ｉ層部分での高光バンドギャップの材料として、非晶質窒化ケイ素水素、非晶質酸化ケイ素水素、非晶質窒化炭素水素、非晶質窒化ケイ素炭素水素、或いは非晶質炭素水素などを使用している。例文帳に追加

High optical band gap material at the i-layer part includes amorphous silicon nitride hydrogen, amorphous silicon oxide hydrogen, amorphous carbon nitride hydrogen, amorphous silicon nitride carbon hydrogen, and amorphous carbon hydrogen. - 特許庁

高密度、高純度で、適度の体積抵抗率を有する炭化ケイ素焼結体及び電極の提供。例文帳に追加

To provide a silicon carbide sintered compact and electrode with high density, high purity and moderate volume resistivity. - 特許庁

高密度で耐久性が高い炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a highly durable silicon carbide sintered compact with high density. - 特許庁

希土類ホウケイ化物からなるｎ型の熱電半導体であって高密度のものを提供する。例文帳に追加

To provide an n-type thermoelectric semiconductor which is made of a rare earth borosilicide and has a high density. - 特許庁

グリーン体及び炭化ケイ素焼結体を高密度化することができる炭化ケイ素粉末、並びに、それを用いた高密度で、ハンドリンク性に優れたグリーン体の製造方法、及び高密度な炭化ケイ素焼結体の製造方法を提供することができる。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide powder capable of densifying a green body and a silicon carbide sintered body, and further to provide a method for producing the green body having the high density and excellent in handleability by using the silicon carbide powder, and a method for producing the silicon carbide sintered body having the high density. - 特許庁

また、金属ケイ酸塩粉末を用い、エアロゾルデポジション法により被成膜体上に金属ケイ酸塩膜を形成し、その金属ケイ酸塩膜と被成膜体の複合体を熱処理することで、緻密な金属ケイ酸塩膜と被成膜体の複合体を製造する。例文帳に追加

Further, using metal silicate powder, a metal silicate film is formed on the body to be film-formed by the aerosol deposition process, and the composite body of the metal silicate film and the body to be film-formed is heat-treated so as to produce the dense composite of the metal silicate film and the body to be film-formed. - 特許庁

酸化ニッケルとアパタイト型ケイ酸ランタンを含む負極前駆体に、アパタイト型ケイ酸ランタンをプラズマ溶射することによってアパタイト型ケイ酸ランタンの薄膜を形成すれば、緻密で厚みの薄いアパタイト型ケイ酸ランタン薄膜を形成することが可能となる。例文帳に追加

Formation of fine and thin-thickness apatite type lanthanum silicate thin film is made possible by forming the apatite type lanthanum silicate thin film by plasma-spraying apatite type lanthanum silicate on negative electrode precursor containing nickel oxide and apatite type lanthanum silicate. - 特許庁

ケイ素を含む原料を用い、窒素中においてケイ素を窒化せしめる反応焼結の後に、緻密化する窒化ケイ素基セラミックスの製造方法において、出発原料として主原料であるケイ素に少なくともＥｕおよびＣｅを含む化合物のいずれかもしくは両方を添加した混合粉末を用い、成形後、反応焼結及び焼結による緻密化を行う。例文帳に追加

In the manufacturing method of the silicon nitride ceramic in which a raw material containing silicon is used, and after the reaction sintering to nitride the silicon in nitrogen, the densification is carried out, a mixed powder in which either or both of a compound containing Eu and a compound containing Ce are added to the silicon as a main raw material as a starting raw material, and after molding, the reaction sintering and the densification by sintering are carried out. - 特許庁

転動体は、表面から転動体直径の０．５％以上の深さまでの部分である表層部１とその内側の内部２とで構成されており、表層部１が緻密な窒化ケイ素（密度：３．２０ｇ／ｃｍ^3 ）で構成され、内部２が多孔質窒化ケイ素（相対密度：５０％）で構成されている。例文帳に追加

The rolling element is composed of a facial layer 1 having a depth of 0.5% or more of the diameter of the rolling element from the surface thereof and an internal part 2 inside the layer 1, wherein the facial layer 1 is composed of dense silicon nitride (density: 3.20 g/cm^3) while the internal part 2 is composed of porous silicon nitride (relative density: 50%). - 特許庁

炭化ケイ素粉末、非金属系焼結助剤、及び窒化ケイ素粉末の混合物を焼結して得られ、且つ、その体積抵抗率が１０^0Ω・ｃｍ以上、不純物元素の総含有量が１０ｐｐｍ以下、密度が２．８ｇ／ｃｍ^3以上であることを特徴とする炭化ケイ素焼結体である。例文帳に追加

This silicon carbide sintered body is obtained by sintering a mixture of a silicon carbide powder, a nonmetallic sintering adjuvant, and a silicon nitride powder and characterized by ≥100 Ω.cm volume resistivity, ≤10 ppm total content of impurity elements, and ≥2.8 g/cm3 density. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の密度が比較的高い場合であっても、炭化ケイ素焼結体の内部にシリコンを十分に含浸させることができる貼り合わせ基板用支持基板の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a support substrate for a laminated substrate which can impregnate silicon enough in a silicon carbide sintered body even when the density of the silicon carbide sintered body is comparatively high. - 特許庁

高密度で熱伝導性に優れ、高強度の炭化ケイ素焼結体を相対的に低圧、低温の条件で製造できる方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a silicon carbide sintered compact having high density, high conductivity and high strength under the condition of relatively low pressure and low temperature. - 特許庁

本発明による炭化ケイ素セラミックスは、炭化ケイ素の純度が９９．９９９９重量％以上で、かつ、密度が２．０〜３．０ｇ／ｃｍ^３である。例文帳に追加

In the silicon carbide ceramics, purity of silicon carbide is ≥99.9999 wt.%, and also, density is 2.0 to 3.0 g/cm^3. - 特許庁

該炭化ケイ素粉末を加圧下で焼結して比抵抗が小さく緻密で純度の高い焼結体を製造する。例文帳に追加

By sintering the silicon carbide powder under pressure, a fine sintered body can be produced which has low resistivity and high purity. - 特許庁

高密度、高純度で、且つ高い体積抵抗率（低い導電性）を有する炭化ケイ素焼結体、及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide sintered body having a high density, a high purity and a high volume resistivity (low electroconductivity), and further to provide a method for producing the sintered body. - 特許庁

光重合性二重結合を有する有機官能基と加水分解性基が結合したケイ素原子が尿素結合を含む２価の有機基で連結されていることを特徴とする有機ケイ素化合物。例文帳に追加

The organosilicon compound has a urea bond-containing divalent organic group by which an organic functional group having a photopolymerizable double bond and a hydrolyzable group-bonded silicon atom are connected. - 特許庁

この方法では、ケイ素含有ガス、酸素含有ガス、及びフッ素含有ガスから生成された高密度プラズマにより、フッ化ケイ酸塩ガラス（ＦＳＧ）の層を基板上に堆積させる。例文帳に追加

In the method, a layer of fluorinated silicate glass(FSG) is deposited on a substrate by a high-density plasma, which is generated from silicon containing, oxygen containing and fluorine containing gases. - 特許庁

緻密で導電性が高いカーボンナノチューブ分散窒化ケイ素焼結体を容易に安定して製造する。例文帳に追加

To easily and stably manufacture a dense and highly electroconductive carbon nanotube-dispersed silicon nitride sintered body. - 特許庁

高密度化された窒化ケイ素体は、ランタナ系焼結助剤（ランタン、ネオジウム）、アルミニウム化合物系焼結助剤を用いて形成することができる。例文帳に追加

The densified silicon nitride body can be formed using a lanthana-based sintering aid (lanthanum, neodymium) and an aluminum compound-based sintering aid. - 特許庁

焼結助剤の種類や量にかかわらず、相対密度の高い窒化ケイ素系セラミックスを容易に得ることができる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a production method which can easily obtain silicon nitride-based ceramics having high relative density without depending on the kinds and quantity of a sintering assistant. - 特許庁

比抵抗が低く、しかも高密度、高純度、高耐食性であり、半導体製造部材用に好適な炭化ケイ素体の提供。例文帳に追加

To obtain a silicon carbide body having a low resistivity, high density, high purity and high corrosion resistance, suitable as a member for producing a semiconductor. - 特許庁

ゲイツ一族はその秘密を守り，現代のベンジャミン・フランクリン・ゲイツ(ニコラス・ケイジ)まで，代々その話を伝えた。例文帳に追加

The Gates family has kept the secret and passed the story from generation to generation down to the present time and to Benjamin Franklin Gates (Nicolas Cage).発音を聞く  - 浜島書店 Catch a Wave

これにより、コア領域は、略同一の密度を有する酸化ケイ素膜で囲まれることとなり、コア領域に応力が加わることはない。例文帳に追加

Thus, since the core area is encircled by a silicon oxide film having about the same density, strain is not exerted on the core area. - 特許庁

本発明により、ケイ素のみによる加工性低下を防ぎ、改質層表面が緻密で凹凸の少ない改質層となる。例文帳に追加

This method enables to prevent decrease in workability which occurs when silicon is used alone and form a modified layer having a fine surface with few irregularity. - 特許庁

シリコーン組成物に含有させると、光重合性と縮合硬化性のバランスを上手くとることができる有機ケイ素化合物を提供する。例文帳に追加

To provide an organosilicone compound affording well balanced photopolymerizability and condensation curability, when adding in a silicone composition. - 特許庁

絶縁性が高く、かつ、緻密であり、耐摩耗性に優れた炭化ケイ素セラミックスからなる溶接用セラミックスチップの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a dense ceramics tip for welding which consists of silicon carbide ceramics, has high insulation properties and excellent in wear resistance. - 特許庁

エネルギー密度が高いアルカリ金属ケイ化物を含む燃料を備えている燃料電池を提供する。例文帳に追加

To provide a fuel cell provided with a fuel containing an alkaline metal silicide high in energy density. - 特許庁

具体的には、平均粒子径が１００ｎｍ以下の二酸化チタン微粒子の水性スラリーを７０℃以上でｐＨ８以上に調整し、次いでケイ酸塩を添加し、しかる後酸で中和して、高密度シリカを形成させ、次いで、水性スラリーのｐＨを１〜４に保持しながら、ケイ酸塩と酸とを添加して、多孔質シリカを形成する。例文帳に追加

A silicate and an acid are then added while keeping the aqueous slurry at pH 1-4 to form porous silica. - 特許庁

得られる窒化ケイ素質セラミックスは、相対密度が９５％以上の緻密質あるいは、相対密度が７０％以下の連続した開気孔を有する大型のものである。例文帳に追加

The obtained silicon nitride-based ceramic is a large-sized ceramic which is compact and has a relative density of ≥95% or which has a relative density of ≤70% and continuous open pores. - 特許庁

ユークリプタイトと窒化ケイ素および／または炭化ケイ素とから実質的になる複合セラミックスで構成され、１０〜４０℃における熱膨張係数が２×１０^-6／℃以下、室温でのヤング率が１３０ＧＰａ以上、比剛性（ヤング率／比重）が５０ＧＰａ以上である精密測定機器用部材。例文帳に追加

The member for precise measuring instrument is constituted of a composite ceramic consisting practically of eucryptite and silicon nitride and/or silicon carbide and has ≤2×10-6/°C coefficient of thermal expansion at 10-40°C, ≥1300 Pa Young's modulus at room temperature and ≥50 GPa specific rigidity (Young's modulus/specific gravity). - 特許庁

ガラスファイバのスート母材の脱水、ドーピング、焼結等の熱処理を行う光ファイバ母材の熱処理装置であって、該熱処理装置に使用される炉心管の材質が炭化ケイ素材であり、かつ炭化ケイ素材の密度が3.0g/cm^3以上である光ファイバ母材の熱処理装置。例文帳に追加

In the apparatus for heat-treating an optical fiber preform in which a soot preform of a glass fiber is subjected to heat treatments such as dehydration, doping and sintering, the material of a core tube is a silicon carbide material whose density is ≥3.0 g/cm^3. - 特許庁

低いシラノール基密度を有する親水性でアルカリ性の沈降ケイ酸であって、以下の物理化学的パラメータ：ＢＥＴ １００〜１９０ｍ^２／ｇ改変されたシアーズ数 ８〜２０ｍｌ／（５ｇ）シアーズ数／ＢＥＴ−比 ＜０．１２ｍｌ／（５ｍ^２）ｐＨ値 ＞８を有する沈降ケイ酸を製造する。例文帳に追加

The precipitated silicic acid which is the hydrophilic alkaline precipitated silicic acid having a low silanol group density and has the following physicochemical parameter: BET 100 to 190 m^2/g, altered Sears-Zahl 8 to 10 mL/(5 g), Sears-Zahl/BET-ratio<0.12 mL/(5 m^2), pH value>8 is produced. - 特許庁

炭化ケイ素にホウ素源と窒素源が添加された炭化ケイ素焼結体であって、窒素含有量が６５０重量ｐｐｍ以上８０００重量ｐｐｍ以下、比抵抗が１０^7Ω・ｃｍ以上、密度が３．０ｇ／ｃｍ^3以上であることを特徴とする高比抵抗炭化ケイ素焼結体を用いる。例文帳に追加

The high-resistivity silicon carbide sintered compact used is a silicon carbide sintered compact prepared by adding a boron source and a nitrogen source to silicon carbide and has a nitrogen content of 650 to 8,000 wt. ppm, a resistivity of at least 10^7 Ω cm, and a density of at least 3.0 g/cm^3. - 特許庁

これにより、カーボンナノチューブＣ_1乃至Ｃ_Nが96重量％乃至30重量％と炭化ケイ素Ｓ_1乃至Ｓ_(N-1)が4重量％乃至70重量％からなる固化体であって、かさ密度1.3g/cm^3以上である炭化ケイ素結合カーボンナノチューブ固化体が得られる。例文帳に追加

The carbon nanotube solidified body connected with silicon carbide consisting of carbon nanotubes C_1-C_N of 96-30 wt.% and silicon carbide S_1-S_(N-1) of 4-70 wt.% and having a bulk density of 1.3 g/cm^3 or more is obtained. - 特許庁

本発明の炭化ケイ素前駆物質の製造方法は、液状の炭素源と平均粒子径が４０ｎｍ以下の二酸化ケイ素粉体とを混合し、得られた混合物を乾燥し、次いで炭化処理を行い、嵩密度が０．３ｇ／ｃｍ^３以上かつ１．３ｇ／ｃｍ^３以下の炭化ケイ素前駆物質とする。例文帳に追加

The method for manufacturing the silicon carbide precursor comprises mixing a liquid carbon source and a silicon dioxide powder having a diameter of at most 40 nm, drying the resulting mixture and subsequently subjecting the dried mixture to carbonization treatment to obtain a silicon carbide precursor having a bulk density of at least 0.3 g/cm^3 and at most 1.3 g/cm^3. - 特許庁

本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。例文帳に追加

The densification of the silicon carbide compact has been realized without altering sintering conditions of the silicon carbide compact, by adding phenol to a slurry containing a silicon carbide powder and a combustion aid. - 特許庁

さらに、前記炭化ケイ素基板を、前記第１の厚さ未満の厚さまで薄くするステップ、前記第１の表面とは反対側の前記薄くされた炭化ケイ素基板の表面に金属層を形成するステップ、前記金属層を局所的にアニールするステップを含む。例文帳に追加

Further, the method includes a step of making the silicon carbide substrate thinner down to a thickness less than the first thickness, a step of forming a metal layer on a surface of the silicon carbide substrate having been made thinner, on the opposite side from the first surface, and a step of locally annealing the metal layer. - 特許庁

（Ａ）陰イオン界面活性剤、（Ｂ）高級アルコールのアルキレンオキシド平均１〜１０モル付加物、（Ｃ）アルミノケイ酸塩、（Ｄ）無機炭酸塩、特定量の（Ｅ）無機硫酸塩及び特定量の（Ｆ）非晶質ケイ酸塩を含有する高嵩密度洗剤。例文帳に追加

This high-bulk density detergent comprises (A) an anionic surfactant, (B) an adduct of average 1-10 mol alkylene oxide to a higher alcohol, (C) an aluminosilicate, (D) an inorganic carbonate, (E) a specific amount of an inorganic sulfate and (F) a specified amount of an amorphous silicate. - 特許庁

当該方法は、糖蜜類及び１５０ｇ／ｌ以上の見掛け比重を有する二酸化ケイ素を混合すること、当該混合物を乾燥して、上記固形物を得ることを含み、糖蜜又は糖蜜から糖分を除去した液の固形分重量と二酸化ケイ素の重量（水分を除く）との比が５０：５０〜８０：２０であり、及び上記固形物の水分が１０重量％以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The ratio of the solid material weight of molasses or a liquid in which sugar is removed from molasses to the silicon dioxide weight (except water content) is 50:50-80:20 and the water content of the solid material is ≤10 wt.%. - 特許庁

この製造方法によって、密度が３．１０ｇ／ｃｍ^３以上、ヤング率が４０５ＧＰａ以上であることを特徴とする高緻密質炭化ケイ素セラミックスが得られる。例文帳に追加

The highly dense silicon carbide ceramic having a density of 3.10 g/cm^3 or more and a Young's modulus of 405 GPa or more is obtained by the method. - 特許庁

そして、当該方法で製造された炭化ケイ素焼結体は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と、Ａｌ及び／又はＡｌ_4Ｃ_3若しくはＡｌ_4ＳｉＣ_4等の炭化アルミニウム系化合物を含む粒界相とからなるとともに、Ａｌ：０．５〜７％、残部が実質的にＳｉＣの組成であり、かつ、相対密度が９５％（密度：３．０ｇ／cm^3）以上である。例文帳に追加

The silicon carbide sintered compact manufactured by the method comprises silicon carbide (SiC) and a grain boundary phase containing an aluminum carbide-based compound such as Al and/or Al_4C_3 or Al_4SiC_4 and has a composition containing 5-7% Al and the balance being substantially of SiC and has ≥95% (density: ≥3.0 g/cm^3) relative density. - 特許庁

炭化ケイ素焼結体の表面及び酸化膜層に存在する金属不純物量が１．０×１０^11ａｔｏｍｓ／ｃｍ^2 未満であり、密度が２．９ｇ／ｃｍ^3 で、且つ、体積抵抗率が１．０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

This silicon carbide sintered product has <1.0×1011 atoms/cm2 metallic impurities quantity existing on its surface and in its oxide film, ≥2.9 g/cm3 density and ≤1.0 Ω.cm volume resistivity. - 特許庁

炭化ケイ素１００重量部に対し、１０〜５０重量部の炭素を含有してなる導電性セラミックスであって、相対密度が９２％以上である導電性セラミックス。例文帳に追加

This electroconductive ceramic contains 10-50 parts by weight carbon to 100 parts by weight silicon carbide, and has a relative density of not lower than 92%. - 特許庁

できるだけ低密度で且つ、高い比弾性率を有するとともに、特にLCDディスプレー等のディスプレー製造に特に好適に使用される無アルカリのアルミノホウケイ酸ガラスを提供する。例文帳に追加

To provide an alkali-free aluminoborosilicate glass having a low density and a high specific modulus of elasticity and particularly suitable for use in the production of displays, especially, such as LCD displays. - 特許庁