「"diffused layer"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a means for preventing occurrence of excessive silicide formation on a diffused layer of a MOSFET in a semiconductor device provided with a ferroelectric capacitor, and the MOSFET having the diffused layer provided with a silicide layer.例文帳に追加

シリサイド層を形成した拡散層を有するＭＯＳＦＥＴと強誘電体キャパシタとを備えた半導体装置のＭＯＳＦＥＴの拡散層の過度のシリサイド化を防止する手段を提供する。 - 特許庁

Phosphorus atoms 26b for forming an Noffset diffused layer is implanted at a deep level, to enable making the diffusion depth of the Noffset diffused layer large, and the electrostatic breakdown strength can be improved.例文帳に追加

また、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層形成のリン原子２６ｂを深く打ち込むことで、Ｎｏｆｆｓｅｔ拡散層の拡散深さを深くすることができて、静電破壊耐量を向上させることができる。 - 特許庁

To enhance performance of a semiconductor device by shallow jointing of an impurity diffused layer and reducing the resistance.例文帳に追加

不純物拡散層の浅接合化と低抵抗化を可能にし、半導体装置の性能を向上する。 - 特許庁

The n-type guard ring 5 and the p-type diffused layer 6 are reverse biased to form a capacitor 7.例文帳に追加

さらに、Ｎ型ガードリング５とＰ型拡散層６とが逆バイアスされてコンデンサ７を形成している。 - 特許庁

A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加

メモリセルの拡散層２がｎ型である半導体メモリであって、ｎ型領域４を有している。 - 特許庁

The first and second diffused layer 51, 52 of each dummy cell DMC are commonly connected with wiring 53.例文帳に追加

各ダミーセルＤＭＣの第１、第２の拡散層５１、５２は、配線５３により共通接続されている。 - 特許庁

CIRCUIT SIMULATION DEVICE INTEGRATED WITH DIFFUSED LAYER LENGTH DEPENDENCY OF TRANSISTOR AND TRANSISTOR MODEL CREATION METHOD例文帳に追加

トランジスタの拡散層長依存性を組み込んだ回路シミュレーション装置およびトランジスタモデル作成方法 - 特許庁

Here, a mutually diffused layer 4 is formed at a joint interface between the copper electrode 2 and the bump electrode 3.例文帳に追加

このとき銅電極２とバンプ電極３との接合界面には相互拡散層４を形成する。 - 特許庁

A polycrystalline silicon film 7a and a silicide film 8a are formed on the n-type diffused layer 6.例文帳に追加

またｎ型拡散層６の上には、多結晶シリコン膜７ａおよびシリサイド膜８ａを形成する。 - 特許庁

The photodetector comprises a photodetectro section having a p-type diffused layer 101 and a p-type semiconductor layer 102 sequentially formed on a silicon substrate 100, and an n-type diffused layer 103 provided near a surface of the layer 102.例文帳に追加

シリコン基板１００上に、順に、Ｐ型拡散層１０１と、Ｐ型半導体層１０２とを備え、このＰ型半導体層１０２の表面付近に、Ｎ型拡散層１０３を設けて受光部を構成する。 - 特許庁

Due to the existence of the carbon fibers facing the direction of thickness of the gas diffused layer, an electrically conductive path is formed directly in the direction of the thickness by the carbon fibers and the electrical conductivity in the direction of thickness of the gas diffused layer is improved.例文帳に追加

ガス拡散層の厚み方向に配向した炭素繊維の存在により、厚み方向に直接炭素繊維による電気伝導パスが形成され、ガス拡散層の厚み方向の電気伝導性が向上する。 - 特許庁

The mutually diffused layer 4 is formed in at least one process selected from among, for example, ultrasonic waves or heat.例文帳に追加

相互拡散層４は、例えば超音波及び熱から選ばれる少なくとも一つの処理により形成する。 - 特許庁

To form a diffused layer of an ideal impurity concentration distribution in a high efficiency in the manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、理想的な不純物濃度分布の拡散層を高効率で形成する。 - 特許庁

The method also includes a step of thereafter forming a second n-type diffused layer 8 with the gate electrode 5 and the sidewall spacer 7 set as a mask.例文帳に追加

その後、ゲート電極５及びサイドウォールスペーサ７をマスクにして、第２のｎ型拡散層８を形成する。 - 特許庁

An eutectic component is formed on an diffused layer 32 (step S3), and a liquid phase of the eutectic component is formed (step S4).例文帳に追加

拡散層３２に共晶組成を生成し（ステップＳ３）、共晶組成の液相を生成する（ステップＳ４）。 - 特許庁

A diffused layer 6 as an electrode lead-out part of an aluminum fuse 1 is directly covered with a protective film 9.例文帳に追加

アルミヒューズ１の電極引き出し部である拡散層６が保護膜９によって直接被覆されている。 - 特許庁

A mask film 8 is removed and arsenic ions are implanted so as to form an n--type source/drain diffused layer 10.例文帳に追加

その後マスク膜８を除去して、砒素をイオン注入して、ｎ^-型ソース、ドレイン拡散層１０を形成する。 - 特許庁

Thereafter the photoresist mask on the p-type diffused layer 14 is removed to form a contact plug 16 in the contact hole.例文帳に追加

その後、ｐ型拡散層１４上のフォトレジストマスクを除去して、コンタクトホールにコンタクトプラグ１６を形成する。 - 特許庁

Therefore, the diffused layer and a well do not short-circuit, and electrical evaluation of the defect can be stably carried out.例文帳に追加

したがって、拡散層とウェルがショートすることがなく、安定して欠陥の電気的評価をすることができる。 - 特許庁

A diffused layer 15a under a tunnel oxide film in a EEPROM forming region 1 and a diffused layer 15b for a control gate and a low- concentration diffused layer 16 of an offset portion in an NPG transistor forming region 2 are formed in a batch by implanting an n-type impurity 14 to a silicon substrate with a resist pattern 13 serving as a mask.例文帳に追加

レジストパターン１３をマスクとしてシリコン基板１１にＮ型不純物１４をイオン注入することにより、ＥＥＰＲＯＭ形成領域１におけるトンネル酸化膜下の拡散層１５ａ、コントロールゲート用拡散層１５ｂ及びＮＰＧトランジスタ形成領域２におけるオフセット部の低濃度拡散層１６を一括して形成する。 - 特許庁

With an activated heat-treatment, a source diffused layer 15 and a drain diffused layer 16 comprising diffused arsenic ion are formed, and an offset drain layer 17, comprising a two-layer structure of a first layer 17a comprising a diffused phosphorus ion and a second layer 17b which consists of diffused arsenic ions, is formed between the gate electrode 13 and the drain-diffused layer 16.例文帳に追加

活性化熱処理を行い、ヒ素イオンを拡散してなるソース拡散層１５及びドレイン拡散層１６を形成すると共に、リンイオンを拡散してなる第１の層１７ａとヒ素イオンを拡散してなる第２の層１７ｂとの２層構造からなるオフセットドレイン拡散層１７を、ゲート電極１３とドレイン拡散層１６との間に形成する。 - 特許庁

The outside of the layer 16 is encircled with a plurality of guard ring diffused layers 171 to 174, and a pad diffused layer 18 formed at the position under the lower part of the gate pad 35 is made to connect with the guard ring diffused layer 171 on the innermost periphery of the diffused layers 171 to 174.例文帳に追加

固定電位拡散層１６の外側を複数本のガードリング拡散層１７_1〜１７_4で囲い、ゲートパッド３５の下方位置に形成したパッド拡散層１８を最内周のガードリング拡散層１７_1に接続させる。 - 特許庁

A first P+ diffused layer 10 constituting an emitter region of a horizontal PNP transistor and a second P+ diffused layer 10 constituting a collector region are formed on an embedded silicon oxide film 2 on the SOUI substrate, respectively.例文帳に追加

横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ領域を構成する第１のＰ^+ 拡散層１０及びコレクタ領域を構成する第２のＰ^+ 拡散層１０は、それぞれ、ＳＯＩ基板上の埋込シリコン酸化膜２上に形成されている。 - 特許庁

To evaluate displacement of alignment of a diffused layer and a gate electrode with high accuracy and rapidity by measuring it electrically.例文帳に追加

拡散層とゲート電極との合わせずれ量を電気的に測定し、高精度に且つ迅速に評価できるようにする。 - 特許庁

To form an impurity diffused layer where the impurity concentration is uniform on the side of a semiconductor fin in a fin-type transistor.例文帳に追加

フィン型トランジスタにおいて、半導体フィンの側面に不純物濃度が一様な不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

A heavily doped source/drain region is formed on the second insulating film so that it may be connected with the source/drain diffused layer.例文帳に追加

第２絶縁膜上にソース／ドレーン拡張層と連結されるように高濃度ソース／ドレーン領域が形成される。 - 特許庁

To obtain a liquid crystal display panel having a diffuse reflection film wherein a reflection layer does not float and a diffused layer has no damage.例文帳に追加

反射層が浮き上がらず、さらに拡散層に損傷がない拡散反射膜を有する液晶表示パネルを得る。 - 特許庁

To form a thin impurity-diffused layer in high concentration next to a gate electrode, in a silicide structure of semiconductor device.例文帳に追加

サリサイド構造の半導体装置において、ゲート電極に隣接して薄く高濃度の不純物拡散層を形成する。 - 特許庁

To uniformize the film quality of a silicide layer formed on an impurity-diffused layer while an increase of the resistance of the silicide layer is suppressed.例文帳に追加

高抵抗化を抑制しつつ、不純物拡散層上に形成されるシリサイド層の膜質の均一化を図る。 - 特許庁

An N+ region 37 is formed as the contact of the N-diffused layer 35 in a partial region of the P-region 21a.例文帳に追加

Ｐ領域２１ａの一部の領域にＮ拡散層３５のコンタクトとしてＮ^+領域３７が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, a metal insulator semiconductor device is prepared by forming the P^+diffused layer 11 or the like on the backside of the substrate.例文帳に追加

その後，基板裏面にＰ^+ 拡散層１１等を形成することにより，絶縁ゲート型半導体装置が作製される。 - 特許庁

A gate insulating film and a gate electrode are formed on a substrate, and ions are implanted into the substrate for the formation of a diffused layer.例文帳に追加

基板に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを形成した後、イオン注入をおこない拡散層を形成する。 - 特許庁

A source/drain diffused layer 25 is formed on the surface of the semiconductor substrate so as to sandwich a channel region under a gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層２５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffused layer of proper characteristics at a low cost.例文帳に追加

良好な特性の不純物拡散層を形成可能な半導体装置の製造方法を低コストに提供する。 - 特許庁

The Cu content of the diffused layer c is preferably not less than 50 μg/cm^2 and not more than 300 μg/cm^2.例文帳に追加

前記拡散層ｃのＣｕ含有量は、５０μｇ／ｃｍ^2以上３００μｇ／ｃｍ^2以下とすることが好ましい。 - 特許庁

An active region 7a is encircled with a fixed potential diffused layer 16, and channel regions 15 are formed in the region 7a.例文帳に追加

固定電位拡散層１６で能動領域７ａを取り囲み、能動領域７ａ内にチャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

To provide a method for producing a diffused layer for a fuel cell having sufficient workability, excellent gas permeability and high porosity.例文帳に追加

加工性に富み、ガス透過性に優れて、しかも空隙率の高い燃料電池用の拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

After the formation of sidewall 106, a diffused layer 107 is formed and then the first titanium silicide film 108 is formed.例文帳に追加

次にサイドウォール１０６を形成した後、拡散層１０７を形成し、その上に第１のチタンシリサイド１０８を形成する。 - 特許庁

Then, the current diffused layer 5 constituted of AlGaAs is formed so as to be made hard with Vickers hardness of 700 or more.例文帳に追加

そして、ＡｌＧａＡｓからなる電流拡散層５が、ビッカース硬さで７００以上になるように硬く形成されている。 - 特許庁

This etched masking layer is used as a P+ type body diffused layer and an ion implantation mask for N- type and source offset layer.例文帳に追加

このエッチング加工したマスク層は、Ｐ^+ 型ボディー拡散層、Ｎ^- 型のソースオフセット層のイオン注入マスクとして利用される。 - 特許庁

A silicon oxide film 3 is formed between a sapphire substrate 1 on a PMOS 5 side and an impurity diffused layer (mono-crystal silicon film) 41.例文帳に追加

ＰＭＯＳ５側のサファイア基板１と不純物拡散層（単結晶シリコン膜）４１との間に、シリコン酸化膜３を設ける。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory apparatus that is highly reliable, and wherein a diffused layer and a contact of a select transistor are electrically and appropriately connected and the surface of the diffused layer of a memory cell transistor are protected from etching; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

選択トランジスタの拡散層とコンタクトとが電気的に良好に接続され、かつ、メモリセルトランジスタの拡散層の表面がエッチングから保護された、信頼性の高い不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a variance of sheet resistance in an impurity diffused layer can be suppressed when the impurity diffused layer is formed in a semiconductor substrate through the vapor-phase diffusion of impurities in a diffusion furnace.例文帳に追加

拡散炉において不純物を気相拡散させることにより半導体基板に不純物拡散層を形成した半導体装置の製造方法において、不純物拡散層のシート抵抗のばらつきを抑制可能とした製造方法を提供する。 - 特許庁

When the needle of the measuring terminal contacts the silicide layer, even if the silicide layer, which acts as a pad, is damaged by the needle pressure, the diffused layer is not damaged since a second semiconductor layer, which works as a pad electrode, exists on the diffused layer and serves as a buffer member.例文帳に追加

シリサイド層上に測定端子の針を接触させても、パッドとなるシリサイド層は針圧によって破壊されても、拡散層上にパッド電極となる第２半導体層が存在し、緩衝材として働くので拡散層が破壊されることがない。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer 2 is provided on the surface of a p^+-type semiconductor substrate 1 by, for example, epitaxial growth, and a first diffused layer 3 and a second diffused layer 4 of p-type are provided at a specified interval at the surface of the n-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

ｐ^＋形半導体基板１の表面にｎ^−形半導体層２が、たとえばエピタキシャル成長により設けられ、そのｎ形半導体層２表面に所定間隔でｐ形の第１拡散領域３および第２拡散領域４が設けられている。 - 特許庁