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はんむげんたいの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 13877



例文

半導体製造装置から排出される被処理ガスに、ハロゲン元素及び水素を含むガスを混合し、得られた混合ガスを加熱する。例文帳に追加

The gas containing a halogen element and hydrogen is mixed with the gas to be treated discharged from the semiconductor manufacturing device and the obtained mixture gas is heated. - 特許庁

半導体基板1にリフロー処理を施して、Cu膜6を構成するCu原子を流動現象によって溝4の内部へ流し込む。例文帳に追加

Cu atoms consisting a Cu film 6 by performing a reflow treatment on a semiconductor substrate 1 are made to flow into a groove 4 through fluidization phenomenon. - 特許庁

半導体基板上に形成された3A族元素あるいは4A族元素を含む金属を高い洗浄度で除去する。例文帳に追加

To remove a metal containing a 3A group element or a 4A group element formed on a semiconductor substrate with a high cleaning degree. - 特許庁

電源制御機能を有する半導体集積回路1は、回路モジュール11,12,21,22と電源制御回路3とを含む。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit 1 with a power supply control function comprises: circuit modules 11, 12, 21, 22; and a power supply control circuit 3. - 特許庁

例文

低温プロセスによって、珪素を含む結晶質半導体膜中から触媒元素を除去または低減するための技術を提供する。例文帳に追加

To remove or decrease catalyst elements in a crystalline semiconductor film containing silicon in a low-temperature process. - 特許庁


例文

トナーとキャリアを含む2成分現像剤9を表面4aに担持して搬送する現像剤担持体4を備える。例文帳に追加

The developing device includes a developer carrier 4 which carries and conveys the two-component developer 9 containing the toner and the carrier on its surface 4a. - 特許庁

基材上に形成され、13族元素と窒素と15原子%以上の酸素とを含むことを特徴とする半導体膜。例文帳に追加

The semiconductor film is characterized by being formed on the base material, and containing a group 13 element, nitrogen, and oxygen of not less than 15 atom%. - 特許庁

III族元素窒化物結晶の製造方法、それにより得られるIII族元素窒化物結晶、ならびにそれを含む半導体装置例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE CRYSTAL OF GROUP III ELEMENT, NITRIDE CRYSTAL OF GROUP III ELEMENT OBTAINED BY THE METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

動的閾値トランジスタを含む半導体装置であって、ゲート電流が原因となるリーク電流を低減できるものを提供すること。例文帳に追加

To provide a semiconductor device including a dynamic threshold transistor that can reduce the leak current caused by the gate current. - 特許庁

例文

3本以上の電源線と電源線の接続を切り換える2つ以上のトランジスタを含む半導体集積回路である。例文帳に追加

The semiconductor integrated circuit includes three or more power lines and two or more transistors for switching connection of the power lines. - 特許庁

例文

硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板201上に窒化物半導体結晶202を+c軸方向以外の方向へ成長させる。例文帳に追加

A raw material containing a sulfur atom is supplied and the nitride semiconductor crystal 202 is grown to a direction except a +c axis direction on a base substrate 201. - 特許庁

但し、このPまたはAsを含む窒化物半導体のNの原子分率は、そのPまたはAsの原子分率よりも大きいものとする。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer is that an atomic fraction of P or As occupied in the nitride semiconductor layer is 30% or less. - 特許庁

低温プロセスによって、珪素を含む結晶性半導体膜中から触媒元素を除去または低減するための技術を提供する。例文帳に追加

To obtain a technique for eliminating or reducing catalysis element from a crystallizable semiconductor film which contains silicon by a low- temperature process. - 特許庁

安定した内部電源電位を供給することが可能な内部電源電位発生回路を含む半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device including an internal power source potential generating circuit which can supply a stable internal power source potential. - 特許庁

(1)カルコゲナイト系化合物半導体は、Cu、Zn、Sn、元素X_3(=S及び/又はSe)、及び、Oを必須元素として含む。例文帳に追加

(1) The chalcogenide-based compound semiconductor contains Cu, Zn, Sn, an element X_3(=S and/or Se), and O as essential elements. - 特許庁

半導体チップ搭載領域21内の右側およびその近傍には電源用接続端子を含む電源線45、46、47が設けられている。例文帳に追加

The right side in the semiconductor chip mounting regions 21 and the neighborhood thereof are provided with power source lines 45, 46 and 47 including connection terminals for the power sources. - 特許庁

次に、第2のレジスト層17を含む半導体基板10を現像液20dに浸漬して、第2のレジスト層17を現像する。例文帳に追加

Then the substrate 10 having the second resist layer 17 is immersed in a developing solution 20d to develop the second resist layer 17. - 特許庁

半導体層形成用溶液は、I-B族金属と、含カルコゲン元素含有有機化合物と、ルイス塩基性有機溶剤とを含む。例文帳に追加

The solution for semiconductor layer formation includes group I-B metal, a chalcogen element-containing organic compound, and a Lewis base/organic solvent. - 特許庁

現在の再生ポイントが、時間指定サーチが制限されているタイミングではないと判定された場合、処理はステップS13に進む。例文帳に追加

When a present reproduction point meeting the timing limiting the time designation searching is discriminated, the processing continues to the step S13. - 特許庁

表面の希土類元素原子の付着量が0.1〜20mg/m^2 である平版印刷版用支持体。例文帳に追加

The support for the lithographic printing plate contains 0.1 to 20 mg/m^2 of an adhesion quantity of a rare earth element atom on a surface. - 特許庁

演色性を効率よく向上させることができ、発光効率が高く、色むらが少ない光源を半導体発光装置により実現する。例文帳に追加

To achieve a light source of which color rendering property is efficiently improved, with high light emission efficiency and less irregularity in color, using a semiconductor light-emitting device. - 特許庁

定電流源を含むセンス回路の製造ばらつきの影響を低減することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device capable of reducing the influence of variance in manufacturing a sense circuit including a constant current source. - 特許庁

異方性反射の表現を少ない処理負担で実現できるゲームシステム及び情報記憶媒体を提供することが目的である。例文帳に追加

To provide a game system capable of realizing the representation of anisotropic reflection with a small quantity of processing burden, and to provide an information storage medium. - 特許庁

半透明オブジェクトのリアルな映り込み表現と透過表現を両立できるプログラム、情報記憶媒体、画像生成システムの提供。例文帳に追加

To provide a program, an information storage medium, and an image generation system, achieving realistic reflection expression of a translucent object and a transmission expression thereof. - 特許庁

成分組成がF_xM_100-xで表される合金に,元素Aが,A/(F+M)の原子百分率で1〜200(at.%)の範囲で含まれている磁気記録媒体用磁性材料である。例文帳に追加

A magnetic material for a magnetic recording medium wherein 1 to 200 (at.%) - 特許庁

障害原因解析システムで使用する障害原因判定ルールの有効性をリアルタイムに検証可能とする。例文帳に追加

To verify, in real time, effectiveness of a failure cause determination rule used in a failure cause analysis system. - 特許庁

像担持体に搬送される現像剤量のむらを確実に除去して、安定した画像を形成することができる現像装置を提供する。例文帳に追加

To provide a developing device capable of forming a stable image by definitely removing unevenness of the amount of a developer carried to an image carrier. - 特許庁

つまり、わたしの原子を障害物の原子と非常に密接な接触状態に持ち込むわけで、すさまじい化学反応例文帳に追加

meant bringing my atoms into such intimate contact with those of the obstacle that a profound chemical reaction  - H. G. Wells『タイムマシン』

V族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−V化合物半導体を下地のIII−V化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−V化合物半導体を成長する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of growing a III-V compound semiconductor capable of reducing piling-up of nitrogen composition in the vicinity of an interface when the III-V compound semiconductor containing a nitrogen element and an arsenic element as V-family configuration elements is grown on the foundation III-V compound semiconductor. - 特許庁

Ib族元素とIIIb族元素とSeを含むVIb族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、CIGS系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。例文帳に追加

To prevent the waste of Se material when the semiconductor thin film, such as CIGS based thin film, is formed during manufacturing of a semiconductor thin film constituted in a chalcopyrite structure containing a group Ib element, a group IIIb element, and a group VIb element comprising Se, and a photoelectric conversion device. - 特許庁

構造体は、ボール制限メタライゼーション(BLM)層と、BLM層の上に形成された制御崩壊チップ接続(C4)はんだボールとを含む。例文帳に追加

The structure includes a ball limited metalization (BLM) layer and a solder ball of control collapse chip connection (C4) formed on the BLM layer. - 特許庁

電源電圧や温度条件を制限することなく、システム全体の高速動作を可能にする半導体集積回路装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor integrated circuit device, capable of performing high-speed operation of the whole system without limiting a power supply voltage or a temperature condition. - 特許庁

生体内におけるP-糖蛋白質の発現の制御のメカニズムを解明し、薬剤に対する感受性や副作用の発現を判定する。例文帳に追加

To elucidate the control mechanism of P-glycoprotein expression in an organism and to determine the occurrence of drug sensitivity and adverse effect. - 特許庁

任意の色の発光が可能な発光光源であって、窒化物半導体を利用した色ムラを抑制した均一光源を得ることを目的とする。例文帳に追加

To obtain a uniform light source that can emit light of an arbitrary color, utilizes a nitride semiconductor, and is suppressed in color shading. - 特許庁

キャリアのライフタイム制御機能を実現しながらリーク電流を低減することができる半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device whose leak current can be reduced while actualizing a life-time control function for a carrier, and a method of manufacturing the same. - 特許庁

無端帯状の像保持体と搬送部材の間を通過する媒体に転写される現像剤の飛び散りを低減すること。例文帳に追加

To suppress scattering of a developer transferred to a medium which is passed through between an endless belt-shaped image holding body and a conveyance member. - 特許庁

オン抵抗の低減を実現できる、高耐圧のLDMOSトランジスタを有する半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device having a lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) transistor with high breakdown voltage that can achieve reduction in on-resistance. - 特許庁

差動制限装置の検出法、該検出法を用いたタイヤ空気圧低下検出方法、装置ならびにタイヤ減圧判定のプログラム例文帳に追加

DETECTING METHOD FOR DIFFERENTIAL RESTRICTION DEVICE, DETECTING METHOD AND DEVICE FOR AIR PRESSURE DROP OF TIRE, AND JUDGING PROGRAM FOR PRESSURE DROP OF TIRE - 特許庁

生体内におけるP-糖蛋白質の発現の制御のメカニズムを解明し、薬剤に対する感受性や副作用の発現を判定する。例文帳に追加

To judge chemical sensitivity and development of adverse effect by elucidating mechanism of control of development of P-glycoprotein in vivo. - 特許庁

閉位置から開位置に向かう方向の回動範囲を制限するようにハウジング30に当接する制限突起を扉体48に設けた。例文帳に追加

A limit projection in contact with the housing 30 to place a limit on a revolving range in a direction from the closed position to the open position is provided to the door body 48. - 特許庁

対象搬出エリアに位置する複数の対象搬出現場から対象搬入エリアに位置する複数の対象搬入現場への複数の対象搬送機関による搬送対象部材の対象搬送計画をデータ生成できる計画立案システムを提供する。例文帳に追加

To provide a schedule planning system that creates data of a schedule of a plurality of transporting target materials by a plurality of organizations of transportation from a plurality of carrying-out sites located in a target carrying-out area to a plurality of carrying-in sites located in a target carrying-in area. - 特許庁

本発明は、超音波システムに関し、超音波信号が反響しない無反響領域の対象体を含む3次元映像を形成し、対象体に沿って関心領域を設定して2次元映像を再構成することを目的とする。例文帳に追加

To reconstruct a two-dimensional image by forming a three-dimensional image including a target object in an anechoic area without echoic ultrasound signals and setting a region of interest along the target object, in an ultrasound system. - 特許庁

現像剤搬送手段により現像領域に供給される現像剤の量の制御手段として従来用いられている像形成体と現像剤搬送手段の相対速度を変更するものは、現像剤の劣化や濃度むらを生ずる場合があるという問題を解決する。例文帳に追加

To solve a problem such as the occurrence of the deterioration and the concentration unevenness of developer in the case of changing the relative speed of an image forming body and a developer feeding means conventionally used as the controlling means of a developer quantity supplied to a developing area by the developer feeding means. - 特許庁

本発明のはんだ槽およびはんだ付け装置は、容器の表面に溶融はんだと接触する耐食性被膜として上記の添加元素を含む非晶質炭素膜をもち、特に、鉛フリーはんだに対する耐食性に優れる。例文帳に追加

The solder tub and the soldering equipment have the amorphous carbon film containing the additional element(s) on the surface of the container as a corrosion resistant film that comes in contact with the fused solder, and particularly have a superior corrosion resistance against lead-free solder. - 特許庁

現像スリーブ25を感光体ドラム1と反対の方向に回転させ、現像後に現像スリーブ25上に残り、現像スリーブ25から剥離された現像剤31を回収領域R3aに回収する。例文帳に追加

A developing sleeve 25 is rotated reversely to a photoreceptor drum 1 and a developer 31 which is left on the developing sleeve 25 after development and peeled from the developing sleeve 25 is collected in a collection region R3a. - 特許庁

好ましくは、前記周期表第2A族元素に対する前記異種金属元素或いは半金属元素の割合は0.0001〜1モル%であり、周期表第2A族元素はMgであり、異種金属元素はAlである。例文帳に追加

Preferably, a ratio of the different kind of metal element or the semimetal element relative to the element in Group 2A of the Periodic table is 0.0001-1 mol%, the element in Group 2A of the Periodic table is Mg, and the different kind of metal element is Al. - 特許庁

ローラ対51,52によって媒体Mを搬送させつつ、トナー供給部55及び現像電極56によって、媒体Mの静電潜像を現像させる液体トナー現像器50において、媒体M上面と現像電極56の間隙を常に一定に保つ。例文帳に追加

As for the liquid toner developing device 50 for developing an electrostatic latent image on the medium M through a toner supply part 55 and a developing electrode 56 while carrying the medium M by pairs of rollers 51 and 52, a gap between the upper surface of the medium M and the developing electrode 56 is always kept constant. - 特許庁

これにより、レーザ共振器の内部領域では、酸素原子を含む半導体界面の上方および近傍に生成された、結晶欠陥の一つである空孔原子が、酸素原子を含む半導体界面にて捕獲され、上記空孔原子が活性層へ拡散することが抑制される。例文帳に追加

Hence, in the internal region of the laser resonator, a void atom which is one of crystal defects and is generated above and near the semiconductor interface including the oxygen atoms is captured on the semiconductor interface including oxygen atoms, thereby preventing the void atom from being diffused to the active layer. - 特許庁

方法は、原料と液体を含む原料混合物を燃焼生成物流に導入して、同伴原料流を生じせしめ、物品の表面に堆積膜を形成するために溶射ガンからノズルから同伴原料流を放出することとをさらに含む。例文帳に追加

The method also includes the steps of: introducing a feedstock mixture including a feedstock material and a liquid into the combustion product stream to create an entrained feedstock stream; and expelling the entrained feedstock stream from the spray gun through the nozzle to form the deposited film on a surface of the article. - 特許庁

例文

検出信号から帯電むらの影響をリアルタイムで低減させることが可能な半導体検査装置の提供。例文帳に追加

To provide a semiconductor inspection device capable of reducing an influence of unevenness of electrostatic charging from a detection signal in real time. - 特許庁

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この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の集積したものであり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
原題:”The Time Machine”

邦題:『タイムマシン』
This work has been released into the public domain by the copyright holder. This applies worldwide.

翻訳: 山形浩生<hiyori13@alum.mit.edu>
&copy; 2003 山形浩生
本翻訳は、この版権表示を残す限りにおいて、訳者および著者にたいして許可をとったり使用料を支払ったりすることいっさいなしに、商業利用を含むあらゆる形で自由に利用・複製が認められる。(「この版権表示を残す」んだから、「禁無断複製」とかいうのはダメだぞ)
プロジェクト杉田玄白 正式参加作品。詳細はhttp://www.genpaku.org/を参照のこと。
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