SB Mとは 意味・読み方・使い方

A transaction document M, describing the contents of transaction between users A and B, is created, and an electronic signature SA(M) of the user A and an electronic signature SB(M) of the user B for the document are created.例文帳に追加

ユーザＡとユーザＢの取り引きの内容を記述した取り引き文書Ｍを作成し、それに対するユーザＡの電子署名ＳＡ（Ｍ）およびユーザＢの電子署名ＳＢ（Ｍ）を作成する。 - 特許庁

At least one layer from among the first constituent layer to the X-th constituent layer which is the m-th constituent layer (m is an integer meeting a condition 1≤m≤X), conatins Ge-Sb or Te.例文帳に追加

前記第１構成層〜前記第Ｘ構成層のうち少なくとも何れか１つの構成層である第ｍ構成層（ｍは１≦ｍ≦Ｘを満たす整数）が、Ｇｅ−ＳｂまたはＴｅを含む。 - 特許庁

The M^2 may be also at least one selected from rare-earth elements In, Pd, Sb, Ti, As, Al and Ga, and the M^3 may be also at least one selected from Si, Ge, Ti, Mo, W, Pt and Zr.例文帳に追加

Ｍ^２は希土類元素、Ｉｎ，Ｐｄ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ａｓ，Ａｌ，Ｇａの中から選ばれる少なくとも一種、Ｍ^３はＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｚｒの中から選ばれる少なくとも一種からなるものであってもよい。 - 特許庁

A M_xV_2O_5 crystal is selectively deposited in V-based glass, where M is either of metallic elements Fe, Sb, Bi, W, Mo, Mn, Ni, Cu, Ag, alkaline metals, and alkaline earth metals, and 0<x<1.例文帳に追加

Ｖ系ガラス中に、Ｍ_xＶ_2Ｏ_5結晶（Ｍ：Ｆｅ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，アルカリ金属，アルカリ土類金属）のいずれかの金属元素、０＜ｘ＜１）を選択的に析出させる。 - 特許庁

(1)In the phase change type optical recording media recording information by generating phase change in a recording layer by irradiating a light beam, the recording layer includes Sb as a main component and elements whose atomic radius is smaller than that of Sb (hereinafter element M), the concentration of the element M is different in a direction within a face.例文帳に追加

（１）光ビームを照射することにより記録層に相変化を生じさせて情報を記録する光記録媒体において、記録層が、主成分のＳｂと原子半径がＳｂよりも小さい元素（以下、元素Ｍという）を含み、元素Ｍの濃度が面内方向で異なることを特徴とする相変化型光記録媒体。 - 特許庁

LiMF_X is produced by bringing LiF into contact with an element M and/or a fluoride of the element M in the presence of fluorine gas and at 100°C or higher in a reaction vessel (wherein, M is an element selected from the group consisting of B, P, As, Sb, Bi, V, Nb and Ta; x is a number between 4-6).例文帳に追加

ＬｉＦと、Ｍ元素及び／又はＭ元素のフッ化物とを、フッ素ガス存在下において、反応槽内にて１００℃以上の温度で接触させることによりＬｉＭＦ_Ｘ（ＭはＢ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａよりなる群から選択される元素を示し、ｘは４〜６の数である。）を製造する。 - 特許庁

The clock frequency of the respective control signals Sa and Sb for controlling the generation of the gradient magnetic field and a high frequency magnetic field is set higher than the frequency band of the reception band Rb of the MR signals m, is set to 500 kHz higher than 400 kHz of the reception band Rb of the MR signals m for instance.例文帳に追加

傾斜磁場及び高周波磁場の発生を制御する各コントロール信号Ｓａ、Ｓｂのクロック周波数をＭＲ信号ｍの受信帯域Ｒｂの周波数帯域よりも高く設定、例えばＭＲ信号ｍの受信帯域Ｒｂの４００ｋＨｚよりも高い５００ｋＨｚに設定する。 - 特許庁

Clamping positions for clamping the string W by the bias in the penetration hole 1 of the male tool M are positioned at a biasing front side Sb at the other hole opening 1b side rather than one side hole opening 1a of the penetration hole 1.例文帳に追加

雄具Ｍの通し孔１における前記付勢により紐Ｗを挟持する挟持箇所が、この通し孔１の一方の孔口１ａ側よりも他方の孔口１ｂ側において、前記付勢先側Ｓｂに位置されるようになっている。 - 特許庁