reduced pressure oxidationとは 意味・読み方・使い方

Also, when the pressure of the inside of the pot 11 is reduced in the sealed state during heat insulation, an oxygen concentration inside the pot 11 is lowered, while the moisture evaporation of a cooked object is prevented, and Maillard reaction and oxidation are sufficiently suppressed.例文帳に追加

また、保温時に密閉状態で鍋11内を減圧すれば、鍋11内の酸素濃度が下がると共に、被炊飯物の水分蒸発を防ぐことができ、メイラード反応や酸化を十分に抑制できる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the sintered body, a material powder comprising a metal powder or an alloy powder, a getter material having a higher oxidation potential than that of the material powder and a hydrogen compound which serves as a hydrogen source are sealed under reduced pressure in a metal container and subjected to pressure sintering while being heated.例文帳に追加

金属粉末あるいは合金粉末からなる原料粉末と、該原料粉末よりも酸化活性の高いゲッター材と、水素供給源となる水素化合物とを、金属容器に減圧下で封止し、加熱しつつ加圧焼結する焼結体の製造方法である。 - 特許庁

The powdery carrier and the powdery or the molten metal hydroxide are mixed, heated to be wetted and dried under a gaseous stream or reduced pressure to make it possible to manufacture the complex which can be suitably used for the catalyst for isomerization of olefins and oxidation reaction of alcohols.例文帳に追加

このような複合体は、粉末状の担体と、粉末状又は溶融状の金属水酸化物を混合し、加熱して湿潤化し、ガス気流下又は減圧下で乾燥させることによって製造することができ、オレフィンの異性化反応やアルコール類の酸化反応の触媒として好適に使用することができる。 - 特許庁

The wafer is carried in from a load lock state to the reaction chamber, gas pressure is reduced to 1×10^3 Pa in a first stage of the film formation, and oxygen gas and hydrogen gas are introduced to the reaction chamber to start the film formation of a silicon oxidation film.例文帳に追加

そして、ウェーハがロードロック室から反応室に搬入され、成膜の第１段階でガス圧力は１×１０^３ Ｐａに減圧され、酸素ガスと水素ガスが反応室内に導入されシリコン酸化膜の成膜が始まる。 - 特許庁

This method is provided with a step (S4) for oxidation-heating the spent nuclear fuel at 450-800°C to generate fuel powder, and a step (S6) for heat-treating the fuel powder at 1000°C or more under a reduced pressure atmosphere to separate a volatile substance volatilized and a non-volatile substance not volatilized.例文帳に追加

使用済核燃料を４５０〜８００℃で酸化加熱して燃料粉体を生成するステップ（Ｓ４）と、減圧された雰囲気で燃料粉体を１０００℃以上で熱処理することにより揮発する揮発性物質と揮発しない不揮発性物質とに分離するステップ（Ｓ６）とを具備している。 - 特許庁

The apparatus is equipped with a hydrothermal reaction tube 25 in which the residues of animals and plants mixed with water are pressurized/heated to a subcritical state to be subjected to the hydrothermal reaction and an oxidation tank 22 for oxidizing the decomposed product of the residues which were decomposed and pressure-reduced in the tube 25.例文帳に追加

水を混入した動植物残渣を、亜臨界状態まで加圧・加熱して水熱反応させる水熱反応管２５と、その水熱反応管２５で分解され、減圧された残渣の分解物を酸化する酸化槽２２とを備えたものである。 - 特許庁

The method for correcting pattern defects includes the steps for: feeding raw material gas to a correcting portion of a correcting object mask in a reduced-pressure atmosphere, applying an energy beam thereto, and depositing a material including silicon by energy beam-induced chemical vapor deposition; and performing either of an oxidation treatment, a nitriding treatment, and an oxynitriding treatment for at least a part of the deposited material.例文帳に追加

減圧雰囲気中で被修正マスクの修正部位に原料ガスを供給するとともにエネルギビームを照射してエネルギビーム誘起化学蒸着によりシリコンを含有する材料を堆積させる工程と、前記堆積した材料の少なくとも一部に対して酸化処理、窒化処理、或いは、酸窒化処理のいずれかを行う工程とを設ける。 - 特許庁

The method comprises a first process of applying a solution containing the overhydrogenated silazane polymer on a substrate 110, a second process of forming a film 108 containing the overhydrogenated silazane polymer by heating the solution, and a third process of turning the film 108 into an insulating film containing silicon and oxygen by subjecting the film 108 to an oxidation treatment in a reduced-pressure atmosphere 110 of water vapor.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、基板１１０上に過水素化シラザン重合体を含む溶液を塗布する工程と、前記溶液を加熱して、過水素化シラザン重合体を含む膜１０８を形成する工程と、減圧下の水蒸気雰囲気１１０中で膜１０８を酸化処理して、膜１０８をシリコンおよび酸素を含む絶縁膜に変える工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁