「"過剰研磨"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

被研磨材料に生じている局所段差に起因する過剰研磨や研磨残りを生じることのない状態にして電解研磨を行うことを実現し、半導体製造プロセスに電解研磨を導入することを可能にする。例文帳に追加

To realize electrolytic polishing in the state where excessive polishing and unpolished remainder do not occur due to the local step produced in a material to be polished, and to introduce the electrolytic polishing into a semiconductor manufacturing process. - 特許庁

ディッシングやエロージョンなどの過剰研磨を防止しつつ、コンタクトプラグや配線形成領域以外の導電膜を迅速に除去することができる電解複合研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a composite electrolytic polishing method capable of rapidly removing a conductive film in regions other than a contact plug or wiring line forming region while preventing excessive polishing, such as dishing or erosion. - 特許庁

画像流れを防止し、且つ、感光体表面保護層の過剰研磨やムラ削れを防止することで高耐久（長寿命）化を達成し得る画像形成方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide an image forming method in which image deletion is prevented and excessive polishing and uneven scraping of a surface protective layer of a photoreceptor are prevented to achieve higher durability (longer lifetime). - 特許庁

本発明は、ウェーハ外周縁の過剰研磨を防止することによりウェーハ全面を均一に研磨することができるウェーハ研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer polishing device capable of uniformly polishing the whole surface of a wafer by preventing the outer peripheral edge of the wafer from being excessively polished. - 特許庁

研磨工具の弾性変形に起因する被研磨対象物の被研磨面の外周端部の過剰研磨を抑制することができ、かつ、研磨レートを安定化することができる研磨装置および研磨方法を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing device and a polishing method, capable of restraining excessive polishing to the outer peripheral end of the surface to be polished of a polishing object caused by elastic deformation of a polishing tool and capable of stabilizing a polishing rate. - 特許庁

横溝加工後に表面研磨を行う際に、突板の過剰研磨を抑制し、床材の表面となる部分で木質基材が剥き出しになるのを防止する。例文帳に追加

To provide a floor material manufacturing method which avoids excessive grinding of a sliced veneer during front surface grinding carried out after machining of a transverse groove of a floor material, to thereby prevent exposure of a wooden substrate serving as a front surface of the floor material. - 特許庁

本発明は、ウェーハ外周縁の過剰研磨を防止することによりウェーハ全面を均一に研磨することができるウェーハ研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a wafer polisher capable of uniformly polishing the whole surface of a wafer by preventing excessive polishing for the outer peripheral edge of the wafer. - 特許庁

研磨時間の設定方法に関し、化学機械研磨工程における終点検出エラーの発生による過剰研磨を防止するとともに、待機時間に伴うコロージョンの発生を回避する。例文帳に追加

To prevent excessive polishing caused by the generation of end point detection error in a chemimechanical polishing process and avoid generating corrosion which may be caused depending on a standby time in relation to a method for setting a polishing time. - 特許庁

リテーナリングまたはウェーハの押圧力に対する研磨パッドの弾性回復応力の集中によるウェーハの過剰研磨を防ぎ、ウェーハ研磨量の均一性を向上させることができる研磨装置を提供する。例文帳に追加

To provide a polishing device capable of improving uniformity of a wafer polishing amount by preventing excessive polishing of a wafer due to concentration of elastic recovery stress of a polishing pad against pressing force of a retainer ring or the wafer. - 特許庁

絶縁体膜の過剰研磨（ディッシング）が小さく、かつ、スクラッチ（研磨後の絶縁体材料表面の傷）の発生が少ない、ＳＴＩ工程に用いる化学機械研磨用水系分散体を提供すること。例文帳に追加

To provide a water dispersion for chemical mechanical polishing, used for an STI step having mall excessive polishing (dishing) of an insulator film and low occurrence of scratches (surface damages of an insulator material, after polishing). - 特許庁

研磨清掃手順とライニング手順を代えて過剰研磨を無くし均質な研磨とライニングを行い、さらに新機能の塗料によるライニングにより付加価値を高め、更生時間を短縮し、労力およびコストを下げることのできる給水管更生方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for reviving a water supply pipe, in which excessive polishing is not done but uniform polishing and lining are done by varying a polishing/cleaning procedure and a lining procedure, the lining is done by using newly functional paint to make the added value higher and the time required for revival is shortened to reduce the labor and cost. - 特許庁

半導体装置の製造工程において、溝を設けた絶縁膜上に成膜した金属膜をＣＭＰ法により研磨してダマシン配線を形成するに当たり、上記金属膜の研磨時に発生する大面積パターンの過剰研磨（ディッシング）を防止する。例文帳に追加

To prevent excessive polishing (dishing) of a large-area pattern from occurring at polishing of a metal film, when in a process for manufacturing a semiconductor device, the metal film formed on an insulating film comprising a groove is polished by CMP method to form a damascene wiring. - 特許庁

絶縁膜の凹部を埋め込むように形成された導電膜が膨出した部分を有していても、それに起因する研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which occurrence of an unpolished part caused by the bulging part of a conductive film formed to fill the recesses in an insulating film, and dishing or erosion due to over polishing can be prevented. - 特許庁

金属パターン上のシリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜をＣＭＰ法で平坦化研磨するとき、オリエンテーションフラット（ＯＦ）近傍において過剰研磨がなく、絶縁膜の膜厚均一性がよい半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which prevents excessive polishing in the vicinity of an orientation flat (OF) when an interlayer insulation film formed of a silicon oxide film on a metal pattern is flattened and polished by a CMP method, and excels in uniformity of the thickness of the insulation film. - 特許庁

絶縁膜の孔部を埋め込むように形成された銅膜を平坦化する際の研磨量を少なくすることができ、研磨残りの発生および過剰研磨によるディッシングやエロージョンを防ぐことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of reducing the quantity of polishing for flattening a copper film formed to fill a hole in an insulating film, and occurrence of unpolished portion, and dishing and erosion due to excessive polishing can be prevented. - 特許庁

ドリル研磨機を用いたドリル研磨において、研磨不能や研磨不足、過剰研磨等を未然に防止し、箇所のドリル先端面を適正かつ均等に研磨させるために必要な、ドリルチャックに対する前記ドリルの突出長さと研磨面の向きの位置決めを、簡単な操作で正確に行うことができるドリルの研磨位置決め器具を提供することにある。例文帳に追加

To provide a drill polishing positioning implement, preventing the occurrence of impossible polishing, insufficient polishing, excessive polishing or the like, and positioning a length of protrusion of the drill and a direction of polishing face required for polishing a tip face of the drill properly and uniformly for a drill chuck accurately by simple operation. - 特許庁