「"pin junction"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

In the first step, a silicon oxide film is formed in a wafer having a semiconductor layer constituting the PIN junction part.例文帳に追加

上記ＰＩＮ接合部を構成する半導体層を有するウェハに酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

The pin junction 100 is obtained by stacking an n-layer 13, an i-layer 14 and a p-layer 15 in this order.例文帳に追加

ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５をこの順に積層して得る。 - 特許庁

As a result, the multi-junction photoelectric conversion device in which sufficient conductivity between pin junction and pin junction is secured and semiconductor junctions are connected in series can be provided.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供することができる。 - 特許庁

Accordingly, there is provided the multi-junction photoelectric conversion device, in which semiconductor junctions are connected in series and full electrical connection between pin junction and pin junction is ensured.例文帳に追加

その結果、ｐｉｎ接合とｐｉｎ接合との十分な導電性を確保した、半導体接合を直列接続する多接合タイプの光電変換装置を提供できる。 - 特許庁

To provide a wiring board with a lead pin in which a pin is brazed to the pin junction of the board capable of increasing the reliability of the connection strength of the pin and the pin junction, and preventing the failure of the insertion into a socket or the like.例文帳に追加

基板のピン接合部にピンがロウ付けされた配線基板において、ピンと、ピン接合部との接続強度の信頼性が高く、ソケット等への差込の不具合のないリードピン付き配線基板を提供すること。 - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency by refining the interface of pin junction of a crystalline silicon thin film solar battery.例文帳に追加

結晶シリコン系薄膜太陽電池のｐｉｎ接合の界面を改良することにより光電変換効率を向上する。 - 特許庁

In the second step, a mask formed of a photo resist film forming the PIN junction side wall is formed on the silicon oxide film.例文帳に追加

第２工程は、上記酸化シリコン膜上に上記ＰＩＮ接合部側壁を形成するホトレジスト膜からなるマスクを形成する。 - 特許庁

From the optical viewpoint, a light-receiving part having a PIN junction structure is formed in the lower semiconductor reflection mirror of the resonator.例文帳に追加

光学的には、共振器の下部半導体反射ミラー内にＰＩＮ接合構造を有する受光部が形成された構造となっている。 - 特許庁

A solar cell 10 is manufactured by stacking a metal electrode layer 12, a pin junction 100 and a transparent electrode layer 16 in this order on a substrate 11.例文帳に追加

太陽電池１０は、基体１１上に、金属電極層１２、ｐｉｎ接合１００、及び透明電極層１６が順に積層されて製造される。 - 特許庁

An i-type a-Si layer 2 and a p-type a-Si layer 3 are deposited on the substrate 1 (an n-type silicon wafer), and a PIN junction is formed (a).例文帳に追加

基板１（ｎ型シリコンウエハ）上に、ｉ型ａ−Ｓｉ層２及びｐ型ａ−Ｓｉ層３を堆積させてｐｉ接ｎ合を作成する（ａ）。 - 特許庁

The pin junction 100 is constituted by successively laminating an n-layer 13, an i-layer 14, and a p-layer 15 upon another in this order.例文帳に追加

また、ｐｉｎ接合１００は、ｎ層１３、ｉ層１４、及びｐ層１５が順に積層されて成るものである。 - 特許庁

The method is used to manufacture a semiconductor device that includes a PIN junction part with an I-type semiconductor layer formed on the main surface of a semiconductor substrate and is provided with a PIN junction side wall having a flat face where a part corresponding to the I-type semiconductor layer is vertical to the main surface thereof.例文帳に追加

半導体基板主面に形成されたＩ型半導体層を有するＰＩＮ接合部とを含んで、上記Ｉ型半導体層に対応した部分が上記主面に対して垂直方向に向かう平面的な面を持つＰＩＮ接合部側壁を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A solar cell 10 is constituted by successively laminating a metallic electrode layer 12, a pin junction 100, and a transparent electrode layer 16 upon a substrate 11, such as the silicon substrate etc., in this order.例文帳に追加

太陽電池１０は、シリコン基板等の基体１１上に、金属電極層１２、ｐｉｎ接合１００、及び透明電極層１６が順に積層されたものである。 - 特許庁

A pin-junction is formed by laminating an i-type hydrogenated amorphous silicon layer 2 and a p-type hydrogenated amorphous silicon layer 3 on an n-type silicon wafer 1.例文帳に追加

ｎ型のシリコンウェハ１に、ｉ型の水素化非晶質シリコン層２及びｐ型の水素化非晶質シリコン層３を積層して．ｐｉｎ接合を構成する。 - 特許庁

To provide a compound which is chemically safe and easy to be transported in large quantities as a compound used for a pin-junction amorphous semiconductor film formed as a photoelectric conversion layer of a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation material which is chemically safe and facilitates mass transport as a compound used for a pin-junction amorphous semiconductor film formed as a photoelectric conversion layer of a photovoltaic device.例文帳に追加

光起電力装置の光電変換層として成膜されるｐｉｎ接合の非晶質半導体膜に用いられる化合物として、化学的に安全で、かつ大量輸送しやすい成膜原料を提供する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element (thin film silicon solar battery) without performance degradation by light induction compared to amorphous silicon while maintaining high conversion efficiency and to especially provide the photovoltaic element suitable for being applied to the thin film silicon solar battery of a pin junction suitable for the effective utilization of solar light energy by a tandem structure.例文帳に追加

高い変換効率を維持しつつ、アモルファスシリコンに比べて、光誘起による性能劣化のない構成の光起電力素子（薄膜シリコン太陽電池）を提供する。 - 特許庁

The n-type low refractive index layer 21, the light absorption layer 22 and the p-type high refractive index layer 23 adjoining each other constitute a PIN junction, i.e. an optical detection mechanism (photodetector 24).例文帳に追加

互いに隣り合うｎ型低屈折率層２１、光吸収層２２およびｐ型高屈折率層２３がＰＩＮ接合、すなわち光検出機構（光検出器２４）を構成する。 - 特許庁

To provide a pinned wiring board which is brazed at its pin junction to a pin with a highly reliable connection intensity.例文帳に追加

基板のピン接合部にピンがロウ付けされた配線基板において、ピンと、ピン接合部との接続強度の信頼性の高いピン付き配線基板を提供する - 特許庁

To improve photoelectric conversion efficiency of a crystalline silicon photoelectric converter consisting of a pin junction deposited in the same deposition chamber.例文帳に追加

本発明の課題は、同一製膜室で製膜されたｐｉｎ接合からなる結晶質シリコン光電変換装置において、結晶質シリコン光電変換装置の光電変換効率を改善することである。 - 特許庁

In an (i) layer of a pin junction, quantum wave interference layers Q1-Q4, made by stacking a first layer W and a second layer B having a broader band width than the first layer W at a multiple cycle and carrier confinement layers C1-C3, are formed.例文帳に追加

ｐｉｎ接合のｉ層において、第１層Ｗと第１層Ｗよりもバンド幅の広いバンドを有する第２層Ｂとを多重周期で積層した量子波干渉層Ｑ_1〜Ｑ_4とキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3を設けた。 - 特許庁

To form a thin film having no grain boundary in a region wherein a pn junction or a pin junction or a channel is formed on a low cost substrate by a simple method.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはチャネルを形成する領域に、結晶粒界がない薄膜を、安価な基板上に、簡単な方法で作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a semiconductor element (thin film transistor, a thin film diode, a photoelectric converter made of a PIN junction of a silicon or a silicon resistance element) which is thin in overall thickness and flexible (bendable) and has a light weight.例文帳に追加

全体の厚さが薄く、軽量、且つ、フレキシブルな（湾曲することが可能な）半導体素子（薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を有する半導体装置およびその作製方法を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor light receiving element having a high response rate and a high photoelectric conversion efficiency owing to multiple reflection effect of light by decreasing the pin junction area sufficiently and forming a p-side electrode stably.例文帳に追加

半導体受光素子に関し、ｐｉｎ接合面積を充分に小さくして、且つ、ｐ側電極を安定に形成することができるようにして、応答速度が速く、また、光の多重反射効果に依る高い光電変換効率をもつ受光素子を実現しようとする。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

The element may be a thin-film transistor, a light emitting element having a layer containing an organic compound, an element having liquid crystal, a memory element, a thin-film diode, a photoelectric conversion element comprising a silicon PIN junction, or a silicon resistance element.例文帳に追加

上記構成において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であってもよい。 - 特許庁

The photonic crystal has a PIN junction structure formed by joining a P clad 130 made of a P-type semiconductor, an I part 170 including an active part, and an N clad 140 made of an N-type semiconductor together in a first direction, and has the plurality of resonators including the active part 160.例文帳に追加

フォトニック結晶は、Ｐ型半導体からなるＰクラッド１３０、活性部を含むＩ部１７０およびＮ型半導体からなるＮクラッド１４０が第１の方向に接合されたＰＩＮ接合構造を有するとともに、該活性部１６０を含む複数の共振器を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a stacked photoelectromotive element with which shunting of the stacked photoelectromotive element where a transparent conductive layer is installed between a plurality of photoelectromotive elements having pin junction is solved and a stacked solar battery having a satisfactory characteristic and high yield is realized.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する複数の光起電力素子の間に透明導電層を設けた積層型光起電力素子のシャントを解決し、良好な特性及び高い歩留りを有する積層型太陽電池を実現しうる積層型光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a reverse bias is applied to the pin structure by electrostatic discharge, the maximum electric field at the pin junction J1 becomes smaller that the maximum electric field at a pn junction consisting of the p-type clad region 15 and the n-type buried layer 33.例文帳に追加

静電放電により、このｐｉｎ構造に逆バイアスが印加されるとき、ｐｉｎ接合Ｊ１における最大電界は、ｐ型クラッド領域１５及びｎ型埋め込み層３３からなるｐｎ接合における最大電界より小さくなる。 - 特許庁

The stacked photovoltaic element characterized in that comprising a plurality of unit photovoltaic elements each composed of a pn- or pin-junction, connected to each other in series, wherein a zinc oxide layer is provided at least in one position between the unit photovoltaic elements, and the zinc oxide layer has resistivity varying in the thickness direction.例文帳に追加

複数のｐｎ接合またはｐｉｎ接合からなる単位光起電力素子を直列に積層してなる光起電力素子であって、前記単位光起電力素子間の少なくとも一ヶ所に酸化亜鉛層を配置しており、該酸化亜鉛層の抵抗率が層厚方向で異なることを特徴とする。 - 特許庁

The inspection method of the photovoltaic device includes a step for applying an AC voltage to the photovoltaic device that comprises at least one pin junction, and a step for detecting the response output of the photovoltaic device applied with the AC voltage.例文帳に追加

この光起電力装置の検査方法は、少なくとも１つのｐｉｎ接合を有する光起電力装置に交流電圧を印加するステップと、前記交流電圧が印加された光起電力装置の応答出力を検出するステップとを備えている。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

To enhance the efficiency of an amorphous thin film solar cell having at least one pin junction formed of a p-type semiconductor layer or an n-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film including a microcrystalline phase, a substantially intrinsic i-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film, or an n-type semiconductor layer or a p-type semiconductor layer comprising an amorphous thin film.例文帳に追加

微結晶相を含む非晶質薄膜からなるｐ型半導体層またはｎ型半導体層、非晶質薄膜からなり実質的に真性なｉ型半導体層、非晶質薄膜からなるｎ型半導体層またはｐ型半導体層で構成されるｐｉｎ接合を少なくとも一つ有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

In this manufacturing method of the photovoltaic device in pin junction structure with amorphous silicon as a main material, a p-type layer 3 is formed and then hydrogen plasma treatment is made to the p-type layer 3, then CO2 plasma treatment is made for oxidizing a p-type layer surface, and a buffer layer 4a is formed between the p-type layer and an i-type layer.例文帳に追加

非晶質シリコンを主材料としたｐｉｎ接合構造を有する光起電力装置の製造方法において、ｐ型層３を形成後にこのｐ型層３に水素プラズマ処理を施し、その後ＣＯ_2プラズマ処理を行いｐ型層表面を酸化させて、ｐ型層とｉ型層との間のバッファ層４ａを形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

Photocurrent generated in the second pin junction having the i-type microcrystal semiconductor 108 is less by 0.8 mA/cm^2 or more than photocurrent generated in adjacent first and third pin junctions.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を３組直列に設ける光起電力素子において、光入射側からｉ型非晶質半導体１１１を有する第１のｐｉｎ接合と、次にｉ型微結晶半導体１０８，１０５を有する第２と第３のｐｉｎ接合とにより構成され、ｉ型微結晶半導体１０８を有する第２のｐｉｎ接合で発生する光電流が隣接する第１および第３のｐｉｎ接合で発生する光電流より０．８ｍＡ／ｃｍ^２以上少ないことを特徴とする。 - 特許庁

In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.例文帳に追加

本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁