「イオン電流密度」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

溶融金属とノズル壁を構成する酸素イオン伝導性耐火材との間に流す電流を、イオン電流密度として0.1A/cm^2以上1.0A/cm^2以下とする。例文帳に追加

The current supplied between the molten metal and the oxygen ion conductive refractory constituting the nozzle wall, is made to 0.1 A/cm2-1.0 A/cm2 ion current density. - 特許庁

本発明は、イオンビーム電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^2 以上、イオンビームの均一性±３％以内、イオンビーム電流密度の再現性（経時変化）±１％以内で、有効径の大きいイオンビームを発生するイオン源を提供する。例文帳に追加

To provide an ion source that generates an ion beam having a large effective diameter with an ion beam current density of 10 mA/cm2 or more, an ion beam uniformity of ±3% or less and a reproducibility (change with the passage of time) of ion beam current density of ±1% or less. - 特許庁

イオンビームの電流密度を上げることなく、成膜スピードの向上を可能とする。例文帳に追加

To improve a deposition speed without increasing the current density of an ion beam. - 特許庁

高電流密度イオン浸透装置及びこの装置を使用する眼の治療方法例文帳に追加

HIGH CURRENT DENSITY IONTOPHORETIC DEVICE AND EYE TREATMENT BY USING THE DEVICE - 特許庁

また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。例文帳に追加

A microcomputer 30 controls the current density of the argon ions emitted by the ion gun 20, based on the current density of transmitted electrons measured by a current detector 40. - 特許庁

ビーム通過領域のガス圧を低減し、高い電流密度の負イオンを高効率で生成する負イオン源例文帳に追加

NEGATIVE ION SOURCE FORMING NEGATIVE ION OF HIGH CURRENT DENSITY IN HIGH EFFICIENCY BY REDUCING GAS PRESSURE OF BEAM PASSAGE REGION - 特許庁

イオン源から近距離であっても、常に均一な電流密度を有するイオンビームを得ることができるようにする。例文帳に追加

To provide an ion beam having constantly uniform current density even at a short distance from an ion source. - 特許庁

イオンビーム３によって光学素子材料５を加工するイオンビーム加工において、まず、絶縁性材料からなる開口部材を有する電流密度測定手段６に、イオンビーム３と電子ビーム８を照射してイオンビーム３の電流密度分布を測定する。例文帳に追加

In ion beam processing using ion beams 3 for processing an optical element material 5, a current density measuring means 6 having an opening member formed of an insulating material is first irradiated with the ion beams 3 and electron beams 8 to measure the current density distribution of the ion beams 3. - 特許庁

そしてこれにより電極間距離をプラズマ密度に応じて実質的に異ならせ、イオンビームの発散性を制御して均一な電流密度を有するイオンビームを得る。例文帳に追加

The ion beams having the uniform current density by thereby differentiating a distance between electrodes in response to the plasma density, the devergence of the ion beams is controlled. - 特許庁

イオン源のプラズマ生成部内におけるプラズマ密度分布が均一でない場合でも、イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くする。例文帳に追加

To provide an ion implantation device in which a uniformity of a beam current density distribution in a Y direction of the ion beam can be improved even if a plasma density distribution is not uniform in a plasma generator of an ion source. - 特許庁

半導体基板にイオン注入を行なう場合に、イオン注入量を半導体基板全面にわたって略均一化できるイオンビームの電流密度分布測定方法及び同測定方法を用いたイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide a measuring method of current density distribution of ion beam in which the ion injection quantity can be nearly uniformed throughout the whole face of a semiconductor board when carrying out ion injection on the semiconductor board, and an ion injection method using this measuring method, and an ion injection device. - 特許庁

Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。例文帳に追加

The M plasma parameters are selected from a group including wafer voltage, ion density, etch rate, wafer current, etch selectivity, ion energy, and ion mass. - 特許庁

イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。例文帳に追加

To adjust a current density distribution of an ion implantation apparatus with precision by finely bending a part of a stripe type ion beam in a surface of the stripe type ion beam. - 特許庁

一価陽イオン選択透過性の耐久性、ならびに選択性付与による直流抵抗の増加および限界電流密度の低下の度合を抑制した、一価陽イオン選択透過性陽イオン交換膜の提供。例文帳に追加

To provide a monovalent cation selectively permeable cation exchange membrane to which the durability and selectivity of the monovalent cation selectively permeable property are imparted to control degrees for the increase of direct electric current resistance and the decrease of limiting electric current density. - 特許庁

更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。例文帳に追加

Furthermore, the ion beam irradiation device includes beam current density distribution adjustment mechanisms 70a, 70b for respectively adjusting beam current density distributions in the vicinity of an end of ion beams 54a, 54b. - 特許庁

希土類六ホウ化物ナノワイヤを電子放出ユニットとして用いることで高放出電流密度熱イオンエミッタを形成すること。例文帳に追加

To form a high emission current density thermion emitter by using a rare earths hexaboride nanowire as an electron emitting unit. - 特許庁

銅の高電流密度電解精製方法において、添加剤としてニカワ、チオ尿素とともに陰イオン活性剤を用いる。例文帳に追加

An anionic surfactant is used together with glue and thiourea as an additive in the high current density electrolytic refining method for copper. - 特許庁

また、各部の電極対に面積をイオン電流密度に反比例した構成にすることにより、信頼性の高い酸素ポンプを実現できる。例文帳に追加

Further, the area ratio of the respective electrode couples is made inversely proportional to ion current density, thus the oxygen pump having high reliability can be realized. - 特許庁

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させる。例文帳に追加

To improve the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate. - 特許庁

この構成により、アンテナ５と基板９との距離を小さくしても均一性が良く、かつ、高いイオン飽和電流密度が得られた。例文帳に追加

In this constitution, the superior uniformity is realized even if the distance between the antenna 5 and the substrate 9 is diminished, and high ion saturation current density is also obtained. - 特許庁

調整工程では、前記算出工程によって算出された前記ビーム電流密度に基づいて前記イオンビームを調整する。例文帳に追加

In the adjustment step, the ion beam is adjusted based on the beam current density calculated in the calculation step. - 特許庁

耐久性に優れ、限界電流密度が高く、かつ直流膜抵抗の低い一価選択性に優れた陽イオン交換膜の提供。例文帳に追加

To provide a cation-exchange membrane excellent in durability, having a high limiting current density, and low direct-current membrane resistance, and excellent in monovalent selectivity. - 特許庁

高電流密度イオン浸透装置１０は薬剤を保持し得るレザバー１２と、患者の眼の表面に位置し得るアプリケータ１４とを具える。例文帳に追加

The high current density iontophoretic device 10 has a reservoir 12 for holding a medicine and an applicator 14 to located on the surface of the eye of a patient. - 特許庁

フィルタ用の磁界の影響によるイオンビーム電流密度分布の偏りを実質的に緩和する。例文帳に追加

To practically ease deviation of an ion beam current density distribution due to the influence of a magnetic field for a filter. - 特許庁

二つのＺ座標位置Ｚ_f およびＺ_b におけるイオンビーム２の走査方向（Ｘ方向）の電流密度分布を多点ファラデー２０、３０でそれぞれ測定し、その電流密度分布を用いて内挿法によって、被処理物４内に位置する任意のＺ座標位置におけるイオンビーム２の走査方向の電流密度分布を求める。例文帳に追加

Current density distributions of a scanning direction (X direction) of an ion beam 2 at two Z coordinate positions Zf and Zb are measured by multi-point faradays 20, 30, and the current density distributions of the scanning direction of the beam 2 at an arbitrary Z position disposed in a material 4 to be treated are obtained by an interpolating method using the distributions. - 特許庁

調整目標設定データ内にイオン注入条件と合致するデータがある場合には、各リボン状イオンビームのうち少なくとも１本のリボン状イオンビームのビーム電流密度の調整目標を、調整目標設定データから読み出したビーム電流の値を用いて設定する。例文帳に追加

When there are the data that coincide with the ion implantation condition in the adjustment target setting data, the adjustment target of the beam current density of at least one of the respective ribbon-like ion beams is set using the value of a beam current read from the adjustment target setting data. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。例文帳に追加

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction in the ion source 100, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90. - 特許庁

レンズ要素４０は、イオンビームの収束位置５２の近傍の領域で、イオンビームの電流密度分布が調整されるようにレンズ要素４０が設けられている。例文帳に追加

The lens element 40 is set so that the current density distribution of the ion beam can be adjusted in a region near a focusing position 52 of the ion beam. - 特許庁

基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implanting device capable of improving the uniformity of an longitudinal direction (Y direction) ion beam current density distribution at an implantation position to a substrate. - 特許庁

照射によってプラズマ１０中の負イオンから光離脱した電子を、プローブ３によって捕集し、捕集した光離脱電子電流を計測することによって、負イオンの密度を計測する。例文帳に追加

Electrons optically released from negative ion in the plasma 10 by irradiating are collected by the probe 3, and a density of the negative ion is measured by measuring the collected optically released electron current. - 特許庁

注入位置でのリボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus capable of improving uniformity of a beam current density distribution in the Y-direction of an ion beam in a ribbon shape at an injection position. - 特許庁

イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのｙ方向（長手方向）のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。例文帳に追加

To enhance uniformity of a beam current density distribution in the y-direction (longitudinal direction) of an ion beam without having an adverse influence to parallelism and the divergence angle of the ion beam. - 特許庁

イオンビーム２の電流密度は、６５μＡ／ｃｍ^2以下であることが好ましく、磁性材料薄膜を成膜中にイオンビームを照射してもよい。例文帳に追加

The current density of the ion beam 2 is favorably at most 65 μA/cm^2, and the magnetic material thin film can be irradiated with the ion beam during the deposition of the thin film. - 特許庁

リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。例文帳に追加

To realize an ion injection device which is easy to handle and can reduce power consumption with a simple structure by an assembly which can adjust uniformity of the current density of a ribbon form continuous ion beam. - 特許庁

イオンビームの低エネルギー化が進んだ場合においても、半導体基板に対して十分に均一な電流密度分布を有するイオンビームを照射することを主たる目的としている。例文帳に追加

To irradiate an ion beam having sufficiently uniform current density distribution against a semiconductor substrate even when energy reduction of the ion beam is advanced. - 特許庁

ガラス基板上に照射された複数本のイオンビームによる重ね合わせ領域において、各イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。例文帳に追加

To efficiently adjust a beam current density distribution of each ion beam in an ion-beam-superposed region on a glass substrate irradiated with a plurality of ion beams. - 特許庁

イオンビームの幅方向におけるビーム電流密度分布の均一性の低下、平行度の悪化および基板処理速度の低下を抑制しつつ、基板の大型化に対応可能なイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation device capable of coping with enlargement of a board while suppressing reduction of homogeneity of a beam current density distribution in a width direction of an ion beam, aggravation of a parallel degree, and reduction of a treatment speed of the board. - 特許庁

煩雑な作業を要することもなく、広範なプラズマ密度領域において常に均一なイオンビームの電流密度を容易に得ることができるようにする。例文帳に追加

To easily obtain the constantly uniform current density of ion beams in a wide range of a plasma density region without complicated work. - 特許庁

プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度を部分的に制御可能にして、リボン状イオンビームのＹ方向におけるビーム電流密度分布の均一性を良くすることや、所定の不均一な分布を実現可能にしたイオン源を提供する。例文帳に追加

To provide an ion source achieving improvement in uniformity of a beam current density distribution in a Y-direction of ribbon-like ion beams and a given uneven distribution, by making partially controllable a plasma density in the Y-direction inside a plasma generating vessel. - 特許庁

本発明はイオンビーム源装置において、引き出されたイオンによって空間電荷が形成され、引き出し電流密度が大きくなると、それに比例した大きな電場が発生し、その結果イオンビームが自己発散するような問題点を除去することを課題とする。例文帳に追加

To eliminate problems that in an ion beam source device, when a space charge is formed by extracted ions and an extracted current density becomes large, a proportionally large electric field is generated, and as a result, an ion beam is self-divergent. - 特許庁

正イオン、負イオン、中性粒子等の各種ビームを低エネルギ、大イオン電流密度で、かつ、大口径で均一に被処理物に照射することができると共に、グリッド電極の大口径化、および長寿命化ができるビーム源、およびビーム処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a beam source and a beam treatment device capable of uniformly irradiating various beams like positive ion, negative ion, neutral particles or the like on a treated object in a large ion current density and in a large diameter, and realizing a large caliber and longer life of a grid electrode. - 特許庁

リチウムイオン二次電池を製造する工程後に該リチウムイオン二次電池に対して行う初回の充電時に、低電流密度で充電しながら該リチウムイオン二次電池の端子電圧を測定する測定工程と、該端子電圧の値から、自己放電量を推測する推測工程と、を有する。例文帳に追加

The measuring method comprises the steps of: measuring the terminal voltages of the lithium ion secondary cell during the initial charging of the cell at a low current density after a process of manufacturing the cell; and estimating a self-discharge amount, based on the terminal voltages. - 特許庁

通電の方式に係わらず、皮膚へ流れる電流の電流密度の均一化が図られて、通電刺激が低減し得、しかも、電源を含むイオントフォレーシス装置の構成を簡素化し得る電極構造体を提供する。例文帳に追加

To provide an electrode structural body which enables not only the lowering of stimulation by electric energization but also the simplification of the structure of an iontophoresis device containing a power source by uniformizing the density of current flowing through skin regardless of the type of electric energization. - 特許庁

従前の構成は時としてクロムイオンの析出に十分な大きさの電流密度が得られない場合もあることが判明したので、さらに確実に、より十分な電流密度を得ることができるように、陽極及び陰極の構成を改良する点にある。例文帳に追加

To improve the constitution of an anode and a cathode in a barrel plating apparatus so that more sufficient current density is further securely obtained since the fact that current density with a size sufficient for the precipitation of chromium ions can not be obtained case by case in the conventional constitution has been made clear. - 特許庁

このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、Ｙ方向に走査される電子ビーム１３８を放出してプラズマ１２４を生成する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。例文帳に追加

This ion implanting device includes an ion source 100 for generating an ion beam 50, an electron beam source Gn for emitting an electron beam 138 scanned in the Y direction to generate plasma 12, a power source 114 for the electron beam source, an ion beam monitor 80 for measuring the Y direction beam current density distribution of the ion beam 50 in the vicinity of the implanting position, and a control device 90. - 特許庁