「"Electron hole"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In an EDS detector, electron-hole pairs are created by X-ray photo-absorption. 例文帳に追加

EDS検出器の中では、電子・正孔対がX線光子吸収によって生成される。 - 科学技術論文動詞集

Next, an electron-hole transporting layer 20d and a light emitting layer 20e are sequentially laminated by an ink jet method.例文帳に追加

次に、インクジェット法により正孔輸送層２０ｄ、発光層２０ｅを順次積層する。 - 特許庁

In this way, the recombination of electron- hole in a hole-transportable light-emitting layer 4b can be promoted.例文帳に追加

これにより、ホール輸送性発光層４ｂにおける電子−ホールの再結合を促進することができる。 - 特許庁

When the erasing light is irradiated on the charge transport layer 13, electron-hole pairs are generated.例文帳に追加

電荷輸送層１３に消去光が照射されると、電子・正孔対が発生する。 - 特許庁

A transparent electrode 2, an electron hole transport layer 3, a light-emitting layer 4, an electron hole blocking layer 5 composed of a hexaazatriphenylene derivative, an electron transport layer 6 and a metal electrode 7 are arranged in this order on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板１上に、透明電極２、正孔輸送層３、発光層４、ヘキサアザトリフェニレン誘導体からなる正孔ブロッキング層５、電子輸送層６、金属電極７の順に配置された構成とする。 - 特許庁

The organic layer 14 is constituted by making an electron hole pouring layer 14a, an electron hole transportation layer 14b, and an organic luminescence layer 14c of electronic transportation nature to this order from a positive electrode 13 side laminate.例文帳に追加

有機層１４は、陽極１３側から順に、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂおよび電子輸送性の有機発光層１４ｃを積層してなる。 - 特許庁

Thus, a pair of excess electron-electron hole is generated on the measurement domain and potential due to electron hole or electron is negated which is induced on panel body of the panel 9 by charging on surface of the insulating film.例文帳に追加

これにより、測定領域に過剰な電子−正孔対が生成され、絶縁膜表面の帯電電荷により基板９の基板本体に誘起される正孔または電子による電位が打ち消される。 - 特許庁

Then, the layer is thermally treated in nitrogen radical to recover nitrogen electron hole defect in the surface layer of the AlGaN electron donor layer 14.例文帳に追加

その後，窒素ラジカル中で熱処理を行い，ＡｌＧａＮ電子供給層１４の表層の窒素空孔欠陥を回復させる。 - 特許庁

In addition, an electron hole implant layer 37 and a light-emitting layer 38 are formed by applying organic compound-containing liquid on the pixel electrodes 36.例文帳に追加

更に画素電極３６上に有機化合物含有液を塗布することにより、正孔注入層３７及び発光層３８を成膜する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device which has a high integration and a high resolution by utilizing both of a pair of electron/hole produced due to a photoelectric effect.例文帳に追加

光電効果で発生した電子/正孔対の両方を利用することにより、高集積度で、高解像度の固体撮像装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a radiation detector for largely improving electron hole transport performance, while maintaining high electron transport performance.例文帳に追加

放射線検出器を高い電子輸送性を維持したまま、正孔輸送性を大きく向上することができるものとする。 - 特許庁

In addition, an electron hole implant layer 36 and a light-emitting layer 37 are formed by applying organic compound-containing liquid on an anode electrode 31.例文帳に追加

更に、有機化合物含有液をアノード電極３１上に塗布することにより、正孔注入層３６、発光層３７と、を形成する。 - 特許庁

A higher resistive region for an electron hole than the anode region 38 is interposed between the anode region 38 and the circumference contact region 35.例文帳に追加

アノード領域３８と周辺コンタクト領域３５の間には、正孔に対してアノード領域３８よりも高抵抗な領域が介在している。 - 特許庁

A photodetector has a light absorbing region (1), in which individual incident photon is absorbed for dealing with corresponding electron-hole pairs.例文帳に追加

本願発明の光検出器は、対応する電子正孔対を作成するために個々の入射光子を吸収する光吸収領域（１）を有する。 - 特許庁

The electron-hole pairs generate activity in a detection region in communication with the storage areas that is measured to detect the presence of data.例文帳に追加

電子−正孔対は、記憶領域と連絡する検出領域で活動を生じ、これを測定してデータの存在を検出する。 - 特許庁

To aim improvement in luminescence characteristics by increasing the electron hole current of an organic EL element as an upper surface luminescence element.例文帳に追加

上面発光素子としての有機ＥＬ素子の正孔電流の増大による発光特性の向上を図る。 - 特許庁

To simply fabricate an organic electroluminescent element having an electron hole injection layer, using a wet method.例文帳に追加

正孔注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を、湿式法を用いて簡便に作成する方法を提供する。 - 特許庁

Since the optical switching material is of nanosize, generation efficiency of optically excited electron/hole pairs is improved.例文帳に追加

光スイッチング材料がナノサイズであることにより、光励起電子・正孔対の発生効率が向上する。 - 特許庁

The medium generates electron-hole pairs having substantially different activity in each storage area, depending upon its state.例文帳に追加

媒体は、各記憶領域において、状態に応じて実質的に異なる活動をする電子−正孔対を生成する。 - 特許庁

Since the oxide film is thin, electron-hole pairs are reduced which are generated in the oxide film by irradiation with high-energy beams.例文帳に追加

酸化膜が薄いので、高エネルギー線照射により酸化膜中で発生する電子−正孔対が少なくなる。 - 特許庁

The electroluminescent element emits light by the recombination of an electron hole injected from a positive electrode, and an electron injected from a negative electrode, and a luminous layer formed of only an inorganic compound is provided between an electron hole transportation layer and an electron transportation layer formed of an organic compound.例文帳に追加

本発明に係る電界発光素子は、陽極から注入される正孔と陰極から注入される電子との再結合により発光する電界発光素子であり、有機化合物で形成された正孔輸送層と電子輸送層の間に、無機化合物のみで形成された発光層を備えている。 - 特許庁

When light is received, charge e of one of a photoelectric-converted electron-hole pair is accumulated in the photoelectric conversion portion 8 as signal charge, and the potential barrier ϕb is modulated by charge h of the other electron-hole pairs so that the charge e' one of the charges accumulated in the charge accumulating portion 4 is supplied to the photoelectric conversion portion 8.例文帳に追加

受光時に、光電変換された電子・正孔対のうち、一方の電荷ｅを信号電荷として光電変換部８に蓄積し、電子・正孔対のうちの他方の電荷ｈによりポテンシャルバリアφｂを変調させて、電荷蓄積部４に蓄積されている一方の電荷ｅ′を光電変換部８へ供給する。 - 特許庁

The device excites electrons with two photons to thereby provide a large polarization even without separating the degeneracy of the energy bands of a heavy electron hole and a light electron hole, and can excite the electrons to a high energy level in a conduction band to thereby dispense with a negative electron affinity for external emission of the electrons from the compound semiconductor.例文帳に追加

この装置によると、２光子で電子が励起されるために重い正孔と軽い正孔のエネルギーバンドの縮退を解かないでも大きな偏極度が得られ、電子を伝導帯内の高いエネルギーレベルにまで励起できるために化合物半導体の外部に電子を放出させるために負の電子親和性を得る必要がない。 - 特許庁

To provide a photorefractive element capable of obtaining a large electric field absorptivity by forming plural combinations of electron-hole pairs participating in absorption spectrum characteristics.例文帳に追加

吸収スペクトル特性に関与する電子正孔対の組み合わせを複数形成し、大きな電界吸収率を得ることができるフォトリフラクティブ素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of reducing degradation of reliability and performance of the device caused by an electronic trap or an electron hole trap in a tunnel insulation film.例文帳に追加

トンネル絶縁膜への電子トラップ又は正孔トラップによる装置の信頼性及びパフォーマンスの劣化を低減することが可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

An EL element using polythiophene has an electron hole pouring transportation layer and a light emitting layer.例文帳に追加

正孔注入輸送層と発光層とを有し、この正孔注入輸送層が下記化１で示される重合体のうちの少なくとも１種以上を含有するポリチオフェンを用いたＥＬ素子。 - 特許庁

To provide a ferromagnetic double quantum well tunnel magnetoresistance device which obtains an infinite tunnel magnetoresistance ratio by a desired bias voltage, utilizing a two-dimensional electron (hole) system.例文帳に追加

２次元電子（正孔）系を利用して無限大のトンネル磁気抵抗比を所望のバイアス電圧で得る強磁性２重量子井戸トンネル磁気抵抗デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor having high resistance against a noise by increasing an electron hole pair generating rate of a photodiode, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

フォトダイオードの電子ホール対生成率を増加させ、ノイズに対する抵抗性の高いＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor having high resistance against noise by increasing an electron hole pair generation rate of a photodiode, and a method for manufacturing the CMOS image sensor.例文帳に追加

フォトダイオードの電子ホール対生成率を増加させ、ノイズに対する抵抗性の高いＣＭＯＳイメージセンサ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method by which the capture of an electron-hole pair in a gate oxide film can be prevented and electric charge can be efficiently drawn out by an input protection circuit.例文帳に追加

ゲート酸化膜中への電子−正孔対の捕獲を抑制し、入力保護回路による効率的な電荷の引き抜きが可能な、半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method for stably manufacturing a high quality organic EL device by evenly forming an organic layer on a surface of an electron hole injection electrode of a substrate formed with the electrode on a surface.例文帳に追加

正孔注入電極を表面に形成した基板の当該電極の表面に有機層を均一に形成して高品質な有機ＥＬ素子を安定に製造する方法を提供すること。 - 特許庁

Electron-hole plasma is induced on the surface of the substrate 3 such as a semiconductor by the laser beam via the optical delay circuit 5, and consequently, the high-frequency transmission line 2 is short-circuited and the input wave is reflected.例文帳に追加

光遅延回路５を介してレーザー光が半導体等の基板３の表面に電子−正孔プラズマを誘起することで高周波伝送線路２を短絡し、入力波を反射する。 - 特許庁

This organic electroluminescence element is formed by arranging an anode 2, a light-emitting layer 5, an electron hole checking layer 6, an electron transport layer 7 and a cathode 8, in this order on a substrate 1.例文帳に追加

基板１上に、陽極２、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７及び陰極８がこの順で形成された有機電界発光素子。 - 特許庁

To provide an electrooptical display device that has high electron/hole mobility of high crystalline single crystal Si or strained Si, and that is high in luminance, contrast and definition; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

高結晶性単結晶Ｓｉ若しくは歪みＳｉの高い電子・正孔移動度を有し、高輝度、高コントラスト、高精細の電気光学表示装置の製造方法及び電気光学表示装置を提供する。 - 特許庁

For instance, when the drain 36 of the driver transistor 30 is kept at a potential of 3V, α-rays penetrate through the P well 18, the first buried layer 11, and a silicon substrate 10, by which electron-hole pairs are broken up.例文帳に追加

ドライバトランジスタ３０のドレイン３６が例えば、電圧３Ｖの状態のとき、α線がｐウェル１８、第１の埋め込み層１１及びシリコン基板１０を走ることにより、電子正孔対が切られたとする。 - 特許庁

To provide a light-emitting semiconductor device constructed with a short wave length AlGaInP material in which an intensity can be increased by raising an emission recombination probability between an electron and an electron hole in an active layer.例文帳に追加

短波長のＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子において、活性層での電子・正孔の発光再結合確率を上げて、輝度を高めること - 特許庁

To ease local concentration of the electron hole immediately after turn-off, in a semiconductor device provided with an adjacent region 84 wherein a central region 82 formed by PIN structure and a resurfacing region 34 are formed.例文帳に追加

ＰＩＮ構造が形成されている中心領域８２とリサーフ領域３４が形成されている周辺領域８４を備えている半導体装置において、ターンオフ直後の正孔の局所的な集中を緩和すること。 - 特許庁

To solve the problem that a large number of unpaired bonding hands are formed at crystal grain boundaries, when a crystalline semiconductor film composed of crystal grains is low in orientation properties, and the crystal semiconductor film is deteriorated in carrier (electron, hole) transfer properties.例文帳に追加

複数の結晶粒から成る結晶質半導体膜において配向性が低いと結晶粒界で不対結合手が多く形成され、結晶質半導体膜中のキャリア（電子・ホール）の輸送特性を低下させる。 - 特許庁

Upon injection of neutrons, the α rays generated at the ^10B diffusion layer 10 produce an electron-hole pair 16 at a depletion layer of the p-n junction 13, the electric charge of which is then collected to the analysis circuit portion for analysis.例文帳に追加

中性子の入射により^１０Ｂ拡散層１０で発生したα線は、ｐｎ接合１３の空乏層で電子−正孔対１６を発生し、その電荷は解析回路部に収集され、解析される。 - 特許庁

Electron-hole pairs are efficiently gathered in the narrowest band gap area, and electromagnetic wave radiation via the impurity potential is carried out only in the area, and other areas are made high in resistance so as to suppress absorbing of the radiation electromagnetic wave.例文帳に追加

効率よく電子・正孔対を最狭バンドギャップ領域に集め、この領域でのみ不純物準位を介した電磁波放射を行わせ、他の領域は高抵抗にして、放射電磁波の吸収を抑えるようにする。 - 特許庁

Since the work function of the metal compound is larger than or the same as that of a conventional positive electrode material, an injection property of an electron hole can be improved as compared with that in the past.例文帳に追加

なお、金属化合物は、従来の陽極材料と比べて仕事関数が同等か、それ以上に大きいため、陽極からの正孔の注入性をこれまで以上に向上させることができる。 - 特許庁

The organic electroluminescence element comprises an electron hole pouring layer which is constituted by a conductor layer film-formed by removing an organic solvent from a dispersion liquid obtained by dispersing polymer particulates of a pyrrole and/or pyrrole derivative in the organic solvent.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔注入層が、ピロール及び／またはピロール誘導体のポリマー微粒子が有機溶媒中に分散した分散液より該有機溶媒を除去して成膜した導電層からなることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

The present invention relates to an MSM type light receiving element including a light absorption layer, that absorbs light and generates an electron-hole pair and at least one Schottky contact type electrode, wherein the light absorption layer includes an InAs layer or an InSb layer.例文帳に追加

光を吸収し電子−正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも一つのショットキー接触型電極と、を有する金属−半導体−金属（Ｍｅｔａｌ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：ＭＳＭ）型受光素子であって、光吸収層がＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層を含む。 - 特許庁

Thereby, electron-hole recombination is prevented for improving the photoelectric conversion efficiency of the solar cell; an interface characteristic between the electrode with the porous film applied thereto and the electrolyte is improved; and thereby the electron collection characteristic can be improved.例文帳に追加

これにより、太陽電池の光電変換効率を向上させ、このために電子・正孔再結合を防止し、多孔質膜が塗布された電極と電解質との界面特性を向上させ、これにより電子集電特性を向上させることができる。 - 特許庁

To provide an EL element using polythiophene which uses a photoelectron functional material having especially little physical variation, photochemical variation, and electrochemical variation as a electron hole pouring transportation material or a light emitting material and has a variety of light emitting colors having high reliability and light emitting efficiency.例文帳に追加

特に物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光電子機能材料を正孔注入輸送材料や発光材料として用い、信頼性および発光効率の高い種々の発光色を持ったポリチオフェンを用いたＥＬ素子を実現すること。 - 特許庁