「"dishing-in"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To eliminate erosion or dishing in a chemical-mechanical polishing(CMP) step for forming embedded wiring, plug, etc.例文帳に追加

埋め込み配線やプラグ等を形成する際のＣＭＰ工程において、エロージョンやディッシングの発生を防止すること。 - 特許庁

According to this configuration, since the trench 5a can be formed shallowly, the generation of the dishing in the surface of the isolation insulating film 7 filled to the trench 5a during a CMP can be inhibited.例文帳に追加

本構成によれば、トレンチ５ａを浅く形成することができるため、ＣＭＰの際にトレンチ５ａに充填された分離絶縁膜７表面にディッシングが生じることを抑制できる。 - 特許庁

To prevent dishing in a CMP process, and to prevent chipping failure by reducing clogging of a dicing blade in separating a semiconductor substrate (wafer).例文帳に追加

ＣＭＰ工程におけるディッシングを防止できると共に、半導体基板（ウェハ）を個片化する際のダイシングブレードの目詰まりを低減してチッピング不良を防止できるようにする。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a wiring board capable of easily obtaining high accurate uniformity and reproducibility by attaining prevention of occurrence of a bent wafer and a wafer dishing in the case of forming a recessed wiring layer.例文帳に追加

埋め込み型の配線層を形成するに際して、ウェハの反りやディッシングの発生を防止することができ、高精度な均一性と再現性を容易に得ることのできる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of planarization with less copper dishing or with no copper dishing in the process of forming a copper interconnection using a damascene process.例文帳に追加

ダマシン法を用いて銅配線を形成するに当たり、化学・機械的研磨（ＣＭＰ）による銅のディッシングを低減、あるいはなくし、平坦化する方法を提供する。 - 特許庁

To fully suppress wiring resistance regardless of the occurrence of dishing, in a semiconductor device with an electrode or wiring such as a storage device, an information processor, etc.例文帳に追加

本発明は記憶装置や情報処理装置などのように電極や配線を内蔵する半導体装置に関し、ディッシングの発生に関わらず配線抵抗を十分に抑制することを目的とする。 - 特許庁

Between an analog block 50 and a digital block 51, a dummy diffusion layer 11 is formed as countermeasures against dishing in CMP of STI process.例文帳に追加

アナログブロック５０とデジタルブロック５１との間に、ＳＴＩ工程のＣＭＰにおけるディッシング対策のために、ダミー拡散層１１を形成する。 - 特許庁

To suppress the occurrence of dishing in a conductor, and hence to suppress the occurrence of cracks, or the like in a conductor layer or an insulator layer formed at the upper portion thereof.例文帳に追加

本発明は、導体におけるディッシングの発生を抑制し、その上方に形成する導電体層あるいは絶縁体層に割れ等が生ずるのを抑制することを目的とする。 - 特許庁

To reduce occurrence of dishing in chemical mechanical polishing by reducing occurrence of an under plate when wiring grooves of wide width and narrow width are filled by electroplating of Cu.例文帳に追加

太い幅の配線溝と細い幅の配線溝をＣｕの電解メッキで充填する際に、アンダープレートの発生を抑制し、化学機械研磨後におけるディッシングの発生を抑制する。 - 特許庁

The thickness of the copper-plated film 13 at the central region of the wide wiring groove is increased by the slit groove pattern 5b, thus suppressing the decrease (dishing) in the film of the copper- plated film at the central region of the wide groove wiring 15 in the CMP polishing.例文帳に追加

スリット溝パターン５ｂにより広幅配線溝中央部領域の銅めっき膜１３の厚さが増加し、ＣＭＰ研磨における広幅溝配線１５中央部領域の銅めき膜１３の膜減り（デッシング）が抑制できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is isolated by a shallow recess type element isolation structure which has such a structure that there is no generation of dishing in an isolated region.例文帳に追加

浅溝型素子分離構造により素子分離した半導体装置にあって、ディッシングが素子分離領域に生じないような構成を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To prevent occurrence of dishing in embedded interconnections by properly growing a metal film, when the buried interconnections are formed by growing a metal film in wide interconnection trenches through plating.例文帳に追加

溝幅が大きい配線溝にめっき法により金属膜を成長させて埋め込み配線を形成する場合に、金属膜を良好に成長させて、埋め込み配線にディッシングが起こらないようにする。 - 特許庁

To provide a polishing method which can inhibit the dishing in a small amount of use of a polishing liquid and can carry out an LSI processing of high performance when chemically and mechanically polishing a workpiece in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体デバイス製造工程で被加工体を化学的機械的研磨する際に、低い研磨液の使用量でかつディッシングを抑制し、高性能のＬＳＩ加工を行うことができる研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a flat membrane by a CMP technique without generating a dishing in a sacrificial layer, in an infrared ray sensor consisting of the membrane and a cavity section below the membrane, which are formed on one side of a silicone substrate.例文帳に追加

シリコン基板の一面側からメンブレンおよびメンブレン下の空洞部を形成してなる赤外線センサにおいて、犠牲層のディッシングを起こすことなくＣＭＰ技術により平坦なメンブレンを得る。 - 特許庁

To provide a reliable semiconductor device which can suppress dishing in a pad region through a CMP step to realize suitable photolithography and etching step, and also to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ＣＭＰ工程を経るパッド領域におけるディッシングを抑制し、適正なフォトリソグラフィ及びエッチング工程が行える高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing agent for a metallic film which can maintain extremely stable high polishing speed stably and also hardly causes scratch and hardly causes dishing in polishing, in a polishing agent for a metallic film using a hydrogen peroxide as an oxidizer.例文帳に追加

過酸化水素を酸化剤として使用した金属膜用研磨剤において、極めて安定した高い研磨速度を安定して維持できると共に、スクラッチを発生させること無く、且つ研磨におけるディッシングをも起こし難い、優れた金属膜用研磨剤を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing pad for mechanically flattening the surface of an insulation layer or metal wiring formed on a silicon substrate which has a small global step difference, hardly causes dishing in the metal wiring, and generates less dust or scratches.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、ダストやスクラッチの発生が少ない研磨パッドを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor substrate which can polish a metallic film at a high speed with a low load with use of a polishing pad having a smooth surface and can suppress occurrence of such a fault on the polished surface as scratch or dishing in a step of polishing the metallic film formed on the substrate using the polishing pad.例文帳に追加

基板の上に形成された金属膜を研磨パッドを用いて研磨する工程において、平滑な表面を有する研磨パッドで、低荷重で高速に金属膜を研磨し、かつスクラッチ、ディッシング等研磨面の欠陥の発生も抑制できる半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing liquid for metal, which can be used for a chemical polishing method used for manufacturing a semiconductor circuit, is composed of various sorts of safe additives having little environmental load, and can inhibit dishing in a metal wiring, particularly a copper-based metal wiring, or corrosion during polishing.例文帳に追加

半導体回路の製造において用いられる化学機械研磨法に使用可能な研磨液として、安全で環境負荷の少ない各種添加剤で構成され、金属配線、特に銅系金属配線のディッシングや研磨中の腐食を抑制することができる金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide an excellent polishing pad and a polishing device suppressing exfoliation of copper from an interlayer insulating film and hardly causing dishing in metal wiring in the polishing pad for use in forming a flat face on glass, a semiconductor, a dielectric/metal complex, an integrated circuit, or the like.例文帳に追加

本発明は、ガラス、半導体、誘電／金属複合体及び集積回路等に平坦面を形成するのに使用される研磨用パッドにおいて、層間絶縁膜からの銅の剥離を抑制し、金属配線でのディッシングが起こりにくい優れた研磨パッドおよび研磨装置を提供せんとするものである。 - 特許庁

Below the capacitive element, a conductor pattern 8b which is a dummy gate pattern for preventing dishing in a CMP step, and an active region 1b which is a dummy active region are arranged, and both regions are connected to the metal pattern for shielding, consisting of the wirings M1-M5, thus being connected to a fixed potential.例文帳に追加

容量素子の下方には、ＣＭＰ工程のディッシング防止のためのダミーのゲートパターンである導体パターン８ｂと、ダミーの活性領域である活性領域１ｂとが配置され、これらは配線Ｍ１〜Ｍ５からなるシールド用の金属パターンに接続されて固定電位に接続されている。 - 特許庁

To form a high-concentration impurity diffusion region, and to provide measures against dishing in CMP treatment without adding any photolithography processes with a configuration, where transistors having gate insulation films with different film thicknesses are provided and a guard ring is provided around an element formation region.例文帳に追加

膜厚の異なるゲート絶縁膜のトランジスタを備えると共に素子形成領域の周囲にガードリングを設ける構成で、フォトリソグラフィ工程を追加することなく、高濃度の不純物拡散領域の形成とＣＭＰ処理のディッシング対策を行えるようにする。 - 特許庁