Mutとは 意味・読み方・使い方

The silicone substrate 35 to be disposed with the plurality of c-MUT cells 31a is provided with an access circuit formation part 43 and a wiring electrode 44.例文帳に追加

複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａが配列されるシリコン基板３５にはアクセス回路形成部４３や、配線電極４４が設けられている。 - 特許庁

To provide an ultrasonic endoscope having a high electrostatic capacity in the capacitor portion of a c-MUT cell and a high transmit-receive sensitivity.例文帳に追加

ｃ−ＭＵＴセルのコンデンサ部の静電容量が大きく送受信感度が高い超音波内視鏡を提供する。 - 特許庁

A failure capture circuit includes a failure detection circuit having a plurality of channels and adapted for coupling to an MUT.例文帳に追加

故障捕捉回路は、複数のチャネルを備え、ＭＵＴに接続するように適合される故障検出回路を含む。 - 特許庁

The failure detection circuit is operative to apply test signals to the MUT and process output signals therefrom into failure information.例文帳に追加

故障検出回路は、テスト信号をＭＵＴに与え、そこからの出力信号を処理して故障情報にするように動作する。 - 特許庁

To provide a failure capture circuit to be used for identifying failure location information from a memory-under-test (MUT) in a failure processing circuit.例文帳に追加

故障処理回路において、テスト対象メモリ（ＭＵＴ）から故障ロケーション情報を識別するために使用される故障捕捉回路が開示される。 - 特許庁

The plurality of c-MUT cells 31a-31a are aligned and disposed into a plurality of rows and columns at a prescribed minute pitch.例文帳に追加

複数のｃ−ＭＵＴセル３１ａ，…，３１ａは微小所定ピッチで複数列、複数行で整列配置されている。 - 特許庁

An ultrasound transducer array includes a multiplicity of subelements (U1, U2, U3) interconnected by a multiplicity of microelectronic switches (X1, X2, X3) , each subelement comprising a respective multiplicity of micromachined ultrasound transducer (MUT) cells (2).例文帳に追加

超音波トランスデューサ・アレイが、多数の超小型電子スイッチ（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３）によって相互接続されている多数の小素子（Ｕ１、Ｕ２、Ｕ３）を含んでおり、各々の小素子が多数の超微細加工超音波トランスデューサ（ＭＵＴ）セル（２）をそれぞれ含んでいる。 - 特許庁

The c-MUT cell 31a mainly composed of a lower electrode 37d, as a signal input/output electrode, a silicon membrane 38, and an upper electrode 37u, or a ground electrode, formed on a silicone substrate 35 and a vacuum clearance part 40 is served as a braking layer of the silicon membrane 38.例文帳に追加

ｃ−ＭＵＴセル３１ａは、シリコン基板３５上に形成された、信号入出力用電極である下部電極３７ｄ、シリコンメンブレン３８及び接地電極である上部電極３７ｕで主に構成され、真空空隙部４０はシリコンメンブレン３８の制動層になっている。 - 特許庁