k・wの英語
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「k・w」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
A moving window adaptive decision feedback equalizer (DFE) is given according to Cn(k+1)=Cn(k)-W(k)E(k)Xn(k).例文帳に追加
移動ウインド適応決定フィードバック・イコライザー(DFE)が,Cn(k+1) = Cn(k) - W(k)E(k)Xn(k)にしたがって与えられる。 - 特許庁
Heat resistance of the Si susbtrate 102 in the direction of forming the gradient of the temperature distribution is larger than 20 K/W and smaller than 2,000 K/W.例文帳に追加
この温度分布の勾配が形成される方向におけるSi基板102の熱抵抗が20K/Wより大きくかつ2000K/Wより小さい。 - 特許庁
It included the description that a large island located far away across the sea from Jurchen and Goryeo as an area against the Great Yuan Dynasty, transcribed as 'جمنكوj-m-n-k-w,' which appeared to be a 'country of Japan.'発音を聞く 例文帳に追加
女直、高麗などから東南海上の彼方に大元朝に敵対する地域として「日本国」の音写とおぼしき「جمنكوj-m-n-k-w」と呼ばれる大島についての記述がある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
The electronic device bonding substrate 10 can have a thermal resistance of not more than 0.5 K/W and a thickness of not more than 10 μm.例文帳に追加
電子デバイス接合用基板10の熱抵抗を0.5K/W以下とし、半田層14の厚みを10μm以下とすることができる。 - 特許庁
The pressure sensitive adhesive tape has <2.00 [cm^2 K/W] thermal resistance value at 80°C, and <10 μm total thickness of the substrate layer and the pressure sensitive adhesive layer.例文帳に追加
接着テープは、80℃における熱抵抗の値が2.00[cm^2・K/W]未満であり、基材層と粘着剤層との総厚が10μm未満である。 - 特許庁
Moreover, since the thermal resistance of the mat is set at ≤2.05×10^-3(m^2×K)/W, it scarcely affects temperature measured by a temperature sensor for controlling the induction cooker.例文帳に追加
又、汚れ防止マットの熱抵抗は2.05×10^−3 (m^2・K)/W^ 以下に設定されているため、電磁調理器の制御用の温度センサの検知温度に影響を与えることは少ない。 - 特許庁
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遺伝子名称シソーラスでの「k・w」の英訳 |
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Kw
| mouse | 遺伝子名 | Kw |
| 同義語(エイリアス) | kinky-waltzer | |
| SWISS-PROTのID | --- | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:104004 | |
| その他のDBのID | MGI:96708 |
本文中に表示されているデータベースの説明
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「k・w」を含む例文一覧
該当件数 : 11件
A thermal resistance between the semiconductor module 2 and the cooling member 3 is 0.042 K/W or less, and an electric withstand voltage between the semiconductor module 2 and the cooling member 3 is 2.611 kV or higher.例文帳に追加
半導体モジュール2と冷却部材3との間の熱抵抗は0.042K/W以下であり、かつ半導体モジュール2と冷却部材3との間の電気絶縁耐圧は2.611kV以上である。 - 特許庁
The electronic component storage compartments have a compartment depth K and a compartment dimension Y perpendicular to it and formed so as to satisfy at least the first formula: W<K≤[√(W^2+X^2)]-2R or the second formula: X<Y≤[√(W^2+X^2)]-2R.例文帳に追加
電子部品収納室は、室深さK及びそれに直交する室寸法Yを有し、第1式:W<K≦[√(W^2+X^2)]−2R、及び、第2式:X<Y≦[√(W^2+X^2)]−2R、の少なくとも一方の関係式を満たすように形成されている。 - 特許庁
The DFB laser device 50 includes a DFB laser element 52 with a buried heterostrcture having a resonator length of 400μm, a differential resistance of 4 Ω and an oscillation wavelength of 1550 nm; and a heat sink 54 bonding and mounting the DFB laser element 52 in a junction-down manner so that heat resistance is ≤50 K/W.例文帳に追加
本DFBレーザ装置50は、共振器長が400μm、微分抵抗が4Ω、発振波長が1550nmの埋め込みヘテロ型のDFBレーザ素子52と、熱抵抗が50K/W以下となるように、ジャンクションダウンでDFBレーザ素子52をボンディング実装したヒートシンク54とを有する。 - 特許庁
In a thin film transistor having a polycrystal silicon thin film formed on a substrate through an insulating film and using the polycrystal silicon thin film as an active layer, the thickness d[cm] is made to satisfy d≥5.0×10-4×k1/2 when the thermal conductivity of a material constituting the insulating film is set to be k[W/(cm.K)].例文帳に追加
基板上に絶縁膜を介して成膜された多結晶シリコン薄膜を有すると共に、この多結晶シリコン薄膜を活性層として用いた薄膜トランジスタにおいて、絶縁膜を構成する素材の熱伝導率をk〔W/(cm・K)〕とした場合、当該絶縁膜の厚さd〔cm〕を、d≧5.0×10^−4×k^1/2を満たす厚さとする。 - 特許庁
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