「とらすと」に関連した英語例文の一覧と使い方(999ページ目) - Weblio英語例文検索

シス−1,4−シクロヘキサンジメタノールをトランス−1,4−シクロヘキサンジメタノールに異性化するに際して、トランス−1,4−シクロヘキサンジメタノールを高回収率且つ簡便に回収する。例文帳に追加

To simply recover trans-1,4-cyclohexanedimethanol in a high recovery, when cis-1,4-cyclohexanedimethanol is isomerized into trans-1,4- cyclohexanedimethanol. - 特許庁

本発明の電極塗工方法は、電極材料用のスラリーＳ１を集電体４１上にストライプ塗工して、複数条のストライプ電極４２を形成する方法である。例文帳に追加

The electrode coating method is to form a plurality of stripe electrodes 42 with a plurality of lines by performing the stripe coating of slurry S1 for electrode materials on a charge collector 41. - 特許庁

複数のスペクトラム拡散処理回路55,65,75は遅延装置53,63,73からの複数のチップ符号信号同期出力を用いて複数の逆拡散のスペクトラム拡散処理する。例文帳に追加

A spread processing is performed for the plural inverse spread signals by using synchronous output of the plural chip code signal from delaying devices 53, 63, 73 by plural spread spectrum processing circuits 55, 65, 75. - 特許庁

前記制御ＰＭＯＳトランジスタのバルクに印加されるバルク電圧は、前記制御ＰＭＯＳトランジスタのソースである制御ノードより高い電圧レベルを有する。例文帳に追加

A bulk voltage applied to the bulk of the control PMOS transistor has a voltage level higher than a control node which is a source of the control PMOS transistor. - 特許庁

ＳｉＣ層は、ＰＭＯＳトランジスタＰ１のチャネル領域の下方から、ＰＭＯＳトランジスタＰ１を構成する電極領域内若しくは電極領域下に渡って、形成される。例文帳に追加

The SiC layer is formed from below a channel region of the PMOS transistor P1 to in or below an electrode region constituting the PMOS transistor P1. - 特許庁

ディスクチャッキング状態で、重量バランスの不均衡によるトラバース２０の捩れ変形を修正してその姿勢の安定化を助けるトラバース姿勢保持手段５０を追加する。例文帳に追加

A traverse posture holding means 50 is added which corrects the torsional deformation of the traverse 20 caused by the imbalance of the weight to assist the stabilization of the posture in the disk chucking state. - 特許庁

このため、長い電気接続を介してＴＣＵ（26）に圧力トランスデューサー（24）を接続する必要を省き、圧力トランスデューサー（24）からの低レベルの信号出力の信号経路を短縮させ、システム全体の複雑化を減らす。例文帳に追加

This configuration eliminates the need to link the pressure transducers 24 to the TCU 26 via a long electrical connection, thereby shortening a signal path of low-level signals output from the pressure transducers 24 and reducing the complexity of the overall system. - 特許庁

読み出しトランジスタのドレイン、増幅トランジスタのドレイン及びソースの各々を構成する拡散領域８、１０、１２は、第２導電型を有する。例文帳に追加

Diffusion regions 8, 10 and 12 constituting respectively the drain of the read transistor and the drain and source of the amplifying transistor have the second conductivity type. - 特許庁

カラム選択スイッチ１２を構成するＭＯＳトランジスタＱｎ４のオン抵抗は、ＭＯＳトランジスタ列Ｑｐ１及びＱｐ２の合計のオン抵抗よりも大きい。例文帳に追加

ON-resistance of a MOS transistor Qn4 constituting the column selection switch 12 is larger than the sum of ON-resistance of the MOS transistor columns Qp1 and Qp2. - 特許庁

先行トランザクション情報管理部４１０は、対応するマスタから複数のスレーブの何れかに先に発行された先行トランザクション情報を管理する。例文帳に追加

A preceding transaction information management unit 410 manages preceding transaction information issued prior to any of a plurality of slaves from a corresponding master. - 特許庁

Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ３はセンス・アンプ１０７に形成され、Ｐ型ＭＯＳトランジスタＰ４はセンス・アンプ・リファレンス回路１０８に形成されている。例文帳に追加

A P type MOS transistor P3 is formed in the sense amplifier 107, and a P type MOS transistor P4 is formed in the sense amplifier reference circuit 108. - 特許庁

キャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板、これを具備した平板ディスプレイ装置及び該キャパシタ及び薄膜トランジスタを有する基板の製造方法例文帳に追加

SUBSTRATE HAVING CAPACITOR AND THIN FILM TRANSISTOR, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE PROVIDED WITH THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE HAVING THE CAPACITOR AND THE THIN FILM TRANSISTOR - 特許庁

絶縁性の優れた絶縁膜、及び有機分子の結晶成長が促進された有機半導体膜を有する有機電子トランジスタ及び該有機電子トランジスタの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide an organic electronic transistor which has an insulation film having a superior insulating property and an organic semiconductor film with accelerated crystal growth of organic molecules, and also to provide a method of manufacturing the same. - 特許庁

そして、ランピング制御期間内の所定期間において、最終段トランジスタから出力される電圧レベルがランピングマスクの範囲内に収まるように、最終段トランジスタに供給するコレクタ電圧を制御する。例文帳に追加

In the specified time during the ramping control period, the collector voltage supplying to the last stage transistor is controlled so that the voltage level which is output from the last stage transistor is kept within the range of ramping mask. - 特許庁

次に、第二サブインタバルの間、走査線に順次第二パルスを印加して第一トランジスタをオンにし、データラインに抑止信号を与えて対応する第二トランジスタをオフにする。例文帳に追加

Next, during the second sub-interval, a second pulse is successively applied on the scanning lines to turn first transistors ON and inhibiting signals are applied on the data lines to turn corresponding second transistors OFF. - 特許庁

スイッチング用薄膜トランジスタを静電気から保護するための静電気保護用薄膜トランジスタを備えた液晶表示装置において、額縁面積を小さくする。例文帳に追加

To reduce a frame area in a liquid crystal display device having a static electricity protective thin film transistor for protecting a switching thin film transistor from static electricity. - 特許庁

パルストランスを構成するトランス本体４に設けた１次巻線１および２次巻線２の端末部１ａ，１ｂ，２ａをリードフレーム７に接続する。例文帳に追加

Terminal parts 1a, 1b, and 2a of a primary winding 1 and a secondary winding 2 in a transformer main part 4, which constitutes the pulse transformer, are connected to a lead frame 7. - 特許庁

しかし、すべての実施例において、低Ｋ層はバイポーラトランジスタの適切な機能を妨げず、従来のバイポーラトランジスタに典型的に付随したエミッタ−ベース容量を、本質的に減す。例文帳に追加

However, in all embodiments, the low-K layer does not interfere with the appropriate functions of the bipolar transistor and essentially reduces an emitter-base capacity that typically accompanies a conventional bipolar transistor. - 特許庁

バス調停回路１は、トランシーバ回路の動作速度を決定する情報をレジスタ回路４から読み込み複数のトランシーバ回路１０、１１、２０の動作速度を調整する。例文帳に追加

A bus arbitration circuit 1 reads information for deciding the operation speed of a transceiver circuit from a register circuit 4 and adjusts the operation speeds of a plurality of transceiver circuits 10, 11 and 20. - 特許庁

前駆体繊維前駆体繊維ストランドの耐炎化処理時においてストランドを構成する単繊維相互の接着が少ない耐炎化繊維の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for producing a flameproofed fiber in which adhesion between single fibers constituting a precursor fiber strand in flameproofing treatment of the precursor fiber strand is slight. - 特許庁

歪み発生器１９および２０は、バイポーラトランジスタを含む増幅器を用いて、ＭＯＳトランジスタを有するドライバアンプの応じた歪み成分を発生する。例文帳に追加

The distortion generators 19 and 20 generate corresponding distortion components of a driver amplifier having a MOS transistor using an amplifier comprising a bipolar transistor. - 特許庁

膜厚の大きいＳＯＩ層に形成された高耐圧トランジスタを含む半導体装置であって、ＳＯＩ層の裏面側に生じうる寄生ＭＯＳトランジスタの発生が抑制された半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which includes a high breakdown-strength transistor formed in an SOI layer with large thickness wherein the generation of a parasitic MOS transistor is suppressed on the rear side of the SOI layer. - 特許庁

同一基板上にＰチャネル型トランジスタ及びＮチャネル型トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、作製工程を複雑にせずに、ドーピング用マスクを作製工程からなくす。例文帳に追加

To eliminate a mask for doping from a manufacturing process, without complicating the manufacturing process in a manufacturing method of a semiconductor device having a P-channel transistor and a N-channel transistor on the same substrate. - 特許庁

支持ボス、ラッパー３０及びトランジションピース１６は、トランジションピース１６を冷却するための流れを方向付ける１以上の冷却流路３２を形成する。例文帳に追加

The support boss, the wrapper 30, and the transition piece 16 form at least one cooling passage 32 for directing a flow for cooling the transition piece 16. - 特許庁

フルサーチ（ＦＳ：full search）方法よりも高い計算効率で最適なイントラ予測モードを検出する、ビデオ圧縮におけるイントラ予測の符号化モードを選択するための方法及び装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method and apparatus for selecting a coding mode of intra prediction in video compression for detecting an optimal intra prediction mode with computation efficiency higher than that of a full search (FS) method. - 特許庁

電圧発生回路で発生する電圧が前記MOSトランジスタの両端に供給され、前記電圧発生回路で発生する電圧に応じて前記MOSトランジスタの両端のインピーダンスが可変である。例文帳に追加

The voltages generated in a voltage generation circuit are supplied to both ends of the MOS transistor and impedances of both the ends of the MOS transistor are varied according to the voltages generated in the voltage generation circuit. - 特許庁

トランスファフィーダ装置に作用する過負荷を効果的に吸収でき、装置の損傷を防止しうる鍛造プレスにおけるトランスファフィーダ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a transfer-feeder apparatus in a forging press capable of efficiently absorbing the over-load acted to the transfer-feeder apparatus and preventing the damage of the apparatus. - 特許庁

その際、調光トランジスタＱ２のオンデューティに応じて周波数設定手段３で設定するスイッチングトランジスタＱ１の駆動周波数を変化させる。例文帳に追加

The driving frequency of the switching transistor Q1 set up by a frequency setting means 3 is changed according to the on-duty of the dimming transistor Q2. - 特許庁

このパルス信号Ｃ、Ｄによって、トランジスタＴｒ_2 、Ｔｒ_3 及びトランジスタＴｒ_4 、……、Ｔｒ_7 がオン／オフされ、ジャック２に接続される電極に高い周波数治療用の高圧パルスが印加する。例文帳に追加

Transistors Tr2, Tr3 and Tr4,..., Tr7 are turned on/off by the pulse signals C and D and a high voltage pulse for a high frequency treatment is impressed on an electrode which is connected to a jack 2. - 特許庁

回路の具現が簡単で、かつ信号歪みに対する訂正処理により光ディスクのデータ記録トラックを正確に追従するトラッキングエラー信号生成装置を提供する。例文帳に追加

To provide a tracking error signal generating device in which the embodiment of a circuit is simple and a data recording track of an optical disk is tracked accurately by error correction processing of the signal distortion. - 特許庁

マイコン１１の電源ライン１３上にＰＮＰ型トランジスタＴ１を設け、各種スイッチＳＷ１〜ＳＷ３のオンオフ切替により、ＰＮＰ型トランジスタＴ１をオンオフ切替する。例文帳に追加

A PNP transistor T1 is disposed on a power supply line 13 of the microcomputer 11, and the PNP transistor T1 is turned on/turned off by switching off various kinds of switches SW1-SW3. - 特許庁

インストラクターやグラウンドに関する必要な情報は、スポーツ支援センタのスポーツ支援システム用サーバ装置２ａのインストラクター管理部１３やグラウンド管理部１４で管理される。例文帳に追加

Required information on the instructor and the ground are managed by an instructor management part 13 and a ground control part 14 of a server device 2a for a sports support system of the sports support center. - 特許庁

スイッチングトランジスタＴｒ３は、走査線ＡＺ１から供給される制御信号ＡＺ１に応じオンして駆動トランジスタのソースＳを電位Ｖｉｎｉに設定する。例文帳に追加

A switching transistor Tr3 is turned on in response to a control signal AZ1 supplied from a scanning line AZ1 and sets the source S of the driving transistor to a potential Vini. - 特許庁

スイッチングトランジスタＴｒ３は、サンプリング期間に先立ち走査線ＡＺ１から供給される制御信号ＡＺ１に応じオンして駆動トランジスタＴｒｄのソースＳを電位Ｖｉｎｉに充電する。例文帳に追加

A switching transistor Tr3 turns on according to a control signal AZ1 supplied from a scan line AZ1 prior to a sampling period to charge the source S of a drive transistor Trd to a potential Vini. - 特許庁

この構成により、上記第３周波数帯において、トランジスタ９から見たフィルタ共用器１０側のインピーダンスが低減するため、トランジスタ９において第３周波数帯の信号電圧が生じにくくなる。例文帳に追加

According to this configuration, since the impedance of the filter sharing device 10 side seen from the transistor 9 is reduced in the third frequency band, signal voltage of the third frequency band is hardly generated in the transistor 9. - 特許庁

本発明は、アンモニアガスの発生が多い畜舎・堆肥醗酵舎などの建物に有効な三角形トラスの屋根用の骨組みを構成する木造トラス建物を提供する。例文帳に追加

To provide a wooden truss building comprising a skeleton for a roof of a triangular truss effective for a building like a livestock barn or a compost fermenting barn where a large quantity of ammonia gas is generated. - 特許庁

電荷蓄積ノードを、データ電圧を供給するための第１の電圧入力部（９・ＳＬ）から選択的に絶縁するために、直列接続された第１のトランジスタ（８）および第２のトランジスタ（１０）が設けられている。例文帳に追加

First and second series-connected transistors (8 and 10) are provided for selectively isolating the charge storage node from a first voltage input (9, SL) for supplying a data voltage. - 特許庁

同様に、ｘ方向に互いに隣接して配置された２つのＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ４，Ｔ７の間にも、それらを電気的に分離する素子分離トランジスタＳＴ２が形成されている。例文帳に追加

Similarly, between two P-channel MOS transistors T4, T7 arranged adjacently to each other in the x-direction, an element isolation transistor ST2 for electrically isolating them from each other is formed. - 特許庁

オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを保存する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which stores data using a transistor having a low leakage current between a source and a drain in an OFF state as a write transistor. - 特許庁

動作上の欠点を除去し、また、用いるトランジスタ数が少ない静的動作のレベルコンバータ回路を備えたＭＯＳトランジスタ回路を提供する。例文帳に追加

To provide an MOS transistor circuit with a level converter circuit in which operations are free from drawbacks, the number of transistors used is small and the operations are static. - 特許庁

オフ状態のソース、ドレイン間のリーク電流の低いトランジスタを書き込みトランジスタに用いて、データを保存する半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device that stores data using a transistor having a low leak current between a source and a drain in an off-state as a write transistor. - 特許庁

線路カプラ２１を介してＷＤＭ−ＰＯＮシステムの共通光ファイバ線路１７を伝送する信号光Ｐｃを受け、信号光スペクトラム検出部３０によってそのスペクトラムを検出する。例文帳に追加

A signal light Pc that is conveyed on a common optical fiber path 17 of the WDM-PON system through a path coupler 21 is received, and its spectrum is detected by a signal light spectrum detection part 30. - 特許庁

電源及びスタータリレー３の間にＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１及びＴ２を直列に接続し、ＣＰＵ５が出力する制御信号によりＰチャネル型ＭＯＳトランジスタＴ１をオンさせる。例文帳に追加

P channel MOS transistors T1, T2 are connected between a power source and a starter relay 3 in series and the P channel MOS transistor T1 is turned on by a control signal output by the CPU 5. - 特許庁

ハンドストラップによりセキュリティスイッチを操作するハンドストラップ操作式を採用しながらも、その構造を簡単且つ小型化でき、安価で容易に実施できるようにする。例文帳に追加

To simplify and miniaturize the structure of a mobile phone while adopting a hand strap operation system to operate a security switch by the hand strap, thereby facilitating the operation at low cost. - 特許庁

トランジスタＱ２１は、ベース電流が供給されなくなってオフし、トランジスタＱ２２は、平滑コンデンサＣ２１の＋端子から抵抗Ｒ２６を介してベース電流が供給されてオンする。例文帳に追加

The transistor Q21 is switched off because a base current ceases to be supplied, and a transistor Q22 is switched on, being supplied with a base current via a resistor R26 from the + terminal of the smoothing capacitor C21. - 特許庁