「"置換めっき"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

その露出部に無電解置換めっき法ですずめっきパターンを付着形成する。例文帳に追加

A tin plating pattern is stuck and formed at the exposed part by an electroless displacement plating method. - 特許庁

また、金属配線のダメージを低減するために、触媒金属層を形成する置換めっきに用いるパラジウム置換めっき液のパラジウム濃度および金属のエッチング量を最適化する。例文帳に追加

In order to reduce damage on the metallization, concentration of palladium in a palladium immersion plating liquid being used in immersion plating for forming the catalytic metal layer and the etching amount of metal are optimized. - 特許庁

本発明の置換めっき液中の鉄イオン除去方法は、鉄イオンを０．１ｇ／ｌ以上含有する置換めっき液に酸素を通気し、ｐＨ２．５以上に保つことで、鉄イオンを効率的に沈殿除去する。例文帳に追加

In the method for removing iron ions from the displacement plating liquid, the displacement plating liquid containing ≥0.1 g/l of iron ions is aerated with oxygen and kept at a pH of ≥2.5 so as to efficiently precipitate and remove the iron ions. - 特許庁

半導体装置用部材のリード線に、電解めっき層と置換めっき層とが同時に析出した後、置換めっき層のみ剥離する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of depositing an electroplating layer and a displacement plating layer simultaneously onto lead lines of a member for semiconductor device and, thereafter, stripping only the displacement plating layer. - 特許庁

置換めっき層を剥離する際に、電解めっき層も同時に剥離する従来の置換めっき層の剥離方法の課題を解決できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of solving a problem of a conventional method of peeling a displacement plating layer that an electrolytic plating layer is simultaneously peeled off when the displacement plating layer is peeled off. - 特許庁

この後、配線の表面に銅拡散防止機能を有する上面バリア膜を置換めっきにより形成する。例文帳に追加

After that, the upper surface barrier film having the copper diffusion preventing function is formed on the surface of the wiring by substitutional plating. - 特許庁

置換めっき法を用いて、低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができる構造体の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a structure where a columnar structure can be easily formed on a large area using a substitution plating process at low cost. - 特許庁

錫めっき鋼板４３に置換めっきにより銅４４を析出させ、その上に配線回路４７をパターン形成する。例文帳に追加

The method for manufacturing this printed circuit includes the steps of precipitating a copper 44 on a tin plated steel sheet 43 by substitute plating, and pattern forming a wiring circuit 47 on the copper 44. - 特許庁

帯状の被処理物をリールトゥリール工法を利用して連続めっきを行う場合に、被処理物近傍でのめっき液の成分を良好に均一化することができ、フライングリードの変形も防止することに有効な、帯状被処理物の置換めっき処理装置および置換めっき処理方法を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for displacement plating process of a belt-shaped material, which can adequately uniformize components of a plating solution in the vicinity of the material to be treated and is effective in preventing the deformation of a flying lead, when continuously plating the belt-shaped material to be treated by using a reel-to-reel technique, and to provide a method for displacement plating process. - 特許庁

エチレンジアミン四酢酸２ナトリウム（ＥＤＴＡ−２Ｎａ）と水からなるクロム酸フリー水溶液によるエッチング処理を行った後、不働態化処理、Ｚｎの置換めっきを行い、引続いてすずめっきを行なう。例文帳に追加

Etching treatment is performed with a chromium acid-free aqueous solution composed of ethylene diamine tetraacetic acid (ETDA-2Na) and water, and, passivation and Zn substitution plating are performed, and successively, tinning is performed. - 特許庁

不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。例文帳に追加

In the middle of the passivation and the zinc substitution plating, activation suppression treatment with an aqueous solution comprising sodium pyrophosphate, sodium tetraborate and sodium fluoride can be performed. - 特許庁

置換めっき処理時に、置換金めっき液中の溶存酸素により、下地ニッケル層の酸化膜が生成することを抑制し、良好なニッケルはんだ合金層を形成により、高い接続信頼性を得ること。例文帳に追加

To obtain high reliability by suppressing the formation of an oxide film on an undercoat nickel layer due to dissolved oxygen in a gold plating solution at a displacement plating treatment and forming an excellent nickel solder layer. - 特許庁

銅の溝配線の上面バリア膜を形成するための触媒金属の置換めっきに起因する銅配線のエッチング損傷を容易に防止できる半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can easily prevent damage to etching of a copper wiring due to substitutional plating of a catalyst metal for forming an upper surface barrier film of a copper groove wiring. - 特許庁

鉄系金属磁性体粉末よりもイオン化傾向が小さい金属イオンを含むめっき浴を用いて置換めっき処理を行って成形体の表面の一部に第１のめっき電極層を形成する。例文帳に追加

Immersion plating processing is carried out using a plating bath containing metal ions which has a less tendency to ionize than the iron-based metal magnetic powder to form a plating electrode layer on a portion of the surface of the molding. - 特許庁

銅又は銅合金製給水器具の外面にめっきを施し、その後化学めっき法又は置換めっき法で給水器具の内部のみに異種のめっきを施すため、特に複雑なめっき装置を必要としない。例文帳に追加

The intricate plating device is not specially needed when the outer face of the copper or copper-alloy water feeding utensil is plated, and then, a different plating is applied to only the inside of the utensil by chemical plating or substitution plating. - 特許庁

電気コネクタのような、ニッケル含有基体上に硬質金をスポットめっきする際、めっき箇所以外に金が置換めっきされるのを抑制するメッキ液組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a plating liquid composition, when hard gold is spot-plated on a nickel-coating substrate such as an electric connector, which inhibits the displacement plating of gold on the part other than the plated part. - 特許庁

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層、またはＮｉ層とＳｎ層、もしくはＮｉ層とＣｕ層をめっきにより形成させて端子用材料とする。例文帳に追加

A Zn layer is formed by substitution plating on the surface of an Al substrate, and an Ni layer, or an Ni layer and an Sn layer, or the Ni layer and a Cu layer are plated thereon to form a material for a terminal. - 特許庁

バンプの最表層に形成した置換めっきの緻密性及び平坦性を良好にして、バンプと基板の配線パターン等との接合性を向上させ、半導体装置が所望の性能を得られるようにする。例文帳に追加

To obtain a desired performance of a semiconductor device by improving junction property between a bump and a wiring pattern of a substrate or the like by realizing good denseness and flatness of a displacement plating formed in the outermost layer of a bump. - 特許庁

その製造方法は、鋼板に溶融Ｓｎ系めっき後、電気めっきまたは置換めっきによりＮｉ分で０．１〜１．０ｇ／ｍ^２のＮｉまたはＮｉ合金を上層めっきする。例文帳に追加

The method of manufacturing the Sn-based hot-dip metal coated steel sheet comprises: a process of performing hot-dip Sn-based plating on a steel sheet; and a subsequent process of applying Ni or Ni alloy upper coating having a Ni content of 0.1 to 1.0 g/m^2 according to electroplating or displacement plating. - 特許庁

貴金属イオンを含む溶液を、該貴金属よりイオン化傾向の大きい卑金属を含有する触媒基体に接触させ、前記貴金属イオンを置換めっきにより前記卑金属上に析出させて燃料電池用の水素極３用又は酸素極２用のガス拡散電極を製造する。例文帳に追加

Solution containing precious metal ion is made in contact with a catalyst base body containing a base metal with larger ionization tendency than the precious metal, the precious metal ion is made to deposit on the base metal by substitution plating to manufacture a gas diffusion electrode for a hydrogen electrode 3 or an oxygen electrode 2 for a fuel cell. - 特許庁

基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。例文帳に追加

The conductive fine particles include a conductive layer, an adhesion layer, and a low-melting point metal layer composed of tin or an alloy of tin and other metals, which are sequentially laminated on the surface of base fine particles, wherein the adhesion layer is formed by displacement plating. - 特許庁

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＳｎ層をめっきにより形成させるか、またはこの表面処理Ａｌ板にさらにハンダフラックス性を有し熱放射性を向上させる層を形成させる。例文帳に追加

This manufacturing method comprises forming a Zn layer on the surface of an Al substrate by displacement plating, and forming a Ni layer and a Sn layer thereon by plating, or further forming the layer which has a function as a solder flux and improves thermal radiation characteristics on the surface treated Al plate. - 特許庁

触媒金属よりもイオン化傾向が大きい金属基体の表面を触媒金属のイオンを含む液に接触させることで起こる置換めっきにより、表面に触媒金属を析出させ、更に金属基体を選択的に溶解除去することを特徴とする触媒担持電極の製造方法。例文帳に追加

In this method for manufacturing a catalyst carrying electrode, a catalyst metal is deposited on the surface of a metal substrate by substitution plating caused by bringing the surface of the metal substrate having bigger ionization tendency than the catalyst metal into contact with liquid containing the ion of the catalyst metal, and in addition, the metal substrate is selectively dissolved and removed. - 特許庁

本発明方法は、高張力合金化溶融亜鉛めっき鋼板に発生しやすい模様を、焼鈍前に鋼板にＮｉまたはＣｏを置換めっきすることで消失させて合金化溶融亜鉛メッキ鋼板の外観品位を安定させる手段を提供する。例文帳に追加

To provide a means where a pattern which is easily generated on a high-tensile strength hot dip galvannealed steel sheet is vanished by subjecting the steel sheet to substitution plating before annealing, and the appearance grade of the hot dip galvannealed steel sheet is stabilized. - 特許庁

下層パターン２上に層間絶縁層５を積層することよる配線基板の製造方法において，下層パターン２の表面を粗面化し，粗面化された下層パターン２の表面にスズ置換めっきを施し，その後その下層パターン２の上に層間絶縁層５を積層する。例文帳に追加

A method for manufacturing a wiring board laminating an interlayer insulation layer 5 on a lower layer pattern 2 wherein a surface of the lower layer pattern 2 is roughened, tin displacement is plated on the surface of the roughened lower pattern 2, and then the interlayer insulation layer 5 is laminated on the lower layer pattern 2. - 特許庁

銅を含む配線上に銅拡散防止機能を有するバリア膜を有する半導体装置の製造方法であって、まず、基板に配線溝ＴＲ１を形成し、配線溝の内壁面にバリアメタル層１６を堆積した後、上面バリア膜形成のための置換めっき用触媒金属１７ａを含むシード層を形成する。例文帳に追加

In the method of manufacturing a semiconductor device having a barrier film having a copper diffusion preventing function on a wiring containing copper, the wiring groove TR1 is first formed on a substrate and a barrier metal layer 16 is deposited on the internal wall surface of the wiring groove, and then, a seed layer including a catalyst metal 17a for substitutional plating for forming the upper surface barrier film is formed. - 特許庁

Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にめっき後の外観を損なわない範囲でＺｎを含有したＮｉ−Ｚｎ層またはＮｉ−Ｚｎ層とＳｎ層をめっきにより形成させ、さらに選択的にハンダ性を向上させる層またはハンダフラックス性を有し熱放射性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板とする。例文帳に追加

A Zn layer is formed on the surface of an Al substrate by substitution plating, an Ni-Zn layer containing Zn in a range where its appearance after plating is not damaged or the Ni-Zn layer and an Sn layer are formed thereon by plating, and further, a layer improving its solderability or a layer having solder flux properties and improving its thermal radiability is selectively formed to obtain the surface treated Al sheet. - 特許庁

多孔質層１３の孔１４内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法であって、基板上１に、めっき物よりも電気化学的に貴な下地膜１２を介して多孔質層を有する部材を用意する工程、置換めっき法により、該多孔質層の孔内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing a structure comprising a process where a plating material is filled into pores 14 of a porous layer 13 includes: a stage where a member having a porous layer is prepared on a substrate 11 via a base film 12 electrochemically nobler than the plating material; and a stage where the plating material is filled into the pores of the porous layer by a displcement plating method. - 特許庁