A S E A Nとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 東南アジア諸国連合、アセアン
A S E A Nの |
「A S E A N」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
Of moduli of elasticity of the absorber, a modulus of elasticity E_n in a pressing direction to the object liquid ejected to the recording medium, and a modulus of elasticity E_s in an orthogonal direction orthogonal to the pressing direction satisfy E_n<E_s.例文帳に追加
吸収体の弾性率のうち、記録媒体に吐出された対象液に対する押し当て方向の弾性率Ｅ_ｎと当該押し当て方向と直交する直交方向の弾性率Ｅ_ｓとが、Ｅ_ｎ＜Ｅ_ｓを満たす。 - 特許庁
A weight calculator 310 inputs N_ele pieces of reference S/N DN_e and N_ele pieces of complex impulse responses h_e(k) and first of all, N_ele×N_ele-th order matrixes N and H are calculated.例文帳に追加
ウエイト計算器３１０は、Ｎ_ele個の参照信号対雑音電力比ＤＮ_e及びＮ_ele個の複素インパルス応答ｈ_e(k)を入力し、まずＮ_ele×Ｎ_ele次の行列ＮとＨを計算し、正方行列Ｎのｐ行ｑ列の要素をＮ（ｐ，ｑ）と表すと、Ｎの対角成分は式Ｎ（ｅ，ｅ）＝１／ＤＮ_eを用いて算出し、その他の成分は０とする。 - 特許庁
In the fair blind signature process, a user converses with a signer to complete a 7-tuple (A, e, s, t, x_u, x, m) so that A^e=a_0a^x_1a^m_2a^xu_3a^t_4a^s_5(mod n) may be satisfied.例文帳に追加
フェア・ブラインド署名プロセスで、ユーザは、Ａ^e＝ａ_0ａ^x_1ａ^m_2ａ^xu_3ａ^t_4ａ^s_5（ｍｏｄ ｎ）になるように７タプル（Ａ，ｅ，ｓ，ｔ，ｘ_u，ｘ，ｍ）を完成するために署名者と対話する。 - 特許庁
After passing a teaching point PN, when an emergency stop button is pressed at a position PE, the robot stops at a position PS deviated from a predetermined teaching path.例文帳に追加
教示点Ｐ_N通過後、位置Ｐ_Eで非常停止ボタンを押すと、所定の教示経路から外れた位置Ｐ_sで停止する。 - 特許庁
An N→E/N point number increase section 14 increases the number of discrete points of a Fourier-transformed received signal S(k) and an S_0(k) E/N point IDFT section 16 applies inverse discrete Fourier transform to the result to acquire a complex progression s_0(n).例文帳に追加
フーリエ変換された受信信号Ｓ（ｋ）について、Ｎ→Ｅ・Ｎポイント数増加部１４で離散ポイント数を増加させＳ_０（ｋ）、Ｅ・ＮポイントＩＤＦＴ部１６で逆離散フーリエ変換して、複素数列ｓ_０（ｎ）を取得する。 - 特許庁
On the surface of a bezel 3 for covering the edge section of a liquid crystal display screen 2, four directions (N, E, S, W), an angle scale with a 5-degree interval, and a numeric mark for indicating an angle (0, 10, 20, 30,..., 350) with a 10-degree interval are impressed clockwise on each concentric circumference.例文帳に追加
液晶表示画面２の縁部分をカバーするベゼル３の表面には、４つの方位（N,E,S,W）と、５度間隔の角度目盛と、１０度間隔の角度（0,10,20,30…350）を示す数字のマークとが、それぞれ同心円周上に右回りに刻印されている。 - 特許庁
Further, the governor command and the actual number of rotations N_E are input to an observer 18 of a control subject S to estimate the propeller inflow velocity variation.例文帳に追加
更に、ガバナ指令および実回転数Ｎ_Ｅを制御対象Ｓのオブザーバ１８に入力しプロペラ流入速度変動を推定する。 - 特許庁
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Weblio例文辞書での「A S E A N」に類似した例文 |
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asean
オオハシカッコウ
saigas
sakis
taipans
テグー
tejus
mambas
ハジロオオシギ
イワサザイ属
アリドリ
antbirds
「A S E A N」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 33件
Twenty hexagonal structural elements 11 are represented as A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S and T in order.例文帳に追加
２０個の六角形構造要素１１を順に要素Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、Ｋ、Ｌ、Ｍ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｑ、Ｒ、Ｓ及びＴとする。 - 特許庁
The anode (e) of a thyristor U for selection is connected to the N gate electrodes (d) of the n pieces of thyristors S for switch, and the N gate electrode (f) of the thyristor U for selection is connected to a common select signal transmission line CSL.例文帳に追加
前記ｎ個のスイッチ用サイリスタＳのＮゲート電極ｄには選択用サイリスタＵのアノードｅが接続され、選択用サイリスタＵのＮゲート電極ｆは共通のセレクト信号伝送路ＣＳＬに接続される。 - 特許庁
Anodes (e) of selecting thyristors U are connected to the N-gate electrodes (d) of the n switching thyristors S, and N-gate electrodes (f) of the selecting thyristors U are connected to a common select signal input terminal CSG.例文帳に追加
前記ｎ個のスイッチ用サイリスタＳのＮゲート電極ｄには選択用サイリスタＵのアノードｅが接続され、選択用サイリスタＵのＮゲート電極ｆは共通のセレクト信号入力端子ＣＳＧに接続される。 - 特許庁
A part B_M of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of a segment magnet M_O descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of a segment magnet M_E adjacent to a circumference direction.例文帳に追加
セグメント磁石Ｍ_Oの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石Ｍ_Eの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁
A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_E descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet m_O adjacent to the circumference direction.例文帳に追加
また、セグメント磁石ｍ_Eの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石ｍ_Oの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁
Reflection layer regions 24 located in the respective light emitting regions 21 are formed to have different areas S_nr, and includes a pixel whose ratio of the area of the light emitting region 21 to the area of the reflection layer regions 24, E_n=S_nr/S_nl, is smaller than 1.例文帳に追加
各発光領域２１に配置される各反射層領域２４は、その面積Ｓ_nrがそれぞれ異なる大きさとなるように形成され、発光領域２１の面積と反射層領域２４の面積の比Ｅ_n＝Ｓ_nr／Ｓ_nlが１より小さい画素を含む。 - 特許庁
A segment division part divides a multiplier 3 into segments e_1, e_2 and e_n", etc., and forms a segment string {e_1, e_2-e_n"}S_eg and a set formation part forms a set V with the segment string as input and forms the set of sides E≡V×V.例文帳に追加
セグメント分割部は、乗数ｅをセグメントｅ_１，ｅ_２…，ｅ_ｎ″に分割してセグメント列{ｅ_１，ｅ_２…，ｅ_ｎ″}_Ｓｅｇを形成し、集合形成部は、セグメント列を入力データとして集合Ｖを形成し、辺の集合Ｅ≡Ｖ×Ｖを形成する。 - 特許庁
When the irradiating area S with exposing light is not located at the part of a notch N, the wafer edge detecting means 4 is moved to follow up a wafer edge E and the irradiating area S is moved in time thereto thus exposing an area of a specified width from the wafer edge E.例文帳に追加
露光光の照射領域ＳがノッチＮ部分にないときには、ウエハエッジＥに追従させてウエハエッジ検知手段４を移動させ、それに合わせて照射領域Ｓを移動させ、ウエハエッジＥから所定幅の領域を露光する。 - 特許庁
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