「"C-PLANE"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Unevenness is formed on a -C plane which is a surface of the semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。 - 特許庁

HANDOVER METHOD, C-PLANE WIRELESS CONTROLLER DEVICE, BASE STATION AND TERMINAL STATION例文帳に追加

ハンドオーバー方法、Ｃ−ｐｌａｎｅＷｉｒｅｌｅｓｓＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ装置、基地局および端末局 - 特許庁

A GaN substrate 1 has a main face other than a c-plane (e.g., m-plane).例文帳に追加

ＧａＮ基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。 - 特許庁

There is prepared a c plane off substrate which includes the wurtzite type crystal structure, and a crystal c plane which is inclined to a first substrate main face as at least a main face on the minus c plane side at a predetermined angle around an a axis.例文帳に追加

ウルツ鉱型の結晶構造を有し、少なくとも−ｃ面側の主面である第１基板主面に対して結晶ｃ面がａ軸の回りに所定角度傾いたｃ面オフ基板を用意する。 - 特許庁

The scintillator material includes a zinc oxide single crystal having grown on the +C plane or the -C plane of a platy seed crystal of zinc oxide having the C plane as a principal plane, and contains In and Li in the zinc oxide single crystal.例文帳に追加

Ｃ面を主面とする板状の酸化亜鉛の種結晶の＋Ｃ面上又は−Ｃ面上に結晶成長した酸化亜鉛単結晶からなり、前記酸化亜鉛単結晶中にＩｎとＬｉとを含有するものをシンチレータ材料とする。 - 特許庁

Meanwhile, when the Node B, to which the mobile terminal 2 moved belongs to the U-plane controller which is not subordinate to own C-plane controller, each C-plane controller 41a, 41b inquires another different C-plane controller about the status information of the object U-plane controller, and decides whether the object U-plane controller can add radio link.例文帳に追加

一方、移動機２の移動先のＮｏｄｅ Ｂが自配下ではないＵプレーン制御装置に帰属している場合、別のＣプレーン制御装置に対して対象のＵプレーン制御装置の状態情報を問い合わせ、対象のＵプレーン制御装置にて無線リンク追加が可能か判断する。 - 特許庁

The method of forming a fine pattern begins with a step of providing a c-plane hexagonal semiconductor crystal.例文帳に追加

微細パターンの形成方法は、ｃ面六方晶系半導体結晶を設ける段階から始まる。 - 特許庁

A plurality of projections are formed on the surface of a c-plane substrate having a corundum structure.例文帳に追加

コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。 - 特許庁

To evade excessive regulations by effectively utilizing the network resources of a C (Control)-plane and a U (User)-plane.例文帳に追加

C-planeとU-planceのネットワークリソースをより有効に活用し過規制を避ける。 - 特許庁

The tilt angle of the side face 16a of the opening 16 is closer to that of the (c) plane than to those of the (m) plane and (a) plane.例文帳に追加

開口１６の側面１６ａの傾斜角は、ｍ面やａ面よりもｃ面に近い。 - 特許庁

First, uneven processing is performed on a surface of a sapphire substrate 10 having a c-plane as a primary surface.例文帳に追加

まず、ｃ面を主面とするサファイア基板１０表面に凹凸加工を施す。 - 特許庁

Each C-plane controller 41a, 41b stores into the own memory and manages the status information (traffic/bandwidths/alarm information) for each U-plane controller subordinated to the C-plane controller concerned.例文帳に追加

Ｃプレーン制御装置４１ａ，４１ｂは、自配下のＵプレーン制御装置毎に該Ｕプレーン制御装置の状態情報（トラヒック／帯域／アラーム情報）を自メモリに記憶して管理する。 - 特許庁

An image processing part 6 generates C-plane image data along a plane almost parallel with an array plane of an ultrasonic vibrator based on volume data acquired by ultrasonic transmission/reception and displays the C-plane image on a display part 71.例文帳に追加

画像処理部６は、超音波の送受信によって得られたボリュームデータに基づいて、超音波振動子の配列面と略平行な面に沿ったＣ面画像データを生成し、表示部７１にＣ面画像を表示させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an (Al, Ga, In)N thin film on a Ga-face c-plane (Al, Ga, In)N substrate using a c-plane surface with a miscut toward the m-direction at least 0.35°.例文帳に追加

ｍ方向に向かうミスカットが少なくとも０．３５度であるｃ面表面を用いて、Ｇａ面ｃ面（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ基板上に（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal via a non-C-plane surface by using a seed crystal having the non-C-plane surface (an upper surface), supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, and growing the gallium nitride crystal with vapor deposition, while maintaining the non-C-plane surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

Otherwise, oxygen is doped into the gallium nitride crystal via a non-C-plane facet face by using a seed crystal having a C-plane surface, supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, generating the non-C-plane facet face, and growing the gallium nitride crystal in the direction of the c-axis with vapor deposition, while maintaining the facet face.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

The principal surface 13a of the substrate 13 is tilted at an off-angle of 20-45° in the a-axis direction of the gallium nitride from a c-plane of the gallium nitride.例文帳に追加

基板１３の主面１３ａは、窒化ガリウムのｃ面から窒化ガリウムのａ軸方向に２０度以上４５度以下のオフ角度で傾斜している。 - 特許庁

Thereby, a c-plane substrate 18 consisting of an isosceles triangular platy group III nitride semiconductor is obtained.例文帳に追加

これにより、二等辺三角形の板状のIII族窒化物半導体からなるｃ面基板１８を得ることができる。 - 特許庁

A GaN layer 2 is formed on a sapphire C plane ((0001) plane) substrate 1, and then a titanium film 3 is formed on the GaN layer 2.例文帳に追加

サファイアＣ面（（０００１）面）基板１上にＧａＮ層２を形成した後、その上にチタン膜３を形成する。 - 特許庁

In some embodiments, the nuclear layer is formed on the surface of a wurtzite substrate mis-cut from the c-plane of the substrate.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のｃ−面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。 - 特許庁

A seed crystal 14 is a rectangular parallelepiped group III nitride semiconductor whose longitudinal direction is m axis direction and sides along the longitudinal direction are a-plane and c-plane.例文帳に追加

種結晶１４は、長手方向をｍ軸方向、長手方向側面がａ面、ｃ面である直方体状のIII族窒化物半導体。 - 特許庁

A planar object 1 to be processed equipped with a hexagonal SiC substrate 12 having a surface 12a at an off angle to the c-plane is prepared.例文帳に追加

ｃ面とオフ角分の角度を成す表面１２ａを有する六方晶系ＳｉＣ基板１２を備える板状の加工対象物１を準備する。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁

In the interfaces J1, J2, and J3, lattice relaxation does not occur in the semiconductor layers because the c-plane serves as a slip plane.例文帳に追加

これらの界面Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３において、ｃ面がすべり面として働いて当該半導体層に格子緩和を生じさせていない。 - 特許庁

An operator designates an area, wherein ultrasonic signal intensity is to be adjusted, on the displayed C-plane image.例文帳に追加

操作者は、表示されているＣ面画像上で、超音波の信号強度を調整すべき範囲を指定する。 - 特許庁

When this takes place, scribing is performed to a direction corresponding to an inclination direction to the first substrate main face of the crystal c plane.例文帳に追加

このとき、結晶ｃ面の第１基板主面に対する傾きの方向に対応した方向にスクライブする。 - 特許庁

An alternate long and short dash line 13c shows a representative (c) plane of the hexagonal nitride semiconductor of the support base 13.例文帳に追加

一点鎖線１３ｃは、支持基体１３における六方晶系窒化物半導体の代表的なｃ面を示す。 - 特許庁

Respective semiconductor layers such as an n-type GaN layer 2, an active layer 3, and a p-type GaN layer 4 are formed on a C-plane sapphire substrate 1.例文帳に追加

Ｃ面サファイア基板１上にｎ型GaN層２、活性層３及びｐ型GaN層４の各半導体層を形成する。 - 特許庁

The torn surfaces 27 and 29 are not formed by dry etching and are different from cleavage planes such as a c plane, an m plane, or an a plane.例文帳に追加

割断面２７、２９は、ドライエッチングにより形成されず、ｃ面、ｍ面又はａ面等のこれまでのへき開面とは異なる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which has excellent ohmic contact on a p-type principal plane inclined to a (c) plane.例文帳に追加

ｃ面に対して傾斜したｐ型主面において良好なオーミック接触を有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

The inclination angle A and the inclination angle B are inclined in opposite directions to each other with respect to the c-plane of the GaN support base material.例文帳に追加

傾斜角Ａ及び傾斜角Ｂは、ＧａＮ支持基体のｃ面に対して互いに逆方向に傾斜している。 - 特許庁

In other words, the mold protrusion 33 has a shape chamfered (or C plane cut) planar by the planar slant face 333.例文帳に追加

すなわち、金型凸部３３は、斜面部３３３により平面状に面取り加工（またはＣ面カット）された形状である。 - 特許庁

The main plane 23a of a support base material 23 of a light-emitting diode 21a is inclined at an off-angle greater than 10° and less than 80° with respect to the c-plane.例文帳に追加

発光ダイオード２１ａの支持基体２３の主面２３ａは、ｃ面に対して１０度より大きく８０度未満のオフ角で傾斜する。 - 特許庁

Oxygen is doped into a gallium nitride crystal through a non-C-plane by using a seed crystal having the non-C-plane on its upper surface and performing the vapor-phase growth of the gallium nitride crystal while supplying material gases including gallium, nitrogen and oxygen to be doped.例文帳に追加

非Ｃ面を上面にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながら窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより非Ｃ面を通して酸素をドーピングする。 - 特許庁

A concavo-convex pattern is formed on a sapphire substrate 10 and only the faces 10c-1 having the same normal vector direction in the c-plane or side faces making an angle of not more than 20 degrees with the c-plane are exposed while other faces are covered with an epitaxially grown mask 20 comprising SiO_2 (3.A).例文帳に追加

サファイア基板１０に凹凸を設けて、ｃ面又はｃ面と成す角が２０度以下の側面のうちの法線ベクトルの向きが同じ面１０ｃ−１のみを露出させ、他の面はＳｉＯ_2から成るエピ成長マスク２０で覆う（３．Ａ）。 - 特許庁

The center value of a distribution of an angle (off-angle) formed by the c-plane or -c-plane and the principal surface 10a is in the range of 15-60°, and the difference between the maximum value and the minimum value of the off-angle within the surface of the principal surface 10a is not smaller than 0.3°.例文帳に追加

主面１０ａの面内における、ｃ面または−ｃ面と主面１０ａとのなす角（オフ角）の分布の中心値は１５°以上６０°以下の範囲内にあり、主面１０ａの面内におけるオフ角の最大値と最小値との差は０．３°以上である。 - 特許庁

The hexagonal ferrite is soft-magnetic, and has: ferrite crystal grains having the c-plane as an easily magnetized plane; the orientation such that the c-plane of the crystal grains becomes parallel at least with one direction; and a form such that the one directional demagnetization coefficient becomes greater than zero.例文帳に追加

軟磁性フェライトであって、ｃ面を磁化容易面とするフェライトの結晶粒を有し、前記結晶粒のｃ面が少なくとも一の方向に平行になるような配向性を有し、前記一の方向の反磁界係数が０より大きくなるような形状を有することを特徴とする。 - 特許庁

The level difference between an area grown on (0001)C plane and an area grown on a facet plane being a crystal surface other than the C-plane is controlled to be ≤0.3 μm by controlling the etching speed and the etching amount.例文帳に追加

結晶成長時に（０００１）Ｃ面で成長した領域とＣ面以外の結晶面であるファセット面で成長した領域との段差は、エッチング速度及びエッチング量を制御することで、０．３μｍ以下となるように形成されている。 - 特許庁

This epitaxial substrate 1 is provided with: the GaN substrate 10 having a principal surface 10a inclined with respect to a c-plane or -c-plane of a GaN crystal; and the active layer 23 formed on the principal surface 10a of the GaN substrate 10 and having an InGaN well layer 23a.例文帳に追加

エピタキシャル基板１は、ＧａＮ結晶のｃ面または−ｃ面に対して傾斜した主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、ＧａＮ基板１０の主面１０ａ上に設けられたＩｎＧａＮ井戸層２３ａを有する活性層２３とを備える。 - 特許庁

The terminal 100 includes: a C-PLANE processing unit 131 which sets RRC connection between a self-terminal and a radio station 200 and sets RAB and PDP context between the self-terminal and a network 300; and a U-PLANE setter 132 which performs the transmission processing of the user data using the PDP context set by the C-PLANE setter 131.例文帳に追加

端末装置１００は、自端末と無線局２００との間においてＲＲＣコネクションを設定するとともに、自端末とネットワーク３００との間においてＲＡＢ及びＰＤＰコンテキストを設定するＣ−ＰＬＡＮＥ処理部１３１と、Ｃ−ＰＬＡＮＥ処理部１３１によって設定されたＰＤＰコンテキストを用いてユーザデータの送信処理を行うＵ−ＰＬＡＮＥ処理部１３２とを備える。 - 特許庁

The electrode catalyst for the fuel cell is characterized in that a catalytic metal is deposited on a mixture of carbon containing at least one of nitrogen, phosphorus, oxygen and sulfur on the surface with a carbon fiber on the surface of which a graphite C plane is exposed or another carbon fiber on the surface of which the edge of the graphite C plane is exposed.例文帳に追加

燃料電池用電極触媒であって、表面に窒素、リン、酸素及び硫黄の少なくとも１種以上を含む炭素と、表面にグラファイトＣ面が露出した炭素繊維又は炭素と表面にグラファイトＣ面端部が露出した炭素繊維との混合物に触媒金属を担持したものである。 - 特許庁

A gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a non-C-plane as a surface (top face) to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase while keeping the non-C-plane surface by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping and allowing oxygen to infiltrate through the surface.例文帳に追加

Ｃ面以外の面を表面（上面）にもつ種結晶を用いて、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外の表面を保ちつつ窒化ガリウム結晶を気相成長させることにより当該表面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

An RNC (resource network controller) 4 of the wireless access network is separated into a signaling control C plane controller 41 and a user data processing user data are transferred only via the U plane controller 42 between a mobile terminal 2 and host devices (31, 32) and a control signal is subjected to termination processing by the U plane controller 42 and the C plane controller 41.例文帳に追加

無線アクセスネットワークのＲＮＣ４を、シグナリング制御用のＣプレーン制御装置４１とユーザデータ処理用のＵプレーン制御装置４２とに分離して、ユーザデータは、移動端末２と上位装置（３１，３２）との間で、Ｕプレーン制御装置４２のみを介して転送し、制御信号はＵプレーン制御装置４２とＣプレーン制御装置４１とにより終端処理する。 - 特許庁

Otherwise, a gallium nitride crystal is doped with oxygen by using a seed crystal having a C-plane as the surface, producing a non-C-plane facet to grow a gallium nitride crystal in a vapor phase in the c-axis direction while keeping the facet by supplying a source material gas containing a gallium source material, a nitrogen source material and oxygen for doping, and allowing oxygen to infiltrate through the facet.例文帳に追加

または、Ｃ面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらＣ面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をｃ軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

The first substrate comprises stripe-shaped anti-growth patterns on the upper surface of the substrate, and recess regions having sidewalls of a c-plane between the anti-growth patterns.例文帳に追加

第１の基板は、その上部表面上にストライプ状の成長防止パターンを有し、また成長防止パターン間に側壁がｃ面であるリセス領域を有する。 - 特許庁