「ゲート材料」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

同一基板上に異なる材料／厚さのゲート酸化膜／ゲート電極が形成された半導体装置。例文帳に追加

To provide a semiconductor device where a gate oxide film/gate electrode of different material/thickness is formed on the same substrate. - 特許庁

そして、パターニングされたマスク膜３０をマスクとしてゲート電極材料２９をエッチングし、第２ゲート電極２８を形成する。例文帳に追加

The second gate electrode 28 is formed by etching the gate electrode material 29 using the patterned mask film 30 as a mask. - 特許庁

次に、ゲートトレンチ１１４ｂ内にゲート電極材料１１１〜１１３を埋め込み、これをエッチバックした後、シリコン窒化膜１０２を除去する。例文帳に追加

Next, after gate electrode materials 111 to 113 are embedded in the gate trench 114b and etched back, the silicon nitride film 102 is removed. - 特許庁

ゲート電極の材料は、上記ゲート用溝部と上記各プレート状部とを充填するように堆積形成される。例文帳に追加

A gate electrode material is deposited and formed so as to fill the gate groove part and each plate-like part. - 特許庁

トンネル酸化膜２上に浮遊ゲート３、第１の絶縁膜７、制御ゲート８の各材料をこの順に積層状態に形成する。例文帳に追加

Each material of a floating gate 3, a first insulation film 7 and a control gate 8 is formed on a tunnel oxidation film 2 in a laminated state. - 特許庁

ゲート電極材料膜４をエッチングしゲート電極を形成する際のマスクとなるハードマスク５ａを細線化する。例文帳に追加

A gate electrode material film 4 is etched, and a hard mask 5a being a mask at the time of forming the gate electrode is thinned. - 特許庁

ｐＭＯＳトランジスタのゲート電極４７とｎＭＯＳトランジスタのゲート電極４２とは仕事関数の異なる材料からなっている。例文帳に追加

A gate electrode 47 of the pMOS transistor and a gate electrode 42 of the nMOS transistor are made of materials having different work functions, respectively. - 特許庁

ランナゲート２の、その長手方向のほぼ中央部のところに原材料を注入するための注入口であるメーンゲート３を設ける。例文帳に追加

A main gate 3 being an injection port for injecting a raw material is provided to the almost central part in the longitudinal direction of the runner gate 2. - 特許庁

次に、ゲート材料層７０をフォトエッチングして多結晶シリコン膜５２Ａに交差する、途中のゲート層７０Ａを形成する。例文帳に追加

Then, the gate material layer 70 is photoetched to form a halfway gate layer 70A crossing the polycrystal silicon film 52A. - 特許庁

ゲート内側部36Ａとゲート外側部36Ｂを接続して成形材料のキャビティ３への充填を行う。例文帳に追加

The gate inside part 36A is connected to the gate outside part 36B to fill the cavity 3 with a molding material. - 特許庁

第一ゲート電極と第二ゲート電極は、ゲルマニウムの固有エネルギーレベルに近い仕事関数を有する同一材料で形成される。例文帳に追加

The first gate electrode and the second gate electrode are formed of a same material having a work function close to an intrinsic energy level of germanium. - 特許庁

表皮成形用材料３６の射出時には、第１ゲート３４からの射出よりも第２ゲート３５からの射出を先に行う。例文帳に追加

When the skin molding material 36 is injected, the injection from the second gate 35 precedes that from the first gate 34. - 特許庁

材料通路28を製品キャビティ３へ開口させるゲート20を有し、バルブピン41を移動することによりゲート20を開閉する。例文帳に追加

A gate 20 for opening the material passage 28 to a product cavity 3 is provided and this gate 20 is opened and closed by moving a valve pin 41. - 特許庁

材料通路４２をキャビティ２３へ連通させるゲート７３と、このゲート７３を開閉するバルブスリーブ７１とを備える。例文帳に追加

This valve gate type mold assembly is equipped with a gate 73 for allowing a material passage 42 to communicate with a cavity 23 and a valve sleeve 71 for opening and closing the gate 73. - 特許庁

そしてゲート２１、キャビティ２３に射出された成形材料が固化して成形品Ｓ、ゲートＧが形成される。例文帳に追加

Then, the molding material injected into the gate 21 and the cavity 23 is solidified to form a molded article S and a gate G. - 特許庁

これにより、バルブケーシング25のゲート側及び反ゲート側における材料通路34の断熱性を向上する。例文帳に追加

By this constitution, the heat insulating properties of the material passage 34 on the gate side and anti-gate side of the valve casing 25 is enhanced. - 特許庁

ゲートに無理な力が加わることがなく、バルブピンのゲート開放後における成形材料の流れを円滑にする。例文帳に追加

To facilitate flow of a molding material after opening a gate of a valve pin without adding compulsory strength. - 特許庁

金型１の下部にはリング状のゲート部４が設けられ、このゲート部４から上方に向かって金属材料が供給される。例文帳に追加

At the lower part of the metallic mold 1, an annular gate part 4 is arranged and the metal material is supplied upward from this gate part 4. - 特許庁

これにより、ゲート４の上面がスパッタリングされ、同スパッタリングされたゲート４材料により、抑制膜４ｓが形成される（図１（ｃ））。例文帳に追加

Thus, the upper surface of the gate 4 is sputtered, and a suppression film 4s is formed by the material of the sputtered gate 4 (Figure 1 (c)). - 特許庁

ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。例文帳に追加

A gate electrode, a semiconductor layer, and a source electrode or a drain electrode are formed using a translucent material, and a wiring such as a gate wiring or a source wiring is formed using a material having resistivity lower than that of the translucent material. - 特許庁

電界効果型トランジスタは、第１材料上のゲート絶縁体と、ゲート絶縁体上に設けられた導電性のゲートと、ゲートの下方の第１材料内に配置されたチャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有する。例文帳に追加

The field effect transistor includes: a gate insulator on the first material; a conductive gate provided on the gate insulator; a channel region arranged in the first material below the gate; a source region; and a drain region. - 特許庁

ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＰＭＯＳトランジスタ２１のゲート絶縁膜２３とは異なる材料から成り、ＮＭＯＳトランジスタ１１のゲート絶縁膜１３と、ＮＭＯＳトランジスタ３１におけるゲート絶縁膜３３の上層膜３３ａとは同じ材料から成る。例文帳に追加

The gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the gate insulating film 23 of the PMOS transistor 21 are formed of different materials, and the gate insulating film 13 of the NMOS transistor 11 and the upper layer film 33a of the gate insulating film 33 of the NMOS transistor 31 are formed of the same materials. - 特許庁

ゲート電極の仕事関数の調整は、ゲート電極内にいくらかの追加材料を導入することだけでなく、段階的モードの堆積およびゲート電極の下側ゲート部分の厚さ変化の効果を追加材料のパルスの組み入れが提供する効果と組み合わせて利用することで為され得る。例文帳に追加

The adjustment of the work function of the gate electrode is accomplished by not only introducing some additional materials in the gate electrode but utilizing the effects of the stepwise mode deposition and the change in thickness of the lower gate part in the gate electrode, in combination with the effect provided by incorporating the pulse of the additional material. - 特許庁

ゲート領域中の材料を除去して基板の一部分を露出させ、基板の露出部分の上にゲート誘電体を形成し、ゲート誘電体および誘電体材料を覆う内部スペーサ層を形成する置換ゲート・プロセスを用いる。例文帳に追加

The manufacturing method includes replacement gate process, in which a part of a substrate is exposed by removing material in a gate region, gate dielectric is formed on an exposed portion of the substrate, and an internal spacer layer which covers the gate dielectric and dielectric material is formed. - 特許庁

そして材料の投入開始初期には排出ゲート２１を閉塞して混練槽２内に材料を留めて十分に混練するようにし、混練槽内に材料が所定量溜ってから排出ゲートを開放して材料切り出し装置１８によって所定量ずつ材料を切り出す。例文帳に追加

The discharging gate 21 is closed at the initial time of starting the charge of the material to retain the material in the kneading vessel 2 to sufficiently knead the material and after the prescribed quantity of the material is stored, the discharging gate 21 is opened to extract the material by the material extracting device 18. - 特許庁

ゲート絶縁膜１０５と接する第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１がゲート電極１５１の一部として形成されないｎチャネル領域１０３上に、第２ゲート電極材料膜（ＴｉＮ膜）１１１のエッチング時にオーバーエッチング吸収層として機能する第１ゲート電極材料膜（ポリシリコン膜）１０７を予め形成しておく。例文帳に追加

In a semiconductor apparatus, on an n-channel region 103 on which a second gate electrode material film (a TiN film) 111 contacting a gate insulating film 105 is not formed as a part of a gate electrode 151, a first gate electrode material film (a polysilicon layer) 107 functioning as an overetching absorption layer is previously formed when etching the second gate electrode material film (the TiN film) 111. - 特許庁

ゲート電極材料上に形成した第１のシリコン酸化膜とゲート電極材料とを加工した後（ステップＳ２）、ゲート電極材料の側壁を保護する第２のシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜を、この順でそれぞれ所定の膜厚で形成する（ステップＳ４，Ｓ５）。例文帳に追加

A first silicon oxide film and gate electrode materials formed on gate electrode materials are worked (a step S2), and a second silicon oxide film and a silicon nitride film for protecting the sidewalls of the gate electrode materials are formed with predetermined film thicknesses in this order (steps S4, S5). - 特許庁

製造プロセスにおける半導体基板やゲート絶縁膜、第１及び第２の導電層（金属ゲート電極材料）へのダメージを可及的に抑止し、ゲート抵抗値及びゲートリーク電流の増加を防止して、極めて信頼性の高い金属ゲートＣＭＯＳ型の半導体装置を実現する。例文帳に追加

To materialize a metal gate CMOS semiconductor device which suppresses damages to a semiconductor substrate, a gate insulating film, and first and second electroconductive layers (metal gate electrode materials) in a production process as much as possible, prevents an increase of a gate resistance value and a gate leakage current, and is extremely high reliable. - 特許庁

高ｋ材料で作られるゲート誘電体を有するＣＭＯＳデバイスを簡単に製造する。例文帳に追加

To simply manufacture a CMOS device having a gate dielectric made of a high-k dielectric. - 特許庁

高価な光学材料を多量に廃棄する無駄を無くし、且つゲートカットも不要とした撮影装置。例文帳に追加

To provide a photographing device with which useless discarding of expensive optical materials in large quantities is and dispensing with gate cutting. - 特許庁

スペーサは、ゲート誘電体層に選択的にエッチングできる材料からなることが好ましい。例文帳に追加

The spacer consists preferably of a material which can be etched selectively in relation to the gate dielectric layer. - 特許庁

半導体材料中の表面移動度測定用の弾性メタルゲートＭＯＳトランジスタ例文帳に追加

ELASTIC METAL GATE MOS TRANSISTOR FOR SURFACE MOBILITY MEASUREMENT IN SEMICONDUCTOR MATERIALS - 特許庁

特に、ゲート電極，ドレイン電極で使用する金属材料を使用することが好ましい。例文帳に追加

In particular, a metal material used for a gate electrode and a drain electrode is,preferably used. - 特許庁

半導体基板１００上に酸化シリコン系材料からなるゲート絶縁膜１０２を形成する。例文帳に追加

The gate insulation film 102 of a silicon oxide-based material is formed on the semiconductor substrate 100. - 特許庁

そして、この露出したゲート電極材料の側壁底部にノッチを形成する（ステップＳ８）。例文帳に追加

Then, a notch is formed at the exposed sidewall bottom of the gate electrode material (a step S8). - 特許庁

金属ゲート電極による周辺材料へ印加される応力を緩和する。例文帳に追加

To mitigate a stress to be applied to peripheral materials with a metal gate electrode. - 特許庁

（ｅ）エミッタ材料７を犠牲層４と共にゲート電極層３上から除去する。例文帳に追加

(e) The emitter material 7 is removed together with the sacrificial layer 4 from the gate electrode layer 3. - 特許庁

ゲート絶縁膜４と容量絶縁膜５とは材料及び膜厚が同一である。例文帳に追加

The gate insulating film 4 and the capacitance insulating film 5 are formed from the same material and have the same thickness. - 特許庁

液体で処理することができるゲート誘電体材料により得られる薄膜トランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a thin film transistor comprising a liquid-processable gate dielectric material. - 特許庁

第１および第２の材料のラインの交互配列を有するフローティングゲートの形成方法例文帳に追加

METHOD FOR FORMING FLOATING GATE WITH ALTERNATION ARRANGEMENT OF LINES OF FIRST AND SECOND MATERIALS - 特許庁

ゲート絶縁膜１３は、チャネル領域１０上に形成され、Ｈｉｇｈ−ｋ材料が添加される。例文帳に追加

A high-k material is added to the gate insulating film 13 formed on the channel region 10. - 特許庁

成形材料内に充填されたガスがゲート部側に逆流することを回避することができること。例文帳に追加

To prevent the back flow of gas packed in a molding material on the side of a gate part. - 特許庁

支持羽根29よりもゲート14側の部分で材料通路28を円柱形状部32とする。例文帳に追加

The passageway 28 for a material is formed into a columnar-shape part 32 at the part on the gate 14 side instead of at the support blades 29. - 特許庁

導電材料のゲートトレンチへの埋め込みが容易な半導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of easily burying a conductive material into a gate recess. - 特許庁

また、バルブケーシング25の内部に材料通路34を囲むゲート側空気断熱層62を設ける。例文帳に追加

Further, an air heat insulating layer 62 on the gate side surrounding the material passage 34 is provided in the valve casing 25. - 特許庁