「"Palladium plating"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

LEAD FRAME WITH SELECTIVE PALLADIUM PLATING例文帳に追加

選択的なパラジウムめっきを有するリ—ドフレ—ム - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM FOR SEPARATING HYDROGEN, AND PALLADIUM PLATING BATH例文帳に追加

水素分離用薄膜の製造方法およびパラジウムめっき浴 - 特許庁

To provide a composition for pretreatment for electroless palladium plating where, even in the case an electroless palladium plating liquid including impurities such as copper is used, a palladium plating film can be stably precipitated over a nickel film.例文帳に追加

銅等の不純物が含まれた無電解パラジウムめっき液を用いる場合であっても、ニッケル皮膜上に安定してパラジウムめっき皮膜を析出させることが可能な無電解パラジウムめっき用の前処理用組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a palladium plating solution capable of forming a palladium plating film which can further improve solder characteristics of the film in surface treatment of a composition made of a nickel plating film, a palladium plating film and a gold plating film on the surface of a conductive body made of a metal such as copper.例文帳に追加

銅などの金属から形成された導体表面上に、ニッケルめっき被膜、パラジウムめっき被膜、金めっき被膜という構成を備えた表面処理において、その半田特性を更に向上できるパラジウムめっき被膜が形成可能となるめっき液を提供する。 - 特許庁

Furthermore, nickel plating, chrome plating and palladium plating or rhodium plating is applied to the dowel 2.例文帳に追加

更に、羽根ダボ２には、ニッケルメッキ、クロムメッキ、パラジウムメッキ又はロジウムメッキを施してある。 - 特許庁

In addition, the dowels 2 are subjected to nickel plating, chromium plating, palladium plating or rhodium plating.例文帳に追加

更に、ダボ２には、ニッケルメッキ、クロムメッキ、パラジュゥムメッキ又はロジウムメッキを施してある。 - 特許庁

ELECTROLESS PALLADIUM PLATING LIQUID, AND THREE LAYER-PLATED FILM TERMINAL FORMED USING THE SAME例文帳に追加

無電解パラジウムめっき液及びそれを用いて形成された３層めっき被膜端子 - 特許庁

PALLADIUM-PLATING LIQUID FOR ELECTROLYSIS, AND LEAD FRAME PLATED BY USING THE LIQUID例文帳に追加

電解用パラジウムめっき液及びそれを用いて形成されたリードフレーム - 特許庁

The chemical palladium/gold plating film is situated on a solder pad and comprises a palladium plating layer situated on the solder pad and a gold plating layer situated on the palladium plating layer.例文帳に追加

化学パラジウム/金めっき皮膜は半田パッドの上に位置し、かつ、半田パッドの上に位置するパラジウムめっき層と、パラジウムめっき層の上に位置する金めっき層とを含む。 - 特許庁

The electrode terminal 5 exposed from the resin sealing body 7 is coated with palladium plating 6 to form the external terminal 8 composed of solder via this palladium plating 6.例文帳に追加

樹脂封止体７から露出する電極端子５にはパラジウムメッキ６を施し、パラジウムメッキ６を介して半田からなる外部端子８を形成する。 - 特許庁

To provide a palladium plating liquid which can input an excellently tight adhesive to resins and can form an acicular crystal-like palladium plating layer on a surface of the serious.例文帳に追加

優れた樹脂密着性を示すことができる、表面に針状結晶状のパラジウムめっき層を形成可能なパラジウムめっき液の提供をすること。 - 特許庁

To provide an electroless palladium plating bath in which a plating deposition rate is not remarkably reduced even if predetermined days are passed after the initial bath makeup, and an almost fixed plating deposition rate is retained over a long period, and to provide an electroless palladium plating method.例文帳に追加

建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide a palladium electroplating method which enables palladium plating on copper alloy such as lead frame uniformly and thinly.例文帳に追加

リードフレーム等の銅合金に、均一に薄くパラジウムめっきすることのできるパラジウム電気めっき方法を提供する。 - 特許庁

On a nickel-plated layer 42 of the inner face side of the positive electrode 11, cobalt plating 43 or palladium plating 44 is applied.例文帳に追加

正極缶１１の内面側のニッケルめっき層４２上には、コバルトめっき４３またはパラジウムめっき４４が施されている。 - 特許庁

These platings are a base plating (Ni) 10, a palladium plating 11, a silver-plating 12, and a rolled gold 13 in this order from the bottom layer.例文帳に追加

これらのめっきは最下層から順に、下地めっき（Ｎｉ）１０／パラジウムめっき１１／銀めっき１２／金めっき１３である。 - 特許庁

When palladium plating 44 is selected, it is suitable that its quantity is between 5 mg/m^2 or more and 10 mg/m^2 or less.例文帳に追加

パラジウムめっき４４を選択した場合、その量を５ｍｇ／ｍ^２以上１０ｍｇ／ｍ^２以下とすることが好適である。 - 特許庁

To provide a palladium plating liquid having excellent plating wettability after the plated palladium plating layer has been subjected to heat, hardly causing liquid degradation and suitable as a plating liquid for lead frame and to provide the plating liquid that enables thick plating and effectively applied for the manufacture of the contact material for electron parts.例文帳に追加

めっき形成したパラジウムめっき層の熱履歴後におけるはんだ濡れ性が良好で、しかも液劣化が起こりにくく、リードフレーム用のめっき液として好適なパラジウムめっき液や、更には厚めっきが可能で電子部品用接点材料の製造に適用して有効なめっき液を提供する。 - 特許庁

The object to be plated is dipped into an electroless palladium plating bath containing palladium by 0.1 to 0.4 g/L and also containing a complexing agent to form a complex with the palladium at a concentration in which the molar ratio with the palladium (complexing agent/palladium) reaches 25 to 250, and an electroless palladium plating film is formed on the object to be plated.例文帳に追加

パラジウムを０．１〜ｇ／０．４Ｌ含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比（錯化剤／パラジウム）が２５〜２５０となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a new pretreatment agent useful for forming a palladium or palladium alloy plating film having satisfactory deposition properties and excellent covering properties when electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating is performed on an electroless nickel coating film and various metal materials such as a copper stock; and to provide an electroless palladium plating or electroless palladium alloy plating method using the pretreatment agent.例文帳に追加

無電解ニッケル皮膜や銅素材などの各種の金属材料上に無電解パラジウムめっき又は無電解パラジウム合金めっきを行う際に、良好な析出性でカバーリング性に優れたパラジウム又はパラジウム合金めっき皮膜を形成するために有用な新規な前処理剤、及び該前処理剤を用いる無電解パラジウム又はパラジウム合金めっき法を提供する。 - 特許庁

A lead frame having a nickel plating film 6, a palladium plating film 7 and a gold flash plating film 8 formed on the entire surface of a lead frame basic material 5 of copper alloy is further provided with a nickel alloy plating film between the nickel plating film 6 and the palladium plating film 7, thus obtaining a four-layer structure plated lead frame for semiconductor.例文帳に追加

銅合金から成るリードフレーム基材５上の全面にニッケルめっき膜６、パラジウムめっき膜７、金フラッシュめっき膜８を形成するリードフレームにおいて、ニッケルめっき膜６とパラジウムめっき膜７の中間にニッケル合金めっき膜９を形成し、４層構造めっきの半導体用リードフレーム１とする。 - 特許庁

To provide a pretreatment liquid for promoting starting of electroless palladium plating reaction for forming a film of uniform thickness by suppressing non-formation of electroless palladium plating film formed on a plated body functioned as a protective layer for an electroless nickel plating alloy film or reduction in thickness, an electroless plating method using the same, a connection terminal, a semiconductor package using the connection terminal, and its manufacturing method.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Disclosed is an activation composition on a nickel surface for performing electroless palladium plating to the surface of nickel, which is composed of an aqueous solution comprising a palladium compound and hydrazines.例文帳に追加

パラジウム化合物及びヒドラジン類を含有する水溶液からなる、ニッケル上に無電解パラジウムめっきを行うためのニッケル表面の活性化組成物、並びに。 - 特許庁

The surface of the electrode base section on the semiconductor wafer is plated with the electroless nickel-plating film, the electroless palladium plating film and the electroless gold plating film in this order.例文帳に追加

並びに、半導体ウエハー上の電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順にめっきする。 - 特許庁

PRETREATMENT LIQUID FOR PROMOTING STARTING OF ELECTROLESS PALLADIUM PLATING REACTION, ELECTROLESS PLATING METHOD USING THE PRETREATMENT LIQUID, CONNECTION TERMINAL FORMED BY THE ELECTROLESS PLATING METHOD, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE USING THE CONNECTION TERMINAL AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法 - 特許庁

This palladium plating liquid contains at least 1 to 60 g/L soluble palladium salt in terms of palladium and 0.1 to 300 g/L sulfamic acid or its salt and does not contain a brightener.例文帳に追加

可溶性パラジウム塩をパラジウム量換算として１〜６０ｇ／Ｌと、スルファミン酸またはその塩を０．１〜３００ｇ／Ｌとを少なくとも含んでなるパラジウムめっき液であって、光沢剤不含である、パラジウムめっき液。 - 特許庁

The electrode on the semiconductor wafer, in which an electroless nickel plating film, an electroless palladium plating film and an electroless gold plating film are formed on the surface of the electrode base section in this order, is manufactured.例文帳に追加

電極基部表面に、無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、無電解金めっき皮膜の順に形成させた半導体ウエハー上の電極にする。 - 特許庁

To provide an electroless palladium plating solution which can apply a plating layer having excellent solder packaging and wire bonding properties to electronic parts or the like.例文帳に追加

本発明は、電子部品などへのはんだ実装およびワイヤーボンディング性に優れためっき層を施すことができる無電解パラジウムめっき液を提供する。 - 特許庁

In this invention, the palladium plating layer is used instead of a conventional nickel layer, so that the bonding strength of wire bonding between the copper wire or the copper palladium wire and the solder pad can be improved.例文帳に追加

本発明では、従来のニッケル層の代わりに、パラジウムめっき層を使用することで、銅線や銅パラジウム線と半田パッドのワイヤボンディング接合強度を向上させる。 - 特許庁

The lead frame is formed of a substrate 30a comprising copper on which nickel plating 30b, palladium plating 30c, and gold plating 30d are sequentially applied, wherein a specific surface area is 1.3 or larger.例文帳に追加

銅からなる基材３０ａの上にニッケルめっき３０ｂ、パラジウムめっき３０ｃ、金めっき３０ｄを順次施してなるリードフレームにおいて、比表面積が１．３以上である。 - 特許庁

The electroless palladium plating liquid at least comprises: a component (a): a palladium salt organic complex; a component (b): sulfide group-containing monocarboxylic acid or the salt thereof; and a component (c): hypophosphorous acid or the salt thereof.例文帳に追加

少なくとも、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）（ａ）パラジウム塩有機錯体（ｂ）スルフィド基を有するモノカルボン酸又はその塩（ｃ）次亜リン酸又はその塩を含有することを特徴とする無電解パラジウムめっき液により課題を解決した。 - 特許庁

To provide a plating structure with which extremely high electric conductivity can be realized, and a plating structure with which a gold plating layer of the high electric conductivity can be formed on the surface of a palladium plating layer without eroding a backing metal.例文帳に追加

極めて高い導電性を実現できるメッキ構造体、及び、下地金属を侵食することなくパラジウムメッキ層の表面に高い導電性を有する金メッキ層を形成できるメッキ構造体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electroless palladium plating liquid where, in a three layer plating film terminal of an electroless nickel plating film/ an electroless palladium plating film/a substitution gold plating film, a gold film is formed only by easily treatable substitution gold plating, and, even when electroless nickel-phosphorous having high flexibility is used, which has excellent joining strength in both of wire bonding joining and solder ball joining, and has excellent running properties as well.例文帳に追加

無電解ニッケルめっき被膜／無電解パラジウムめっき被膜／置換金めっき被膜の３層めっき被膜端子において、取り扱いが簡単な置換金めっきのみで金被膜を形成し、汎用性の高い無電解ニッケル−リンを使用しても、ワイヤーボンディング接合及びはんだボール接合の両方において優れた接合強度を有し、ランニング特性にも優れた無電解パラジウムめっき液を提供することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device exhibiting excellent solder resistance by sealing a semiconductor element mounted on a lead frame having a plating layer selected from a silver plating layer, a nickel plating layer, a nickel - palladium plating layer or a nickel - palladium - gold plating layer.例文帳に追加

銀メッキ、ニッケルメッキ層、ニッケル−パラジウムメッキ層又はニッケル−パラジウム−金メッキ層から選ばれるメッキ層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止して得られた耐半田性に優れた半導体装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a bonding wire or bump wire with a remarkable improvement in attraction of palladium and copper by eliminating factors hindering adhesion between palladium plating and a copper core material surface, and by stably forming a palladium coating on the copper core material surface.例文帳に追加

パラジウムめっきと銅芯材表面との密着性阻害要因を解消し、銅芯材表面にパラジウム被膜を安定して形成し、パラジウムと銅の吸着を著しく向上させたボンディングワイヤまたはバンプワイヤを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is produced by sealing a semiconductor element mounted on a lead frame having a plating layer selected from a silver plating layer, a nickel plating layer, a nickel - palladium plating layer or a nickel - palladium - gold plating layer using an epoxy resin composite containing components (A)-(F) shown below.例文帳に追加

下記の（Ａ）〜（Ｆ）成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて、銀メッキ層、ニッケルメッキ層、ニッケル−パラジウムメッキ層又はニッケル−パラジウム−金メッキ層から選ばれるメッキ層を有するリードフレームに搭載された半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

the IC socket has many electric contacts 20 which electrically connect the electrodes of the IC to a test device through an electric circuit formed to a socket board, and the electric contacts 20 have nickel palladium plating layer at a contact point 20a contacting the electrode of the IC.例文帳に追加

そして、このＩＣソケットは、ソケットボードに形成した電気回路を介してＩＣの電極を試験装置に電気的に接続する多数の電気コンタクト２０を有し、これら電気コンタクト２０は、ＩＣの電極と接触する接点部２０ａにニッケルパラジウムメッキ層を有する。 - 特許庁

To ensure that a new parameter is found that enables the estimation of adhesion to a resin, and high adhesion to the resin is stably maintained in roughing the plated surface of a lead frame that is formed of substrate comprising copper on which nickel plating, palladium plating, and gold plating are sequentially applied.例文帳に追加

銅からなる基材の上にニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっきを順次施してなるリードフレームのめっき表面を粗化するにあたって、樹脂との密着性を予測可能な新規なパラメータを見出し、そのパラメータにより、樹脂との高い密着性を安定して確保できるようにする。 - 特許庁

Also disclosed is a method for forming a plating film onto a printed circuit board comprising a process where an electroless nickel plating film is formed on the conductor part of a printed circuit board, thereafter, activation treatment for the nickel plating film is performed using the above activation composition, and subsequently, electroless palladium plating is performed.例文帳に追加

プリント配線板の導体部分に無電解ニッケルめっき皮膜を形成した後、上記活性化組成物を用いてニッケルめっき皮膜の活性化処理を行い、その後、無電解パラジウムめっきを行う工程を含むプリント配線板へのめっき皮膜形成方法。 - 特許庁

In a lead frame formed of a metal sheet 1, palladium plating 1a is applied to only a surface on the semiconductor element mounting side and a surface on the substrate mounting side, but portions not requiring mounting and side surfaces except portions which are to be bonded, with a solder of substrate mounting pad parts, to lead part surface portions to which gold wires are to be bonded, of formed lead parts, are not plated.例文帳に追加

金属板１より成形されるリードフレームにおいて、半導体素子搭載側の表面と基板実装側の表面のみにパラジウム鍍金１ａが施されていて、成形されたリード部の金線がボンディングされるリード部表面部分と基板実装用パッド部の半田で接合される部分を除いた実装不要部分及び側面には鍍金が施されていない - 特許庁

After applying nickel plating 11 at least on a pad part on which a semiconductor element is mounted of a lead frame so that a chevron-shaped projection group is formed, a nickel plating layer 12 having good spreadability is formed on the pad part so as to form a semi-spherical uneven surface, and then a palladium plating layer and a gold plating layer are further formed on the nickel plating layer 12.例文帳に追加

リードフレームの少なくとも半導体素子を搭載するパッド部上に、山型状突起群が形成されるようにニッケルめっき１１を施した後、その上に延展性の良いニッケルめっき層１２を施して半球状の凹凸表面を形成し、更にその上にパラジウムめっき層と金めっき層を形成する。 - 特許庁

In the wire bonding terminal, a substituted palladium film having a palladium purity of 99.5 wt.% or above or an electroless palladium plating film having a palladium purity of 99.5 wt.% or above, a substituted gold plating film, and an electroless gold plating film, are formed in this order on the surface of copper which is a main component of the wire bonding terminal.例文帳に追加

ワイヤボンディング用端子の銅の表面に、パラジウム純度が９９．５重量％以上の置換パラジウムめっき皮膜またはパラジウム純度が９９．５重量％以上の無電解パラジウムめっき皮膜、置換金めっき皮膜、無電解金めっき皮膜を、この順序に形成したワイヤボンディング用端子。 - 特許庁

To provide a plating solution and a plating method of electroless gold plating for plating a conductor pattern to be formed on a conductor pattern made of copper or aluminum formed on a printed circuit board or a wafer, in which a gold film is directly deposited by autocatalytic reduction reaction without performing immersion gold plating treatment on an electroless palladium plating film formed on the conductor pattern.例文帳に追加

プリント基板又はウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成される導体パターンめっきであって、導体パターン上に形成される無電解パラジウムめっき皮膜上に置換金めっき処理を施さなくても、自己触媒還元反応で直接金皮膜を析出させる無電解金めっきのめっき液及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

After metal plating, palladium plating or palladium-nickel plating large in the chemical adsorbing energy of a hydrogen atom is applied to the surface of a material, silver bromide is closely bonded to the plated surface of the material and formed silver is observed by SEM or the like to visualize a hydrogen discharge place or to measure the amount of hydrogen, which is discharged from the material, from the amount of silver.例文帳に追加

材料の表面に、水素原子の化学吸着エネルギーの大きい金属めっき、パラジウムめっきまたはパラジウム-ニッケルめっきを施した後、その上に臭化銀を密着させ、生成する銀をSEMなどで観察して、水素放出個所を可視化したり、その量から、材料より放出される水素量を測定する。 - 特許庁

A leadframe 100 has nickel plating 102, palladium plating 103, and gold flashing 104 which are provided on almost all the surfaces of a leadframe material 101 made of a copper sheet or the like in the described order, as well as silver plating 105 which is selectively provided on a part of the inner portion surrounded by the housing of a relevant semiconductor device.例文帳に追加

リードフレーム１００は、例えば銅薄板であるリードフレーム素材１０１の略全面に、ニッケルめっき１０２、パラジウムめっき１０３、金フラッシュめっき１０４をこの順に施し、さらに、当該半導体装置の外囲器に囲繞される部分であるインナー部の一部に選択的に銀めっき１０５を施して構成される。 - 特許庁

In the bonding wire in which a core material 1 composed mainly of copper is subjected to palladium plating 2, a maximum diameter of voids existing in the vicinity of a copper core material interface below a palladium coating layer is 60 nm or less, and the number of voids having a maximum diameter of 10 nm or more which exist per 1 μm of the coating length is 0.6 or less on average.例文帳に追加

銅を主成分とする芯材１にパラジウムめっき２を施したボンディングワイヤであって、パラジウム被覆層下の銅芯材界面近傍に存在するボイドの最大径が６０ｎｍ以下で、かつ該被膜長さ１μｍ当りに存在する最大径が１０ｎｍ以上のボイドの個数が平均０．６個以下であるボンディングワイヤ。 - 特許庁