「"diffused layer"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Using the second mask 9, an n+ diffused layer 11 and n+ diffused layer 14 are formed for determining the threshold of the transistor.例文帳に追加

第２のマスク９を用いて、トランジスタのしきい値を決定するＮ^+ 拡散層１１とＮ^+ 拡散層１４を形成する。 - 特許庁

A diffused layer 13 is formed in a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１には拡散層１３が形成されている。 - 特許庁

METHOD/EQUIPMENT FOR EVALUATING DIFFUSED LAYER OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE例文帳に追加

半導体基板の拡散層評価方法及び拡散層評価装置 - 特許庁

The wiring L1, L2 are connected to the N-type diffused layer 4.例文帳に追加

そのＮ型拡散層４に配線Ｌ１，Ｌ２が接続されている。 - 特許庁

A source diffused layer 120 and a drain diffused layer 121 are formed partially in a substrate 122 composed of semiconductors.例文帳に追加

半導体からなる基板１２２内には、基板１２２とはソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１が部分的に形成されている。 - 特許庁

At this time, a boron silicate glass layer is formed on the diffused layer, and a boron silicide layer is formed between the glass layer and the diffused layer.例文帳に追加

このとき、拡散層上にボロンシリケートガラス層が形成され、そのガラス層と拡散層との間にはボロンシリサイド層が形成される。 - 特許庁

The DZ 220 is constituted by the junction between an N-type impurity diffused layer 54 continuous to the drain region and a p-type impurity diffused layer.例文帳に追加

ＤＺ２２０はドレイン領域に連続するＮ型不純物拡散層５４とＰ型不純物拡散層５６との接合により構成される。 - 特許庁

The n-type diffused layer 6 has an impurity concentration higher than that of a heavily-doped n-type diffused layer used in a normal MOSFET.例文帳に追加

ｎ型拡散層６は、通常のＭＯＳＦＥＴで用いられる高不純物濃度ｎ型拡散層１６よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

An N+ diffused layer 22, which is to be a drain, is covered with an N-type well 52, while an N+ diffused layer 23 which is to be a source is covered with an N-type well 2.例文帳に追加

ドレインとなるＮ＋拡散層２２をＮ型ウェル５２で覆うとともに、ソースとなるＮ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆う。 - 特許庁

A channel region 21 through which a channel current flows is formed in the substrate 122 between the source diffused layer 120 and the drain diffused layer 121.例文帳に追加

ソース拡散層１２０およびドレイン拡散層１２１の間の基板１２２内には、チャネル電流が流れるチャネル領域２１が形成される。 - 特許庁

The Al diffused layer 12 is formed by a powder process and the AlN layer 13 is formed by subjecting the Al diffused layer 12 to a nitriding treatment.例文帳に追加

Ａｌ拡散層１２は、粉末法により形成され、ＡｌＮ層１３は、Ａｌ拡散層１２を窒化処理することにより形成される。 - 特許庁

A p+-type diffused layer 21 provided at the upper part of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１の上部にｐ^+ 型の拡散層２１を設ける。 - 特許庁

Subsequently, the impurity is implanted to this element forming surface to form a diffused layer 15 and moreover the surface 16 of this diffused layer 15 is formed as a metal silicide.例文帳に追加

続いて、この素子形成面に不純物を注入して拡散層１５を形成し、さらにこの拡散層１５の表層１６を金属シリサイドとする。 - 特許庁

The N-diffused layer 35 and N+ region 37 are formed away from a field oxide film 26 for element isolation, with a P-diffused layer 27 below it.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５及びＮ^+領域３７は素子分離用のフィールド酸化膜２５及びその下のＰ拡散層２７から離れて形成されている。 - 特許庁

A source/drain diffused layer is formed on the lightly doped source/drain region.例文帳に追加

低濃度ソース／ドレーン領域上にソース／ドレーン拡張層が形成される。 - 特許庁

An Si (epitaxial film 8) is selectively grown on a silicon substrate 1 (diffused layer).例文帳に追加

シリコン基板１（拡散層）上にＳｉ（エピ膜８）を選択成長させる。 - 特許庁

A channel doped layer (channel diffused layer) of an MOS transistor or CMOS transistor is e.g. such a p-type local doped layer 5 formed locally between an n-type source diffused layer 11 and an n-type drain diffused layer 12, as shown in Fig. 1.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタあるいはＣＭＯＳトランジスタのチャネルドープ層（チャネル拡散層）が、例えば図１に示すようなＰ型局所ドープ層５がＮ型ソース拡散層１１とＮ型ドレイン拡散層１２との間に局部的に形成される。 - 特許庁

A diffused layer 70 is formed using the laminated layer SL as a mask.例文帳に追加

積層された層ＳＬをマスクとして用いて拡散層７０が形成される。 - 特許庁

A diffused layer 11 is formed in the semiconductor substrate in a periphery of a trench depth part.例文帳に追加

拡散層１１は、トレンチ深部周囲の半導体基板内に形成される。 - 特許庁

To suppress abnormal growth and aggregation of a silicide film of an impurity diffused layer in a semiconductor device in which the silicide film is formed in a gate electrode and the impurity diffused layer.例文帳に追加

ゲート電極および不純物拡散層にシリサイド膜が形成された半導体装置において、不純物拡散層のシリサイド膜の異常成長や凝集を抑える。 - 特許庁

The contact hole on the p-type diffused layer 14 is covered with a photoresist mask to remove a part of the region implanted by the p-type dopants from the n-type diffused layer 13.例文帳に追加

ｐ型拡散層１４上のコンタクトホールをフォトレジストマスクで覆い、ｎ型拡散層１３からｐ型ドーパントを注入された領域の一部を除去する。 - 特許庁

The electrode pads 22, 24 are each connected with a diffused layer of a source region.例文帳に追加

電極パッド２２と２４は、ソース領域の拡散層にそれぞれ接続されている。 - 特許庁

The source diffused layer 13 of the MOS transistor is connected to a source line 15, and a drain diffused layer 16 is connected to the TRM element via local interconnect wiring 22.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタのソース拡散層１３は、ソース線１５に接続され、ドレイン拡散層１６は、ローカルインターコネクト配線２２を経由して、ＴＭＲ素子に接続される。 - 特許庁

Signal charges transferred from a charge transfer part are accumulated in a floating diffused layer 12, and change of potential of the floating diffused layer is amplified with a two-stage source follower circuit and outputted.例文帳に追加

電荷転送部を転送されてきた信号電荷を浮遊拡散層１２に蓄え、浮遊拡散層の電位変動を２段ソースフォロア回路で増幅して出力する。 - 特許庁

A gate oxide film is provided with a thick-film section 15 in contact with the first diffused layer 19, and a thin-film section 14 in contact with the second diffused layer 18 and a channel area 27.例文帳に追加

ゲート酸化膜は、第１の拡散層１９に接する厚膜部１５と、第２の拡散層１８及びチャネル領域２７に接する薄膜部１４とを有する。 - 特許庁

To enable wiring in an upper layer to be connected to a conductor or an impurity diffused layer, even if the wiring in the upper layer is displaced from the conductor and the impurity diffused layer.例文帳に追加

上層の配線が導電体や不純物拡散層からずれていても、上層の配線を導電体や不純物拡散層に接続することができるようにする。 - 特許庁

Ions are then implanted into the surface of the diffused layer and into the surface of the gate electrode for the formation of amorphous layers on the surface of the diffused layer and on the surface of the gate electrode.例文帳に追加

その後、拡散層表面と、前記ゲート電極表面とに、イオンを注入し、拡散層表面と、ゲート電極表面とに、非晶質層を形成する。 - 特許庁

By applying relatively large positive bias to the drain diffused layer 2 side, hot electrons generated in a channel region on the drain diffused layer 2 side are injected into a floating gate 5.例文帳に追加

ドレイン拡散層２側に比較的大きな正バイアスを与えることにより、ドレイン拡散層２側のチャネル領域で発生したホットエレクトロンを浮遊ゲート５に注入する。 - 特許庁

To provide a fuel cell with a gas diffused layer for realizing an excellent function.例文帳に追加

良好な機能を実現するガス拡散層を備えた燃料電池を提供する。 - 特許庁

A diffused layer dependency parameter correcting means 4 creates the diffused layer length dependent approximate formula of parameters from a transistor model 2 of an MOS transistor and the data of diffused layer length dependency parameters extracted from various diffused layer length transistors, and calculates the correction value of a parameter to be replaced with the value of the original parameter by using the created approximate formula.例文帳に追加

拡散層依存パラメータ補正手段４は、ＭＯＳトランジスタのトランジスタモデル２および種々の拡散層長のトランジスタから抽出した拡散層長依存パラメータのデータからこれらのパラメータの拡散層長依存性の近似式を作成し、作成した近似式を用いて元のパラメータの値と置き換えるパラメータの補正値を計算する。 - 特許庁

Then n-type dopants are implanted only into the n-type diffused layer 13 via the contact hole.例文帳に追加

そして、コンタクトホールを介して、ｎ型拡散層１３にのみｎ型ドーパントを注入する。 - 特許庁

The integrated circuit pattern of diffused layer for avoiding antenna effect is provided in the non-used region.例文帳に追加

アンテナ効果回避用の拡散層の集積回路パターンを、該不使用領域に設ける。 - 特許庁

The field effect transistor is arranged in the well diffused layer formed in a semiconductor substrate.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、半導体基板内に形成されたウエル拡散層に配される。 - 特許庁

A diffused layer 17 is provided along the inner wall of the trench 15 in the line direction.例文帳に追加

トレンチ１５の行方向の内壁部に沿って拡散層１７が設けられている。 - 特許庁

The well diffused layer is formed to be electrically isolated for each of the plurality of shift resisters.例文帳に追加

ウエル拡散層は、複数のシフトレジスタ毎に電気的に分離して形成されている。 - 特許庁

To simultaneously attain to the lowering of S/D diffused layer resis tance and the decrease in gate parasitic capacity.例文帳に追加

Ｓ／Ｄ拡散層抵抗の低減とゲート寄生容量の低減を動じ実現する。 - 特許庁

The sidewall of the opening 25, where the external base diffused layer 8 is exposed, is tapered.例文帳に追加

外部ベース拡散層８が露出している開口部２５の側壁はテーパ状となっている。 - 特許庁

An oxygen-diffused layer is formed on the first metal layer 1 at the substrate 11 side.例文帳に追加

第一金属層１の圧電基板１１側には酸素拡散層が形成されている。 - 特許庁

Because of the short-time heat treatment, impurity density profile in the diffused layer is not disturbed.例文帳に追加

短期間の熱処理のため拡散層の不純物プロファイルに影響を与えない。 - 特許庁

The grooved gate transistor of the semiconductor device is provided with a gate electrode 16 formed in a groove, a first diffused layer 19 connected with a storage node, and a second diffused layer 18 that is connected with a bit line and of which depth is smaller than that of the first diffused layer 19.例文帳に追加

半導体装置の溝型ゲートトランジスタは、溝内に形成されるゲート電極１６と、ストレージノードに接続する第１の拡散層１９と、ビット線に接続され、第１の拡散層１９よりも深さが小さい第２の拡散層１８とを有する。 - 特許庁

Here, inside the element region EA, a region CA where neither a diffused layer of the source diffused layer nor the drain diffused layer is formed is provided as a contact region of a gate electrode layer composed of polycrystal silicon and a gate wiring EG composed of aluminium.例文帳に追加

ここで、素子領域ＥＡの内側には、それらソース拡散層およびドレイン拡散層のいずれの拡散層も形成されない領域ＣＡが、多結晶シリコンからなるゲート電極層とアルミニウムからなるゲート配線ＥＧとのコンタクト領域として設けられる。 - 特許庁

Along the gate length of the cell 10, an N-type diffused layer 15 is formed on the side of the power terminal 11 and a P-type diffused layer 16 is formed on the side of the ground terminal 12 with mutual intervals inbetween.例文帳に追加

セル１０のゲート長方向には、電源端子１１側にＮ型拡散層１５が、グランド端子１２側にＰ型拡散層１６が互いに間隔をおいて形成されている。 - 特許庁

The upper interface of the first P+ diffused layer 10 and that of the second P+ diffused layer 10 are at deeper level that than of an emitter region 23 of a vertical NPN transistor.例文帳に追加

第１のＰ^+ 拡散層１０の上界面及び第２のＰ^+ 拡散層１０の上界面は、それぞれ、縦型ＮＰＮトランジスタのエミッタ領域２３の上界面より深い位置にある。 - 特許庁

Furthermore, the concentration of a diffused layer SP is set higher than that of a source area S within a range not exceeding the solid solubility of conductive impurities relating to the diffused layer SP.例文帳に追加

しかも、この拡散層ＳＰの濃度は、該拡散層ＳＰに係る導電型不純物の固溶度を超えない範囲で、ソース領域Ｓの濃度よりも大きくなるように設定する。 - 特許庁

When writing data in a memory 15, a selection gate 8, a drain diffused layer 2, and a source diffusion layer 13 are applied with positive bias, a source diffused layer 3 is grounded, and an erasing gate 9 is opened.例文帳に追加

メモリ１５へのデータの書込みは、選択ゲート８、ドレイン拡散層２及びソース拡散層１３に正バイアスを印加し、ソース拡散層３を接地、消去ゲート９を開放として行う。 - 特許庁