単一の発光層から複数の波長の光を発し、しかも一組のｐ型及びｎ型電極に電流を注入するだけで多色発光する、特に白色発光する発光素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a light emitting element emitting light of a plurality of wavelengths from a single emission layer and emitting light of multiple colors, especially white color, by simply injecting a current into a set of p-type and n-type electrodes. - 特許庁

面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。例文帳に追加

A surface-emitting semiconductor laser 100 oscillating at a wavelength λ includes an ion-implanted current narrowing layer 14 near an active layer 13. - 特許庁

ｐ型層１０７〜１１０を介して発光層１０６に電流注入する最大幅は１．０μｍ以上４．０μｍ以下である。例文帳に追加

The maximum injecting width of the current injected into the light emitting layer 106 through the p-type layers 107-110 is adjusted to 1.0-4.0 μm. - 特許庁

ｐ型電流注入層２１は発光層１２と同等のバンドギャップを有する材料で構成されており、量子効率の向上、動作電圧の低減、長寿命化につながり、電流注入型酸化物発光素子の実現を可能とする。例文帳に追加

The p-type current injection layer 21 is made of a material having the same band gap as the light emitting layer 12, whereby improvement of quantum efficiency, reduction of an operation voltage, and extension of a lifetime are achieved to allow a current injection type oxide light emitting element to be implemented. - 特許庁

発光素子２０は、酸化スズ（ＳｎＯ_２）とエルビウム（Ｅｒ）を含む発光層１２に、ｐ型電流注入層２１が設けられた構造を有している。例文帳に追加

The light emitting element 20 has such a structure that a p-type current injection layer 21 is provided on a light emitting layer 12 containing tin oxide (SnO_2) and erbium (Er). - 特許庁

窒化物半導体基板やＺｎＯ基板を採用する面発光型の窒化物半導体発光素子において、広い面積の活性層に、より均一に駆動電流を注入するための技術を提供する。例文帳に追加

To provide a technology to more uniformly inject driving current into an active layer having a wide area in a surface-emitting nitride semiconductor light emitting device employing a nitride semiconductor substrate or a ZnO substrate. - 特許庁

高い発光強度を有すると共に電流注入型として好適なエルビウム添加酸化スズ発光素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an erbium doped tin oxide light emitting element which has a high emission intensity and is suitable as a current injection type light emitting element, and to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

ｐ型半導体層２１６とｎ型半導体層２１８との間のｐ−ｎトンネル接合２２０は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造２００のための電流注入を提供する。例文帳に追加

A p-n tunnel junction 220 between a p-type semiconductor layer 216 and an n-type semiconductor layer 218 provides current injection for an edge-emitting nitride based semiconductor laser structure 200. - 特許庁

励起光源として、活性層２３への電流注入によって生じる発光光を利用してレーザ発振する電流駆動型半導体レーザ２を備え、光励起レーザとして、電流駆動型半導体レーザ２から射出されたレーザ光の活性層３４への照射によって生じる発光光を利用してレーザ発振する光励起型半導体レーザ３を備える。例文帳に追加

The semiconductor laser equipment has: a current drive type semiconductor laser 2 utilizing emission light generated by current injection to an active layer 23 for laser oscillation as a pumping light source; and an optically pumped semiconductor laser 3 utilizing emission light generated by application of laser beams radiated from the current drive type semiconductor laser 2 to the active layer 34 for laser oscillation, as an optically pumped laser. - 特許庁

室温において十分に大きな励起子効果が期待できる構造と、この構造を用いた、室温で動作可能な電流注入型の励起子発光デバイスを提供する。例文帳に追加

To provide a structure expected to generate a sufficiently great exciton effect at room temperature and a current injection type exciton light emitting device operable at room temperature using the same structure. - 特許庁

ボンディングの後、サファイア成長基板（３０）は、基板除去技術を使って除去され、その後それらのＩｎＡｌＧａＮ層がパターニング及びエッチングされて電流注入型発光素子が完成する。例文帳に追加

After bonding, the sapphire growth substrate is removed by the substrate removing technology, and the InAlGaN layer is patterned and etched and a current injection type light emitting element is completed. - 特許庁

この結果、電流は台形凸部ｐ型GaN層６’の台形の側面、先端部からも活性層３へ注入され、活性層３の広い領域で発光する。例文帳に追加

As a result, a current is implanted into the active layer 3 from the side and the forefront part of the trapezoid of the trapezoidal projection p-type GaN layer 6', and light is emitted in a wide area of the active layer 3. - 特許庁

活性層への電流注入が不均一になりにくく、外周部の光が遮られることがない面発光型半導体レーザ素子を提供すること。例文帳に追加

To provide a surface emission semiconductor laser element which lowers a chance of getting uneven current injection to an active layer and prevents a light of the outer peripheral part from being blocked. - 特許庁

極めて簡素な素子構成でありながら、高輝度、高安定性、長寿命、良演色性を併せ持ち、更に、スピンコートなどの簡易な方法で行うことができ、安価な電流注入型発光素子を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a cheap current injection light-emitting element having high brightness, high stability, long life, and good color rendering property in spite of its very simple structure, which can be laminated with a simple method like a dip method or spin-coat method. - 特許庁

電流が特定領域へ集中して注入されるのを抑制してＮＦＰを均一化し、フィラメンテーションを抑制して信頼性を向上させたブロードエリア型の半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a broad area type semiconductor light emitting device which restricts a concentrated injection of a current on a specific region to make NFP uniform and suppresses a filamentation to enhance the reliability. - 特許庁

Ｓｉ基板上に、バッファ層を介してまたは直接的に、ＧａＮ系結晶層からなる積層構造を形成し、該積層構造は、電流注入によって発光可能なように、ｐ型層と、ｎ型層と、これらの間に位置する発光層とを有する。例文帳に追加

A semiconductor light emitting element comprises a laminated structure having a GaN crystal layer formed via a buffer layer or directly on the Si substrate and having a p-type layer, an n-type layer and a light emitting layer disposed between the p-type layer and the n-type layer so as to emit light by current injection. - 特許庁

Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層２およびＰ型ＧａＡｌＡｓクラッド層４によってＰ型ＧａＡｌＡｓ活性層３内の注入キャリアを閉じ込め、Ｎ型ＧａＡｓブロック層５によって、活性層３の発光領域に電流を集中させる。例文帳に追加

An N-type GaAlAs clad layer 2 and P-type GaAlAs clad layer 4 confine injection carriers in a P-type GaAlAs active layer 3, while an N-type GaAs block layer 5 concentrates a current in the light-emission region of the active layer 3. - 特許庁

上記目的を達成するために、本発明のレーザ素子は、活性層がｎ型層とｐ型層とで挟まれた構造を有する窒化物半導体からなる端面発光型のレーザ素子において、前記ｐ型層に、イオン注入を行うことによって電流狭窄層が形成される構成とする。例文帳に追加

In order to achieve the purpose, the laser device is constructed to form a current constrictive layer by injecting ions into a p-type layer in the laser device of end surface emitting type comprising the nitride semiconductor having a structure where an active layer is sandwiched between a n-type layer and the p-type layer. - 特許庁

Ａｌ酸化層と電流注入領域との境界、つまりＡｌ酸化層の先端部（メサポスト中央部側）に加わる応力を低減して素子信頼性の良好な酸化層狭窄型の面発光型半導体レーザ素子を提供する。例文帳に追加

To provide a highly reliable constricted oxide layer type surface emission semiconductor laser element, by reducing a stress being applied to the boundary of an Al oxide layer and a current injection region, i.e., the forward end of the Al oxide layer (central side of mesa post). - 特許庁

ｐ型パッド２４から注入された電流は抵抗領域２０を迂回するようにｐｎ接合領域に流れ、発光層１６から放出された光はｐ型パッド２４に遮蔽されることなく透明電極２２を介して外部に放出される。例文帳に追加

Current poured from the p-type pad 24 is conducted to flow a into pn-connection region, while detouring the resistor region 20 and light released from the light emitting layer 16 is discharged to the outside of the device through the transparent electrode 22 without being shielded by the p-type pad 24. - 特許庁

発光ダイオード構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をシリコン基板上に成長させた後、このシリコン基板を窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層にほとんど物理的損傷を与えることなく低コストで容易に剥離することができ、垂直電流注入型発光ダイオードを容易に製造することができる発光ダイオードの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a light emitting diode in which a silicon substrate can be easily peeled at low cost nearly without physically damaging nitride-based group III-V compound semiconductor layers forming a light emitting diode structure after the nitride-based group III-V compound semiconductor layers are grown on the silicon substrate to easily manufacture a vertical current injection type diode. - 特許庁

有機ＥＬ薄膜は、薄膜両端に陽極と陰極をつけた直流デバイスであり、ガラス基盤上に積層構造を採用して、電流密度を高めたことにより直流の低電圧駆動（３〜１２Ｖ）で高輝度発光を得ることができるキャリア注入型有機ＥＬ薄膜を使用する。例文帳に追加

The organic EL thin film is configured as a DC device where an anode and a cathode are attached to the both ends of the thin film, and a carrier injection type organic EL thin film for obtaining high luminance light emission by DC low voltage driving (3 to 12V) by increasing current density is used by adopting a laminate structure on a glass base. - 特許庁

基板上に、活性層を含む化合物半導体層、電流が注入される開口部上に形成されたリッジ型の化合物半導体層、該開口部の両側を覆う保護膜及び該保護膜の更に外側に形成された電流ブロック層を有することを特徴とする半導体発光装置及びその製造方法。例文帳に追加

A semiconductor light-emitting device including a compound semiconductor layer containing an active layer, a ridge-type compound semiconductor layer formed on the opening into which current is poured, and a current blocking layer formed on and even outside a protective film covering the both sides of the opening, on a substrate, and its manufacturing method, are provided. - 特許庁

本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡２２と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するＡｌ酸化層４４とを有する積層構造をメサポストとして備え、Ａｌ酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域４２を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。例文帳に追加

The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post. - 特許庁