臨界ひずみの英語

このとき、ｐ型歪シリコン層２２の膜厚は、ミスフィット転位の発生しない臨界膜厚より厚くなるように形成されている。例文帳に追加

Herein, the thickness of the p-type distorted silicon layer 22 is made to be larger than the critical thickness at which misfit dislocation does not occur. - 特許庁

超電導導体に曲げ歪を印加して高磁場部に存在するコイル内径側の歪を緩和することにより、超電導導体の生成温度と超電導コイルの運転温度との温度差によって生ずる熱歪に基づくコイル内径側の臨界電流値の低下を軽減する超電導コイルの臨界電流値を向上させる方法。例文帳に追加

A bending strain is given to a superconductor to release deformation on the inner-diameter side of the coil in a high magnetic field part, thereby reducing the fall of the critical current on the inner-diameter side of the coil due to thermal deformation caused by a difference in temperature between the generation temperature of the superconductor and the operation temperature of the superconducting coil. - 特許庁

ビレットを次いで、超合金のγ′ソルバス温度未満の温度で加工して加工品を形成するが、その際、歪速度が平均結晶粒径を制御するための下限歪速度を超え、しかも臨界結晶粒成長を避けるための上限歪速度未満に維持されるようにビレットを加工する。例文帳に追加

The billet is then worked at a temperature below the γ' solvus temperature of the superalloy so as to form a worked article wherein the billet is worked so as to maintain strain rates above a lower strain rate limit to control average grain size and below an upper strain rate limit to avoid critical grain growth. - 特許庁

各量子井戸層は、結晶を構成する基板1の格子定数とは異なる格子定数を持ち且つ臨界膜厚よりも薄い膜厚で歪を有する。例文帳に追加

The respective quantum well layers have a lattice constant different from the lattice constant of a substrate 1 constituting a crystal, have a film thickness thinner than a critical thickness, and are distorted. - 特許庁

核融合炉等に使用されるＡ１５型の超電導線は、わずかな歪が加わっただけで、臨界電流値が大幅に低下するという性質を有している。例文帳に追加

To solve such a problem that a superconducting wire cannot demonstrate its inherent performance because a critical current significantly lowers when only a slight strain is given in an A15 superconducting wire used in a nuclear fusion reactor or the like. - 特許庁

半導体発光素子の多重量子井戸層における井戸層と障壁層の界面歪の大きさが、該井戸層と該障壁層の層厚のうち大きい層厚値より定まる臨界界面歪の大きさより小さいことを特徴とする。例文帳に追加

In a multiple-quantum well layer of this semiconductor electroluminescent device, the value of interface strain at an interface between the well layer and the barrier layer is smaller than that of critical interface strain depending on the value of a layer thickness which is larger one out of a thickness of the well layer and that of the barrier layer. - 特許庁

歪多重量子井戸型半導体レーザにおいて、臨界膜厚の限界内において、量子井戸層の層数Ｎ_ｗの増加と、歪量ε_ｗ及び層厚Ｌ_ｗの増加を両立しつつ、微分利得をも向上させることによって、高い特性を有する半導体レーザを提供する。例文帳に追加

To provide a high performance semiconductor laser by improving differential gain also while making increase of number (N_w) of quantum well layers compatible with that of strain amount (ε_w) and layer thickness (L_w) within limit of critical film thickness in a strain multiple quantum well semiconductor laser. - 特許庁