roughness of 2.0or less without scratches, particles and corrosional defects. - 特許庁

基体金属表面にアパタイト膜25をエキシマレーザーアブレーション法によってその使用時または作製時の変形に応じた、適切な膜厚に該基体金属(主線材)18の表面の一部または全部にコーティングすることにより、該基体金属表面の改質をおこない、ガイドワイヤ18においては、その後の表面処理を容易確実なものとした。例文帳に追加

A part of or an entire surface of a base metal (main wire) 18 is coated with an apatite film 25 for suitable thickness corresponding to deformation in the case of use or production by excimer laser ablation to reform the surface of the base metal and in a guide wire 18, whereby the following surface treatment is facilitated and ensured. - 特許庁

HF励起パルスと、HF励起パルスにより惹起される検査対象物の核磁化を完全にリフェージングするための磁界勾配パルスとを有するパルスシーケンスを発生し、その際に測定サイクルを相続くパルスシーケンスの固定された数の繰り返しの後に核磁化の被駆動平衡状態(定常状態)の到達の前に中断し、またその後に新たに開始する。例文帳に追加

A pulse sequence is generated having both an HF excitation pulse and a magnetic field gradient pulse for completely rephasing the nuclear magnetization of the subject of inspection which is induced by the HF excitation pulse; in that case, a measuring cycle is interrupted after the repetition of a fixed number of consecutive pulse sequences and before the arrival of the nuclear magnetization at a driven equilibrium state (steady state) and is newly started thereafter. - 特許庁

各サンプリング位置で吸気管内圧力をサンプリングする毎に、新たにサンプリングした吸気管内圧力を1燃焼サイクル前の同じサンプリング位置でサンプリングした前回の吸気管内圧力と比較して、その比較の結果から内燃機関1が加速状態にあること及び減速状態にあることを検出する。例文帳に追加

Pressure in the intake pipe subjected to new sampling is compared with the previous pressure in the intake pipe subjected to sampling at the same sampling positions in a previous combustion cycle at each time the pressure in the inlet pipe is taken as a sample at the respective sampling positions to detect that the internal combustion engine 1 is in the acceleration condition or the deceleration condition based on the comparative result. - 特許庁

塩基性物質を含む下地膜表面をカーボンガスを含むガスによるプラズマを晒す表面改質処理を行う工程と下地膜上に化学増幅型レジスト膜を塗布する工程と化学増幅型レジストに露光および現像処理を行って化学増幅型レジストをパターニングする工程とを備えるようにしたものである。例文帳に追加

This method comprises a step for performing a surface reforming process to expose the underlayer film surface including the basic substance to the plasma of gas including carbon gas, a step for coating the chemically amplified resist film of the underlayer film, and a step for patterning the chemically amplified resist through the exposing and development processes thereof. - 特許庁

例文

投入口21に搬送溝40Gが現れる度に1個ずつ当該投入口21から搬送溝40Gへ投入されるコイル電極を、回転する搬送シャフト40によって、いわゆるスクリューフィーダ方式で搬送しながら、タングステン電熱線30で応力除去焼きなまし温度に加熱して焼きなまし処理を行う。例文帳に追加

At every times when the conveying groove 40G appears in the charging hole 21, while conveying the coil electrode charged onto the conveying groove 40G from the charging hole 21 one by one with the rotated conveying shaft 40, i.e., a screw feeder system, the component is heated at a stress-removal annealing temperature with the tungsten electric heating wire 30 to apply the annealing treatment. - 特許庁

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