in scribedとは 意味・読み方・使い方

In the semiconductor wafer 100, scribed line trenches 112 are formed along the outer edge of a device forming region on the principal surface of a semiconductor substrate where a plurality of the device formation regions are provided, and stoppers 118 for closing the scribed line trenches 112 are formed at intersecting points of the scribed line trenches 112.例文帳に追加

半導体ウェハ１００は、複数の素子形成領域が設けられた半導体基板の主面に、素子形成領域の外縁に沿ってスクライブライン溝１１２が形成され、スクライブライン溝１１２の交差部分に、スクライブライン溝１１２を閉塞するストッパ１１８が形成されている。 - 特許庁

A relay circuit 9 is provided in the second scribed line 12b so as to be paired with each semiconductor device 1.例文帳に追加

第２のスクライブライン１２ｂ内に、各半導体装置１と対になるように、中継回路９が設けられる。 - 特許庁

The point-scribed shape can be decided in accordance with the characteristics of the wafer 10 to be cut.例文帳に追加

そのポイントスクライビングの形状は割断しようとするウェハ１０の特性に合わせた形状に形成することができる。 - 特許庁

Second layer wiring 6 connected, at its one end, with the relay circuit 9 extends in the second scribed line 12b.例文帳に追加

中継回路９にその一方端が接続された第２層配線６が、第２スクライブライン１２ｂ内に延びている。 - 特許庁

This method for arranging the scribed lines on a wafer consists in exposing chip data regions 9 of a rectangular shape and a reticle pattern 3 consisting of scribed line data regions 10 and 11 around the same onto the wafer.例文帳に追加

本発明に係るスクライブラインの配置方法は、矩形のチップデータ領域９及びその周囲のスクライブラインデータ領域１０，１１からなるレチクルパターン３をウェハー上に露光することにより、該ウェハー上にスクライブラインを配置する方法である。 - 特許庁

Therefore, even if a sapphire substrate having thickness of not less than 100 μm or the chemically polished surface is scribed under a high load, chipping is hardly generated in the scribed line of the sapphire substrate, and the blade edge 3a of the diamond scriber 1 shows excellent wear resistance.例文帳に追加

このため、厚さが１００μm以上のサファイヤ基板やケミカルポリッシュ面を高荷重でスクライブしても、サファイヤ基板のスクライブラインにチッピングが発生しにくくなり、また、ダイヤモンドスクライバー１の刃先３aが耐摩耗性に優れる。 - 特許庁

Third layer wiring 5c connected at its one end with a pad electrode 4a formed in a test chip 3 extends in the first scribed line 12a.例文帳に追加

テストチップ３内に形成されたパッド電極４ａにその一方端が接続された第３層配線５ｃが、第１のスクライブライン１２ａ内に延びている。 - 特許庁

Each of the recesses 28, 30 contains a scribed track remained in each of semiconductor elements separated by a fracture guided by the scribe groove.例文帳に追加

凹部２８、３０は、それぞれ、スクライブ溝に案内された割断により分離された半導体素子各々に残されたスクライブ跡を含む。 - 特許庁