「"inversion layer"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Further, a phase inversion layer can be interposed between the light-transmissive substrate and the chromium light shielding layer.例文帳に追加

投光基板とクロム遮光層間に位相反転層がさらに形成されうる。 - 特許庁

In the laser projection apparatus, a polarization inversion layer 3 is formed on a LiTaO_3 substrate 1 and then an optical waveguide is formed thereon.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ_３基板１に分極反転層３を形成した後、光導波路を形成する。 - 特許庁

In this laser apparatus, a polarization inversion layer 3 is formed on a LiTaO_3 substrate 1 and then an optical waveguide is formed thereon.例文帳に追加

ＬｉＴａＯ_３基板１に分極反転層３を形成した後、光導波路を形成する。 - 特許庁

For offsetting the negative temperature characteristic of the inversion layer, a voltage having the positive temperature characteristic is given to the gate electrodes of the control transistors which form the inversion layer.例文帳に追加

反転層の負の温度特性を相殺するのに、反転層を形成する制御トランジスタのゲート電極には正の温度特性を有する電圧を与える。 - 特許庁

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42.例文帳に追加

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。 - 特許庁

The photo-detector 15 has a p-type first impurity region (surface inversion layer) 6 formed on the semiconductor substrate 1 and an n-type second impurity region (photoelectric conversion region) 4 formed under the surface inversion layer 6.例文帳に追加

受光部１５は、半導体基板１に形成されたｐ型の第１不純物領域（表面反転層）６と、表面反転層６の下に形成されたｎ型の第２不純物領域（光電変換領域）４とを有している。 - 特許庁

To provide a method and device for evaluating a semiconductor element allowing single pulse measurement, and capable of measuring an inversion layer carrier density Ns and an inversion layer sheet resistivity ρ_ch in the same measuring system.例文帳に追加

単パルス測定が可能であり、かつ、反転層キャリア密度Nsと反転層シート抵抗率ρ_chとを同一測定系にて測定できる半導体素子評価装置および半導体素子評価方法の提供。 - 特許庁

In a light wavelength conversion element having a LiTaO_3 substrate of a c-plate and a periodic polarization inversion layer formed on the substrate, the period Λ of the polarization inversion layer and thickness T of the substrate satisfy a relation of T<Λ/0.01.例文帳に追加

ｃ板のLiTaO_3基板と、前記基板に形成した周期状の分極反転層を有し、分極反転層の周期Λと、前記基板の厚みＴが、Ｔ＜Λ／0.0１の関係を満足する光波長変換素子。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

The surface inversion layer 6 is formed by introducing indium into the region in the semiconductor substrate 1 where the photoelectric conversion region 4 is formed.例文帳に追加

表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 - 特許庁

The active layer 20 includes a p-type body region 22 in which an inversion layer is formed by application of voltage on the gate electrode 40.例文帳に追加

活性層２０は、ゲート電極４０に電圧が印加されることにより反転層が形成されるｐ型ボディ領域２２を含む。 - 特許庁

Thus, an inversion layer is formed directly under the regions 7, 7 containing the fixed charge and functioned as an extremely shallow source-drain extension.例文帳に追加

これにより、上記固定電荷を含む領域７,７直下に反転層が形成されて、極めて浅いソース・ドレインエクステンションとして機能する。 - 特許庁

When a bias of appropriate polarity and a sufficient size is given to the gate electrode, an inversion layer is formed in the channel.例文帳に追加

適切な極性と十分な大きさのバイアスをゲート電極に与えるとチャネル内に反転層が形成される。 - 特許庁

METHOD FOR SENDING AIR TO CROP USING FROST PROTECTION FAN EFFECTIVELY UTILIZING WARM AIR OF INVERSION LAYER AND CONTINUOUS AIR BLOWING例文帳に追加

逆転層の暖気と、継続する送風を有効利用する防霜ファンを利用した作物に対する送風方法 - 特許庁

The inversion layer 10 is formed on the one major surface 1a side or the other major surface 1a side of the GaN substrate 1.例文帳に追加

反転層１０は、ＧａＮ基板１の一方の主面１ａまたは一方の主面１ａ側に形成されている。 - 特許庁

The fringe field of the floating gates forms an inversion layer on surfaces of the channel regions under the floating gates adjacent in the first direction.例文帳に追加

浮遊ゲートのフリンジ電界によって、第１の方向で隣り合う浮遊ゲート間の下のチャネル領域の表面に反転層が形成される。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor storage device where the resistance of an inversion layer to be formed can be reduced and a writing speed can be improved.例文帳に追加

形成される反転層の抵抗を低減することができ、書込み速度を向上させることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加

かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域２との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁

To provide a photoelectric conversion device configured by utilizing an inversion layer induced by fixed charges, which has excellent characteristics.例文帳に追加

固定電荷により誘起した反転層を利用した構成の光電変換装置において優れた特性を有する光電変換装置を提供する。 - 特許庁

The defect-suppressing layer 205 is of p-type, and the photodiode 208 and the inversion layer 209 are of n-type.例文帳に追加

欠陥抑制層２０５はＰ型となっており、フォトダイオード２０８と反転層２０９とはＮ型となっている。 - 特許庁

The impurity concentration of the inversion layer 209 is twice or higher that of the photodiode 208.例文帳に追加

ここで、反転層２０９の不純物濃度はフォトダイオード２０８の不純物濃度の２倍以上である。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a MOS transistor which reduces short-channel effect and increases the mobility of carriers of a channel by forming an inversion layer on a silicon substrate while no bias is applied and making the thin inversion layer serve as a drain and a drain.例文帳に追加

バイアスが加わらない状態でもシリコン基板に反転層が形成され、薄い反転層がソース／ドレインの役割を果たして短チャネル効果を減少すると共に、チャネルでのキャリアの移動度を増加するＭＯＳトランジスタの製造方法。 - 特許庁

An inversion layer 110 induced by a voltage applied to the gate electrode 103 is contracted due to the expansion of the depletion layers 108a and 108b produced by a negative voltage applied to the second gate electrodes 106a and 106b, and the inversion layer 110 is turned into a quantum fine wire 107.例文帳に追加

ゲート電極１０３の電圧によって生じた反転層１１０が、第２ゲート電極１０６ａ、１０６ｂの負電圧によって形成される空乏層１０８ａ、１０８ｂの拡大により収縮し、反転層が量子細線１０７となる。 - 特許庁

There is provided a method of calculating a mobility of an inversion layer formed in a transistor, wherein the mobility in the inversion layer is calculated depending on a change in a measured value of a drain current when a gate voltage of the transistor is changed.例文帳に追加

トランジスタに形成される反転層の移動度を計算する方法であって、反転層内における移動度を、トランジスタのゲート電圧を変化させたときにおけるドレイン電流の測定値の変化に応じて計算することを特徴とする移動度の計算方法を提供する。 - 特許庁

The nonlinear optical crystal 3 presents a disk shape whose center coincides with the center of concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5 and the incident end surface 3a and emitting end surface 3b of the nonlinear optical crystal 3 have shapes along the concentric circular pattern of the polarization inversion layer 5.例文帳に追加

非線型光学結晶３は、その中心が分極反転層５の同心円状パターンの中心と一致する円板形状を呈しており、非線型光学結晶３の入射端面３ａ及び出射端面３ｂは、分極反転層５の同心円状パターンに沿った形状を有している。 - 特許庁

In the state of forming an inversion layer 33 and a depletion layer 35 by electrodes 32 and 34, a current generated by the re-coupling of charges at the localized level existing in the area of the depletion layer 35 flows through the inversion layer 33 between the electrode 36 and the electrode 31e.例文帳に追加

電極３２，３４によって反転層３３及び空乏層３５を形成した状態において、空乏層３５の領域に存在する局在準位における電荷の再結合によって生じる電流は、電極３６と電極３１ｅとの間の反転層３３を流れる。 - 特許庁

A threshold of formation of a population inversion layer between the first part of the gate insulating film and the bottom-end part of the p-type base layer is equal to or larger than a threshold of formation of a population inversion layer between the second part of the gate insulating film and the upper-end part of the p-type base layer.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の第１の部分とｐ形ベース層の底端部との間に反転分布層が形成される閾値は、ゲート絶縁膜の第２の部分とｐ形ベース層の上端部との間に反転分布層が形成される閾値以上である。 - 特許庁

With such a structure, an inversion layer is formed for a p-type base region 3 by turning only the first gate electrode 8a out of the first and second gate electrodes 8a, 8b, but the inversion layer may be formed not deep enough to connect an n^-type drift layer 2 and an n^+-type impurity region 4.例文帳に追加

このような構造では、第１、第２ゲート電極８ａ、８ｂのうちの第１ゲート電極８ａのみをオンさせることで、ｐ型ベース領域３に対して反転層を形成しながらも、その反転層がｎ^-型ドリフト層２とｎ^+型不純物領域４とを繋ぐ深さまでは形成されないようにすることができる。 - 特許庁

The invention relates to a nonvolatile magnetic memory in which a magnetization inversion layer of a ferrimagnetic structure antiferromagnetically coupled weakly with a stationary layer is reversed by a magnetic field from magnetization inversion control layers and the magnetization directions of the magnetization inversion control layers are fixed being faced to both sides of the magnetization inversion layer.例文帳に追加

本発明は、固定層と接して弱く反強磁性結合しているフェリ磁性構造の磁化反転層を磁化反転制御層からの磁場で反転させる構造とし、磁化反転制御層の磁化方向を磁化反転層の両サイドに互いに向き合った状態に固定させたことを特徴とする不揮発性磁気メモリに関する。 - 特許庁

The polarity inversion layer 20 is composed of GaN, and contains magnesium (Mg) as impurities and a polarity is inverted from a Ga polarity to an N polarity.例文帳に追加

極性反転層２０は、例えばＧａＮにより構成され、不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を含み極性がＧａ極性からＮ極性に反転されている。 - 特許庁

A translucent electrode 20 formed of ITO is formed on the polarity inversion layer 16, and an electrode 30 is formed on an exposed surface of the n-contact layer 11.例文帳に追加

極性反転層１６の上にはＩＴＯから成る透光性電極２０が、ｎコンタクト層１１の露出面上には電極３０が形成されている。 - 特許庁

The device comprises an inversion layer 209 on boundary parts of a defect-suppressing layer 205, provided on the sidewalls of trenches 203 for isolating pixels and a photodiode 208.例文帳に追加

画素分離のためのトレンチ２０３の側壁に設けられた欠陥抑制層２０５とフォトダイオード２０８との境界部分に反転層２０９を設ける。 - 特許庁

A driving gate electrode 8a for driving a vertical MOSFET by using a trench 6 having the same depth, and a gate electrode 8b for diode used for forming an inversion layer on the FWD side are formed.例文帳に追加

同じ深さのトレンチ６を用いて縦型ＭＯＳＦＥＴを駆動するための駆動用ゲート電極８ａとＦＷＤ側に反転層を形成するためのダイオード用ゲート電極８ｂを形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 17 forms a hetero-junction 25 in the first semiconductor part 15b of the GaN-based semiconductor region 15 as a two-dimensional inversion layer 23.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１７はＧａＮ系半導体領域１５の第１の半導体部１５ｂにヘテロ接合２５を成し、二次元反転層２３が形成される。 - 特許庁

ON operation is effected by varying the voltage of the variable potential insulating electrode 5 through a gate electrode G, thereby forming an inversion layer in the channel region 8.例文帳に追加

つまり、可変電位絶縁電極５にゲート電極Ｇを介して電圧を可変とすることで、チャネル領域８に反転層を形成しＯＮ動作を成す。 - 特許庁

The active layer 20 includes a body region 22 in which an inversion layer 29 is formed in the region contacting the gate oxide film 30 by applying a voltage to the gate electrode 40.例文帳に追加

活性層２０は、ゲート電極４０に電圧が印加されることによりゲート酸化膜３０に接触する領域に反転層２９が形成されるボディ領域２２を含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a MOS field effect transistors or the like which can be manufactured by eliminating an inversion layer formed with ion implantation, thereby preventing diffusion at an increased rate.例文帳に追加

イオン注入により生成させる反転層を消滅させ、これにより増速拡散を防止して製造することができるＭＯＳ型電界効果トランジスタなどを有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a photoelectric converting element that can suppress formation of an inversion layer formed where a silicon substrate and a silicon nitride film come into contact with each other.例文帳に追加

シリコン基板と窒化シリコン膜の接する部分に形成される反転層の形成を抑制することができる光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology for reducing variation in characteristics among memory cells in a nonvolatile semiconductor memory employing a memory system where an inversion layer is utilized for interconnection.例文帳に追加

反転層を配線に利用するメモリ方式を採用した不揮発性半導体記憶装置において、メモリセル間の特性ばらつきを低減することのできる技術を提供する。 - 特許庁

When a voltage is applied to an emitter gate layer 104 of the block 20 serving as a drain electrode, an inversion layer is spread right under the layer 104 and a channel where electrons or holes move is formed between the layer 104 and the source electrode 204.例文帳に追加

ドレイン電極となるブロック２００のエミッタゲート層１０４に電圧を印加すると、その直下に反転層が広がり、ソース電極２０４との間に電子、または正孔が移動できるチャネルが構成される。 - 特許庁

To provide a vibrator for a piezoelectric vibrating gyroscope simple in structure, easily manufactured and allowing a vibrator single body to excite bending vibration without forming a polarization inversion layer.例文帳に追加

分極反転層を形成することなく、振動子単体で屈曲振動を励振することを可能にして、構造が簡単で、かつ製作が容易な圧電振動ジャイロ用振動子を提供すること。 - 特許庁

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device that excellently executes various operations such as a reading operation, by reducing resistance in an inversion layer functioning as a source/drain while achieving a size reduction and miniaturization; and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

小型化および微細化を図りつつ、ソース／ドレインとして機能する反転層の抵抗低減を図り、読出し動作等の各種動作を良好に行うことができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a liquid phase epitaxial growth method by which the formation of a so called lightning type inversion layer is hindered and an excellent PN junction is formed, and a semiconductor device.例文帳に追加

いわゆるイナズマ型反転層の形成を阻止でき、良好なＰＮ接合を形成することができる液相エピタキシャル成長方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁