「"C-PLANE"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The reforming region 7a next to closest to the laser light incident surface is made smaller than the reforming region 7a closest to the laser light incident surface along the scheduled cut line 5a parallel with the surface 12a and the c-plane.例文帳に追加

表面１２ａ及びａ面に平行な切断予定ライン５ａに沿っては、レーザ光入射面に２番目に近い改質領域７ａが、レーザ光入射面に最も近い改質領域７ａよりも小さくなるようにする。 - 特許庁

To provide a method for growing a c-plane substrate of a group III nitride semiconductor in a shorter time than before, when it is grown by the Na flux method.例文帳に追加

Ｎａフラックス法によってIII族窒化物半導体のｃ面基板を育成する場合において、従来よりも短時間で育成する方法を提供する。 - 特許庁

A buried layer 12 composed of Si-doped GaN is formed on a c-plane sapphire substrate 10 having an uneven depth of 1 to 2 μm via a buffer layer 11.例文帳に追加

凹凸の深さが１〜２μｍのｃ面サファイア基板１０上に、バッファ層１１を介してＳｉドープのＧａＮからなる埋め込み層１２を形成する。 - 特許庁

As the silicon carbide substrate, a silicon carbide single crystal wafer obtained by cutting at an off-angle of 0.4-2° from the (0001)c-plane of an α-type (hexagonal) silicon carbide single crystal is used.例文帳に追加

上記炭化ケイ素基板としては、α型（六方晶）炭化ケイ素単結晶から、前記炭化ケイ素単結晶の（０００１）ｃ面から０．４度以上２度以下のオフ角で切り出された炭化ケイ素単結晶ウェハを用いる。 - 特許庁

To provide a production method of a thick film crystal of a group III nitride compound semiconductor the major face of which is not a c-plane, for fabricating a semiconductor element free from a piezoelectric effect in the layered direction.例文帳に追加

積層方向に圧電効果の生じない半導体素子を形成するための、主面がｃ面でないIII族窒化物系化合物半導体厚膜結晶の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a traffic control technology capable of preferentially assuring the connection of a part of the traffic, when there is a traffic congestion in the C-plane of an IP network.例文帳に追加

ＩＰ網のＣ−ｐｌａｎｅにおいて、トラフィックの輻輳時に優先的に一部のトラフィックの疎通を確保するトラフィック制御技術を提供する。 - 特許庁

Then the IR cut filter 8 is characterized in that a C plane 8a is formed at corners around a bottom side 8b of the IR cut filter 8 opposed to the imaging element 9.例文帳に追加

そして、ＩＲカットフィルタ８は、撮像素子９と対向するＩＲカットフィルタ８の底面８ｂ側の周囲角部にＣ面８ａが形成されていることを特徴としている。 - 特許庁

The hexagonal group III nitride contains gallium as a group III constituent element, so the principal plane 13a made of the hexagonal group III nitride is more easily oxidized than the (c) plane of the hexagonal group III nitride.例文帳に追加

六方晶系III族窒化物はIII族構成元素としてガリウムを含むので、六方晶系III族窒化物からなる主面１３ａは、六方晶系III族窒化物のｃ面に比べて酸化されやすい。 - 特許庁

The gate electrode 5a and gate electrode 5b on the B plane form a channel formation region CH1, and the gate electrode 5b and gate electrode 5c on the C plane form a channel formation region CH2.例文帳に追加

Ｂ面のゲート電極５ａ及びゲート電極５ｂによりチャネル形成領域ＣＨ１が形成され、Ｃ面のゲート電極５ｂ及びゲート電極５ｃによりチャネル形成領域ＣＨ２が形成される。 - 特許庁

The C-PLANE setter 131 perform local release which is processing for releasing the PDP context in the self-terminal when transmission of the user data fails at a preservation state.例文帳に追加

Ｃ−ＰＬＡＮＥ処理部１３１は、プリザベーション状態でユーザデータの送信に失敗した場合に、ＰＤＰコンテキストを自端末内で解放する処理であるローカル解放を行う。 - 特許庁

The memory transistor TR3 is provided on the memory transistor TR2, and a gate electrode 5c is formed on the C plane of the side face of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ３はメモリトランジスタＴＲ２の上部に設けられ、ゲート電極５ｃが素子形成領域１００の側面のＣ面に形成される。 - 特許庁

The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ２はメモリトランジスタＴＲ１の上部に設けられ、ゲート電極５ｂが素子形成領域１００の側面のＢ面及びＣ面に形成される。 - 特許庁

Secondly, a buffer layer composed of AlN is formed on the sapphire substrate on the side where a rugged configuration is formed by the sputter method, and a GaN layer having the c-plane as the principal plane is formed through the buffer layer by the MOCVD method.例文帳に追加

次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってＡｌＮからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してＭＯＣＶＤ法によってｃ面を主面とするＧａＮ層を形成した。 - 特許庁

The threading dislocation 3 having a dislocation line in the [0001] c-axis direction is vertical to the direction of the dislocation line of the basal plane dislocation, so that the threading dislocation 3 can not be an extension dislocation in C-plane, and stacking dislocation is not generated.例文帳に追加

［０００１］ｃ軸方向に転位線を持つ貫通転位３は、基底面転位の転位線の方向と垂直であるため、Ｃ面内の拡張転位とはならず、積層欠陥を発生させることがない。 - 特許庁

The gallium nitride substrate 10 has a primary surface 12 which is tilted at an angle θ in the range of 20 to 160° with respect to the C-plane of the GaN single crystal and has a fracture toughness of equal to or more than 1.36 MN/m^3/2.例文帳に追加

窒化ガリウム基板１０は、ＧａＮ単結晶のＣ面に対する主面１２の傾斜角θが２０°以上１６０°以下であり、破壊靭性が１．３６［ＭＮ／ｍ^３／２］以上である。 - 特許庁

A rugged shape of a pattern in which projections 1 of a plurality of regular hexagonal prisms are arranged in a honeycomb form is formed on a surface of the sapphire substrate having a c-plane as a principal plane by dry etching.例文帳に追加

ｃ面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部１をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。 - 特許庁

A method for forming the end face of a semiconductor layer comprises the steps of laminating GaN semiconductor layers in a multiplayer manner on a C-plane sapphire board 1 to form a laser structure, and then forming an Ni/Au film 7 thereon.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にＧａＮ系半導体層を多層に積層してレーザ構造を形成した後、その上にＮｉ／Ａｕ膜７を形成する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material capable of reducing an electric resistance by promoting C plane orientation of a Bi2Te3 thermoelectric material and obtaining a high Seebeck coefficient with high homogeneity and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

Ｂｉ_２Ｔｅ_３系熱電材料のＣ面配向性を助長して電気抵抗を低減させると共に、均質性が高く高いゼーベック係数が得られる熱電材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The support base 13 has a principal plane 13a of the semipolar plane, and the principal plane inclines in a predetermined off direction at an off angle within 10-40 degrees from the c plane of the hexagonal system GaN.例文帳に追加

支持基体１３は、半極性面の主面１３ａを有しており、この主面は、該六方晶系ＧａＮのｃ面から１０度〜４０度の範囲内のオフ角度で所定のオフ方向に傾斜している。 - 特許庁

The C plane 2 holds the obtained usable resource rates of the user data processing parts 31 to 33, selects a user data processing part having redundancy among 31 to 33, and sends a call setting request for session establishment.例文帳に追加

Ｃプレーン２は入手した各ユーザデータ処理部３１〜３３の使用可能なリソース率を保持し、余剰のあるユーザデータ処理部３１〜３３を選択し、セッション確立のための呼設定要求を送信する。 - 特許庁

The reason why the seed crystal is held at the m-plane is that the m-plane has a crystal growth speed slower than that of the a-plane and the desired c-plane growth is not hindered.例文帳に追加

この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。 - 特許庁

This shows that a composition of the well layer of the light-emitting layer 40 of the multiple quantum well structure changes extremely smoothly from above the (c) plane of the surface of the GaN layer 35 to above a facet surface.例文帳に追加

これは、多重量子井戸構造の発光層４０の井戸層の組成が、ＧａＮ層３５表面のｃ面上部からファセット面上部にかけて、極めて滑らかに変化していることを示している。 - 特許庁

A ZnO thin film, having a 'positive surface' or a ZnO thin film, whose surface is piezoelectrically positive, is formed on a substrate 2 such as a C-plane sapphire substrate, a z-plane quartz substrate or the like.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板、ｚ面水晶基板等の基板２の上に＋面を有するＺｎＯ薄膜、すなわち表面が圧電性の＋面となったＺｎＯ薄膜３を形成した。 - 特許庁

In the ZnO-based semiconductor element, there are subjected to epitaxial growths ZnO-based semiconductor layers 2-6 on a Mg_xZn_1-xO (0≤x<1) substrate 1 having as its principal plane the plane wherein at least +C-plane (0001) is inclined in m-axis direction.例文帳に追加

＋Ｃ面（０００１）が少なくともｍ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（０≦ｘ＜１）基板１上に、ＺｎＯ系半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 - 特許庁

Since laser oscillation is generated by polarized light (TE polarized light), in a direction along which larger strain is applied, oscillation is generated more readily, when the laser end face is formed in a-plane (11_20) than the case in which the end face is formed in c-plane (0001).例文帳に追加

より大きな歪がかかる方向の偏波（ＴＥ偏光）でレーザ発振するので、レーザ端面がａ面（１１＿２０）の方が、レーザ端面がｃ面（０００１）の場合よりも発振しやすい。 - 特許庁

Thereby, the graphite powder, in which the spacing surface density of the closed structure formed by closing the end parts of c-plane layers of the graphite on the powder surface by two layers increases to 100 pieces/μm or more and which allows extremely high discharge capacity, is provided.例文帳に追加

それにより、粉末表面の黒鉛ｃ面層の端部が２層ずつ連結して閉じた閉塞構造の間隙面密度が100 個／μｍ以上に増大した、非常に高い放電容量を与える黒鉛粉末が得られる。 - 特許庁

To guarantee status management of U-plane controllers and hand-over processing in a configuration, in which the U-plane controllers and C-plane controllers are separated.例文帳に追加

Ｕプレーン制御装置とＣプレーン制御装置とが分離された構成において、Ｕプレーン制御装置の状態管理や、ハンドオーバ処理を保証する。 - 特許庁

An α (hexagonal) silicon carbide mnocrystal wafer is characterised in that the off-angle from the (0001)c plane at a homoepitaxial growth surface having a surface roughness of 2 nm or less is 0.4 degrees or smaller.例文帳に追加

表面が表面粗さ２ｎｍ以下のホモエピタキシャル成長面で（０００１）ｃ面からのオフ角が０．４度以下であることを特徴とするα型（六方晶）炭化ケイ素単結晶ウェハ。 - 特許庁

In a light-emitting diode 11, a main surface 13a of a substrate 13 is tilted from c-plane in a-axis direction or m-axis direction of a group III nitride at an angle of not less than 10°and not more than 60°.例文帳に追加

発光ダイオード１１では、基板１３の主面１３ａはIII族窒化物のａ軸またはｍ軸の方向に１０度以上６０度以下の角度でｃ面から傾斜している。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element having salients on a C-plane of a substrate and capable of obtaining a lamp with a reduced output degradation under a high-temperature environment and to provide a lamp having the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

基板のＣ面上に凸部を有し、しかも高温環境下での出力低下が少ないランプの得られる半導体発光素子、これを備えたランプを提供する。 - 特許庁

After an underlying layer 13 with a film thickness of 3 μm made of GaN is formed on a substrate 11 made of sapphire having a C plane as a main surface, the temperature of the substrate 11 is decreased to 810°C.例文帳に追加

Ｃ面を主面に持つサファイアからなる基板１１の上に、ＧａＮからなり、膜厚が３μｍの下地層１３を形成した後、基板１１の温度を８１０℃にまで降温する。 - 特許庁

The mobile communication method includes a step of determining whether to perform the positioning processing of a mobile station UE by either one of a positioning method using a C-plane or an SUPL positioning method based on positioning capability information of the mobile station UE included in a positioning request signal from the mobile station UE received in a node GMLC/LRF, and a C-Plane capability of the mobile station UE stored in a node HSS.例文帳に追加

本発明に係る移動通信方法は、ノードＧＭＬＣ・ＬＲＦが、受信した移動局ＵＥの測位要求信号に含まれる移動局ＵＥの測位能力情報及びノードＨＳＳに記憶されている移動局ＵＥのＣ-Ｐｌａｎｅ能力に基づいて、Ｃ-Ｐｌａｎｅを用いた測位方式又はＳＵＰＬ測位方式のどちらによって、移動局ＵＥの測位処理を行うべきかについて決定する工程を有する。 - 特許庁

To provide a gallium nitride substrate capable of reducing an abnormal growth of a compound semiconductor at a boundary part of a defect formed by a facet plane growth and a region formed by a C plane growth and to provide a manufacturing method of the gallium nitride substrate.例文帳に追加

ファセット面成長により形成された欠陥とＣ面成長により形成された領域との境界部における化合物半導体の異常成長を低減できる窒化ガリウム基板及び窒化ガリウム基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

A semiconductor light-emitting element includes: an n-type semiconductor layer including a nitride semiconductor whose c plane is a principal plane; a p-type semiconductor layer including a nitride semiconductor; and a light-emitting part provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

実施形態によれば、ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁

An angle formed by the main surface 11a and a c-plane of the gallium nitride-based semiconductor crystal is ≥45° and ≤135°, and the optical resonators 10, 50 have active layers 17, 57 each including indium and epitaxially grown on the main surface 11a.例文帳に追加

主面１１ａと、窒化ガリウム系半導体結晶のｃ面とのなす角は４５°以上１３５°以下であり、光共振器１０，５０は、主面１１ａ上にエピタキシャル成長されたインジウムを含む活性層１７，５７を有している。 - 特許庁

To provide a group III nitride-based semiconductor element configured such that contact resistance between an electrode provided on a semiconductor layer and a group III nitride-based semiconductor region can be suppressed to be small when a surface of the group III nitride-based semiconductor region is inclined from a (c) plane.例文帳に追加

III族窒化物系半導体領域の表面がｃ面から傾斜している場合に、該半導体層上に設けられる電極と該半導体領域との接触抵抗を小さく抑えることが可能なIII族窒化物系半導体素子を提供する。 - 特許庁

A side face 16a of the opening 16 has a large angle with respect to an (a) plane of a group III nitride semiconductor and also has a large angle with respect to even an (m) plane of the group III nitride semiconductor and is formed of a plane very close to a (c) plane of the group III nitride semiconductor.例文帳に追加

開口１６の側面１６ａは、III族窒化物半導体のａ面に対して大きな角度を成すと共にIII族窒化物半導体のｍ面に対しても大きな角度を成して、III族窒化物半導体のｃ面に非常に近い面から構成される。 - 特許庁

This cellular phone is configured so as to determine whether or not it is in a Preservation state when a power source is turned off, and to establish C-plane and U-plane if in the Preservation state to release the Preservation state, and subsequently, the cellular phone first transmits an RST signal to a server and then transmits DETACH REQUEST to a packet exchange.例文帳に追加

本発明の携帯電話機は、電源がＯＦＦされる際にPreservation状態であるか否かを判定し、Preservation状態であるならばC-plan及びU-planeを確立してPreservation状態を解除した後に、先ずサーバに対してＲＳＴ信号を送信し、続いてパケット交換機に対してDETACH REQUESTを送信するようにした。 - 特許庁

Further, even when soft handover bridged over the C plane controller, the U plane controller 42 is kept used, a conventional connection path interconnecting the RNCs is not needed, and a delay passing through the RNCs can be eliminated.例文帳に追加

また、Ｃプレーン制御装置をまたがるソフトハンドオーバの時でも、同じＵプレーン制御装置を利用し続けることができ、ＲＮＣ間を接続する従来の接続パスが不要になり、またＲＮＣを経由することによる遅延をなくすことができる。 - 特許庁

Thus, a columnar polycrystalline ZnO buffer layer for which the (c) axis orientatability is high and a grain size in a horizontal direction is small within the (C) plane is formed, and a nitride based semiconductor single crystal layer less influenced by heat distortion from the Si substrate is manufactured on it.例文帳に追加

これにより、ｃ軸配向性が高くＣ面内において横方向のグレインサイズの小さい柱状多結晶ＺｎＯバッファ層が形成でき、この上にＳｉ基板からの熱歪みの影響の少ない窒化物系半導体単結晶層を作製することが可能となる。 - 特許庁

An electrical wave introduction window 13 of a cooling container 11 comprises a cooling window material 14 in which a monocrystal sapphire substrate is used as a base material, a cut face is formed as a C plane, and a thick anti-reflection film of silicon oxide (SiOx) is formed on a surface of the sapphire substrate.例文帳に追加

単結晶サファイア基板を母材とし、カット面をＣ面として形成すると共に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）の厚膜反射防止膜を前記サファイア基板の表面に形成した冷却用窓材１４を冷却容器１１の電波導入窓１３に備え付けた。 - 特許庁

The method of manufacture includes: (a) selecting a plane inclined by 10 to 80 degrees to a C plane as a surface 1a of a hexagonal single crystal substrate which is a seed crystal 1; and (b) growing an AlN single crystal 2 as a growth plane 2a on the surface 1a by a sublimation method.例文帳に追加

種結晶１としての六方晶系単結晶基板の表面１ａとして、Ｃ面に対して10〜80°傾斜した面を選択し(ａ)、この表面１ａ上に、昇華法によりAlN単結晶２を成長面２ａとして成長させる(ｂ)。 - 特許庁

For this reason, since the sidewalls of the trench 6 have the same state as that of a trench in a taper shape when a C plane is used as the primary surface, the reduction in channel mobility can be lowered even if variation in the sidewall angle of the trench 6 occurs.例文帳に追加

これにより、Ｃ面を主面とした場合においてトレンチ６の側壁がテーパ形状になる場合と同じ状態となり、トレンチ６の側壁角度にバラツキが生じたとしても、チャネル移動度の低下を少なくすることができる。 - 特許庁

A handover original node B2-0 receives the handover request from the UE1-0, and transmits the handover request and the information of the UE1-0 required for the handover to a handover destination node B2-1 through a c-plane pass between nodes B.例文帳に追加

ハンドオーバ元ノードＢ２−０はＵＥ１−０からのハンドオーバ要求を受信し、ノードＢ間のｃ−ｐｌａｎｅパスを介してハンドオーバ先ノードＢ２−１に対してハンドオーバ要求とハンドオーバに必要なＵＥ１−０の情報とを送る。 - 特許庁

Shear force is applied separately to a thermoelectric semiconductor material as it is kept vertical to a compressive force and the direction of compression, whereby a C plane as the base plane of a crystal (hexagonal crystal structure) is oriented strongly in a direction vertical to the direction of compression, and the thermoelectric semiconductor material is averaged finely in crystal grain diameter and increased in density.例文帳に追加

図３（ａ）に示すように圧縮力とこの圧縮方向に対して垂直方向にせん断力が独立に作用することにより、圧縮方向に対して垂直方向に結晶（六方晶構造）の基底面であるＣ面が強く配向するとともに、結晶粒径が微細に平均化され緻密化する。 - 特許庁