例文 (999件) |
はんむげんたいの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 13863件
EMI低減半導体チップ例文帳に追加
EMI-REDUCED SEMICONDUCTOR CHIP - 特許庁
半導体装置および電源システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE, AND POWER-SUPPLY SYSTEM - 特許庁
電源システム状態判定装置例文帳に追加
半導体装置および電源システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SUPPLY SYSTEM - 特許庁
三次元実装半導体モジュール及び三次元実装半導体システム例文帳に追加
THREE DIMENSIONALLY PACKAGING SEMICONDUCTOR MODULE AND THREE DIMENSIONALLY PACKAGING SEMICONDUCTOR SYSTEM - 特許庁
発生期状態という,原子元素の化学的反応に富む状態例文帳に追加
a state in which a chemical reaction is efficient, called nascent state - EDR日英対訳辞書
送信源判定プログラム、記録媒体および送信源判定方法例文帳に追加
TRANSMISSION SOURCE DETERMINATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND TRANSMISSION SOURCE DETERMINING METHOD - 特許庁
第3の化合物半導体層23a、23bは、ガリウム元素、インジウム元素、窒素元素、砒素元素、及び燐元素を含む。例文帳に追加
The 3rd compound semiconductor layers 23a and 23b contain gallium elements, indium elements, nitrogen elements, arsenic elements, and phosphorus elements. - 特許庁
半導体発光素子を光源に含むプロジェクタ例文帳に追加
PROJECTOR INCLUDING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT IN LIGHT SOURCE - 特許庁
絶縁層は半導体ベース基板及び/又は半導体素子の基板の元素と同じ元素を含む。例文帳に追加
The insulating layer contains the same elements as the semiconductor base substrate and/or a substrate of the semiconductor device. - 特許庁
多電源システム、半導体集積回路、及び電源制御回路例文帳に追加
MULTIPLE POWER SUPPLY SYSTEM, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND POWER CONTROL CIRCUIT - 特許庁
半導体集積回路の電源制御システムおよび電源制御方法例文帳に追加
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT POWER CONTROL SYSTEM AND POWER CONTROL METHOD - 特許庁
電源制御用半導体集積回路および電源装置を有するシステム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT FOR POWER SUPPLY CONTROL AND SYSTEM WITH POWER SUPPLY DEVICE - 特許庁
テストコストの削減を実現する半導体検査システムを提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor inspection system that realizes reduced testing cost. - 特許庁
半導体原料は、シリコン、ゲルマニウム及び化合物半導体である。例文帳に追加
The semiconductor materials are silicon, germanium and compound semiconductor. - 特許庁
副電源プレーン8は、電源導体層3に設けられ、半導体装置6を電源導体層3に投影したときの投影像の範囲を含む。例文帳に追加
A sub power plane 8 is provided in a power conductive layer 3 and includes a range of a projection image of a semiconductor device 6 projected onto the power conductive layer 3. - 特許庁
半導体パッケージと半導体パッケージを含む半導体装置のサイズを減少させること。例文帳に追加
To reduce dimensions of a semiconductor package and a semiconductor device containing the semiconductor package. - 特許庁
p形半導体層13はIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むp形化合物半導体からなり、n形半導体層14はIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とドーパントであるII族元素とを含むn形化合物半導体からなる。例文帳に追加
The p-type semiconductor layer 13 is composed of a p-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element and a group VIb element, and the n-type semiconductor layer 14 is composed of an n-type compound semiconductor containing a group Ib element, a group IIIb element, a group VIb element and a dopant of a group II element. - 特許庁
現像スリーブ14は、感光体ドラム2と対向する現像領域Aへ現像剤Gを搬送する。例文帳に追加
The developing sleeve 14 conveys the developer G to a developing area A opposed to a photoreceptor drum 2. - 特許庁
村人たちは原発反対の陳情をした。例文帳に追加
The villagers petitioned against the nuclear power plant. - Tatoeba例文
村人たちは原発反対の陳情をした。例文帳に追加
The villagers petitioned against the nuclear power plant. - Tanaka Corpus
化合物半導体作成用のガリウム原料例文帳に追加
GALLIUM RAW MATERIAL FOR FORMING COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁
半導体製造装置用のマイクロ波電源システム例文帳に追加
MICROWAVE POWER SOURCE SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS - 特許庁
半導体集積回路及び機能実現システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND FUNCTION REALIZATION SYSTEM - 特許庁
窒化ガリウム系化合物半導体を用いた光源例文帳に追加
LIGHT SOURCE USING GALIUM NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR - 特許庁
半導体集積回路装置及び電源システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND POWER SUPPLY SYSTEM - 特許庁
電源装置およびこれを用いた半導体試験システム例文帳に追加
POWER SUPPLY APPARATUS AND SEMICONDUCTOR TEST SYSTEM USING SAME - 特許庁
電源電流測定ユニット及び半導体テストシステム例文帳に追加
POWER SUPPLY CURRENT MEASURING UNIT AND SEMICONDUCTOR TEST SYSTEM - 特許庁
極端紫外光放射源及び半導体露光装置例文帳に追加
EXTREME ULTRA-VIOLET RAY RADIATION SOURCE, AND SEMICONDUCTOR EXPOSURE DEVICE - 特許庁
半導体装置及びこれを用いた電源システム例文帳に追加
SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER SYSTEM USING THE SAME - 特許庁
排気浄化装置の液体還元剤判別システム例文帳に追加
LIQUID REDUCING AGENT DETERMINATION SYSTEM FOR EXHAUST EMISSION CONTROL DEVICE - 特許庁
現像装置取付状態判定システム,画像形成装置例文帳に追加
DEVELOPING DEVICE MOUNTED-STATE DECIDING SYSTEM AND IMAGE FORMING APPARATUS - 特許庁
極端紫外光源および半導体露光装置例文帳に追加
EXTREME ULTRA-VIOLET LIGHT SOURCE AND SEMICONDUCTOR ALIGNER - 特許庁
カルコゲン元素を含む化合物半導体の均一な薄膜を容易に大量に生産する。例文帳に追加
To provide easy mass production of uniform thin films of a compound semiconductor containing chalcogen element. - 特許庁
活性領域5は、少なくともインジウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含む半導体から成っており、例えばInGaN層を含む。例文帳に追加
The active region 5 includes a semiconductor including at least an indium element, a gallium element, and a nitrogen element, and includes, for example, an InGaN layer. - 特許庁
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される1以上のIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。例文帳に追加
A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and one or more group-III atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises lithium, copper, silver, or gold as an additive. - 特許庁
III−V化合物半導体層3は、インジウム元素、アルミニウム元素、ガリウム元素および窒素元素を含んでいる。例文帳に追加
The III-V compound semiconductor layer 3 includes: an indium element; an aluminum element; a gallium element; and a nitrogen element. - 特許庁
CAMを含む半導体装置の高速化、または消費電力の低減を実現する。例文帳に追加
To increase speed or reduce power consumption of a semiconductor device including CAM. - 特許庁
販売支援システム、該システムを実現するプログラム及び記録媒体例文帳に追加
SALES SUPPORT SYSTEM, PROGRAM ACTUALIZING THE SYSTEM, AND RECORDING MEDIUM - 特許庁
アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むIII族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記III族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。例文帳に追加
A nitride-based compound semiconductor including nitrogen atoms and group III atoms that include at least gallium atoms selected from aluminum atoms, gallium atoms, indium atoms, and boron atoms comprises a diffusion-promoting material for diffusing interstitial atoms of the group III atoms as an additive. - 特許庁
化合物半導体薄膜13は、光吸収層として機能する半導体薄膜であり、Ib族元素、IIIb族元素およびVIb族元素を含む。例文帳に追加
The film 13 is a semiconductor thin film which functions as a light absorbing layer, and contains a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element. - 特許庁
p形半導体層2はIb族元素とIIIb族元素とVIb族元素とを含むカルコパイライト構造半導体からなる。例文帳に追加
The p-type semiconductor layer 2 is constituted of the p-type semiconductor layer 2 and a chalcopyrite structure semiconductor including a Ib group element, a IIIb group element and a VIb group element. - 特許庁
トナーとキャリアとを含む現像剤を現像剤担持体により像担持体に搬送させて現像を行う現像装置において、現像後の現像剤が現像剤担持体の表面から適切に離脱されるようにする。例文帳に追加
To remove a developer after development properly from the surface of a developer carrier, in a developing device for developing by allowing the developer carrier for conveying the developer including a toner and a carrier to an image carrier. - 特許庁
インジウム元素、ガリウム元素、アルミニウム元素および窒素元素を少なくとも含むのIII−V化合物半導体層から成るIII−V化合物半導体層は、AlGaN半導体の成膜温度より低い温度で成膜される。例文帳に追加
The III-V compound semiconductor layer consisting of a III-V compound semiconductor layer containing at least the indium element, gallium elements, aluminum elements, and nitride elements is deposited at a temperature lower than a depositing temperature of an AlGaN semiconductor. - 特許庁
III族窒化物半導体層7は活性領域であり、インジウム元素を含む半導体から成る。例文帳に追加
The group III nitride semiconductor layer 7 is an active area and consists of a semiconductor containing the indium elements. - 特許庁
元素X、NおよびGaを含む窒化物半導体において、元素Xの原子分率はNの原子分率より小さい。例文帳に追加
The atomic fraction of the elements X is smaller than that of N. - 特許庁
圧力異常原因判定方法,圧力異常原因判定システム,真空処理装置,記録媒体例文帳に追加
METHOD AND SYSTEM FOR IDENTIFYING CAUSE OF ABNORMALITY IN PRESSURE, VACUUM PROCESSING DEVICE, AND RECORDING MEDIUM - 特許庁
原稿方向判定装置、原稿方向判定方法、プログラムおよびその記録媒体例文帳に追加
DEVICE AND METHOD FOR DETERMINING ORIENTATION OF DOCUMENT, AND PROGRAM AND RECORDING MEDIUM THEREOF - 特許庁
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