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P-3Pとは 意味・読み方・使い方

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「P-3P」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

Further, the p^+-type diffusion layer 3p is in contact with the n^+-type diffusion layer 4n.例文帳に追加

また、p^+型拡散層3pがn^+型拡散層4nと接触している。 - 特許庁

In the separation part 30, an N^+ layer 3N, silicon 11, and a P^+ layer 3P are arranged alongside in this order in the X-direction.例文帳に追加

分離部30には、N+層3N、シリコン11およびP+層3Pが、この順で、X方向に並んで配置される。 - 特許庁

The bipolar structure consisting of P+ source drain regions 19, 19 and an N well 9 is the same at PMOS transistors 3p, 5p.例文帳に追加

P+ソースドレイン領域19,19及びNウェル9からなるバイポーラ構造はPMOSトランジスタ3p,5pで同じである。 - 特許庁

The p^+-type diffusion layer 3p forms the source/drain of an MIS transistor, and the n^+-type diffusion layer 4n forms a tap TP1.例文帳に追加

p^+型拡散層3pはMISトランジスタのソース/ドレインを構成し、n^+型拡散層4nはタップTP1を構成する。 - 特許庁

The sacrifice insulating film 5 is removed thereafter, and a silicon layer 7 is selectively epitaxially grown on the p^- well 3p and the strain SiGe layer 6.例文帳に追加

その後、犠牲絶縁膜5を除去し、P^−ウェル3p上及び歪SiGe層6上にシリコン層7を選択エピタキシャル成長させる。 - 特許庁

A standard cell CL is provided in an n-type well 2n, and has a p^+-type diffusion layer 3p and an n^+-type diffusion layer 4n covered with a metal silicide film.例文帳に追加

スタンダードセルCLは、n型ウエル2nに設けられ、金属シリサイド膜で覆われたp^+型拡散層3pおよびn^+型拡散層4nを有している。 - 特許庁

例文

The thin optoelectronic transducer unit 3 includes a p-type silicon layer 3p formed on the transparent conductive oxide layer 2, an i-type thin optoelectronic transducer layer 3i consisting substantially of the p-type silicon layer 3p, and an n-type silicon layer 3n made of the thin optoelectronic transducer layer 3i.例文帳に追加

光電変換ユニット(3)は、透明導電性酸化物層(2)の上に形成されたp型シリコン層(3p)と、p型シリコン層(3p)の上に形成された実質的に多結晶シリコンからなるi型光電変換層(3i)と、光電変換層(3i)の上に形成されたn型シリコン層(3n)とを含む。 - 特許庁

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日英・英日専門用語辞書での「P-3P」の意味

Wiktionary英語版での「P-3P」の意味

「P-3P」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 14



例文

A sacrifice insulating film 5 is formed on the surface of an n^- well 3n and p^- well 3p, and then the sacrifice insulating film 5 is made to remain only in an n-type region 2n by wet etching.例文帳に追加

N^−ウェル3n及びP^−ウェル3pの表面に犠牲絶縁膜5を形成した後、ウェットエッチングにより、犠牲絶縁膜5をN型領域2n内にのみ残存させる。 - 特許庁

The p^+-type diffusion layer 3p is electrically connected with a wiring layer 6a via a contact 7p, and the n^+-type diffusion layer 4n is electrically connected with a wiring layer 6 via a contact 7.例文帳に追加

p^+型拡散層3pは、コンタクト7pを介して配線層6aと電気的に接続されており、n^+型拡散層4nは、コンタクト7を介して配線層6と電気的に接続されている。 - 特許庁

In the semiconductor device having a high performance field-effect transistor in which a channel region is formed of a carbon nanotube 1, chirality (n, m) of the carbon nanotube 1 is represented by n-m=3p+1, or n-m=3p-1 where p is an integer, and tensile or compression distortion occurs in the direction parallel with the carbon nanotube.例文帳に追加

チャネル領域がカーボンナノチューブ1で形成された電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、カーボンナノチューブ1のカイラリティ(n,m)がpを整数としてn−m=3p+1で、あるいは、n−m=3p−1で表され、カーボンナノチューブの軸と平行方向に引張り、あるいは、圧縮ひずみが加わっていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The class D amplifier 1 includes: a differential signal output section 2 for outputting a differential signal from an audio signal received from a Sin; and charge balancing class D amplifiers 3N, 3P of P and N sides for outputting differential signals.例文帳に追加

D級アンプ1は、Sinより入力される音声信号から差動信号を出力する差動信号出力部2と、差動信号が出力されるP側、N側の各電荷平衡型D級アンプ3N、3Pとを有する。 - 特許庁

A p-pad electrode 12a of a red semiconductor laser element 1 and a first terminal 1P are connected by a wire 1Wa, a p-pad electrode 22a of an infrared semiconductor laser element 2 and a second terminal 2P are connected by a wire 2Wa, and a p-type electrode 32 of a blue-violet semiconductor laser element 3 and a third terminal 3P are connected by a wire 3W.例文帳に追加

赤色半導体レーザ素子1のp型パッド電極12aと第1の端子1Pとがワイヤ1Waにより接続され、赤外半導体レーザ素子2のp型パッド電極22aと第2の端子2Pとがワイヤ2Waにより接続され、青紫色半導体レーザ素子3のp電極32と第3の端子3Pとがワイヤ3Wにより接続される。 - 特許庁

In the data inversion circuit, each P pieces of data comparison means 21, 22-(2P), majority decision means 31, 32-(3P), inverted flag generating means 41, 42-(4P) and data inversion means 51, 52-(5P) are in existence, respectively, and each of them is operated in parallel in a single cycle.例文帳に追加

データ比較手段21、22、…2P、多数判定手段31、32、…3P、反転フラグ生成手段41、42、…4P、データ反転手段51、52、…5PをそれぞれP個づつ存在させ、それぞれを一つのサイクル内で並列的に動作させる。 - 特許庁

例文

To provide a printer for shelf tags which eliminates the need of holding a plurality of kinds of papers for shelf tags by forming shelf tags 16, 17 and 18 of different pitch lengths P, 2P and 3P to a continuous body for shelf tags 2 of one kind and can limit costs, and to provide a printing using the same.例文帳に追加

ピッチ長P、2P、3Pが長短異なる棚札16、17、18を、一種類の棚札用連続体2により作成し、棚札用の用紙を複数種保有する必要がなく、コストの抑制を図ることができる棚札用プリンターおよびその印字方法を提供すること。 - 特許庁

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